显示屏及其制备方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示屏及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.随着科技的发展，人们对显示装置的像素要求也越来越高。目前，在制备microled显示屏的过程中，通常需要多次转移microled，而转移次数越多越容易导致microled良率降低，而且在将不同颜色的microled排片之后巨量转移至承接基板上时，microled之间需要保留一定的空隙，难以实现显示屏具备高像素密度的特性。


技术实现要素：

3.本发明实施例公开了一种显示屏及其制备方法、显示装置，能够减小发光二极管芯片转移的次数，提高显示屏的像素密度。
4.为了实现上述目的，第一方面，本发明公开了一种显示屏的制备方法，包括：
5.在衬底的一侧形成多个间隔设置发光二极管芯片；
6.在所述衬底的设有所述发光二极管芯片的一侧形成封胶层，多个所述发光二极管芯片嵌设于所述封胶层，所述封胶层具有背离所述衬底的第一表面；
7.在所述第一表面形成至少一个像素驱动电路，所述像素驱动电路与至少一个所述发光二极管芯片电连接，用于控制对应所述发光二极管芯片发光；
8.将第一封装板设置于所述像素驱动电路背离所述封胶层的一侧；
9.去除所述衬底；
10.将色转换结构设置于所述封胶层背离所述像素驱动电路的一侧，用于转换所述发光二极管芯片发出的光线的颜色；
11.将第二封装板设置于所述色转换结构背离所述发光二极管芯片的一侧。
12.作为一种可选的实施方式，在本技术第一方面的实施例中，所述在所述衬底的设有所述发光二极管芯片的一侧形成封胶层，包括：
13.在第一转接板的一侧设置第一激光胶；
14.通过热压合的方式将所述第一激光胶设于所述衬底的具有所述发光二极管芯片的一侧，形成所述封胶层。
15.作为一种可选的实施方式，在本技术第一方面的实施例中，所述在所述第一表面形成至少一个像素驱动电路，所述像素驱动电路与至少一个所述发光二极管芯片电连接，用于控制对应所述发光二极管芯片发光，包括：
16.在所述第一表面开设多个通孔，多个通孔与多个所述发光二极管芯片的电极对应；
17.在所述通孔内形成用于与所述发光二极管芯片的电极电连接的接电线路；
18.在所述第一表面形成至少一个所述像素驱动电路，所述像素驱动电路与对应所述发光二极管芯片通过所述接电线路电连接。
19.作为一种可选的实施方式，在本技术第一方面的实施例中，所述在所述通孔内形成用于与所述发光二极管芯片的电极电连接的接电线路，包括：
20.通过蒸镀或溅镀的方式使金属镀附在所述通孔内，形成与所述发光二极管芯片的电极电连接的接电线路。
21.作为一种可选的实施方式，在本技术第一方面的实施例中，所述在所述第一表面开设多个通孔，包括：
22.通过电浆蚀刻工艺在封胶层的背离所述衬底的一侧开设多个通孔。
23.作为一种可选的实施方式，在本技术第一方面的实施例中，所述色转换结构包括黑矩阵、多个量子点以及多块滤光片，所述黑矩阵设有多个相互间隔的开口，至少部分所述开口中设有所述量子点，多块滤光片对应设置于多个开口，量子点位于滤光片和发光二极管芯片之间。
24.第二方面，本发明公开了一种显示屏，所述显示屏包括：
25.封胶层；
26.多个发光二极管芯片，多个所述发光二极管芯片嵌设于所述封胶层；
27.至少一个像素驱动电路，所述像素驱动电路形成于所述封胶层的一侧，所述像素驱动电路与至少一个所述发光二极管芯片电连接，所述像素驱动电路用于驱动对应的所述发光二极管芯片发光；
28.第一封装板，所述第一封装板设于所述像素驱动电路背离所述封胶层的一侧；
29.色转换结构，所述色转换结构设于所述封胶层背离所述像素驱动电路的一侧，所述色转换结构用于转换所述发光二极管芯片的光线的颜色；以及
30.第二封装板，所述第二封装板设于所述色转换结构背离所述发光二极管芯片的一侧。
31.作为一种可选的实施方式，在本技术第二方面的实施例中，所述显示屏还包括多个接电线路，所述封胶层朝向所述像素驱动电路的一侧设有多个通孔，多个所述通孔与多个所述发光二极管芯片的电极一一对应，多个所述通孔连通多个所述发光二极管芯片的电极以及所述像素驱动电路，所述接电线路穿设于所述通孔，并与对应的所述发光二极管芯片的电极以及所述像素驱动电路电连接。
