一种发光器件、显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，更为具体地说，涉及一种发光器件、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.微型发光二极管(micro-led)显示面板包括多个微型发光二极管，其中微型发光二极管固定于基板上，基板则包括与微型发光二极管电连接的驱动电路，进而通过驱动电路对微型发光二极管进行驱动控制发光。相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板，微型发光二极管显示面板因其显示亮度更高、发光效率更好、寿命更长以及功耗更低等优势受到了越来越多的关注。虽然微型发光二极管显示面板有诸多优势，但是现有的微型发光二极管显示面板的发光效率还有待提高。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明提供了一种发光器件、显示面板及显示装置，有效解决了现有存在的技术问题，提高了发光器件的发光效率，并且提高了显示面板的发光效率。
4.为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
5.一种发光器件，包括：
6.半导体发光元件，所述半导体发光元件包括第一半导体层，所述第一半导体层的一侧表面包括发光区和电极区；位于所述发光区的发光层；及位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；
7.覆盖所述半导体发光元件的侧壁、所述第二半导体层背离所述第一半导体层的表面及所述电极区的反射结构，所述反射结构包括金属反射层、第一镂空和第二镂空，所述第一镂空位于所述电极区，且所述第二镂空在所述第一半导体层朝向所述发光层一侧表面的垂直投影位于所述发光区；其中，所述金属反射层包括与所述第一半导体层接触的第一部分；
8.以及，至少部分位于所述第一镂空且与所述第一半导体层接触的第一电极，及至少部分位于所述第二镂空且与所述第二半导体层接触的第二电极。
9.相应的，本发明还提供了一种显示面板，包括：
10.多个如上述的发光器件；
11.电路基板，所述电路基板包括多个设置区，且所述设置区包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极与所述发光器件的第一电极相连，所述第二连接电极与所述发光器件的第二电极相连。
12.相应的，本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
13.相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
14.本发明提供了一种发光器件、显示面板及显示装置，包括：半导体发光元件，所述半导体发光元件包括第一半导体层，所述第一半导体层的一侧表面包括发光区和电极区；
位于所述发光区的发光层；及位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；覆盖所述半导体发光元件的侧壁、所述第二半导体层背离所述第一半导体层的表面及所述电极区的反射结构，所述反射结构包括金属反射层、第一镂空和第二镂空，所述第一镂空位于所述电极区，且所述第二镂空在所述第一半导体层朝向所述发光层一侧表面的垂直投影位于所述发光区；其中，所述金属反射层包括与所述第一半导体层接触的第一部分；以及，至少部分位于所述第一镂空且与所述第一半导体层接触的第一电极，及至少部分位于所述第二镂空且与所述第二半导体层接触的第二电极。
15.由上述内容可知，本发明提供的技术方案，反射结构覆盖半导体发光元件的侧壁、第二半导体层背离第一半导体层的表面及电极区，进而能够将半导体发光元件射向侧壁的光和射向第二半导体层一侧的光均反射至第一半导体层一侧出射，从而提高了发光器件的发光效率，提高了显示面板的发光效率。并且，本发明提供的金属反射层还与第一半导体层接触，至少部分金属反射层能够间接作为电极而增大了第一电极与第一半导体层的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
17.图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图
18.图2为图1中沿aa’方向的切面图；
19.图3为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
20.图4为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
21.图5为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
22.图6为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
23.图7为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
24.图8为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
25.图9为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
26.图10为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
27.图11为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
28.图12为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
