技术特征：
1.一种层叠器件晶片的形成方法，将正面上呈格子状设定有多条分割预定线且在由该多条分割预定线划分的各个矩形状的多个区域的各个区域内分别形成有器件的第1器件晶片和第2器件晶片贴合，形成层叠多个器件晶片而得的层叠器件晶片，其特征在于，该层叠器件晶片的形成方法具有如下的步骤：去除步骤，对该第1器件晶片进行加工，至少将形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部的倒角部去除；薄化步骤，在该去除步骤之后，将该第1器件晶片的背面侧进行磨削而薄化；以及贴合步骤，在该薄化步骤之后，将该第1器件晶片与该第2器件晶片贴合，该贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于该第2器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用该第1规定线和该第2规定线来调整该第1器件晶片和该第2器件晶片的相对位置。2.根据权利要求1所述的层叠器件晶片的形成方法，其特征在于，在该贴合步骤中，将该第1器件晶片的该背面侧与该第2器件晶片的该正面侧贴合。3.根据权利要求1或2所述的层叠器件晶片的形成方法，其特征在于，在该位置调整步骤中，利用拍摄单元同时拍摄该第1规定线和该第2规定线。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的层叠器件晶片的形成方法，其特征在于，该第1规定线是设定于该第1器件晶片的该正面的第1分割预定线，该第2规定线是设定于该第2器件晶片的该正面的第2分割预定线，该第1分割预定线和该第2分割预定线具有相同的形状和大小，在该位置调整步骤中，将该第1分割预定线与该第2分割预定线对位。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的层叠器件晶片的形成方法，其特征在于，在该位置调整步骤中，除了该第1规定线和该第2规定线以外，还使用处于与该第1规定线垂直的位置关系而形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第3规定线和处于与该第2规定线垂直的位置关系而形成于该第2器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第4规定线来调整该第1器件晶片和该第2器件晶片的相对位置。6.一种层叠器件晶片的形成方法，将正面上呈格子状设定有多条分割预定线且在由该多条分割预定线划分的各个矩形状的多个区域的各个区域内分别形成有器件的第1器件晶片和第2器件晶片贴合，形成层叠多个器件晶片而得的层叠器件晶片，其特征在于，该层叠器件晶片的形成方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，在该第1器件晶片的外周部，将具有透过该第1器件晶片的波长的激光束的聚光点定位于该第1器件晶片的厚度方向上的规定的深度而形成改质层；薄化步骤，在该改质层形成步骤之后，将该第1器件晶片的背面侧进行磨削而薄化，并且将该第1器件晶片的外周部去除；以及贴合步骤，在该薄化步骤之后，将该第1器件晶片与该第2器件晶片贴合，该贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于该第1器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于该第2器件晶片的该正面侧的外周部且位于与该器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用该第1
规定线和该第2规定线来调整该第1器件晶片和该第2器件晶片的相对位置。
技术总结
本发明提供层叠器件晶片的形成方法，无需在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对位用的对准标记而能够将器件晶片彼此对位来进行贴合。该层叠器件晶片的形成方法具有将第1器件晶片与第2器件晶片贴合的贴合步骤，贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于第1器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于第2器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用第1规定线和第2规定线来调整第1器件晶片和第2器件晶片的相对位置。件晶片的相对位置。件晶片的相对位置。
技术研发人员：陈之文 小日向恭祐 寺西俊辅 川合章仁
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2023/2/6