32.作为一种可选的实施方式，在本技术第二方面的实施例中，所述色转换结构包括黑矩阵、多个量子点以及多块滤光片，所述黑矩阵设有多个相互间隔的开口，至少部分所述开口中设有所述量子点，多块滤光片对应设置于多个开口，量子点位于滤光片和发光二极管芯片之间。
33.第三方面，本发明公开了一种显示装置，所述显示装置包括如上述第一方面所述的制备方法制备而成的显示屏；或者，
34.所述显示装置包括如上述第二方面所述的显示屏。
35.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
36.本发明实施例提供的一种显示屏及其制备方法、显示装置，通过在衬底上形成多个发光二极管芯片以及封胶层之后，直接在封胶层的第一表面形成像素驱动电路，而无需将发光二极管芯片转移至驱动背板再进行键合，能够减少制备过程中发光二极管芯片转移的次数，提高显示屏的良率。并且在将衬底去除之后，通过在发光二极管芯片的背离像素驱
动电路的一侧设置色转换结构实现显示屏的彩色化，则无需将发光二极管芯片排片之后再进行转移。由于多个发光二极管芯片形成于衬底上时密度较高，并且多个发光二极管芯片无需排片然后转移，多个发光二极管芯片之间的相对位置并未变化，因此，有利于保证显示屏的像素密度，使得显示屏具备高像素密度的特性。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1是本技术实施例一公开的一种显示屏的制备方法的流程图；
39.图2是本技术实施例一中步骤s13的流程图；
40.图3是本技术实施例一公开的一种显示屏的制备方法的各步骤的结构示意图；
41.图4是本技术实施例二公开的另一种显示屏的制备方法的流程图；
42.图5是本技术实施例二中步骤s24的流程图；
43.图6是本技术实施例二公开的另一种显示屏的制备方法的各步骤的结构示意图；
44.图7是本技术实施例三公开的一种显示屏的结构示意图；
45.图8是图8的显示屏沿i-i方向的剖面示意图；
46.图9是本技术实施例四公开的一种显示屏的结构示意图。
具体实施方式
47.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
48.在本发明中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
49.并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。
50.此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
51.此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。
52.下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案作进一步的说明。
53.实施例一
54.请参阅图1至3，本技术实施例一公开了一种显示屏的制备方法，该显示屏的制备方法包括以下步骤：
55.s11：在衬底的一侧形成多个间隔设置发光二极管芯片。
56.如图3(a)所示，在衬底110的一侧形成多个发光二极管芯片101，且衬底110位于发光二极管芯片101的出光侧。其中，发光二极管芯片101可以为尺寸小于100μm的microled发光芯片或尺寸大于等于100μm的miniled发光芯片。示例性的，多个发光二极管芯片101可以阵列设置于衬底110的一侧。
57.s12：在衬底的设有发光二极管芯片的一侧形成封胶层，多个发光二极管芯片嵌设于封胶层，封胶层具有背离衬底的第一表面。
58.如图3(b)所示，一种示例性的，步骤s12可具体包括：在第一转接板的一侧设置第一激光胶，例如聚酰亚胺(pi)材料，然后通过热压合的方式将第一激光胶设于衬底110的具有发光二极管芯片101的一侧，以形成封胶层102，最后激光去除第一转接板。可以理解的，通过热压合的方式形成的封胶层102，其背离衬底110的一侧至衬底110的距离等于或大于发光二极管芯片101背离衬底110的一侧至衬底110的距离。通过热压合工艺不仅能够将第一激光胶设于衬底110的一侧形成封胶层102，还能够使得封胶层102与第一转接板贴合的表面相对平整，有利于将第一转换板去除后在该表面形成像素驱动电路104，避免因该表面凹凸不平而导致形成的像素驱动电路104断线。
59.另一种示例性的，也可通过在衬底110的一侧涂布绝缘材料形成封胶层102。
