晶圆承载装置和半导体工艺设备的制作方法

文档序号:31207369发布日期:2022-08-20 02:53阅读:75来源:国知局
晶圆承载装置和半导体工艺设备的制作方法

1.本技术属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种晶圆承载装置和半导体工艺设备。


背景技术:

2.在半导体领域,刻蚀工艺需要由专门的半导体工艺设备完成,如刻蚀机,而刻蚀机主要由上下电极、工艺腔室等结构组成,其中,工艺腔室内的下电极的升针机构的稳定性,决定了晶圆传输过程中的定位精度,其对工艺结果有关键性影响。而在刻蚀工艺过程中,通常采用边缘保护环来防止晶圆的边缘被刻蚀,即过刻蚀问题。目前,半导体工艺腔室内的升针机构和保护环采用机械联动的方式,即采用同一驱动机构实现顶针与边缘保护环在不同时间开始上升、停止下降的传动顺序,以便于提高操作效率和安全性。
3.然而,当升针机构和边缘保护环采用机械联动的方式时,边缘保护环只能停止在固定位置处,因此,当顶针将晶圆传输至静电卡盘后,边缘保护环的位置也将固定,此时保护环与晶圆之间的间隙也就固定了,而该间隙值的大小直接影响工艺腔室内部等离子体的电场和流场分布,如果间隙值过高,将导致边缘保护环与晶圆之间的缝隙过大,刻蚀过程中等离子体进入缝隙中,依旧会产生晶圆边缘过刻蚀的问题;如果间隙值过低,将导致晶圆刻蚀沟槽倾斜角度过大的问题,影响刻蚀均匀性。


技术实现要素:

4.本技术实施例的目的是提供一种晶圆承载装置和半导体工艺设备,能够解决工艺过程中边缘保护环与晶圆之间的间距较为固定而导致晶圆的边缘过刻蚀及晶圆的刻蚀沟槽倾斜角度过大的问题。
5.为了解决上述技术问题,本技术是这样实现的:
6.第一方面,本技术实施例提供了一种晶圆承载装置,应用于半导体工艺设备,包括基座、边缘保护环组件、第一检测组件和驱动组件,
7.其中,所述基座用于承载晶圆且所述基座的内部具有空腔,所述边缘保护环组件包括边缘保护环、保护环支撑件和多个保护环连接杆,所述保护环支撑件间隔设置于所述基座的下方,所述多个保护环连接杆均设置于所述保护环支撑件且与所述边缘保护环相连;
8.所述驱动组件设置于所述空腔内且与所述保护环支撑件相连,所述驱动组件用于驱动所述保护环支撑件以带动所述边缘保护环沿竖直方向在传片位置和工艺位置之间移动;
9.所述第一检测组件用于检测所述保护环支撑件和所述基座之间的距离,在所述基座承载所述晶圆时,所述驱动组件根据所述距离驱动所述保护环支撑件移动,以调节所述边缘保护环的所述工艺位置。
10.第二方面,本技术实施例还提供了一种半导体工艺设备,包括上述的晶圆承载装
置。
11.在本技术实施例中,第一检测组件可以检测保护环支撑件和基座之间的距离,在基座承载晶圆时,驱动组件根据第一检测组件检测到的距离驱动保护环支撑件移动,以调节边缘保护环的工艺位置,使边缘保护环与晶圆之间的间距可调,以满足实际工艺需求。因此,本技术实施例提供的晶圆承载装置能够解决工艺过程中边缘保护环与晶圆之间的间距较为固定的问题,从而避免晶圆的边缘出现过刻蚀及晶圆的刻蚀沟槽倾斜角度过大的问题。
附图说明
12.图1为本技术实施例公开的晶圆承载装置的爆炸图;
13.图2为本技术实施例公开的晶圆承载装置的结构示意图;
14.图3为图2所示结构的部分结构图;
15.图4为本技术实施例公开的晶圆承载装置的部分结构的侧视图;
16.图5为本技术实施例公开的第一定位件的结构示意图;
17.图6为本技术实施例公开的晶圆承载装置的剖视图;
18.图7至图9为本技术实施例公开的晶圆承载装置处于不同状态下的剖视图;
19.图10为本技术实施例公开的晶圆承载装置的部分结构的剖视图;
20.图11至图12为图10所示结构处于传片位置时的结构示意图;
21.图13至图14为图10所示结构处于第一位置时的结构示意图;
22.图15至图16为图10所示结构处于工艺位置时的结构示意图。
23.附图标记说明:
