一种基板、制备方法及电子装置与流程

1.本技术涉及微电子技术领域，尤其涉及一种基板、制备方法及电子装置。


背景技术：

2.目前，微电子技术中，电子器件内部结构连接或电子器件之间的连接需要在绝缘薄膜层上打孔，以将绝缘薄膜层两侧的线路或电子器件电连接。绝缘薄膜层的打孔工艺需要利用掩膜版曝光显影，并进行膜层刻蚀得到通孔，通过在通孔内填充导电材料，以将通孔两侧的结构电连接。
3.然而，现有的膜层打孔工艺流程较为复杂，且通孔容易造成后续堆叠膜层的凹凸不平，影响器件封装的可靠性。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种基板、制备方法及电子装置，无需膜层打孔，简化工艺流程，且能够提高器件封装可靠性。
5.本技术实施例的第一方面，提供一种基板，包括：
6.第一有机膜层，所述第一有机膜层包括第一石墨烯结构，所述第一石墨烯结构是所述第一有机膜层的部分区域经转化得到的，所述第一石墨烯结构贯穿所述第一有机膜层；
7.第一导电结构，设置于所述第一有机膜层的一侧，所述第一导电结构与所述第一石墨烯结构电连接。
8.在一些实施方式中，所述基板，还包括：
9.第二导电结构，设置于所述第一有机膜层远离所述第一导电结构的一侧，所述第二导电结构与所述第一石墨烯结构电连接；和/或，
10.第二有机膜层，设置于所述第一导电结构远离所述第一有机膜层的一侧，所述第二有机膜层包括第二石墨烯结构，所述第二石墨烯结构贯穿所述第二有机膜层，所述第二石墨烯结构与所述第一导电结构电连接；和/或，
11.无机绝缘层，设置于所述第一有机膜层与所述第一导电结构之间，所述无机绝缘层包括通孔，所述第一石墨烯结构通过所述通孔与所述第一导电结构电连接；和/或，
12.第三有机膜层，设置于所述第一有机膜层与所述第一导电结构之间，所述第三有机膜层包括第三石墨烯结构，所述第三石墨烯结构贯穿所述第三有机膜层，所述第三石墨烯结构与所述第一石墨烯结构电连接。
13.在一些实施方式中，所述基板，还包括：
14.衬底层，设置于所述第一有机膜层远离所述第一导电结构的一侧；
15.所述衬底层包括有机材料，所述衬底层包括第四石墨烯结构，所述第四石墨烯结构贯穿所述衬底层，所述第四石墨烯结构与所述第一石墨烯结构电连接。
16.在一些实施方式中，所述基板，还包括：
17.驱动器件，至少一个石墨烯结构和至少一个导电结构用于形成所述驱动器件；
18.发光器件，与所述驱动器件电连接；
19.封装膜层，用于封装所述驱动器件和/或所述发光器件。
20.在一些实施方式中，石墨烯结构是被激光照射的有机膜层的部分区域经转化得到的；
21.所述有机膜层包括聚合有机材料；和/或，
22.导电结构包括金属、合金和金属氧化物中的至少一种。
23.在一些实施方式中，所述基板为显示面板；
24.或，所述基板还包括：
25.单晶硅片，设置于所述第一有机膜层远离所述第一导电结构的一侧。
26.本技术实施例的第二方面，提供一种基板的制备方法，包括：
27.设置第一有机膜层；
28.将所述第一有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第一石墨烯结构，其中，所述第一石墨烯结构贯穿所述第一有机膜层；
29.在所述第一有机膜层的一侧设置第一导电结构，以使所述第一导电结构与所述第一石墨烯结构电连接。
30.在一些实施方式中，所述设置第一有机膜层之前，还包括：
31.设置第二导电结构；
32.所述设置第一有机膜层，包括：
33.在所述第二导电结构的一侧设置所述第一有机膜层；
34.所述将所述第一有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第一石墨烯结构，包括：
35.将所述第一有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到所述第一石墨烯结构，使得所述第一石墨烯结构与所述第二导电结构电连接；
36.所述在所述有机膜层的一侧设置第一导电结构，包括：
37.在所述第一有机膜层远离所述第二导电结构的一侧设置所述第一导电结构，以使所述第一导电结构与所述第一石墨烯结构电连接；
38.和/或，
39.在所述第一导电结构远离所述第一石墨烯结构的一侧设置第二有机膜层；
40.将所述第二有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第二石墨烯结构，使得所述第二石墨烯结构与所述第一导电结构电连接，其中，所述第二石墨烯结构贯穿所述第二有机膜层；