60.s13：在所述第一表面形成至少一个像素驱动电路，所述像素驱动电路与至少一个所述发光二极管芯片电连接，用于控制对应所述发光二极管芯片发光。
61.如图3(c)所示，像素驱动电路104形成于封胶层102的第一表面1021，且像素驱动电路104连接于发光二极管芯片101的电极，以实现像素驱动电路104与发光二极管芯片101的电连接。
62.如图2所示，在第一表面1021形成至少一个像素驱动电路104，具体可包括以下步骤：
63.s131：在第一表面1021开设多个通孔，多个通孔与多个发光二极管芯片101的电极对应。示例性的，可通过电浆蚀刻的方式在封胶层102背离衬底110的一侧开设通孔。
64.s132：在通孔内形成用于与发光二极管芯片101的电极电连接的接电线路103。其中，接电线路103的材料可为金属，例如银、铜。
65.一种示例性的，可在封胶层102的表面设置金属掩膜板，金属掩膜板设有多个开孔，各个开孔分别对应不同的通孔，然后通过溅镀的方式在通孔内形成接电线路103，也即是通过惰性气体撞击靶材，使得靶材表面原子被撞击出来之后，部分沉积在通孔内形成接电线路103，另一部分被金属掩膜板遮挡，避免原子沉积在封胶层102上。或者，在封胶层102的表面设置金属掩膜板之后，也可以通过蒸镀的方式在通孔内形成接电线路103，也即是加热蒸发接电线路103的材料，然后沉积在通孔内形成接电线路103。
66.另一种示例性的，可在封胶层102的表面形成一层感光材料，然后通过曝光蚀刻的方式，将其对应于封胶层102通孔的位置去除，然后通过溅镀或者蒸镀的方式在通孔内形成
接电线路103，然后沉积在感光材料上的部分原子随着感光材料从封胶层102上剥离。
67.s133：在第一表面1021形成至少一个像素驱动电路104，像素驱动电路104与对应发光二极管芯片101通过接电线路103电连接。其中，像素驱动电路104可选用7t1c框架像素驱动电路104，也即是任一发光二极管芯片101通过7个薄膜晶体管和一个电容控制其发光或熄灭，也可选用2t1c框架像素驱动电路104。值得说明的，薄膜晶体管可将封胶层102作为基底，通过曝光蚀刻工艺形成于封胶层102。薄膜晶体管可避开接电线路103所在位置，其中一个薄膜晶体管的漏极可通过转接线路与接电线路103电导通，从而实现薄膜晶体管与发光二极管芯片101的电导通。
68.由此可知，通过步骤s131至步骤s133，能够在封胶层102的第一表面1021上直接形成像素驱动电路104，则像素驱动电路104无需与发光二极管芯片101的电极键合，能够避免发光二极管芯片101受压损坏，提高显示屏的良率。
69.s14：将第一封装板设置于像素驱动电路背离封胶层的一侧。
70.如图3(d)所示，第一封装板106被设置于像素驱动电路104背离封胶层102的一侧。具体地，步骤s14可包括：第一封装板106通过绝缘胶粘接于像素驱动电路104背离发光二极管芯片101的一侧。绝缘胶层的一侧粘接于封胶层102和像素驱动电路104，另一侧粘接于第一封装板106。
71.s15：去除衬底。示例性的，可通过激光将衬底110与发光二极管芯片101、封胶层102剥离。如图3(e)所示，位于发光二极管芯片101出光侧的衬底110被去除。
72.s16：将色转换结构设置于封胶层背离像素驱动电路的一侧，用于转换发光二极管芯片发出的光线的颜色。如图3(f)所示，色转换结构设于衬底原先所在的位置。
73.进一步地，色转换结构107可包括黑矩阵1071、多个量子点1072以及多块滤光片1073，黑矩阵1071设有多个相互间隔的开口，至少部分开口中设有量子点1072，多块滤光片1073对应设置于多个开口，量子点1072位于滤光片1073和发光二极管芯片101之间。
74.示例性的，发光二极管芯片101可为蓝色发光二极管芯片101，而色转换结构107可包括黑矩阵、多个红色量子点、多个绿色量子点、多个红色滤光片、多个绿色滤光片以及多个蓝色滤光片，部分开口中设有一个红色量子点或者一个绿色量子点，蓝色发光二极管芯片101发出的光线照射到红色量子点之后能够转换为红光，蓝色发光二极管芯片101发出的光线照射到绿色量子点之后能够转换为绿光，而另一部分未设置任何颜色量子点的开口则不转换光线的颜色，保留蓝光，从而实现显示屏的彩色显示。而红色量子点位于红色滤光片和蓝色发光二极管芯片101之间，仅允许红色光线穿透至外部环境中，绿色量子点位于绿色滤光片和蓝色发光二极管芯片101之间，仅允许绿色光线穿透至外部环境中。蓝色滤光片位于另一部分未设置任何颜色量子点的开口中，仅允许蓝色光线穿透至外部环境中。可以理解，黑矩阵穿插设置于多个量子点之间，以及穿插设置于多块绿光片之间，避免相邻开口的光线相互干扰，保证显示效果。
