发光装置

发光装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年5月26日提交的韩国专利申请第10-2021-0067891号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分地陈述。
技术领域
3.本发明的实施方式通常涉及显示装置，且更具体地，涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.有机发光装置(oled)为自发射装置，其与现有技术的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性，并且产生全色图像。
5.oled可包括基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。来自第一电极的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且来自第二电极的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。
6.该背景章节中公开的上面的信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且，因此，其可含有不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.与现有技术相比，发光装置和包括其的电子设备具有低驱动电压和提高的效率。
8.本发明构思的另外的特征将在随后的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而了解到。
9.根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层，并且发射层包括式1-1或式1-2的第一化合物和式2的第二化合物：
10.式1-1
[0011][0012]
式1-2
[0013][0014]
式2
[0015][0016]
其中，在式1-1和式1-2以及式2中，变量为本文描述的。
[0017]
根据另一实施方式的方面，电子设备可包括如上描述的发光装置。
[0018]
应当理解，前述的一般描述和下述的详细描述都是示出性和解释性的，并且旨在提供如要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
[0019]
为提供本发明的进一步理解而包括的并且并入本说明书中以及构成本说明书的一部分的所附附图，示出了本发明的示出性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
[0020]
图1为根据本发明的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。
[0021]
图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的示意性横截面图。
[0022]
图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性横截面图。
具体实施方式
[0023]
在以下描述中，为了解释的目的，陈述了许多具体的细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词语，其为采用本文公开的一个或多个本发明构思的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体的细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式显示，以避免不必要地混淆各种实施方式。进一步，各种实施方式可为不同的，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方式的具体形状、配置和特点可在另一实施方式中使用或实现。
[0024]
除非另外指出，否则示出的实施方式应理解为提供其中可在实践中实现本发明构思的一些方式的不同细节的示出性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。
[0025]
通常提供所附附图中的交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近元件之间的边界。正因如此，除非另外指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传递或指示对特定材料、材料性质、维度、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实现实施方式时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行两个连续描述的工艺。而且，相同的附图标记表示相同的元件，并且省略重复的解释以避免冗余。
[0026]
当元件，比如层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或可存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更宽的意义上解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可解释为仅x，仅y，仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合，比如，例如xyz、xyy、yz和zz。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。
[0027]
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。
[0028]
空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“上方”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可在本文中用于描述性目的，并且，从而描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语也旨在涵盖使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的设备翻转，则描述为其他元件或特征“下面”或其他元件或特征“之下”的元件将接着定向为其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他定向)，并且，正因如此，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
[0029]
本文使用的术语用于描述特定的实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。也应注意，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且，正因如此，用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
[0030]
本文参考作为理想化的实施方式和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图描述了各种实施方式。正因如此，应预期由例如制造技术和/或公差造成的示出的形状的变型。因此，本文公开的实施方式不应必须解释为限于特定示出的区的形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。如此，附图中示出的区本质上可为示意性的并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且，正因如此，不必旨在是限制性的。
[0031]
除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。
[0032]
根据本发明的第一方面，一个或多个实施方式的发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层可包括发射层，并
且发射层可包括第一化合物和第二化合物。在实施方式中，第一化合物与第二化合物的重量比可在约2:8至约8:2的范围内。
[0033]
第一化合物可由式1-1或式1-2表示：
[0034]
式1-1
[0035][0036]
式1-2
[0037][0038]
在式1-1和式1-2中，l1至l4可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且l5可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(r5)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0039]
在一些实施方式中，l1至l5可各自独立地选自：亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚螺-芴-苯并芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚吡咯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚咔唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚噁二唑基、亚三嗪基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并噻咯基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚噻二唑基、亚咪唑并吡啶基和亚咪唑并嘧啶基；以及
[0040]
各自被以下中的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚螺-芴-苯并芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2-苯并菲基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚吡咯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚咔唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三
唑基、亚四唑基、亚噁二唑基、亚三嗪基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并噻咯基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚噻二唑基、亚咪唑并吡啶基和亚咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0041]
其中q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。
[0042]
在一些实施方式中，l1至l5可各自独立地选自由式3-1至式3-23表示的基团：
[0043][0044]
其中，在式3-1至式3-23中，
[0045]y11