41.和/或，
42.所述在所述第一有机膜层的一侧设置第一导电结构之前，还包括：
43.在所述第一有机膜层的一侧设置无机绝缘层；
44.在所述无机绝缘层上设置通孔；
45.所述在所述第一有机膜层的一侧设置第一导电结构，包括：
46.在所述无机绝缘层远离所述第一有机膜层的一侧设置第一导电结构，以使所述第一导电结构通过所述通孔与所述第一石墨烯结构电连接；
47.和/或，
48.所述在所述第一有机膜层的一侧设置第一导电结构之前，还包括：
49.在所述无机绝缘层远离所述第一有机膜层的一侧设置第三有机膜层；
50.将所述第三有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第三石墨烯结构，所述第三石墨烯结构与所述第一石墨烯结构电连接，所述第三石墨烯结构贯穿所述第三有机膜层。
51.在一些实施方式中，所述设置第一有机膜层之前，还包括：
52.在衬底基板上设置辅助剥离层；
53.在所述辅助剥离层远离所述衬底基板的一侧设置衬底层；
54.所述制备方法还包括：
55.透过所述衬底基板，将所述衬底层的部分区域转化为石墨烯，得到第四石墨烯结构，使得所述第四石墨烯结构与所述第一石墨烯结构电连接，其中，所述第四石墨烯结构贯穿所述衬底层；
56.利用至少一个石墨烯结构和至少一个导电结构形成驱动器件；
57.设置发光器件，所述发光器件与所述驱动器件电连接；
58.设置封装膜层，以封装所述发光器件和/或所述驱动器件；
59.对所述衬底基板进行切割，得到单元基板；
60.去除所述单元基板的边缘的所述封装膜层；
61.对所述单元基板进行封装；
62.剥离所述辅助剥离层，以将所述衬底基板与所述衬底层剥离开。
63.在一些实施方式中，将有机膜层的部分区域转化为石墨烯是利用激光照射所述有机膜层的部分区域，以将被照射的部分区域的所述有机膜层转化为石墨烯。
64.本技术实施例的第三方面，提供一种电子装置，包括：
65.如第一方面所述的基板。
66.在一些实施方式中，所述电子设备，还包括：
67.电路板，所述电路板与所述基板的第一石墨烯结构电连接，所述电路板包括驱动芯片。
68.在一些实施方式中，所述基板的数量为至少两个；
69.至少两个所述基板通过所述电路板电连接。
70.本技术实施例提供的基板、制备方法及电子装置，利用有机膜层作为绝缘薄膜层，将有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到石墨烯结构，利用石墨烯结构的导电性能电连接导电结构，无需对有机膜层进行图形转印，则无需使用掩膜版，无需膜层打孔，则无需刻蚀工艺，可以简化工艺流程。另外，由于未进行打孔工艺，有机膜层的石墨烯结构的位置的表面是平坦的，后续其他膜层堆叠后不会引起膜层的凹凸起伏，在对薄膜结构或器件进行封装后，外界水氧不容易入侵，能够提高基板的封装可靠性。
附图说明
71.图1为本技术实施例提供的一种基板的示意性局部结构图；
72.图2为本技术实施例提供的另一种基板的示意性局部结构图；
73.图3为本技术实施例提供的又一种基板的示意性局部结构图；
74.图4为本技术实施例提供的再一种基板的示意性局部结构图；
75.图5为本技术实施例提供的一种基板的示意性局部结构图；
76.图6为本技术实施例提供的另一种基板的示意性局部结构图；
77.图7为本技术实施例提供的一种基板的制备方法的示意性流程图；
78.图8为本技术实施例提供的一种第一石墨烯结构的制备示意图；
79.图9为本技术实施例提供的一种电子设备的示意性结构框图；
80.图10为本技术实施例提供的另一种电子设备的示意性结构框图。
具体实施方式
81.为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
82.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
83.目前，微电子技术中，电子器件内部结构连接或电子器件之间的连接需要在绝缘薄膜层上打孔，以将绝缘薄膜层两侧的线路或电子器件电连接。绝缘薄膜层的打孔工艺需要利用掩膜版曝光显影，并进行膜层刻蚀得到通孔，通过在通孔内填充导电材料，以将通孔两侧的结构电连接。然而，现有的膜层打孔工艺流程较为复杂，且通孔容易造成后续堆叠膜层的凹凸不平，影响器件封装的可靠性。