75.当然，在其他实施例中，色转换结构107也可仅包括多个量子点，量子点对应发光二极管芯片101设置。
76.s17：将第二封装板108设置于色转换结构背离发光二极管芯片的一侧。如图3(g)所示，第二封装板108与色转换结构107层叠设置。由于第二封装板108位于发光二极管芯片101的出光侧，因此第二封装板108可采用透光的玻璃板。
77.综上所述，本实施例中直接在封胶层的第一表面形成像素驱动电路104，而无需将发光二极管芯片101转移至驱动背板再进行键合，能够减少发光二极管芯片101转移的次数，有利于提高显示屏的良率。并且在将衬底110去除之后，通过发光二极管芯片101的背离像素驱动电路104的一侧设置色转换结构107实现显示屏的彩色化，则无需将发光二极管芯片101排片之后再进行转移。由于多个发光二极管芯片101形成于衬底110上时密度较高，并且多个发光二极管芯片101无需排片然后转移，多个发光二极管芯片101之间的相对位置并未变化，因此，不仅能够减少发光二极管芯片101转移的次数，提高显示屏的良率，还有利于保证显示屏的像素密度，使得显示屏具备高像素密度的特性。
78.实施例二
79.请参阅图4至图6，本技术实施例二公开了另一种显示屏的制备方法，该显示屏的制备方法包括以下步骤：
80.s21：在衬底110的一侧形成多个间隔设置的发光二极管芯片101。如图6(a)所示。
81.s22：在衬底的设有发光二极管芯片的一侧形成封胶层，多个发光二极管芯片嵌设于封胶层，封胶层具有背离衬底的第一表面。
82.具体地，步骤s22可通过以下方式实现：在第一转接板120的一侧设置第一激光胶，通过热压合的方式将所述第一激光胶设于所述衬底110的具有所述发光二极管芯片101的一侧，形成封胶层102，封胶层102覆盖多个发光二极管芯片101，如图6(b)所示。
83.s23：去除衬底。如图6(c)所示，衬底110自封胶层102、发光二极管芯片101剥离。
84.s24：在所述第一表面形成至少一个像素驱动电路，所述像素驱动电路与至少一个所述发光二极管芯片电连接，用于控制对应所述发光二极管芯片发光。
85.如图5和图6(d)所示，步骤s24具体可包括：
86.s241：在去除衬底110之后，将第二转接板130设置于所述发光二极管芯片101背离所述第一转接板120的一侧。也即是，将衬底110替换为第二转接板130。具体地，第二转接板130可通过第二激光胶粘接于所述封胶层102和所述发光二极管芯片101。
87.s242：去除所述第一转接板120。示例性的，可通过激光将第一转接板120从封胶层102上剥离。
88.s243：在第一表面1021开设多个通孔，多个通孔与多个所述发光二极管芯片101的电极对应。
89.s244：在所述通孔内形成用于与所述发光二极管芯片101的电极电连接的接电线路103。
90.s245：在第一表面1021形成至少一个像素驱动电路104，像素驱动电路104与对应发光二极管芯片101通过接电线路103电连接，以电连接多个所述发光二极管芯片101。
91.由此可知，通过步骤s241至步骤s245，能够在封胶层102的第一表面1021直接形成像素驱动电路104，则像素驱动电路104无需与发光二极管芯片101的电极键合，能够避免发光二极管芯片101受压损坏，提高显示屏的良率。并且，封胶层102能够形成相对较为平整的表面，有利于像素驱动电路104的形成。
92.值得说明的，在其他实施例中，也可将封胶层102沿z方向上的厚度减薄，以使封胶层102与发光二极管芯片101的电极共面，然后在封胶层102上形成发光二极管芯片101，像素驱动电路104与发光二极管芯片101直接连接，而无需通过接电线路103转接。但是封胶层
102在减薄厚度之后，其表面容易凹凸不平，因此，优选地，本实施例中通过打孔之后形成接电线路103以实现像素驱动电路104与发光二极管芯片101的电连接。
93.s25：将第一封装板106设置于像素驱动电路背离所述发光二极管芯片的一侧。如图6(e)。