24.110-基座、111-底板、112-壳体、120-边缘保护环组件、121-边缘保护环、122-保护环支撑件、123-保护环连接杆、123a-支撑针、123b-支撑针套筒、130-限位挡板、140第一检测组件、141-第一光电传感器、142-第二光电传感器、143-第一信号处理器、144-第二信号处理器、150-驱动组件、151-气缸、152-第一节流阀、153-第二节流阀、154-传动件、155-第一限流垫片、156-第二限流垫片、157-转接件、160-第一定位组件、161-第一定位件、162-第二定位件、170-伸缩密封件、180-顶针支撑件、190-第二定位组件、191-第三定位件、210-第二检测组件、211-第一传感器、212-第二传感器、213-光纤传导件、220-第一导向件、230-第二导向件、240-第三导向件、250-气缸导向件、260-顶针、270-顶针套筒、280-隔离盘。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
26.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施,且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类,并不限定对象的个数,例如第一对象可以是一个,也可
以是多个。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
27.下面结合附图,通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的晶圆承载装置和半导体工艺设备进行详细地说明。
28.如图1至图16所示,本技术实施例提供了一种晶圆承载安装置,应用于半导体工艺设备,其包括基座110、边缘保护环组件120、第一检测组件140和驱动组件150。
29.其中,基座110为晶圆承载装置的基础构件,能够为晶圆承载装置的其它结构提供安装基础。基座110用于承载晶圆且基座110的内部具有空腔。可选地,基座110包括底板111和壳体112,壳体112设置于底板111,壳体112与底板111形成空腔。
30.边缘保护环组件120包括边缘保护环121、保护环支撑件122和多个保护环连接杆123,边缘保护环121用于在工艺过程中保护晶圆的边缘,保护环支撑件122间隔设置于基座110的下方,保护环支撑件122可活动地设置于基座110。多个保护环连接杆123均设置于保护环支撑件122且与边缘保护环121相连。可选地,保护环连接杆123包括支撑针123a和支撑针套筒123b,支撑针套筒123b设置于保护环支撑件122,支撑针123a连接于支撑针套筒123b与边缘保护环121之间,支撑针123a、支撑针套筒123b和保护环支撑件122均作为边缘保护环121的支撑结构,进一步可选地,支撑针123a的数量可以为至少三个,支撑针套筒123b与支撑针123a一一对应设置,当然支撑针123a的数量也可以根据实际需要设置,这里不作具体限制。可选地,当支撑针123a的数量为三个时,保护环支撑件122可以为三爪结构,从而减小保护环支撑件122的重量和成本,当然也可以是其它结构,这里不作具体限制。
31.驱动组件150设置于空腔内且与保护环支撑件122相连,驱动组件150用于驱动保护环支撑件122以带动边缘保护环121沿竖直方向在传片位置和工艺位置之间移动。在边缘保护环121位于工艺位置的情况下,在边缘保护环121的中心轴所在方向上,边缘保护环121与晶圆的边缘之间具有间距。可选地,驱动组件150可以为液压缸、电机、形状记忆合金和压电陶瓷件中的一者,这里对此不作具体限制。
32.第一检测组件140用于检测保护环支撑件122和基座110之间的距离,在基座110承载晶圆时,驱动组件150根据保护环支撑件122和基座110之间的距离驱动保护环支撑件122移动,以调节边缘保护环121的工艺位置,从而使边缘保护环121在不同的工艺位置之间移动,即调节边缘保护环121与晶圆的边缘之间的间距,以使该间距满足工艺实际需求。