84.有鉴于此，本技术实施例提供一种基板、制备方法及电子装置，无需膜层打孔，简化工艺流程，且能够提高器件封装可靠性。
85.本技术实施例的第一方面，提供一种基板，图1为本技术实施例提供的一种基板的示意性局部结构图。如图1所示，本技术实施例提供的基板，包括：第一有机膜层110，第一有机膜层110包括第一石墨烯结构111，第一石墨烯结构111是第一有机膜层110的部分区域经转化得到的，第一石墨烯结构111贯穿第一有机膜层110；第一导电结构210，设置于第一有机膜层110的一侧，第一导电结构210与第一石墨烯结构111电连接。
86.示例性的，有机膜层是含碳的材料，可以在特定条件下转化为石墨烯，可以对转化设备进行位置和路径编程，对第一有机膜层110的部分区域进行转化，得到第一石墨烯结构111。第一有机膜层110上的第一石墨烯结构111的数量可以是1个、两个或多个，可以根据具体需要进行设置，本技术实施例不作具体限定，图1所示的第一石墨烯结构111的数量为3个，只是示意性的，不作为本技术的具体限定。有机膜层具有绝缘性能，石墨烯结构具有导电性能，则第一有机膜层110可以作为绝缘层，第一石墨烯结构111可以作为导电结构。第一导电结构210可以是导电线路，可以作为信号线，第一导电结构210还可以是电子元器件的
电极，第一导电结构210的数量可以根据具体的基板的结构设置，本技术实施例不作具体限定。第一石墨烯结构111的形成，无需进行图形转印，则无需使用掩膜版，也无需膜层刻蚀，工艺流程简单。示例性的，第一石墨烯结构111的一端电连接第一导电结构210，另一端可以电连接其他线路或电极。第一石墨烯结构111可以替代绝缘层打孔的方式，将第一石墨烯结构111两端的导电结构电连接，或将第一有机膜层110两侧的器件或结构电连接。第一有机膜层110的第一石墨烯结构111对应的位置的表面是平坦的，后续其他膜层堆叠后不会引起膜层的凹凸起伏，在对薄膜结构或器件进行封装后，外界水氧不容易入侵。
87.需要说明的是，本技术实施例提供的基板可以是驱动基板、显示面板、单晶硅芯片基板等，本技术实施例不作具体限定。
88.需要说明的是，在薄膜器件技术中，器件内部电极或结构的电连接，或器件之间的电连接均需要在绝缘薄膜层上打孔，绝缘薄膜层用于将电极之间的信号进行绝缘，打孔用于将绝缘薄膜层两侧的线路或电子器件电连接。绝缘薄膜层的打孔工艺需要利用掩膜版曝光显影，并进行膜层刻蚀得到通孔，通过在通孔内填充导电材料，以将通孔两侧的结构电连接。然而，现有的膜层打孔工艺流程较为复杂，且通孔容易造成后续堆叠膜层的凹凸不平，影响器件封装的可靠性。
89.针对上述问题，本技术实施例提供的基板，利用有机膜层作为绝缘薄膜层，将有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到石墨烯结构，利用石墨烯结构的导电性能电连接导电结构，无需对有机膜层进行图形转印，则无需使用掩膜版，无需膜层打孔，则无需刻蚀工艺，可以简化工艺流程。另外，由于未进行打孔工艺，有机膜层的石墨烯结构的位置的表面是平坦的，后续其他膜层堆叠后不会引起膜层的凹凸起伏，在对薄膜结构或器件进行封装后，外界水氧不容易入侵，能够提高基板的封装可靠性。
90.在一些实施方式中，图2为本技术实施例提供的另一种基板的示意性局部结构图。示例性的，如图2所示，本技术实施例提供的基板还包括：第二导电结构220，设置于第一有机膜层110远离第一导电结构210的一侧，第二导电结构220与第一石墨烯结构111电连接。第一石墨烯结构111可以将第一导电结构210和第二导电结构220电连接在一起，用于电信号的传输。
91.在一些实施方式中，图3为本技术实施例提供的又一种基板的示意性局部结构图。示例性的，如图3所示，本技术实施例提供的基板，还包括：无机绝缘层300，设置于第一有机膜层110与第一导电结构210之间，无机绝缘层300包括通孔301，第一石墨烯结构111通过通孔301与第一导电结构210电连接。无机绝缘层300可以包括氧化硅、氮化硅等，无机绝缘层300可以起到增强膜层之间的粘附性，还可以起到保护有机膜层的作用，还可以起到绝缘的作用，在第一有机膜层110和无机绝缘层300之间设置其他导电结构，则其他导电结构与第一导电结构210之间可以利用无机绝缘层300的绝缘性能绝缘。
