一种显示面板及其制备方法、显示装置与流程

一种显示面板及其制备方法、显示装置
【技术领域】
1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.微型发光二极管(micro light emitting diode,micro led)显示面板具有寿命长、亮度高、功耗低、分辨率高等优点，可应用于高温或辐射等特殊环境，已成为面板行业研究的热点。
3.现有的micro led显示面板中，需要在像素定义层的开口中高温键合micro led，由于高温作用，像素定义层会产生漏气，使得膜层鼓起或破裂，影响产品良率。
4.【申请内容】
5.有鉴于此，本技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决上述问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括衬底、像素定义层和有机层；像素定义层位于衬底的一侧，像素定义层包括开口，开口用于设置发光元件；有机层位于衬底和像素定义层之间，有机层包括多孔材料。
7.在第一方面的一种实现方式中，有机层为平坦化层。
8.在第一方面的一种实现方式中，像素定义层包括黑色实体部分；显示面板还包括无机层，无机层设置在像素定义层远离衬底的一侧，并且无机层覆盖在黑色实体部分上。
9.在第一方面的一种实现方式中，发光元件为微型发光二极管。
10.在第一方面的一种实现方式中，有机层包括第一子层和第二子层，第二子层位于第一子层远离衬底的一侧，第二子层的孔隙率大于第一子层的孔隙率。
11.在第一方面的一种实现方式中，第二子层的孔隙率为10％-30％，第一子层的孔隙率为0-10％。
12.在第一方面的一种实现方式中，有机层还包括第三子层，第三子层位于第二子层远离衬底的一侧，第三子层的孔隙率大于第二子层的孔隙率。
13.在第一方面的一种实现方式中，第三子层的孔隙率与第二子层的孔隙率之间的差值为c1，第二子层的孔隙率与第一子层的孔隙率之间的差值为c2；其中，c1＜c2。
14.在第一方面的一种实现方式中，多孔材料为氧化铝、氧化硅、活性炭中的至少一者。
15.在第一方面的一种实现方式中，多孔材料的粒径为50nm-500nm。
16.第二方面，本技术实施例提供一种显示面板的制备方法，用于制备如第一方面提供的显示面板；制备方法包括：
17.在衬底的一侧依次制备有机层和像素定义层，形成第一基板；
18.对第一基板进行加热，将有机层中的多孔材料吸收的气体脱除；
19.在像素定义层的开口中设置发光元件。
20.在第二方面的一种实现方式中，像素定义层包括黑色实体部分，显示面板还包括
无机层，无机层设置在像素定义层远离衬底的一侧，且无机层覆盖在黑色实体部分上；制备方法还包括：
21.在第一基板上制备无机层；
22.其中，在制备无机层之前，对第一基板进行加热，将有机层中的多孔材料吸收的气体脱除。
23.在第二方面的一种实现方式中，对第一基板进行加热，包括：
24.对第一基板加热30分钟-180分钟，加热温度为150℃-230℃。
25.第三方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括如第一方面提供的显示面板。
26.在本技术实施例中，通过在衬底与像素定义层之间设置有机层，并且在有机层中设置可以吸收漏气的多孔材料，则在高温键合发光元件的过程中，有机层中的多孔材料可以将像素定义层在高温下产生的漏气快速吸收，避免像素定义层出现鼓起或破裂的问题，从而有利于提高显示面板的产品良率，节省成本。
27.而且，在高温键合发光元件之前，对已制备完成的显示面板的部分进行加热，将有机层中的多孔材料已吸收的气体脱除，则可以保证在高温键合发光元件时，多孔材料具有较大的吸附能力，从而保证多孔材料可以将像素定义层中所产生的漏气快速吸收，避免像素定义层鼓起或破裂。
【附图说明】
28.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
29.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
30.图2为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
31.图3为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
32.图4为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
33.图5为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
34.图6为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
35.图7为本技术实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；