29.图13为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
30.图14为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
31.图15为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
32.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
33.正如背景技术所述，相较于有机发光二极管显示面板，微型发光二极管显示面板因其显示亮度更高、发光效率更好、寿命更长以及功耗更低等优势受到了越来越多的关注。虽然微型发光二极管显示面板有诸多优势，但是现有的微型发光二极管显示面板的发光效率还有待提高。
34.基于此，本发明实施例提供了一种发光器件、显示面板及显示装置，有效解决了现有存在的技术问题，提高了发光器件的发光效率，并且提高了显示面板的发光效率。
35.为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图15对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
36.参考图1和图2所示，图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图，图2为图1中沿aa’方向的切面图，其中，发光器件包括：
37.半导体发光元件，所述半导体发光元件包括第一半导体层110，所述第一半导体层110的一侧表面包括发光区112和电极区111；位于所述发光区112的发光层130；及位于所述发光层130背离所述第一半导体层110一侧的第二半导体层120。
38.覆盖所述半导体发光元件的侧壁、所述第二半导体层120背离所述第一半导体层110的表面及所述电极区111的反射结构200，所述反射结构200包括金属反射层210、第一镂空221和第二镂空222，所述第一镂空221位于所述电极区111，且所述第二镂空222在所述第一半导体层110朝向所述发光层130一侧表面的垂直投影位于所述发光区112；其中，所述金属反射层210包括与所述第一半导体层110接触的第一部分2101。
39.以及，至少部分位于所述第一镂空221且与所述第一半导体层110接触的第一电极310，及至少部分位于所述第二镂空222且与所述第二半导体层120接触的第二电极320。
40.在本发明一实施例中，本发明提供的第一半导体层110和第二半导体层120的其中一者可以为n型半导体层，另一者可以为p型半导体层，以及，本发明实施例提供的第一电极310和第二电极320之间绝缘隔离，且第一部分2101与第二电极320之间绝缘隔离，避免两者相连而导致短接的情况出现。
41.在本发明一实施例中，本发明提供的所述发光区112的面积大于所述电极区111的面积，亦即，第一半导体层110靠近第二半导体层120一侧表面划分为两个区域为发光区112和电极区111，将发光区112的面积设置为大于电极区111的面积，能够保证制作在发光区112上的发光层130的面积大，提高发光器件的发光效率。
42.可以理解的，本发明实施例提供的技术方案，反射结构200覆盖半导体发光元件的侧壁、第二半导体层120背离第一半导体层110的表面及电极区111。如图1所示，反射结构200覆盖了第一半导体层110、发光层130和第二半导体层120的侧壁，并且，反射结构200还覆盖了第二半导体层120背离第一半导体层110一侧的表面及电极区111，由此，能够将发光层130出光时射向半导体发光元件的侧壁的光和射向第二半导体层120一侧的光均反射至第一半导体层110一侧出射，从而提高了发光器件的发光效率，提高了显示装置的发光效率。并且，本发明实施例提供的金属反射层210还与第一半导体层110接触，金属反射层210的第一部分2101能够间接作为电极而增大了第一电极310与第一半导体层110的接触面积，使得半导体发光元件内电流能够在大面积的第一电极310的方向流动，进而保证半导体发
光元件内电流的均匀性高，避免了半导体发光元件内电流过于集中，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
43.结合下面附图以发光器件的切面(如沿图1所示的aa’方向的切面)为例对本发明实施例提供的技术方案进行更详细的描述。
44.参考图3所示，为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图，其中，本发明提供的所述反射结构200包括位于所述金属反射层210与所述半导体发光元件之间的第一绝缘层231，所述第一绝缘层231至少部分覆盖所述第二半导体层120及所述发光层130的裸露表面，且所述第一绝缘层210对应所述第一部分2101处为反射镂空，至少部分第一部分2101填充反射镂空，使得第一部分2101与第一半导体层110相接触。及，位于所述金属反射层210背离所述第一绝缘层231一侧的第二绝缘层232。
45.可以理解的，本发明实施例提供的反射结构中，在金属反射层210和半导体发光元件之间设置第一绝缘层231，并且将第一绝缘层231设置为至少部分覆盖第二半导体层120和发光层130的裸露表面，由此能够避免金属反射层210与第二半导体层120接触，进而避免金属反射层210将第一半导体层110和第二半导体层120之间直接相连的情况出现，保证发光器件的正常发光。并且，本发明实施例还提供了一第二绝缘层232来覆盖金属反射层210的裸露表面，达到对金属反射层210进行保护的目的，进而避免金属反射层210的磨损，还可以保证与外接环境的绝缘，进而避免第一半导体层110受外界信号的干扰。