可选自c(z3)(z4)、n(z5)、si(z6)(z7)、o和s，
[0046]
z1至z7可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)，
[0047]
其中q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，
[0048]
d2可为选自0至2的整数，
[0049]
d3可为选自0至3的整数，
[0050]
d4可为选自0至4的整数，
[0051]
d6可为选自0至6的整数，
[0052]
d8可为选自0至8的整数，并且
[0053]
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。
[0054]
在式1-1和式1-2中，a1至a4可各自独立地为选自0至5的整数，并且a5可为选自1至10的整数。a1至a5分别指示l1至l5的数量，当a1为2或更大时，至少两个l1可彼此相同或不同，当a2为2或更大时，至少两个l2可彼此相同或不同，当a3为2或更大时，至少两个l3可彼此相同或不同，当a4为2或更大时，至少两个l4可彼此相同或不同，并且当a5为2或更大时，至少两个l5可彼此相同或不同。
[0055]
在式1-1和式1-2中，r1至r5可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0056]
在实施方式中，r1至r5可各自独立地选自：苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及
[0057]
各自被以下中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-芴-苯并芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻
咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0058]
其中q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。
[0059]
在式1-1和式1-2中，r1和r2可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基结合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且r3和r4可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基结合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团。在式1-1和式1-2中，n1可为选自1至4的整数。
[0060]
在一些实施方式中，第一化合物可包括由式cy1至式cy18表示的基团中的至少一个：
[0061][0062]
其中，在式cy1至式cy18中，
[0063]r10b
和r
10c
可各自通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0064]
环cy1至环cy4可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且
[0065]
式cy1至式cy18中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0066]
在一些实施方式中，式cy1至式cy18中的环cy1至环cy4可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。在实施方式中，第一化合物可由式1-1表示。
[0067]
在一个或多个实施方式中，第一化合物可包括化合物h-1至h-6中的至少一个：
[0068]
第二化合物可由式2表示：
[0069]
式2
[0070][0071]
在实施方式中，第二化合物可包括至少一个电子传输基团。电子传输基团可包括缺π电子的含氮c
1-c
60
环、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基或其任意组合。
[0072]
在式2中，x
11
可为c(r
11
)或n，x
12
可为c(r
12
)或n，x
13
可为c(r
13
)或n，x
14
可为c(r
14
)或n，x
15
可为c(r
15
)或n，x
16
可为c(r
16
)或n，x
17
可为c(r
17
)或n，x
18
可为c(r
18
)或n，且x
19
可为c(r
19
)或n。在一些实施方式中，x
11
至x
19
中的至少一个可不为n。在实施方式中，x
11
可为c(r
11
)，x
12
可为c(r
12
)，x
13
可为c(r
13
)，x
14
可为c(r
14
)，x
15
可为c(r
15
)，x
16
可为c(r
16
)，x
17
可为c(r
17
)，x
18
可为c(r
18
)，且x
19
可为c(r
19
)。
[0073]
在式2中，r
11
至r
19
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0074]r11
至r
19
中的任意两个基团可任选地彼此结合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0075]
在一个实施方式中，第二化合物可由式2-1至式2-3中的任意一个表示：
[0076]
式2-1
[0077][0078]
式2-2
[0079][0080]
式2-3
[0081][0082]
其中，在式2-1至式2-3中，
[0083]r11
至r
19
可分别通过参考本文提供的r
11
至r
19
的描述来理解，并且
[0084]r21
至r
24
可分别通过参考本文提供的r
14
的描述来理解，并且r
31
至r
34
可分别通过参考本文提供的r
12
的描述来理解。
[0085]
在一些实施方式中，r
11
至r
19
、r
21
至r
24
和r
31
至r
34
可各自独立地选自：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0086]
各自被以下中的至少一个取代的c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0087]
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基和三嗪基；
[0088]
各自被以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基和三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、三嗪基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)，-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)；
[0089]
各自被以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基和三嗪基：各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、三嗪基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)中的至少一个取代的c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0090]
各自被以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基和三嗪基：各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、三嗪基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基和三嗪基；以及
[0091]-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
[0092]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地选自：
[0093]
氢、氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、c
1-c
20
烷基、c
2-c
20
烯基、c
2-c
20
炔基、c
1-c
20
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
20
芳基、c
1-c
20
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。
[0094]
在一些实施方式中，在式2-1中，r
11
至r
19
中的至少一个可为缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团，在式2-2中，r
11
至r
13
、r
16
至r
19
和r
21
至r
24
中的至少一个可为缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团，并且在式2-3中，r
11
、r
14
至r
19
和r
31
至r
34
中的至少一个可为缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0095]
在一些实施方式中，在式2-1至式2-3中，r
11
、r
13
、r
14
、r
18
、r
21
和r
33
中的至少一个可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。在一些实施方式中，在式2-1中，r
11
、r
13
、r
14
和r
18
中的至少一个可包括吖嗪类部分，在式2-2中，r
11
、r
13
、r
18
和r
21
中的至少一个可包括吖嗪类部分，在式2-3中，r
11
、r
14
、r
18
和r
33
中的至少一个可包括吖嗪类部分。吖嗪类部分可包括嘧啶基、三嗪基或喹唑啉基。例如，r
12
、r
15
至r
17
、r
19
、r
22
至r
24
、r
31
、r
32
和r
34
中的至少一个可为氢。
[0096]
在一些实施方式中，r
11
至r
19
、r
21
至r
24
和r
31
至r
34
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基；各自被以下中的至少一个取代的c
1-c
20
烷基或c
1-c
20
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、氰基、苯基和联苯基；或由式5-1至式5-26和式6-1至式6-58中的一个表示的基团：
[0097]
[0098]
[0099]
[0100][0101]
其中，在式5-1至式5-26和式6-1至式6-58中，
[0102]
y、y
31
和y
32
可各自独立地为o、s、c(z
33
)(z
34
)、n(z
33
)或si(z
33
)(z
34
)，
[0103]z31
至z
34
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烯基、c