92.在一些实施方式中，图4为本技术实施例提供的再一种基板的示意性局部结构图。示例性的，如图4所示，本技术实施例提供的基板，还包括：第二有机膜层120，设置于第一导电结构210远离第一有机膜层110的一侧，第二有机膜层120包括第二石墨烯结构121，第二石墨烯结构121贯穿第二有机膜层120，第二石墨烯结构121与第一导电结构210电连接。第二石墨烯结构121可以用于电连接第一导电结构210与其他导电结构。
93.在一些实施方式中，图5为本技术实施例提供的一种基板的示意性局部结构图。示
例性的，如图5所示，本技术实施例提供的基板，还包括：第三有机膜层130，设置于第一有机膜层110与第一导电结构210之间，第三有机膜层130包括第三石墨烯结构131，第三石墨烯结构131贯穿第三有机膜层130，第三石墨烯结构131与第一石墨烯结构111电连接。第一有机膜层110和第三有机膜层130之间可以设置第一无机绝缘层310，第三有机膜层130与第一导电结构210之间可以设置第二无机绝缘层320，第三石墨烯结构131与第一石墨烯结构111可以通过第一无机绝缘层310的通孔连接在一起，可以实现电连接。
94.示例性的，图2-图5所示的基板的结构可以适用于器件的或基板线路连接，本技术实施例不作具体限定。利用有机膜层得到石墨烯结构，无需使用掩膜版，无需刻蚀工艺，可以简化导电结构之间电连接的工艺流程，节约生产成本。石墨烯结构代替打孔工艺，可以提高封装可靠性。
95.在一些实施方式中，基板还包括：衬底层，设置于第一有机膜层远离第一导电结构的一侧；衬底层包括有机材料，衬底层包括第四石墨烯结构，第四石墨烯结构贯穿衬底层，第四石墨烯结构与第一石墨烯结构电连接。衬底层上设置第四石墨烯结构，第四石墨烯结构可以与基板内部的第一石墨烯结构电连接，进而与第一导电结构电连接，第四石墨烯结构可以用于电连接基板外部的电路板或其他基板。示例性的，可以通过键合的方式，将第四石墨烯结构与基板外部的电路板或其他基板电连接，则第四石墨烯结构可以作为互连结构。
96.示例性的，以基板是显示面板为例，第四石墨烯结构可以与驱动线路板电连接，驱动电路板上可以设置驱动芯片，则作为显示面板的基板的边框处可以无需设置驱动线路和信号线排列。例如，可以将显示面板的扫描信号线和数据信号线均连接到第四石墨烯结构上，则每行像素可以对应连接同一个第四石墨烯结构，用于接收外部电路板传输的扫描信号；每列像素可以对应连接同一个第四石墨烯结构，用于接收外部电路板传输的数据信号线。显示面板上的goa(gate on array)驱动电路用于传输扫描信号，则goa可以集成在外部的电路板上，则显示面板的边框处无需再设置goa以及扫描信号线和数据信号线的排布，可以极大程度的缩小显示面板的边框，甚至可以做到显示面板无边框。衬底层可以是柔性有机材料，可以实现柔性基板。
97.示例性的，利用石墨烯结构代替打孔工艺，显示面板边框处的驱动电路和信号线排布可以设置在基板的背侧，也可以实现显示面板的无边框或极窄边框。
98.示例性的，可以利用外部的电路板和第四石墨烯结构实现基板与基板之间的拼接，由于通过第四石墨烯结构的设置可以实现无边框或及窄边框的显示面板，则可以得到无缝拼接的显示面板，可以得到更大尺寸的拼接显示面板。
99.需要说明的是，基板中还可以设置比上述实施例提到的更多的有机膜层、无机绝缘层和导电结构，膜层和结构之间的堆叠位置关系可以根据具体结构需要进行变换，本技术不作一一列举。
100.在一些实施方式中，本技术实施例提供的基板，还包括：驱动器件，至少一个石墨烯结构和至少一个导电结构用于形成驱动器件。石墨烯结构可以包括第一石墨烯结构、第二石墨烯结构、第三石墨烯结构或第四石墨烯结构，还可以包括其他石墨烯结构；导电结构可以包括第一导电结构和第二导电结构，还可以是其他导电结构。示例性的，上述实施例中提到的第一导电结构、第二导电结构、第一石墨烯结构、第二石墨烯结构、第三石墨烯结构
和第四石墨烯结构可以用于形成驱动器件，还可以有其他石墨烯结构和导电结构用于形成驱动器件。示例性的，驱动器件可以包括薄膜晶体管、二极管、三级管和电容等，本技术实施例不作具体限定。利用石墨烯结构形成驱动器件的基板可以是驱动基板，也可以是液晶显示面板的阵列基板。
101.在一些实施方式中，本技术实施例提供的基板，还包括：发光器件，与驱动器件电连接。驱动器件可以驱动发光器件发光，发光器件可以是有机发光二极管，则可以得到有机发光显示面板。发光器件还可以是mini led或micro led，可以得到led显示面板。led可以为尺寸微缩至百微米量级的结构，例如，发光二极管的发射光的区域的面积优选为1mm2以下，更优选为10000μm2以下，进一步优选为3000μm2以下，进一步优选为700μm2以下，甚至可以在200μm2以下。设置有发光器件的基板可以用于显示画面，还可以用于照明。