36.图8为本技术实施例提供的一种第一基板的示意图；
37.图9为本技术实施例提供的一种显示面板的工艺流程图；
38.图10为本技术实施例提供一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
39.为了更好的理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
40.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
41.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制
本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
42.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
43.本说明书的描述中，需要理解的是，本技术权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。
44.应当理解，尽管在本技术实施例中可能采用术语第一、第二等来描述共晶层、子层等，但这些共晶层、子层等不应限于这些术语。这些术语仅用来将共晶层、子层等彼此区分开。例如，在不脱离本技术实施例范围的情况下，第一子层也可以被称为第二子层，类似地，第二子层也可以被称为第一子层。
45.本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。
46.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
47.本技术实施例提供一种显示面板100，如图1和图2所示，显示面板100包括衬底10、像素定义层20和有机层30。像素定义层20位于衬底10的一侧，像素定义层20包括开口21，开口21用于设置发光元件40。
48.可选地，发光元件40可以为微型发光二极管。
49.有机层30位于衬底10与像素定义层20之间，有机层30包括多孔材料m。
50.需要说明的是，如图1所示，本技术实施例提供的显示面板100中，像素定义层20及有机层30均可以整面设置。此外，如图2所示，像素定义层20及有机层30还可以均为非连续结构，显示面板100包括透明区域bb，沿显示面板100的厚度方向z，像素定义层20与有机层30至少部分交叠，并且透明区域bb与像素定义层20、有机层30无交叠。
51.在如图2所示的显示面板100中，像素定义层20的部分可以延伸至有机层30的侧面。本技术中，在描述像素定义层20的位置关系时，以像素定义层20的开口21所在平面表示像素定义层20的位置。
52.进一步地，请继续参考图1和图2，显示面板100还包括晶体管阵列层50，晶体管阵列层50位于衬底10朝向像素定义层20的一侧。晶体管阵列层50包括多个驱动电路51和第一电源信号线52，驱动电路51和第一电源信号线52分别通过共晶层60与发光元件40电连接。
53.具体地，共晶层60包括第一共晶层61和第二共晶层62，驱动电路51通过第一共晶层61与发光元件40的正极电连接，第一电源信号线52通过第二共晶层62与发光元件40的负极电连接。当驱动发光元件40发光时，驱动电路51通过第一共晶层61向发光元件40的正极传输第一信号，第一电源信号线52通过第二共晶层62向发光元件40的负极传输第二信号，发光元件40在第一信号和第二信号压差的作用下发光。并且调节第一信号与第二信号之间压差的大小，可以控制发光元件40的发光亮度。
54.其中，共晶层60可由金属或合金材料制备形成。
55.可选地，共晶层60包括铜、金、铟、锡中的至少一者。可选地，共晶层60包括铜、金、
铟、锡中至少两者形成的合金。
56.现有技术中，通常采用高温键合的方式将发光元件40与共晶层60连接。由于像素定义层20通常由有机材料制备形成，则在高温键合发光元件40的过程中，由于高温作用，像素定义层20中会产生漏气；而像素定义层20中的漏气如果不能及时排出，则会导致像素定义层20鼓起或者破裂，影响产品良率。
57.本技术实施例中，通过在衬底10与像素定义层20之间设置有机层30，并且在有机层30中设置可以吸收漏气的多孔材料m，则在高温键合发光元件40的过程中，有机层30中的多孔材料m可以将像素定义层20在高温下产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20出现鼓起或破裂的问题，从而有利于提高显示面板100的产品良率，节省成本。
58.可选地，多孔材料m为氧化铝、氧化硅、活性炭中的至少一者。
59.进一步地，多孔材料m的粒径为50nm-500nm。
60.在本技术的一个实施例中，有机层30为平坦化层。
61.具体地，请继续参考图1和图2，驱动电路51包括晶体管t1，晶体管t1与共晶层60之间设置有平坦化层。有机层30可以为设置在晶体管t1与共晶层60之间的平坦化层。
