技术特征：
1.一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件，其特征在于：包括支撑衬底(4)、铁电二维钙钛矿(1)、tmds材料(2)和两个源漏电极(3)，所述铁电二维钙钛矿(1)和tmds材料(2)铺设于支撑衬底(4)上且部分重叠，所述铁电二维钙钛矿(1)和tmds材料(2)相互重叠部分位于支撑衬底(4)中部且tmds材料(2)位于铁电二维钙钛矿(1)的下方，其中一个源漏电极(3)与铁电二维钙钛矿(1)相连接且另一个源漏电极(3)与tmds材料(2)相连接。2.如权利要求1所述的一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件，其特征在于：支撑衬底(4)选用si、al2o3、pet中的任意一种；源漏电极(3)选用ti、cr、au、pd金属电极中的任意一种或选用石墨烯二维材料。3.如权利要求1或2所述的铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1，将pdms置于透明玻璃片上，得到用于干法转移的pdms转移垫片；s2，用机械剥离法对铁电二维钙钛矿晶体材料进行剥离；s3，采用机械剥离法对mos2晶体材料进行反复剥离，在目标衬底上获得到多层或少层的mos2二维材料；s4，继续将步骤s2得到的铁电二维钙钛矿二维材料在室温下用pdms干法转移技术转移至多层或少层的tmds材料上，得到铁电二维钙钛矿/二硫化钼异质结器件；s5，铁电二维钙钛矿/二硫化钼异质结器件两端上利用金属掩模版法制备出金属源漏电极。4.如权利要求3所述的铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件的制备方法，其特征在于：在步骤s2中，将薄层铁电二维钙钛矿材料放在透明胶带上，然后将透明胶带反复对撕，再将对撕后的胶带粘在pdms转移垫片上，在pdms转移垫片上获得到铁电二维钙钛矿二维材料。5.如权利要求3所述的铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件的制备方法，其特征在于：在步骤s4中，在光学显微镜下将pdms转移垫片与tmds材料对准，下降pdms转移垫片使它和mos2接触，1分钟到2分钟后缓慢将pdms转移垫片抬起，得到铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直异质结。6.如权利要求3所述的铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件的制备方法，其特征在于：在步骤s5中，将金属掩模版固定在硅片上，使电极位于异质结两端，随后用热蒸镀法蒸镀金电极。
技术总结
一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件，包括支撑衬底、铁电二维钙钛矿、TMDs材料和两个源漏电极，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料铺设于支撑衬底上，所述铁电二维钙钛矿和TMDs材料相互重叠部分位于支撑衬底中部且TMDs材料位于铁电二维钙钛矿的下面，其中一个源漏电极与铁电二维钙钛矿相连接且另一个源漏电极与TMDs材料相连接。本发明提供了一种基于铁电二维钙钛矿/二硫化钼垂直结构异质结器件及其制备方法，解决现有钙钛矿器件光电难以同时获取稳定性和高效光电探测性能这一技术难题。技术难题。技术难题。
技术研发人员：刘富才 贾强 梁磊
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/10/10