46.参考图4所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，本发明实施例提供的所述反射镂空至少覆盖所述电极区111，亦即，本发明实施例提供的金属反射层210的第一部分2101至少部分覆盖电极区111，由此第一部分2101能够间接作为电极而增大了第一电极310与第一半导体层110的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
47.进一步的，本发明实施例提供的所述反射镂空还延伸覆盖至所述第一半导体层110的至少部分侧壁。如图5所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，第一绝缘层231的反射镂空还延伸覆盖至第一半导体层110的至少部分侧壁，亦即，金属反射层210的第一部分2101至少部分覆盖电极区111的同时，还延伸覆盖至第一半导体层110的至少部分侧壁，进一步提高第一部分2101与第一半导体层110的接触面积，相当于进一步增大了第一电极310与第一半导体层110的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
48.在本发明一实施例中，本发明提供的金属反射层210的第一部分2101覆盖电极区111时，由于第一电极310位于电极区，其中，第一部分2101可以与第一电极310之间在第一镂空221处相隔离绝缘，避免第一电极310通过金属反射层210与第二电极320和/或第二半导体层120之间相连通。如图6至图8所示，图6至图8为本发明实施例提供的三种发光器件的结构示意图，其中，所述第一绝缘层231和/或第二绝缘层232覆盖所述第一镂空221的侧壁(如图6所示第一绝缘层231覆盖第一镂空221的侧壁，图7所示第二绝缘层232覆盖第一镂空221的侧壁，及图8所示第一绝缘层231和第二绝缘层232均有部分覆盖第一镂空221的侧壁)，使得第一部分2101与第一电极310之间在第一镂空221处相互隔离绝缘，可以避免第一电极310的信号通过金属反射层210传输至第二电极320，进而传输至第二半导体层120，从而保证发光器件的正常发光。
49.或者，本发明实施例提供的第一部分2101还可以与位于电极区111的第一电极221直接接触，进一步增大了第一电极310与第一半导体层110的接触面积。如图4所示，所述第一绝缘层231和所述第二绝缘层232裸露所述第一镂空221的侧壁，且所述第一电极310与所述第一部分2101在所述第一镂空221的侧壁处接触，进一步增大了第一电极310与第一半导体层110的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
50.在本发明一实施例中，本发明提供的金属反射层210还可以包括围绕第二镂空222的第二部分2102，其中，所述第二部分2102可以覆盖所述发光区112。为了避免第一电极310通过金属反射层210与第二电极320和/或第二半导体层120相连通，第一部分2101和第二部分2202之间需要进行隔离。如图9所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，所述金属反射层210包括至少围绕所述第二镂空222的第二部分2102，所述第二部分2102与所述第一部分2101之间相绝缘隔离，其中，第二部分2101可以通过第一绝缘层231与半导体发光元件相隔离。可选的，本发明实施例提供的第二部分2102和第一部分2101之间，可以通过第一绝缘层231和/或第二绝缘层232的隔离部233相隔离，即隔离部233可以为第一绝缘层231形成，或者隔离部233可以有第二绝缘层232形成，或者，隔离部233可以部分由第一绝缘层231形成且部分由第二绝缘层232形成，对此本发明不做具体限制。
51.或者，本发明实施例提供的第二电极320还可以与金属反射层210的第二部分2102相接触。如图10所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，所述第一绝缘层231和所述第二绝缘层232裸露所述第二镂空222的侧壁，且所述第二电极320与所述第二部分2102在所述第二镂空222的侧壁处接触，进而使得第二部分2102与第二电极320相连接且具有相同电势，避免了第二部分2102与半导体发光元件之间形成耦合电容，保证了发光器件的性能高。
52.在本发明一实施例中，本发明提供的第二部分2102在预定方向上与第一半导体层110不交叠，从而可以减小第二部分2102与第一半导体层110之间的耦合情况；其中，预定方向可以为垂直于发光器件侧壁所在平面的方向。
53.在本发明一实施例中，由于发光器件的尺寸较小，在第一电极310与第一部分2101相接触且第二电极320与第二部分2102相接触等情况下，为了防止第一部分2101和第二部分2102之间短接，可以在第一部分2101和第二部分2102之间形成更多隔离结构。如图11所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，本发明实施例提供的发光器件中，位于所述第一部分2101和所述第二部分2102之间还包括至少一个第三部分2013，所述第一部分2101与所述第三部分2013之间、所述第二部分2102与所述第三部分2103之间及相邻第三部分2103之间均相互隔离，其中，第一部分2101和第三部分2103之间隔离结构、第二部分2102和第三部分2103之间隔离结构及相邻第三部分2103之间隔离结构为第一绝缘层231和/或第二绝缘层232形成(需要说明的是，第一绝缘层231和/或第二绝缘层232形成的隔离结构可以结合图6-图8所示，即隔离结构可以为第一绝缘层231单独形成，或者，隔离结构可以由第二绝缘层232单独形成，或者，隔离结构可以部分由第一绝缘层231形成且部分由第二绝缘层232形成)。进而，通过在第一部分2101和第二部分2102之间形成更多隔离结构，保证金属反射层210的反射功能同时，降低第一部分2101和第二部分2102之间短接的风险，提高发光器件的可靠性。