33.在本技术实施例中,第一检测组件140可以检测保护环支撑件122和基座110之间的距离,在基座110承载晶圆时,驱动组件150根据第一检测组件140检测到的距离驱动保护环支撑件122移动,以调节边缘保护环121的工艺位置,使边缘保护环121与晶圆之间的间距可调,从而避免晶圆的边缘出现过刻蚀及晶圆的刻蚀沟槽倾斜角度过大。因此,本技术实施例提供的晶圆承载装置能够解决工艺过程中边缘保护环121与晶圆之间的间距较为固定而导致晶圆的边缘过刻蚀及晶圆的刻蚀沟槽倾斜角度过大的问题。
34.一种可选的实施例中,驱动组件150包括气缸151、传动件154和转接件157,气缸151设置于基座110的底板111上,可选地,气缸151可以为阻尼气缸,其具有体积小,运行平稳的特点。传动件154的第一端与气缸151的输出轴相连,传动件154的第二端与转接件157的一端相连,转接件157的另一端穿过底板111与保护环支撑件122相连,气缸151通过传动件154驱动转接件157升降以带动保护环支撑件122移动。晶圆承载装置还包括第一定位组
件160,第一定位组件160设置于空腔内,用于在边缘保护环121位于工艺位置的情况下定位传动件154,以固定与传动件154相连的转接件157,从而使边缘保护环组件120固定,进而提升边缘保护环121的稳定性。
35.可选的实施例中,第一定位组件160包括第一定位件161和第二定位件162,第一定位件161设置于传动件154,第二定位件162设置于基座110的底板111,第一定位件161和第二定位件162中的一者沿第一方向可活动,在边缘保护环121位于工艺位置的情况下,第一定位件161与第二定位件162定位配合,其中,第一方向与竖直方向之间形成夹角,这里的第一方向具体指垂直于竖直方向的方向,即水平方向,当然,第一方向与竖直方向之间也可以具有夹角,这里不作具体限制。当气缸151驱动边缘保护环121调节至工艺位置时,气缸151的输出轴停止工作,第一定位件161和第二定位件162中的一者沿第一方向运动至与另一者定位配合,从而将边缘保护环121进行固定,以提高边缘保护环121的稳定性,避免在工艺过程中边缘保护环121的位置发生变化。此外,相比于第一定位组件160设置于底板和传动件中的一者,进而与另一者定位配合的方式,第一定位件161和第二定位件162设置于不同的部件,两者的位置可以更灵活地选择,从而便于晶圆承载装置的结构设计。
36.可选的实施例中,第二定位件162沿竖直方向向上延伸,第一定位件161和第二定位件162中的至少一者为电磁件,即可以是第一定位件161为电磁件,也可以是第二定位件162为电磁件,还可以是第一定位件161和第二定位件162均为电磁件,这里不作具体限制。当电磁件通电时,第一定位件161与第二定位件162定位配合;当电磁件断电时,第一定位件161与第二定位件162解除配合,以便于控制。进一步可选地,第二定位件162为电磁件,第一定位件161为磁性件,当磁性件靠近电磁件时,电磁件通电,以使磁性件与电磁件磁性连接,由于该电磁件固定不动,便于控制。
37.可选地,第二定位件162可以为条形部件,第二定位件162沿保护环支撑件122的移动方向延伸。由于第一定位件161设置于传动件154,当条形结构的第二定位件162沿保护环支撑件122的移动方向延伸时,有利于增大第一定位件161与第二定位件162的接触范围,以便于第一定位件161与第二定位件162定位配合。
38.进一步可选地,第二定位件162沿竖直方向设有多个第一定位槽,第一定位件161包括第一本体和第一磁头,第一本体可通过螺钉等紧固件固定设置于传动件154,第一磁头可活动地设置于第一本体上,当第一磁头通电时,第一磁头与多个第一定位槽中的一者定位配合,此时既存在磁性定位配合,又存在机械定位配合,从而进一步提升第一定位件161与第二定位件162的定位稳定性。