102.在一些实施方式中，本技术实施例提供的基板，还包括：封装膜层，用于封装驱动器件，封装发光器件，或封装驱动器件和发光器件。封装膜层封装驱动器件和发光器件，可以避免发光器件和驱动器件受到外界水氧的侵蚀，可以保证发光器件和驱动器件的寿命，进而保证基板的寿命。
103.需要说明的是，以oled(organic light-emitting diode，有机电致发光二极管)器件为例，由基板、阳极、有机功能层、阴极、封装膜层构成，发光器件具有自主发光、广视角、可弯曲和柔性化等特点，被视为下一代的照明和显示产品，目前也在显示和照明等领域有了大量应用，具有广阔的市场前景。为了减缓发光器件老化，延长寿命，oled器件通常需要复杂的封装过程来隔绝水氧。常规封装方法包括盖板封装和薄膜封装。盖板封装采用玻璃盖板压在玻璃基板表面，使用环氧树脂等粘接基板与盖板边缘，环氧树脂等在紫外光照下固化完成封装，这种封装方法不适用于柔性可弯折oled结构。目前柔性oled器件封装多采用薄膜封装的方式进行，即通过蒸镀等在oled器件上依次沉积多层有机或无机膜层，通常为了保证较好的封装效果，沉积的封装膜层面积越来越大，最终器件制作完成时切割边界为面积最大的封装膜层边界，这样就导致传统oled面板边框较宽，器件可视区域面积比例小。传统的水汽和氧气阻挡层通常是由有机层和无机层组成的复合封装膜层，无机层杨氏模量较大，在柔性oled弯折过程中容易从基板上剥离，引起水汽渗透，降低器件寿命。除了显示外，其他驱动电路采用的是通孔工艺进行导电膜层之间的互连。打孔工艺容易导致的膜层凹凸不平，孔边缘搭接位置容易出现金属断裂；通孔搭接边缘易发生静电，导致短路断路等。封装膜层的边界覆盖在边框的驱动电路上，水氧容易随着驱动电路中的搭接通孔入侵至显示区的发光器件，造成可靠性降低。
104.针对上述问题，本技术实施例提供的基板，利用有机膜层的部分区域转化为石墨烯，利用石墨烯结构实现导电结构或导电膜层的搭接，具有材料组分可调、形貌可控、柔韧性好、机械性能稳定、良好的导电性和导热性等优点。石墨烯结构容易实现图形化，无需使用掩膜版，可以实现柔性薄膜无孔电路搭接。由于无需利用打孔工艺，可以避免打孔工艺带来的可靠性问题，可以提高封装可靠性；还可以将边框的驱动电路转移至基板背面，或转移至外部电路板上，实现极窄边框或无边框，进一步提高封装膜层对于发光器件的封装可靠性。
105.示例性的，图6为本技术实施例提供的另一种基板的示意性局部结构图。示例性的，如图6所示，以有机发光显示面板为例，衬底层400包括第四石墨烯结构411，第四石墨烯
结构411通过第二导电结构220与第一石墨烯结构111电连接，第一导电结构210可以作为薄膜晶体管的栅极，薄膜晶体管可以是驱动晶体管；第二导电结构220可以作为扫描信号线，第四石墨烯结构411可以用于与有机发光显示面板外部的电路板电连接。在一些实施方式中，第一有机膜层110可以直接作为衬底层，第一石墨烯结构111可以直接电连接外部电路板，本技术实施例不作具体限定。第一有机膜层110与半导体层500之间可以设置第一无机绝缘层310，半导体层500的两端可以分别通过石墨烯结构电连接源极610和漏极620，源极610电连接第二有机膜层120的石墨烯结构，漏极620电连接第四有机膜层140和第二有机膜层120的石墨烯结构，第二有机膜层120和第四有机膜层140之间可以设置第二无机绝缘层320。半导体层500可以是非晶硅、多晶硅或金属氧化物。漏极620电连接发光器件700，具体的漏极620可以电连接发光器件700的阳极，封装膜层800覆盖发光器件700。需要说明的是，源极610可以连接数据信号线，数据信号线可以通过其他第四石墨烯结构连接至外部电路板，数据信号线可以与第二导电结构220同层设置，也可以与源极610同层设置，本技术实施例不作具体限定。
106.在一些实施方式中，基板还包括：单晶硅片，设置于第一有机膜层远离第一导电结构的一侧。设置有单晶硅片的基板可以是芯片或集成电路板。
107.在一些实施方式中，石墨烯结构是被激光照射的有机膜层的部分区域经转化得到的。