54.在本发明一实施例中，本发明提供的第一电极310可以包括多个子电极，保证第一电极310与第一半导体层110的接触面积较大。如图12所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，本发明提供的所述第一镂空221包括多个第一子镂空2210，且所述第一电极310包括多个第一子电极3100，所述第一子电极3100位于所述第一子镂空2210且与所述第一半导体层110接触，提高了第一电极310与第一半导体层110的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示装置的发光效率。
55.同样的，如图12所示，本发明实施例提供的所述第二镂空222包括多个第二子镂空2220，且所述第二电极320包括多个第二子电极3200，所述第二子电极3200位于所述第二子镂空2220且与所述第二半导体层120接触，如此可以提升第二电极320与第二半导体层120接触的面积，进一步保证半导体发光元件内电流的均匀性高，提高了发光器件的发光效率，进提高了显示装置的发光效率。
56.如图13所示，为本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图，其中，本发明实施例提供的所述第一半导体层110背离所述第二半导体层120一侧表面为第一表面1101，该第一表面1101即第一半导体层110在发光器件出光方向的表面；在所述第一半导体层110至所述第二半导体层120的方向y上，所述发光层130背离所述第二半导体层120一侧表面1101至所述第一表面1101的间距a，与所述电极区111至所述第一表面1101的间距b的关系为：a＞b，在第一半导体层110的电极区111与发光层130之间形成台阶结构，能够进一步提高发光器件的出光效率。
57.在本发明上述任意一实施例中，本发明提供的所述金属反射层包括al、ag中至少一种，保证金属反射层的反射效果高且作为电极使用时的导电性能好，对此本发明不做具体限制。
58.相应的，本发明实施例还提供了一种显示面板。如图14所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板包括：
59.多个如上述任意一实施例提供的发光器件10。
60.电路基板20，所述电路基板20包括多个设置区，且所述设置区包括第一连接电极21和第二连接电极22，所述第一连接电极21与所述发光器件10的第一电极310相连，所述第二连接电极22与所述发光器件10的第二电极320相连。可选的，本发明提供的发光器件10可以为微型发光二极管。
61.如图15所示，为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图，其中，本发明实施例提供的显示装置1000可以为手机。
62.需要说明的是，本发明实施例提供的显示装置还可以为笔记本、平板电脑、电脑、可穿戴设备等，对此本发明不做具体限制。
63.本发明实施例提供了一种发光器件、显示面板及显示装置，包括：半导体发光元件，所述半导体发光元件包括第一半导体层，所述第一半导体层的一侧表面包括发光区和电极区；位于所述发光区的发光层；及位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；覆盖所述半导体发光元件的侧壁、所述第二半导体层背离所述第一半导体层的表面及所述电极区的反射结构，所述反射结构包括金属反射层、第一镂空和第二镂空，所述第一镂空位于所述电极区，且所述第二镂空在所述第一半导体层朝向所述发光层一侧表面
的垂直投影位于所述发光区；其中，所述金属反射层包括与所述第一半导体层接触的第一部分；以及，至少部分位于所述第一镂空且与所述第一半导体层接触的第一电极，及至少部分位于所述第二镂空且与所述第二半导体层接触的第二电极。
64.由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，反射结构覆盖半导体发光元件的侧壁、第二半导体层背离第一半导体层的表面及电极区，进而能够将半导体发光元件射向侧壁的光和射向第二半导体层一侧的光均反射至第一半导体层一侧出射，从而提高了发光器件的发光效率，提高了显示装置的发光效率。并且，本发明实施例提供的金属反射层还与第一半导体层接触，至少部分金属反射层能够间接作为电极而增大了第一电极与第一半导体层的接触面积，保证半导体发光元件内电流的均匀性高，进一步提高了发光器件的发光效率，进一步提高了显示面板的发光效率。
65.在本发明的描述中，需要理解的是，如出现术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
66.此外，如出现术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
67.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
68.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
69.在本发明中，如出现术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
70.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。