1-c
20
炔基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、菲基、蒽基、三苝基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基和三嗪基，
[0104]
e2可为1或2，
[0105]
e3可为选自1至3的整数，
[0106]
e4可为选自1至4的整数，
[0107]
e5可为选自1至5的整数，
[0108]
e6可为选自1至6的整数，
[0109]
e7可为选自1至7的整数，
[0110]
e9可为选自1至9的整数，并且
[0111]
*指示与相邻原子的结合位点。
[0112]
在一些实施方式中，第二化合物可包括化合物e-1至e-16中的至少一个：
[0113]
[0114][0115]
发光装置可在发射层中包括由式1-1或式1-2表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物。由于发光装置可包括由式1-1或式1-2表示的第一化合物，因此，由于胺类化合物具有给电子特性，通过控制最高占据分子轨道(homo)能级，可促进空穴传输，并且可减少空穴被掺杂剂捕获。因此，发光装置能够在低电压下驱动并且具有高效率特性。
[0116]
由于发光装置可包括由式2表示的第二化合物，因此，由于电子传输主体具有接受电子特性，通过控制最低未占分子轨道(lumo)能级，可促进电子传输，并且可以减少电荷被掺杂剂捕获。因此，发光装置能够在低电压下驱动并且具有高效率特性。
[0117]
为了降低面板的功耗，发光装置可具有高效率和低驱动电压。现有技术中的磷光发光装置在发射层中具有高电阻。因此，双极性主体被应用于此，以改善效率和驱动电压，因此在所需的亮度下降低驱动电压。然而，通过使用单个主体很难改善电荷平衡和寿命特性。
[0118]
根据本发明的原理和实施方式，因为发光装置可包括第一化合物和第二化合物一起作为发射层中的主体，因此可控制空穴传输和电子传输。因此，发光装置可具有降低的驱动电压、高效率和长寿命。在一些实施方式中，第一化合物和第二化合物可各自为主体。在一些实施方式中，发射层可进一步包括至少一种掺杂剂。在一些实施方式中，掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。掺杂剂可通过参考本文提供的掺杂剂的描述来理解。在一些实施方式中，发射层可具有在约650纳米(nm)至约700nm的范围内的最大发射波长(底发射cie
x,y
色坐标x＝0.67至0.70，y＝0.03至0.35)。例如，最大发射波长可通过使用俄勒冈比佛顿的tektronix公司以商品名keithley 236销售的源测量单元(smu)和加利福尼亚洛杉矶的photo research公司以商品名pr650销售的光谱扫描源测量单元来测量。
[0119]
在一些实施方式中，发光装置的第一电极可为阳极，发光装置的第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且电子传输区可包括空穴阻挡层、缓冲层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0120]
在一些实施方式中，空穴传输层可以包括第一空穴传输层和第二空穴传输层。例如，空穴传输区可包括空穴注入层、第一空穴传输层和第二空穴传输层，并且第一空穴传输层和第二空穴传输层可彼此不同。第一空穴传输层和第二空穴传输层可各自通过参考本文提供的空穴传输层的描述来理解。
[0121]
在一些实施方式中，发光装置可包括位于第一电极外侧且包括由式1-1或式1-2表示的第一化合物、由式2表示的第二化合物或其任意组合的第一封盖层；位于第二电极外侧且包括由式1-1或式1-2表示的第一化合物、由式2表示的第二化合物或其任意组合的第二封盖层；或第一封盖层和第二封盖层。
[0122]
根据一个或多个实施方式，电子设备可包括发光装置。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在一些实施方式中，电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。电子设备可通过参考本文提供的电子设备的描述来理解。
[0123]
图1的描述
[0124]
图1为根据本发明的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。
[0125]
具体地，图1为发光装置10的实施方式的示意图。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。发光装置10中的夹层130可包括发射层、电子传输层和电子注入
层。下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的示出性方法。
[0126]
第一电极110
[0127]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。基板可为玻璃基板或塑料基板。基板可为柔性基板，其包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0128]
可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，可使用可容易注入空穴的高功函材料作为用于形成第一电极110的材料。
[0129]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一些实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0130]
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。在一些实施方式中，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0131]
夹层130
[0132]
夹层130可在第一电极110上。夹层130可包括发射层。夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。
[0133]
夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的至少两个发射单元，和ii)位于至少两个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括至少两个发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0134]
夹层130中的空穴传输区
[0135]
空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0136]
例如，空穴传输区可具有例如空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的层以各自叙述的顺序依次堆叠在第一电极110上。
[0137]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0138]
式201
[0139][0140]
式202
[0141][0142]
其中，在式201和式202中，
[0143]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0144]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0145]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0146]
xa5可为选自1至10的整数，
[0147]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0148]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，本文描述的化合物ht16)，
[0149]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0150]
na1可为选自1至4的整数。
[0151]
在一些实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0152][0153]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自通过参考r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0154]
在实施方式中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0155]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，r
201
可由式cy201至式cy203中的一个表示，xa2可为0，并且r
202
可由式cy204至cy207中的一个表示。
[0156]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团。在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0157]
在一些实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht47中的一种，4,4',4
”‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)，1-n,1-n-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-n,4-n-二苯基苯-1,4-二胺(tdata)，4,4',4
”‑
三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-tnata)，双(1-萘基)-n,n'-双(苯基)联苯胺(npb或npd)，n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)，n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基联苯胺(tpd)，n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-tpd)，n2,n7-二(1-萘基)-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺(螺-npb)，n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-2,2'-二甲基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(甲基化的npb)，4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)，n,n,n',n'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺(hmtpd)，4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)，聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯
乙烯磺酸盐)(pedot/pss)，聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或其任意组合：
[0158]
[0159]
[0160]
[0161]
[0162][0163]
空穴传输区的厚度可在约50埃至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层和其任意组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在任意的这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得优异的空穴传输特性。
[0164]
发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来提高光发射效率。电子阻挡层可防止电子从发射层泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料也可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0165]
p-掺杂剂
[0166]
空穴传输区可包括电荷生成材料以及前述的材料以改善空穴传输区的导电性能。电荷生成材料可基本上均匀地或非均匀地分散(例如，作为由电荷生成材料组成的单个层)于空穴传输区中。电荷生成材料可包括例如p-掺杂剂。在一些实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为约-3.5ev或更小。
[0167]
在一些实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。醌衍生物的实例可包括四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)等。
[0168]
含氰基化合物的实例包括1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯基-六甲腈(hat-cn)和由式221表示的化合物等：
[0169][0170]
式221
[0171][0172]
其中，在式221中，
[0173]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0174]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任意组合。
[0175]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其组合。
[0176]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)或铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)或钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)或金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)或锡(sn)等)；和镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)或镥(lu)等)等。准金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)等。非金属的实例可包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br和i等)等。
[0177]
例如，含有元素el1和元素el2的化合物可包括金属氧化物，金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和金属碘化物等)，准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和准金属碘化物等)，金属碲化物，或其任意组合。
[0178]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3或w2o5)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2或v2o5)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3或mo2o5)和铼氧化物(例如，reo3)。金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤
化物和镧系金属卤化物等。
[0179]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi等。碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0180]
过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4或tii4)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4或zri4)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4或hfi4)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3或vi3)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3或nbi3)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3或tai3)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3或cri3)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3或moi3)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3或wi3)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2或mni2)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2或tci2)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2或rei2)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2或fei2)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2或rui2)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2或osi2)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2或coi2)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2或rhi2)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2或iri2)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2或nii2)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2或pdi2)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2或pti2)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr或cui)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr或agi)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr或aui)。
[0181]
后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2或zni2)、铟卤化物(例如，ini3)和锡卤化物(例如，sni2)。镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，sbcl5)。
[0182]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te或cs2te)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte或bate)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte或au2te)、后过渡金属碲化物(例如，znte)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte或lute)。
[0183]
夹层130中的发射层
[0184]
发光装置10可包括夹层130中的发射层。当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有堆叠结构。堆叠结构可包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层。两个或更多个层可彼此直接接触。在一些实施方式中，两个或更多个层可彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括两种或更多种材料。两种或更多种材料可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。两种或更多种材料可在单个层中彼此混合。在单个层中彼此混合的两种或更多种材料可发射白光。
[0185]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其任意组合。基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。在一些实施方式中，发射层可包括量子点。
[0186]
发射层可包括延迟荧光掺杂剂。延迟荧光掺杂剂可用作发射层中的主体或掺杂剂。发射层的厚度可在约至约并且在一些实施方式中，约至约至约的范围内。当发射层的厚度在任意的这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得提高的发光特性。
[0187]
主体
[0188]
主体可为第一化合物和第二化合物。
[0189]
磷光掺杂剂
[0190]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。磷光掺杂剂可为电中性的。
[0191]
在一些实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属复合物：
[0192]
式401