108.示例性的，激光可以是由二氧化碳激光器、紫外激光器、半导体激光器、氦氖激光器、固体激光器、石榴石激光器中的至少一种产生的。示例性的，有机膜层可以包括聚合有机材料，具体可以包括聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、热固性塑料和聚对笨二甲酸乙二醇中的至少一种。导电结构可以包括金属、合金和金属氧化物中的至少一种。金属可以是铝、铜、钼、钛等的单层结构或多层堆叠结构，合金可以是钼铝合金、铝钛合金等，金属氧化物可以是氧化铟锡等，聚酰亚胺可以作为柔性衬底层的材料。
109.示例性的，聚酰亚胺可被二氧化碳激光转化成石墨烯，无需掩膜板,任何形状的石墨烯结构可通过计算机软件编程控制进行定向激光照射得到。依据不同的激光器类型，可以通过改变制备的气氛，前驱物，激光的参数包括激光扫描速度，工作模式，频率，每点脉冲数以及扫描时间等，可对石墨烯结构的物理和化学特性进行调控。做数微米至几十微米厚度的石墨烯结构可以采用二氧化碳激光；小孔径石墨烯结构，尤其10微米以下的石墨烯结构可以采用皮秒激光器进行激光诱导。红外激光、可见光、紫外光等激光器也可制备石墨烯结构。红外激光制备石墨烯结构主要是利用光热效应，瞬间的高温可以使得前驱物的化学键断裂和重新组合，这个过程会伴随着气体的生成，这也是石墨烯结构高孔隙率的原因之一。紫外光激光制备石墨烯结构的转化主要是一种光化学反应，因为紫外光波长短，能量大，可直接使化学键断裂。对于可见光激光，光热效应和光化学反应则可能同时存在。相比于丝网印刷、3d打印、光刻等，激光诱导制备石墨烯过程简单、低成本、高效、环保。柔性显示面板的制备和封装，可实现显示器的去边框化，可实现柔性显示器件良好的防水汽、氧气渗透性能，简化封装工艺，提高工艺可靠性。可以实现多自由度柔性显示的设计及制作，也可以用与多自由度相关的电子领域，如传感或规模电路集成等。不但适用于衬底的过孔金属互连，也可以适用于制备器件过程中替代介质层的曝光和刻蚀工艺。
110.本技术实施例的第二方面，提供一种基板的制备方法，图7为本技术实施例提供的
一种基板的制备方法的示意性流程图。如图7所示，本技术实施例提供的基板的制备方法，包括：
111.s101：设置第一有机膜层。
112.s201：将第一有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第一石墨烯结构，其中，第一石墨烯结构贯穿第一有机膜层。
113.示例性的，参考图1，有机膜层是含碳的材料，可以在特定条件下转化为石墨烯，可以对转化设备进行位置和路径编程，对第一有机膜层110的部分区域进行转化，得到第一石墨烯结构111。第一有机膜层110上的第一石墨烯结构111的数量可以是1个、两个或多个，可以根据具体需要进行设置，本技术实施例不作具体限定，图1所示的第一石墨烯结构111的数量为3个，只是示意性的，不作为本技术的具体限定。有机膜层具有绝缘性能，石墨烯结构具有导电性能，则第一有机膜层110可以作为绝缘层，第一石墨烯结构111可以作为导电结构。
114.s301：在第一有机膜层的一侧设置第一导电结构，以使第一导电结构与第一石墨烯结构电连接。
115.示例性的，参考图1，第一导电结构210可以是导电线路，可以作为信号线，第一导电结构210还可以是电子元器件的电极，第一导电结构210的数量可以根据具体的基板的结构设置，本技术实施例不作具体限定。第一石墨烯结构111的形成，无需进行图形转印，则无需使用掩膜版，也无需膜层刻蚀，工艺流程简单。示例性的，第一石墨烯结构111的一端电连接第一导电结构210，另一端可以电连接其他线路或电极。第一石墨烯结构111可以替代绝缘层打孔的方式，将第一石墨烯结构111两端的导电结构电连接，或将第一有机膜层110两侧的器件或结构电连接。第一有机膜层110的第一石墨烯结构的位置的表面是平坦的，后续其他膜层堆叠后不会引起膜层的凹凸起伏，在对薄膜结构或器件进行封装后，外界水氧不容易入侵。
116.本技术实施例提供的基板，利用有机膜层作为绝缘薄膜层，将有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到石墨烯结构，利用石墨烯结构的导电性能电连接导电结构，无需对有机膜层进行图形转印，则无需使用掩膜版，无需膜层打孔，则无需刻蚀工艺，可以简化工艺流程。另外，由于未进行打孔工艺，有机膜层的石墨烯结构的位置的表面是平坦的，后续其他膜层堆叠后不会引起膜层的凹凸起伏，在对薄膜结构或器件进行封装后，外界水氧不容易入侵，能够提高基板的封装可靠性。