39.另一种可选的实施例中,晶圆承载装置还包括顶针支撑件180和限位挡板130,限位挡板130固定设置于空腔内,可选地,限位挡板130设置于壳体112,限位挡板130的底面设置有多个沿竖直方向延伸的第一导向件220,顶针支撑件180与多个第一导向件220滑动连接,第一导向件220为顶针支撑件180的运动提供导向作用。边缘保护环121上升至第一位置时,传动件154与顶针支撑件180接触。传动件154带动边缘保护环121由第一位置继续上升至传片位置的过程中,传动件154还带动顶针支撑件180同步上升至顶针支撑件180止抵于限位挡板130,此时限位挡板130可以防止顶针支撑件180继续上升。当顶针支撑件180由传片位置下降时,顶针支撑件180和边缘保护环121同步下降至第一位置,顶针支撑件180与传动件154分离,传动件154带动边缘保护环122继续下降,在边缘保护环121由第一位置下降
至工艺位置的过程中,第一检测组件140开启并用于检测保护环支撑件122和基座110之间的距离,根据该距离调整边缘保护环121的工艺位置。由此可知,该实施例通过此种机械联动的方式,采用同一驱动机构既可以驱动边缘保护环121运动,还能够驱动顶针支撑件180运动,相比于通过不同的机构分别边缘保护环121和顶针支撑件180运动,该实施例有利于提高晶圆承载装置的操作的便捷性。
40.可选地,顶针支撑件180可以挂接于第一导向件220,从而使得顶针支撑件180和第一导向件220始终保持连接,实现顶针支撑件180的安装。
41.可选地,晶圆承载装置还包括顶针260和顶针套筒270,顶针套筒270设置于顶针支撑件180,顶针260设置于顶针套筒270,在顶针支撑件180移动的过程中,顶针套筒270和顶针260一起移动。
42.进一步可选地,顶针260的数量为至少三个,各顶针260周向间隔设置,顶针套筒270与顶针260一一对应设置,从而分散作用于晶圆的作用力,以提高输送晶圆的稳定性。
43.可选地,当顶针260的数量为三个时,此时顶针支撑件180可以为三爪结构,从而减小顶针支撑件180的尺寸和重量,以便于为其它结构节省空间。
44.另一种可选的实施例中,晶圆承载装置还包括第二检测组件210,第二检测组件210包括第一传感器211和第二传感器212,第一传感器211和第二传感器212沿顶针支撑件180的移动方向间隔设置,在顶针支撑件180与限位挡板130接触时,第一传感器211被触发,此时可以使气缸151关闭,从而使得气缸151不再向传动件154施加作用力,进而防止顶针支撑件180进一步上升而过度按压限位挡板130或损坏气缸151。在顶针支撑件180位于第一位置时,第二传感器212被触发,这就表示顶针支撑件180已运动至下极限位置。
45.可选地,第一传感器211和第二传感器212可以均为光纤传感器,光纤传感器能够发射光线,通过检测照射至顶针支撑件180的光线强度,从而精准判断顶针支撑件180的位置。
46.可选地,第二检测组件210还包括光纤传导件213,第一传感器211和第二传感器212均设置于光纤传导件213,光纤传导件213用于将第一传感器211与第二传感器212电连接,以便于控制,当然,第一传感器211和第二传感器212也可以单独控制,这里不作具体限制。
47.可选的实施例中,晶圆承载装置还包括隔离盘280,隔离盘280设置于基座110的壳体112上,限位挡板130设置于隔离盘280,且限位挡板130位于隔离盘280朝向顶针支撑件180的一侧,光纤传导件213设置于限位挡板130,从而增大第一传感器211和第二传感器212相对于顶针支撑件180的检测范围。
48.可选的实施例中,晶圆承载装置还包括第二定位组件190,第二定位组件190包括第三定位件191和第四定位件,第三定位件191设置于顶针支撑件180,第四定位件设置于传动件154,在顶针支撑件180与限位挡板130接触时,第三定位件191与第四定位件定位配合,以使传动件154能够带动顶针支撑件180和保护环支撑件122同步下降至第一位置。在第三定位件191和第四定位件定位配合的情况下,顶针支撑件180随传动件154移动,从而避免传动件154脱离顶针支撑件180,以提升传动件154和顶针支撑件180的连接稳定性。在第三定位件191和第四定位件解除配合的情况下,顶针支撑件180与传动件154分离,此时仅传动件154运动,与顶针支撑件180相连的顶针260则保持在自身的工艺位置处。由此可知,该实施