62.图3为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图4为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
63.如图3和图4所示，在本技术的一个实施例中，像素定义层20包括黑色实体部分22，黑色实体部分22围绕开口21。
64.显示面板100还包括无机层70，无机层70设置在像素定义层20远离衬底10的一侧，并且无机层70覆盖在黑色实体部分22上。
65.需要说明的是，在如图4所示的显示面板100中，无机层70可以延伸至黑色实体部分22的侧面。本技术中，在描述无机层70的位置关系时，以无机层70中与衬底10所在平面平行的部分表示无机层70的位置。
66.本技术实施例中，黑色实体部分22的反射率较低，有利于降低外界环境光入射到显示面板100后所产生的反射光强度，从而有利于避免反射光对显示画面的影响。
67.此外，在制备完成像素定义层20后，在显示面板100的后续工艺中通常需要采用剥离液。本技术实施例中设置无机层70覆盖在黑色实体部分22上，则可以避免剥离液对黑色实体部分22造成侵蚀，防止黑色实体部分22褪色，从而保证黑色实体部分22可以保持较低的反射率。
68.图5为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
69.在本技术的一个实施例中，如图5所示，有机层30包括第一子层31和第二子层32，第二子层32位于第一子层31远离衬底10的一侧。也就是说，第二子层32相对于第一子层31更靠近像素定义层20。
70.其中，第二子层32的孔隙率大于第一子层31的孔隙率。
71.可选地，第二子层32的孔隙率为10％-30％，第一子层31的孔隙率为0-10％。
72.可以理解的是，膜层的孔隙率越大，则该膜层对气体的吸附能力越强。并且膜层距离像素定义层20越近，该膜层越早吸收像素定义层20中产生的漏气。
73.本技术实施例中，设置距离像素定义层20较近的第二子层32的孔隙率较大，则在高温键合发光元件40时，像素定义层20中产生的大部分漏气可以快速被第二子层32中的多
孔材料m吸收，从而避免像素定义层20鼓起或破裂，有效提高显示面板100的良率。当然，未被第二子层32吸收的漏气还可以被第一子层31吸收，以避免漏气在像素定义层20中堆积，进一步降低像素定义层20鼓起的风险。
74.图6为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
75.如图6所示，在本技术的一个实施例中，有机层30还包括第三子层33，第三子层33位于第二子层32远离衬底10的一侧。也就是说，第三子层33相对于第二子层32更靠近像素定义层20。
76.其中，第三子层33的孔隙率大于第二子层32的孔隙率。当然，第三子层33的孔隙率也大于第一子层31的孔隙率。
77.本技术实施例中，设置距离像素定义层20较近的第三子层33的孔隙率较大，则在像素定义层20产生漏气时，第三子层33中的多孔材料m可以快速的将大部分漏气吸收，从而避免像素定义层20鼓起或破裂。当然，未被第三子层33吸收的漏气还可以被第二子层32及第一子层31吸收，以避免漏气在像素定义层20中堆积，进一步降低像素定义层20鼓起的风险。
78.需要说明的是，有机层30还可以包括更多的子层，距离像素定义层20越近的子层的孔隙率越大。
79.在本技术的又一个实施例中，第三子层33的孔隙率与第二子层32的孔隙率之间的差值为c1，第二子层32的孔隙率与第一子层31的孔隙率之间的差值为c2。其中，c1＜c2。
80.也就是说，第一子层31的孔隙率相对于第二子层32孔隙率的减小值比第二子层32的孔隙率相对于第三子层33孔隙率的减小值更大。
81.本技术实施例中，第三子层33的孔隙率大于第二子层32的孔隙率，第二子层32的孔隙率大于第一子层31的孔隙率；并且第二子层32的孔隙率相对于第三子层33孔隙率的减小值小于第一子层31的孔隙率相对于第二子层32孔隙率的减小值。则在高温键合发光元件40的过程中，像素定义层20中产生的漏气能够被第三子层33和第二子层32中的多孔材料m快速的吸收，从而降低像素定义层20鼓起或破裂的风险。
82.图7为本技术实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图，图8为本技术实施例提供的一种第一基板的示意图。
83.本技术实施例提供一种显示面板100的制备方法，用于制备如上述实施例提供的显示面板100。显示面板100的结构可以如图1-图6所示。
84.如图7所示，制备方法包括：
85.步骤s1：在衬底10的一侧依次制备有机层30和像素定义层20，形成第一基板100’；
86.步骤s2：对第一基板100’进行加热，将有机层30中的多孔材料m吸收的气体脱除；