117.在一些实施方式中，步骤s101之前，还可以包括：
118.设置第二导电结构。参考图2，第一石墨烯结构111可以将第一导电结构210和第二导电结构220电连接在一起，用于电信号的传输。
119.步骤s101，可以包括：
120.在第二导电结构的一侧设置第一有机膜层。
121.步骤s201，可以包括：
122.将第一有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第一石墨烯结构，使得第一石墨烯结构与第二导电结构电连接。
123.步骤s301，可以包括：
124.在第一有机膜层远离第二导电结构的一侧设置第一导电结构，以使第一导电结构
与第一石墨烯结构电连接。
125.在一些实施方式中，制备方法还可以包括：
126.在第一导电结构远离第一石墨烯结构的一侧设置第二有机膜层。
127.将第二有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第二石墨烯结构，使得第二石墨烯结构与第一导电结构电连接，其中，第二石墨烯结构贯穿第二有机膜层。
128.示例性的，参考图4，第二石墨烯结构121可以用于电连接第一导电结构210与其他导电结构。
129.在一些实施方式中，步骤s301之前，还包括：
130.在第一有机膜层的一侧设置无机绝缘层。
131.在无机绝缘层上设置通孔。
132.步骤s301，包括：
133.在无机绝缘层远离第一有机膜层的一侧设置第一导电结构，以使第一导电结构通过通孔与所述第一石墨烯结构电连接。
134.示例性的，参考图3，无机绝缘层300可以包括氧化硅、氮化硅等，无机绝缘层300可以起到增强膜层之间的粘附性，还可以起到保护有机膜层的作用，还可以起到绝缘的作用，在第一有机膜层110和无机绝缘层之间设置其他导电结构，则其他导电结构与第一导电结构210之间可以利用无机绝缘层300的绝缘性能绝缘。
135.在一些实施方式中，步骤s301之前，还可以包括
136.在无机绝缘层远离第一有机膜层的一侧设置第三有机膜层。
137.将第三有机膜层的部分区域转化为石墨烯，得到第三石墨烯结构，第三石墨烯结构与第一石墨烯结构电连接，第三石墨烯结构贯穿第三有机膜层。
138.示例性的，参考图5，第一有机膜层110和第三有机膜层130之间可以设置第一无机绝缘层310，第三有机膜层130与第一导电结构210之间可以设置第二无机绝缘层320，第三石墨烯结构131与第一石墨烯结构111可以通过第一无机绝缘层310的通孔连接在一起，可以实现电连接。
139.在一些实施方式中，步骤s101之前，可以包括：
140.在衬底基板上设置辅助剥离层。示例性的，衬底基板可以是玻璃基板，辅助剥离层可以辅助衬底基板的分离，衬底基板在基板的制备过程中可起到承载膜层结构的作用，还可以起到保护膜层结构的作用。
141.在辅助剥离层远离衬底基板的一侧设置衬底层。示例性的，衬底层可以是柔性衬底，也可以是刚性衬底，本技术实施例不作具体限定。
142.制备方法还可以包括：
143.利用至少一个石墨烯结构和至少一个导电结构形成驱动器件。则制备石墨烯结构和导电结构的过程即制备驱动器件的过程，驱动器件可以是薄膜晶体管、二极管、三极管或电容等器件。
144.剥离辅助剥离层，以将衬底基板与衬底层剥离开。示例性的，剥离工艺可以利用激光完成，即激光剥离，将辅助玻璃层剥离下来，可以将衬底基板与衬底层分离开，在衬底层为柔性衬底的情况下，可以得到柔性基板。
145.在一些实施方式中，衬底层包括有机材料。
146.形成驱动器件之前，还可以包括：
147.透过衬底基板，将衬底层的部分区域转化为石墨烯，得到第四石墨烯结构，使得第四石墨烯结构与第一石墨烯结构电连接，其中，第四石墨烯结构贯穿衬底层。
148.示例性的，以基板是显示面板为例，第四石墨烯结构可以与驱动线路板电连接，驱动电路板上可以设置驱动芯片，则作为显示面板的基板的边框处可以无需设置驱动线路和信号线排列。例如，可以将显示面板的扫描信号线和数据信号线均连接到第四石墨烯结构上，则每行像素可以对应连接同一个第四石墨烯结构，用于接收外部电路板传输的扫描信号；每列像素可以对应连接同一个第四石墨烯结构，用于接收外部电路板传输的数据信号线。显示面板上的goa驱动电路用于传输扫描信号，则goa可以集成在外部的电路板上，则显示面板的边框处无需再设置goa以及扫描信号线和数据信号线的排布，可以极大程度的缩小显示面板的边框，甚至可以做到显示面板无边框。衬底层可以是柔性有机材料，可以实现柔性基板。