[0193]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0194]
其中，在式401中，
[0195]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0196]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，并且当xc1为2或更大时，至少两个l
401
可彼此相同或不同，
[0197]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为选自0至4的整数，并且当xc2为2或更大时，至少两个l
402
可彼此相同或不同，
[0198]
式402
[0199][0200]
在式402中，x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0201]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0202]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、
[0203]
*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0204]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0205]
其中q
411
至q
414
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0206]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被
至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0207]
其中q
401
至q
403
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0208]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0209]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0210]
例如，在式402中，i)x
401
可为氮，且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
可各自为氮。在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，至少两个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由t
402
(作为连接基团)结合，或者两个环a
402
可任选地经由t
403
(作为连接基团)结合(见化合物pd1至pd4和pd7)。变量t
402
和t
403
可各自通过参考本文提供的t
401
的描述来理解。
[0211]
在式401中，l
402
可为任何适当的有机配体。例如，l
402
可为卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-c(＝o)基、异腈基、-cn基或含磷基(例如，膦基或亚磷酸盐基)。
[0212]
磷光掺杂剂可为，例如，化合物pd1至pd26中的一种或其任意组合：
[0213][0214][0215]
荧光掺杂剂
[0216]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任意组合。在一些实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0217]
式501
[0218]
[0219]
其中，在式501中，
[0220]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0221]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0222]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0223]
在一些实施方式中，在式501中，ar
501
可包括其中至少三个单环基团稠合的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。在一些实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0224]
在一些实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至fd37中的一种、dpvbi、dpavbi或其任意组合：
[0225]
[0226]
[0227][0228]
延迟荧光掺杂剂
[0229]
发射层可包括延迟荧光掺杂剂。本文描述的延迟荧光掺杂剂可为根据延迟荧光发射机制可发射延迟荧光的任何适当的化合物。
[0230]
包括于发射层中的延迟荧光掺杂剂可用作主体或掺杂剂，这取决于包括于发射层中的其他材料的类型。在一些实施方式中，以电子伏特(ev)计的延迟荧光掺杂剂的三重态能级和延迟荧光掺杂剂的单重态能级(ev)之间的差可为大于等于约0ev且小于等于约0.5ev。当延迟荧光掺杂剂的三重态能级(ev)和延迟荧光掺杂剂的单重态能级(ev)之间的
差在该范围内时，延迟荧光掺杂剂中从三重态至单重态的上转换可有效地发生，因此，可提高发光装置10的发光效率等。
[0231]
在一些实施方式中，延迟荧光掺杂剂可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括包含至少两个彼此稠合并共用硼(b)的环状基团的c
8-c
60
多环基团的材料，或其任意组合。
[0232]
延迟荧光掺杂剂的实例可包括化合物df1至df9中的至少一种：
[0233][0234]
量子点
[0235]
发射层可包括量子点。量子点的直径可例如在约1nm至约10nm的范围内。量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何类似的工艺来合成。
[0236]
湿化学工艺是通过将前体材料与有机溶剂混合而使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂可自然地用作配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长。因此，与气相沉积工艺比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)工艺相比，可更容易进行湿化学工艺。进一步，可用更低的制造成本来控制量子点颗粒的生长。
[0237]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；
或其任意组合。
[0238]
第ii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物，比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其任意组合。
[0239]
第iii-v族半导体化合物的实例可包括二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或其任意组合。在一些实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例为inznp、ingaznp和inalznp等。
[0240]
第iii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3和inte等；三元化合物，比如ingas3和ingase3等；或其任意组合。
[0241]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或其任意组合。第iv-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste；或其任意组合。
[0242]
第iv族元素或化合物可为单元素材料，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其任意组合。
[0243]
多元素化合物，比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的每种元素可以以均匀或非均匀浓度存在于其颗粒中。量子点可具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度是均匀的单一结构，或可具有核-壳双重结构。在一些实施方式中，核中包括的材料可与壳中包括的材料不同。
[0244]
量子点的壳可用作保护层，用于防止核的化学变性，以保持半导体特性，和/或用作充电层，用于赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向核减小。
[0245]
量子点的壳的实例包括金属、准金属或非金属氧化物，半导体化合物，或其任意组合。金属、准金属或非金属氧化物的实例可包括：二元化合物比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其任意组合。半导体化合物的实例可包括第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或其任意组合。在一些实施方式中，半导体化合物可为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0246]
量子点可具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长的光谱的半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在该范围内时，可改善色纯度或颜色再现性。另外，因
为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善光学视角。另外，量子点可呈以下形式：大致球形的纳米颗粒、大致锥体的纳米颗粒、大致多臂的纳米颗粒、大致立方体的纳米颗粒、大致纳米管形状、大致纳米线形状、大致纳米纤维形状或大致纳米板形状。
[0247]
通过调节量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。通过使用各种尺寸的量子点，可以实现可发射各种波长的光的发光装置10。在一些实施方式中，可选择量子点的尺寸，使得量子点可发射红光、绿光和/或蓝光。另外，可选择量子点的尺寸，使得量子点可通过组合各种颜色的光而发射白光。
[0248]
夹层130中的电子传输区
[0249]
电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0250]
在一些实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，每种结构的层以各自叙述的顺序依次堆叠在发射层上。电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，其包括至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0251]