例通过设置第三定位件191和第四定位件,有利于提升顶针支撑件180与传动件154的连接稳定性,同时还可以通过传动件154快速带动顶针支撑件180,使顶针支撑件180快速带动顶针260到达其工艺位置处。
49.在晶圆承载装置同时包括第二定位组件190和第二检测组件210的实施例中,在顶针支撑件180与限位挡板130接触时,第一传感器211被触发,此时可以控制第三定位件191与第四定位件定位配合,以使传动件154能够带动顶针支撑件180和保护环支撑件122同步下降至第一位置;在顶针支撑件180位于第一位置时,第二传感器212被触发,此时可以控制第三定位件191和第四定位件解除配合,顶针支撑件180与传动件154分离,仅传动件154继续下降。
50.可选地,第三定位件191和第四定位件均可以为磁性件,且第三定位件191和第四定位件中的至少一者为电磁件,在电磁件通电的情况下,第三定位件191与第四定位件磁性配合,以便于控制。
51.一种可选的实施例中,第三定位件191设置于顶针支撑件180的底面;另一可选的实施例中,第三定位件191设置于顶针支撑件180的侧壁。第三定位件191包括第二本体和第二磁头,第二本体设置于顶针支撑件180,第二磁头可活动地设置于第二本体,第四定位件设有第二定位槽,当第二磁头通电时,第二磁头与第二定位槽定位配合,此时既存在磁性定位配合,又存在机械定位配合,从而提高第三定位件191与第四定位件的定位稳定性。可选地,传动件154既可以为磁性件,也可以为非磁性件,当传动件154为非磁性件时,第四定位件可分体设置于传动件154,此时可以灵活选择第四定位件的结构和设置位置,以便于第三定位件191与第四定位件定位配合;当传动件154为磁性件时,第四定位件与传动件154一体设置,此时晶圆承载装置的结构更加简单,且成本更低。
52.再一种可选的实施例中,晶圆承载装置还包括伸缩密封件170和至少一个第二导向件230,伸缩密封件170套设于转接件157的外侧,且伸缩密封件170的一端与底板111密封连接,伸缩密封件170的内腔与基座110的空腔相连通,伸缩密封件170的另一端与转接件157连接,从而将基座110的空腔与外界环境隔离开,以使基座110的空腔处于真空状态,从而满足工艺条件。第二导向件230设置于底板111与保护环支撑件122之间,保护环支撑件122能够在竖直方向上沿第二导向件230相对于底板111移动,从而避免保护环支撑件122发生倾斜,以提高保护环支撑件122的移动精准性。进一步可选地,第二导向件230的数量可以为至少两个,各第二导向件230间隔设置,以分散作用力,从而提高导向精度,当然,第二导向件230的数量也可以根据实际需要进行设置,这里不作具体限制。
53.可选地,晶圆承载装置还包括气缸导向件250和至少一个第三导向件240,气缸导向件250和第三导向件240均设置于底板111且分别位于气缸151的两侧,气缸151驱动传动件154沿气缸导向件250和第三导向件240移动,气缸导向件250和第三导向件240为气缸151的输出轴和传动件154移动提供导向作用,以提升传动件154的运动稳定性。可选地,传动件154可以为z形结构,传动件包括依次相连的第一板段、第二板段和第三板段,第一板段与第三板段平行,第二板段分别相对于第一板段和第三板段弯折,在边缘保护环121位于第一位置时,第一板段与顶针支撑件180接触,第三板段与气缸151输出轴相连。
54.当顶针支撑件180挂接于第一导向件220时,第一导向件220与第二导向件230可以分体设置。另一可选的实施例中,第一导向件220与第二导向件230可以同轴设置,且二者可
以为一体式结构,此种情况下,传动件154与顶针支撑件180可以同时套接于同一导向件上,以便于第一导向件220和第二导向件230的设置。可选地,当第一导向件220与第二导向件230同轴设置,且二者为一体式结构时,该导向件可以设置于隔离盘280的底面,此时可以不需要设置限位挡板130,从而简化结构,且节省成本。