149.在一些实施方式中，剥离辅助剥离层之前，还可以包括：
150.设置发光器件，发光器件与驱动器件电连接。
151.设置封装膜层，以封装发光器件和驱动器件中的一者或两者。
152.对衬底基板进行切割，得到单元基板。通常衬底基板是大张玻璃，衬底基板上可以制备多个小单元的单元基板，单元基板之间的器件和线路是独立的，通过切割工艺，可以将多个单元基板分离开。以显示面板为例，单元基板可以用于形成智能手机、电脑、电视等的显示屏。
153.去除单元基板的边缘的封装膜层。
154.对单元基板进行封装。此步骤为对单元基板的二次封装，可以进一步对单元基板进行整体的封装保护。
155.在一些实施方式中，将有机膜层的部分区域转化为石墨烯是利用激光照射有机膜层的部分区域，以将被照射的部分区域的有机膜层转化为石墨烯。
156.示例性的，激光可以是由二氧化碳激光器、紫外激光器、半导体激光器、氦氖激光器、固体激光器、石榴石激光器中的至少一种产生的。示例性的，有机膜层可以包括聚合有机材料，具体可以包括聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、热固性塑料和聚对笨二甲酸乙二醇中的至少一种。导电结构可以包括金属、合金和金属氧化物中的至少一种。
157.示例性的，以第一有机膜层110为例，图8为本技术实施例提供的一种第一石墨烯结构的制备示意图。如图8所示，激光laser通过编程设置，按照设定位置和扫描范围照射第一有机膜层110，激光laser的热能可以使得第一有机膜层110被照射的位置转化为石墨烯，照射设定时长后可得到第一石墨烯结构111。
158.示例性的，激光可以是由二氧化碳激光器、紫外激光器、半导体激光器、氦氖激光器、固体激光器、石榴石激光器中的至少一种产生的。示例性的，有机膜层可以包括聚合有机材料，具体可以包括聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、热固性塑料和聚对笨二甲酸乙二醇中的至少一种。导电结构可以包括金属、合金和金属氧化物中的至少一种。
159.在一些实施方式中，步骤s101，可以包括：
160.在单晶硅片的一侧设置第一有机膜层。设置有单晶硅片的基板可以是芯片或集成电路板。
161.本技术实施例的第三方面，提供一种电子装置，图9为本技术实施例提供的一种电子设备的示意性结构框图。如图9所示，本技术实施例提供的电子装置，可以包括：如第一方面所述的基板1000。
162.需要说明的是，第一方面所述的基板可以是显示面板、驱动基板、芯片或其他集成电路板等，对应的电子装置可以是显示装置、芯片装置等。
163.在一些实施方式中，电子设备可以包括：电路板，电路板与基板的第一石墨烯结构电连接。电路板可以用于驱动基板的运行，例如驱动显示面板的显示，驱动芯片的运行等。
164.示例性的，电路板可以为柔性电路板或硬质电路板，电路板包括驱动芯片，驱动芯片与第一石墨烯结构电连接。
165.在一些实施方式中，基板的数量为两个；两个基板通过电路板电连接，电路板用于将两个基板拼接在一起。
166.图10为本技术实施例提供的另一种电子设备的示意性结构框图。如图10所示，示例性的，电路板2000用于将两个基板1000拼接在一起。可以利用电路板2000和第一石墨烯结构111实现不同的基板1000与基板1000之间的拼接，由于通过第一石墨烯结构111的设置可以实现无边框或及窄边框的显示面板，则可以得到无缝拼接的显示面板，可以得到更大尺寸的拼接显示装置。
167.示例性的，用于实现基板拼接的还可以利用第四石墨烯结构。
168.示例性的，无缝拼接可以使用在晶圆级柔性arvr显示、球形显示等显示领域，也可以用于各种传感器件制作及集成过程，还可应用于规模电路集成领域以及可采用本技术的方向上。
169.需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
170.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
171.尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
172.显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。