在一些实施方式中，电子传输材料可包括由式601表示的化合物：
[0252]
式601
[0253]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0254]
其中，在式601中，
[0255]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0256]
xe11可为1、2或3，
[0257]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0258]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0259]
其中q
601
至q
603
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0260]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0261]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0262]
例如，在式601中，当xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可经由单键彼此结合。在一些实施方式中，在式601中，ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0263]
在一些实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0264]
式601-1
[0265][0266]
其中，在式601-1中，
[0267]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且选自x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0268]
l
611
至l
613
可各自通过参考本文提供的l
601
的描述来理解，
[0269]
xe611至xe613可各自通过参考本文提供的xe1的描述来理解，
[0270]r611
至r
613
可各自通过参考本文提供的r
601
的描述来理解，并且
[0271]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0272]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0273]
电子传输化合物可包括化合物et1至et49中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)，双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq)，3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)，4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)，或其任意组合：
[0274]
[0275]
[0276][0277]
电子传输区的厚度可在约100埃至约例如，约至约的范围内。当电子传输区包括电子传输层、电子注入层、缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约至约或例如，约至约的范围内，并且电子传输层和电子注入层的厚度可各自独立地在约至约或例如，约至约的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子注入层的厚度各自在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的电子传输特性。除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0278]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属
复合物的金属离子可为铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属复合物和碱土金属复合物的金属离子配位的每个配体可独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0279]
例如，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(8-羟基喹啉锂，liq)或化合物et-d2：
[0280][0281]
电子注入层的厚度可在约至约的范围内，并且在一些实施方式中，在约至约的范围内。当电子注入层的厚度在任意的这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的电子注入特性。
[0282]
第二电极150
[0283]
第二电极150可在夹层130上。在实施方式中，第二电极150可为作为电子注入电极的阴极。在该实施方式中，用于形成第二电极150的材料可为具有低功函的材料，例如，金属、合金、导电化合物或其任意组合。
[0284]
在一些实施方式中，第二电极150可进一步包括锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。在一些实施方式中，第二电极150可进一步包括镁(mg)，并且镁的含量可为约5重量百分数(wt％)或更低。
[0285]
第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极150可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0286]
封盖层
[0287]
第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧。在一些实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0288]
在发光装置10中，从夹层130中的发射层中发射的光可穿过第一电极110(其可为半透射电极或透射电极)和第一封盖层到外侧。在发光装置10中，从夹层130中的发射层中发射的光可穿过第二电极150(其可为半透射电极或透射电极)和第二封盖层到外侧。
[0289]
如图3中显示，根据一个或多个实施方式的发光装置10可进一步包括位于第二电极150外侧的第二封盖层170。尽管不希望被理论束缚，但是基于相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可改善外部发光效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，因此改善
发光装置10的发光效率。第一封盖层和第二封盖层中可各自包括折射率为约1.6或更高(在589nm)的材料。
[0290]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0291]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基取代。
[0292]
在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0293]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种，化合物cp1至cp6中的一种，n4,n4'-二(2-萘基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)，或其任意组合：
[0294][0295]
膜
[0296]
稠环化合物可包含于各种膜中。根据一个或多个实施方式，可提供包括该稠环化合物的膜。膜可为，例如，光学构件(或光控制构件)(例如，滤色器、颜色转换构件、封盖层、光提取效率提高层、选择性吸光层、偏振层或含量子点层等)、阻光构件(例如，光反射层或
吸光层)或保护构件(例如，绝缘层或介电材料层)。
[0297]
电子设备
[0298]
发光装置10可包括在各种电子设备中。在一些实施方式中，包括发光装置10的电子设备可为发光设备或认证设备。
[0299]
除了发光装置10之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可设置在从发光装置10发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置10发射的光可为蓝光或白光。发光装置10可通过参考本文提供的描述来理解。在一些实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，本文描述的量子点。
[0300]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别与多个子像素区域重叠的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别与多个子像素区域重叠的多个颜色转换区域。
[0301]
像素限定膜可位于多个子像素区域之间，以限定每一个子像素区域。滤色器可进一步包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的阻光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的阻光图案。
[0302]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一些实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可各自包括量子点。在一些实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可通过参考本文提供的量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括发射体。
[0303]
在一些实施方式中，发光装置10可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射1-1颜色光，第二区域可吸收第一光以发射2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射3-1颜色光。在该实施方式中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方式中，第一光可为蓝光，1-1颜色光可为红光，2-1颜色光可为绿光，并且3-1颜色光可为蓝光。
[0304]
除了发光装置10之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接至发光装置10的第一电极110和第二电极150中的一个。
[0305]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体。