55.可选的实施例中,驱动组件150还包括第一节流阀152和第二节流阀153,第一节流阀152设置于气缸151的第一气体通道,可选地,第一节流阀152可以设置于气缸151的第一通孔处,也可以设置于气缸151的第一气体管路上,这里不作具有限制。第二节流阀153设置于气缸151的第二气体通道,可选地,第二节流阀153可以设置于气缸151的第二通孔处,也可以设置于气缸151的第二气体管路上,这里不作具体限制。传动件154的第一端与气缸151的输出轴相连,传动件154的第二端与保护环支撑件122相连,气缸151通过传动件154驱动保护环支撑件122移动,在工艺过程中,通过第一节流阀152或第二节流阀153调节气缸151的进气量,以提升边缘保护环121的升降平稳性。在气缸151的输出轴上升的过程中,气体自第一气体通道内进入气缸151中,然后从第二气体通道排出,与此同时第一节流阀152的开度逐渐增大,从而调节气缸151内的进气量;在气缸151的输出轴下降的过程中,气体自第二进汽通道内进入气缸151中,然后从第一气体通道排出,与此同时第二节流阀153的开度逐渐增大,从而调节气缸151内的进气量。由此可知,本技术实施例中的第一气体通道和第二气体通道既可以作为进气通道,也可以作为排气通道,通过在第一气体通道和第二气体通道内分别设置第一节流阀152和第二节流阀153,从而调节进入气缸151内的进气量,以调节气缸151的输出轴的移动平稳性,进而提升调节边缘保护环121的工艺位置的控制精度。
56.另一种可选的实施例中,驱动组件150还包括第一限流垫片155和第二限流垫片156,第一限流垫片155设置于第一气体通道,在气缸151的输出轴上升的过程中,第一限流垫片155用于调节进入气缸151的进气量,以确保气缸151内的气体供给的流畅性,从而提升传动件154的上升平稳性。第二限流垫片156设置于第二气体通道,在输出轴下降的过程中,用于调节进入气缸151的进气量,以确保气缸151内的气体供给的流畅性,从而提升传动件154的下降平稳性。
57.可选地,在驱动组件150还包括第一节流阀152和第二节流阀153的实施例中,驱动组件150还可以包括第一限流垫片155和第二限流垫片156,当第一气体通道为进气通道时,通过第一节流阀152和第一限流垫片155共同作用,以调节第一气体通道的进气流通量,从而进一步提升边缘保护环121的运动平稳性。同理地,当第二气体通道为进气通道时,通过第二节流阀153和第二限流垫片156共同作用,以调节第二气体通道的进气流通量,从而进一步提升边缘保护环121的运动平稳性。与此同时,通过第一节流阀152、第二节流阀153、第一限流垫片155和第二限流垫片156,可以在传动件154与基座110定位配合时,减小气缸151的气体流量,进而降低气缸151施加于传动件154的作用力,使得该作用力无法驱动传动件154运动,如此设置就不需要关闭气缸151,当气缸151需要再一次驱动传动件154运动时,直接调节气体的流量即可,无需耗费较长的时间重新启动气缸151。
58.可选地,第一限流垫片155可以位于第一节流阀152的下游,也可以位于第一节流阀152的上游,这里不作具体限制。可选地,第二限流垫片156可以位于第二节流阀153的下游,也可以位于第二节流阀153的上游,这里不作具体限制。
59.进一步可选的实施例中,驱动组件150还包括阻尼弹簧,阻尼弹簧的一端与气缸
151的输出轴相连,阻尼弹簧的另一端与传动件154相连,在气缸151的输出轴上升或下降的过程中,阻尼弹簧能够吸收输出轴的振动,从而调节输出轴的移动平稳性,进而提升调节边缘保护环121的控制精度。在驱动组件150包括第一节流阀152和第二节流阀153以及第一限流垫片155和第二限流垫片156的实施例中,该驱动组件150也可以包括阻尼弹簧,此时在输出轴上升或下降的过程中,阻尼弹簧、节流阀和限流垫片共同调节输出轴的移动平稳性,有利于进一步提升调节边缘保护环121的控制精度。