87.步骤s3：在像素定义层20的开口21中设置发光元件40。
88.需要说明的是，如图8所示，第一基板100’中还包括晶体管阵列层50，晶体管阵列层50在制备像素定义层20之前制备。在制备有机层30时，有机层30的材料中已设置多孔材料m。
89.在步骤s3中，还包括制备共晶层60，共晶层60设置在开口21中。完成共晶层60的制备后，在开口21中设置发光元件40，可以采用高温键合的方式将发光元件40与共晶层60连接。
90.本技术实施例提供的制备方法中，通过在衬底10与像素定义层20之间设置有机层30，并且在有机层30中设置可以吸收漏气的多孔材料m，则在高温键合发光元件40的过程中，有机层30中的多孔材料m可以将像素定义层20在高温下产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20出现鼓起或破裂的问题，从而有利于提高显示面板100的产品良率，节省成本。
91.而且，在高温键合发光元件40之前，对第一基板100’进行加热，将有机层30中的多孔材料m吸收的气体脱除，则可以保证在高温键合发光元件40时，多孔材料m具有较大的吸附能力，从而保证多孔材料m可以将像素定义层20中所产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20鼓起或破裂。
92.图9为本技术实施例提供的一种显示面板的工艺流程图。
93.如图3和图4所示，在本技术的一个实施例中，像素定义层20还包括黑色实体部分22，黑色实体部分22围绕开口21。
94.显示面板100还包括无机层70，无机层70设置在像素定义层20远离衬底10的一侧，并且无机层70覆盖在黑色实体部分22上。
95.如图9所示，制备方法还包括：
96.步骤s2a：在第一基板100’上制备无机层70。
97.其中，在制备无机层70之前，对第一基板100’进行加热，将有机层30中的多孔材料m吸收的气体脱除。
98.也就是说，步骤s2a在步骤s2之后进行。当然，步骤s2a可以在步骤s3之前进行。
99.本技术实施例中，黑色实体部分22的反射率较低，有利于降低外界环境光入射到显示面板100后所产生的反射光强度，从而有利于避免反射光对显示画面的影响。而且，本技术实施例中设置无机层70覆盖在黑色实体部分22上，则可以避免后续工艺中使用的剥离液对黑色实体部分22造成侵蚀，防止黑色实体部分22褪色，从而保证黑色实体部分22可以保持较低的反射率。
100.可以理解的是，在制备显示面板100的过程中，有机层30中的多孔材料m会吸收环境中的气体，当多孔材料m吸收的气体足够多时，多孔材料m将失去吸收能力，不再吸收气体。因此，为了保证高温键合发光元件40时，多孔材料m可以将像素定义层20中产生的漏气吸收，则需要在高温键合发光元件40之前，将多孔材料m已吸附的气体脱除，以保证在高温键合发光元件40时，多孔材料m具有较大的吸附能力，可以将像素定义层20中所产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20鼓起或破裂。
101.由于气体无法通过无机层70排出，因此，本技术实施例在制备无机层70之前，对第一基板100’进行加热，可以使得有机层30中的多孔材料m已吸收的气体脱除，从而保证多孔材料m在高温键合发光元件40时具有较大的吸收能力。
102.在本技术的一个实施例中，对第一基板100’进行加热，包括：
103.对第一基板100’加热30分钟-180分钟，加热温度为150℃-230℃。
104.本技术实施例可以有效将有机层30中的多孔材料m已吸收的气体脱除出去，从而保证多孔材料m在高温键合发光元件40时具有较大的吸收能力。
105.图10为本技术实施例提供一种显示装置的示意图。
106.如图10所示，本技术实施例提供一种显示装置200，显示装置200包括如上述实施例提供的显示面板100。本技术实施例提供的显示装置200可以是手机，此外，本技术实施例
提供的显示装置200还可以是电脑、电视等电子设备。
107.在显示装置200中，通过在衬底10与像素定义层20之间设置有机层30，并且在有机层30中设置可以吸收漏气的多孔材料m，则在高温键合发光元件40的过程中，有机层30中的多孔材料m可以将像素定义层20在高温下产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20出现鼓起或破裂的问题，从而有利于提高显示面板100的产品良率，节省成本。
108.而且，在高温键合发光元件40之前，对已制备完成的显示装置200的部分进行加热，将有机层30中的多孔材料m已吸收的气体脱除，则可以保证在高温键合发光元件40时，多孔材料m具有较大的吸附能力，从而保证多孔材料m可以将像素定义层20中所产生的漏气快速吸收，避免像素定义层20鼓起或破裂。
109.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术保护的范围之内。