[0306]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置10的封装单元。封装单元可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置10之间。封装单元可允许光从发光装置10穿到外侧并且同时防止空气和湿气渗透至发光装置10中。封装单元可为包括透明玻璃或塑料基板的密封基板。封装单元可为包括至少一个有机层和/或至少一个无机层的薄膜封装层。当封装单元为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0307]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，取决于电子设备的用途，可在封装单元上设置各种功能层。功能层的实例可包括触摸屏层或偏振层等。触摸屏层可为电阻式触摸屏层、电
容式触摸屏层或红外光束摸屏层。认证设备可为，例如，根据生物测定信息(例如，指尖或瞳孔等)识别个体的生物测定认证设备。除了上述发光装置10之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集单元。
[0308]
电子设备可采用下述的形式或可应用于下述：各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏控制台，医学装置(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录器、超声诊断装置或内窥镜显示装置)、探鱼仪、各种测量装置、仪表(例如，车辆、飞机或船只的仪表)和投影仪。
[0309]
图2和图3的描述
[0310]
图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的示意性横截面图。
[0311]
图2中的发光设备180可包括基板100、薄膜晶体管200、发光装置10和密封发光装置10的封装单元300。基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止通过基板100的杂质的渗透并且在基板100上提供基本上平坦的表面。
[0312]
薄膜晶体管200可在缓冲层210上。薄膜晶体管200可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0313]
有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅，有机半导体，或氧化物半导体，并且包括源区、漏区和沟道区。用于将有源层220和栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。
[0314]
夹层绝缘膜250可在栅电极240上。夹层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间以及栅电极240和漏电极270之间，以在它们之间提供绝缘。源电极260和漏电极270可在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的暴露源区和暴露漏区相邻。
[0315]
这样的薄膜晶体管200可电连接至发光装置10以驱动发光装置10，并且可由钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置10可在钝化层280上。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0316]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的特定区域，并且第一电极110可设置成连接至漏电极270的暴露区域。
[0317]
像素限定膜290可在第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的特定区域，并且夹层130可形成于第一电极110的暴露区域中。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。一些比夹层130高的层可延伸至像素限定膜290的上部，并且可以以公共层的形式设置。
[0318]
第二电极150可在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0319]
封装单元300可在封盖层170上。封装单元300可在发光装置10上以保护发光装置10免受湿气或氧气的影响。封装单元300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，包括pet、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等)、环氧树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(age)等)或其任意组合；
或无机膜和有机膜的组合。
[0320]
图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性横截面图。
[0321]
图3中显示的发光设备190可与图2中显示的发光设备180基本上相同，不同在于遮光图案500和功能区域400另外位于封装单元300上。功能区域400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一些实施方式中，包括在图3的发光设备190中的发光装置10可为串联发光装置。
[0322]
制造方法
[0323]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种适当的方法(比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像)形成于特定区中。
[0324]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层各自独立地通过真空沉积形成时，真空沉积可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度下，在约10-8
托至约10-3
托的范围内的真空度下，并且在约0.01埃每秒(/秒)至约/秒的范围内的沉积速率下进行，这取决于要包括在每一个层中的材料和要形成的每一个层的结构。
[0325]
术语的一般定义
[0326]
如本文使用的术语“夹层”指位于发光装置中的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个(所有)层。
[0327]
如本文使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种长度的发射波长的任何适当的材料。
[0328]
如本文使用的术语“能级”可用“电子伏特”表达，并且“能级”和“电子伏特”可独立地缩写为“ev”。
[0329]
如本文使用的术语“原子”可意味着与一个或多个其他原子键合的元素或其对应的自由基。
[0330]
术语“氢”和“氘”指它们各自的原子和对应的自由基，其中氘自由基缩写为
“‑
d”，且术语
“‑
f、-cl、-br和-i”分别为氟、氯、溴和碘的自由基。
[0331]
如本文使用的，单价基团例如烷基的取代基也可独立地为对应的二价基团例如亚烷基的取代基。
[0332]
如本文使用的术语“稠合”可指具有与另一环共用一个或多个边的环，并包括稠环。
[0333]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳原子组成且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团，例如，c
3-c
20
碳环基。如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指除了杂原子作为除碳原子以外的成环原子之外还具有1至60个碳原子的环状基团，例如，c
1-c
20
杂环基。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团，或者其中至少两个环稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基中的成环原子的数量可在3至61的范围内。
[0334]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0335]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子和*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0336]
在一些实施方式中，c
3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中至少两个基团t1稠合的基团，例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基。
[0337]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2，ii)其中至少两个基团t2稠合的基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1稠合的基团，例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并呋喃基等。
[0338]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中至少两个基团t1稠合的稠合基团，iii)基团t3，iv)其中至少两个基团t3稠合的稠合基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1稠合的稠合基团，例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基等。
[0339]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中至少两个基团t4稠合的基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1稠合的基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3稠合的基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3稠合的基团，例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并呋喃基等。
[0340]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛
烷基或苯基。
[0341]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基。
[0342]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基。
[0343]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0344]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”可为与任何适当的环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)稠合的基团，这取决于应用该术语的式的结构。例如，“苯基”可为苯环、苯基或亚苯基等，并且这可由本领域普通技术人员来理解，这取决于包括“苯基”的式的结构。