60.可选的实施例中,第一检测组件140包括第一光电传感器141、第一信号处理器143、第二光电传感器142和第二信号处理器144,在保护环支撑件122与底板111相对的两个面上,其中一者设置有第一信号处理器143,另一者设置有第二信号处理器144,第一光电传感器141设置于第一信号处理器143且两者电连接,第二光电传感器142设置于第二信号处理器144且两者电连接,第一光电传感器141与第二光电传感器142错开设置,第一信号处理器143用于反射第二光电传感器142发出的光线,第二信号处理器144用于反射第一光电传感器141发出的光线。当驱动组件150驱动保护环支撑件122相对于基座110运动时,保护环支撑件122与基座110之间的距离发生变化,第一光电传感器141射向第二信号处理器144的光线强度发生变化,第二信号处理器144将该光线反射至第一光电传感器141,与第一光电传感器141电连接的第一信号处理器143通过该反射光线强度的变化从而计算保护环支撑件122与基座110之间的距离。另一种可选的方式中,由于保护环支撑件122与基座110之间的距离发生变化,第二信号处理器144也可以通过计算入射光线与反射光线之间的时间差进行计算保护环支撑件122与基座110之间的距离,这里不作具体限制。
61.同理地,第二光电传感器142射向第一信号处理器143的光线强度发生变化,第一信号处理器143将该光线反射至第二光电传感器142,与第二光电传感器142电连接的第二信号处理器144通过该反射光线强度的变化从而计算保护环支撑件122与基座110之间的距离,以提升第一位置检测组件140的检测精确性。另一种可选的方式中,由于保护环支撑件122与基座110之间的距离发生变化,第一信号处理器143也可以通过计算入射光线与反射光线之间的时间差进行计算保护环支撑件122与基座110之间的距离,这里不作具体限制。通过设置两组传感器和处理器,在对边缘保护环121的位置进行调节时,能够提高调节精度。
62.可选地,第一信号处理器143和第二信号处理器144均由具有反射性能的材料制成。可选地,第一光电传感器141和第二光电传感器142也可以为其它检测件,这里不作具体限制。进一步可选地,第一光电传感器141和第二光电传感器142可以为同类型的光电传感器,也可以为不同类型的光电传感器这里不作具体限制。
63.本技术实施例公开的晶圆承载装置的工作过程简述如下:
64.在边缘保护环121由工艺位置上升至传片位置的过程中,气缸151驱动传动件154沿第三导向件240上升至边缘保护环121位于第一位置,此时传动件154与顶针支撑件180接触,接着传动件154推动顶针支撑件180沿第一导向件220同步上升,当边缘保护环121上升至传片位置时,顶针支撑件180止抵于限位挡板130,此时第一传感器211被触发,进而关闭气缸151,同时使第三定位件191与第四定位件定位配合,以使顶针支撑件180与传动件154紧固连接。传片结束后,再次启动气缸151,从而使边缘保护环121可以由传片位置下降至工艺位置,在边缘保护环121由传片位置下降至工艺位置的过程中,气缸151驱动传动件154带
动顶针支撑件180沿第一导向件220同步下降至第二传感器212被触发,此时边缘保护环121位于第一位置,第三定位件191与第四定位件解除配合,顶针支撑件180不再下降,传动件154带动边缘保护环121继续下降至工艺位置,在边缘保护环121由第一位置下降至工艺位置的过程中第一检测组件140开启并用于检测保护环支撑件122和基座110之间的距离,驱动组件150根据该距离调整边缘保护环121的工艺位置,使得边缘保护环121随着工艺进程能够到达不同的工艺位置。
65.上面结合附图对本技术的实施例进行了描述,但是本技术并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本技术的启示下,在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本技术的保护之内。
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