[0345]
在一些实施方式中，单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0346]
如本文使用的“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，c
1-c
20
烷基和c
1-c5烷基。c
1-c
60
烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有对应于c
1-c
60
烷基的结构的二价基团。
[0347]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，例如，c
2-c
20
烯基和c
2-c5烯基。其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有对应于c
2-c
60
烯基的结构的二价基团。
[0348]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有对应于c
2-c
60
炔基的结构的二价基团。
[0349]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)。其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0350]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团。如本文使用的c
3-c
10
环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷(二环[2.2.1]庚)基、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基或二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有对应于c
3-c
10
环烷基的结构的二价基团。
[0351]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指包括至少一个除碳原子之外的杂原子作为
成环原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团。其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烷基的结构的二价基团。
[0352]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且不是芳族的单价环状基团。其实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有对应于c
3-c
10
环烯基的结构的二价基团。
[0353]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环中包括至少一个除碳原子之外的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烯基的结构的二价基团。
[0354]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团。如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可稠合。
[0355]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，杂环芳族系统除碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并包括1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，杂环芳族系统除碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并包括1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可稠合。
[0356]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个稠环且仅具有碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中分子结构作为整体考虑时是非芳族的。单价非芳族稠合多环基团的实例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。
[0357]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个稠环和至少一个除碳原子(例如，1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子的单价基团，其中分子结构作为整体考虑时是非芳族的。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃
并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。
[0358]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)。如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0359]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(其中a
104
为c
1-c
54
亚烷基，且a
105
为c
6-c
59
芳基)。如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(其中a
106
为c
1-c
59
亚烷基，且a
107
为c
1-c
59
杂芳基)。
[0360]
如本文使用的术语“r
10a”可为：
[0361]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基或腙基；
[0362]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；
[0363]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或
[0364]
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或
[0365]-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0366]
变量q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0367]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0368]
如本文使用的“第三行过渡金属”可包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)和金(au)。
[0369]
如本文使用的，“ph”表示苯基，“me”表示甲基，“et”表示乙基，“tert-bu”或“bu
t”表示叔丁基，并且“ome”表示甲氧基。
[0370]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。“联苯基”属于具有“c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0371]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”属于具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0372]
如本文使用的，缩写“eq”意味着摩尔当量。
[0373]
除非另外定义，否则如本文使用的符号*和*'指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0374]
下文，将参考实施例详细地描述根据本发明的原理和一个或多个实施方式制得的
发光装置和化合物。在描述实施例中使用的措辞“使用b代替a”意味着使用的b的量与使用的a的量在摩尔当量方面相同。
[0375]
实施例
[0376]
实施例1
[0377]
将作为阳极的ito/ag/ito顶基板，在异丙醇和纯水中各自超声5分钟，用紫外线清洁10分钟，并且然后用臭氧清洁，并且安装在真空沉积装置上。
[0378]
将化合物ht3和f4-tcnq以99:1的重量比共真空沉积在阳极上以形成厚度为tcnq以99:1的重量比共真空沉积在阳极上以形成厚度为的空穴注入层。接下来，将化合物ht3真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的空穴注入层。接下来，将化合物ht3真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的第一空穴传输层。将化合物ht47沉积在第一空穴传输层上以形成厚度为的第二空穴传输层。
[0379]
接下来，将作为主体的化合物h-1和e-4(以5:5的重量比)以及作为掺杂剂的pd26共真空沉积(化合物h-1、化合物e-4和pd26以48:48:2的重量比)在第二空穴传输层上以形成厚度为的发射层。随后，将et48沉积在发射层上以形成厚度为的第一电子传输层(缓冲层)。接下来，将et49和liq(以5:5的重量比)共真空沉积在第一电子传输层上以形成厚度为的第二电子传输层。将化合物liq沉积在第二电子传输层上以形成厚度为的电子注入层。接下来，将元素mg和ag共真空沉积在电子注入层上(以130:10的重量比)以形成厚度为的阴极，从而制造发光装置。
[0380]
实施例2至4和比较例1至4
[0381]
有机发光装置以与实施例1基本上相同的方式制造，不同在于使用如表1中显示的发光装置材料。
[0382]
评估例1
[0383]
通过使用俄勒冈比佛顿的tektronix公司以商品名keithley 236销售的源测量单元(smu)和加利福尼亚洛杉矶的photo research公司以商品名pr650销售的光谱扫描源测量单元测量实施例1至4和比较例1至4的有机发光装置的以伏特(v)计的驱动电压、以坎德拉每平方米(cd/m2或a)计的亮度、以cd/a计的功率效率和色坐标(x坐标)。评估结果在表1中显示。
[0384]
表1
[0385][0386][0387]
表1中总结的结果显示，与比较例1至4的发光装置相比，发现实施例1至4的发光装置均通过包含前述的主体组合而在低驱动电压和高功率效率方面具有显著且出乎意料的优异特性。从前面的描述中显而易见，根据本发明的原理和一个或多个实施方式制得的发光装置可具有低驱动电压和卓越的功率效率。
[0388]
尽管本文已经描述了某些实施方式和实现方式，但是其他实施方式和修改从该描述中将是显而易见的。相应地，本发明构思不限于这种实施方式，而是限于所附权利要求的更宽的范围以及将对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置。