94.s26：将色转换结构107设置于所述发光二极管芯片101的背离所述像素驱动电路104的一侧，用于转换所述发光二极管芯片101发出的光线的颜色。具体地，如图6(f)所述，去除第二转接板130之后将色转换结构设于发光二极管芯片101的背离像素驱动电路104的一侧。具体地，可通过激光去除第二转接板130，然后通过电浆蚀刻的方式将封胶层102和发光二极管芯片101上的第二激光胶去除，并将色转换结构107设置于发光二极管芯片101和封胶层102的背离所述像素驱动电路104的一侧。
95.s27：将第二封装板108设置于所述色转换结构107背离所述发光二极管芯片101的一侧。如图6(g)所示。
96.综上所述，本实施例中直接在发光二极管芯片101背离衬底110的一侧形成像素驱动电路104，而无需将发光二极管芯片101转移至驱动背板再进行键合，能够减少发光二极管芯片101转移的次数，有利于提高显示屏的良率。并且在将衬底110去除之后，通过发光二极管芯片101的背离像素驱动电路104的一侧设置色转换结构107实现显示屏的彩色化，则无需将发光二极管芯片101排片之后再进行转移。由于多个发光二极管芯片101形成于衬底110上时密度较高，并且多个发光二极管芯片101无需排片然后转移，多个发光二极管芯片101之间的相对位置并未变化，因此，不仅能够减少发光二极管芯片101转移的次数，提高显示屏的良率，还有利于保证显示屏的像素密度，使得显示屏具备高像素密度的特性。
97.实施例三
98.请参阅图7和图8，本技术实施例三公开了一种显示屏100，该显示屏100能够应用于显示装置。具体地，该显示屏100包括封胶层102、多个发光二极管芯片101、至少一个像素驱动电路104、第一封装板106、色转换结构107以及第二封装板108。其中，多个发光二极管芯片101嵌设于封胶层102，像素驱动电路104形成于封胶层102的一侧，像素驱动电路104与至少一个发光二极管芯片101电连接，像素驱动电路104用于驱动对应的发光二极管芯片101发光。色转换结构107设于封胶层102背离像素驱动电路104的一侧，色转换结构107用于转换发光二极管芯片101的光线的颜色。第二封装板108设于色转换结构107背离发光二极管芯片101的一侧。
99.本实施例中的显示屏100，采用单色发光二极管芯片101，然后在发光二极管芯片101背离像素驱动电路104的一侧设置色转换结构107实现显示屏100的彩色化，则无需将发光二极管芯片101排片之后再进行转移。由于多个发光二极管芯片101形成于衬底110上时密度较高，并且多个发光二极管芯片101无需排片然后转移，多个发光二极管芯片101之间的相对位置并未变化，因此，不仅能够减少发光二极管芯片101转移的次数，提高显示屏100的良率，还有利于保证显示屏100的像素密度，使得显示屏100具备高像素密度的特性。
100.进一步地，显示屏100还包括多个接电线路103，封胶层102朝向像素驱动电路104的一侧设有多个通孔，多个通孔与多个发光二极管芯片101的电极一一对应，多个通孔连通多个发光二极管芯片101的电极以及像素驱动电路104，接电线路103穿设于通孔，并与对应的发光二极管芯片101的电极以及像素驱动电路104电连接。
101.其中，以封胶层102为基底，像素驱动电路104可通过曝光蚀刻的方式形成于封胶层102背离发光二极管芯片101的一侧，像素驱动电路104连接于接电线路103，以实现发光二极管芯片101的电连接，从而控制发光二极管芯片101发光或熄灭。由于像素驱动电路104直接形成在发光二极管芯片101背离衬底110的一侧，无需将发光二极管芯片101转移至驱动背板再进行键合，能够减少发光二极管芯片101转移的次数，有利于提高显示屏100的良率。
102.具体地，色转换结构107包括黑矩阵1071、多个量子点1072以及多块滤光片1073，黑矩阵1071设有多个相互间隔的开口，至少部分开口中设有量子点1072，多块滤光片1073对应设置于多个开口，量子点1072位于滤光片1073和发光二极管芯片101之间。通过量子点1072进行光线的颜色转换的同时，滤光片1073能够限制出射光线的颜色，避免不同颜色的光线自黑矩阵1071的同一开口射出影响显示效果，而黑矩阵1071能够阻挡相邻开口的光线相互干扰，进一步保证显示效果。
103.实施例四
104.请参阅图9，本发明实施例四公开了一种显示装置1，图9是一种以显示装置1为笔记本电脑的结构示意图，具体地，该显示装置1包括上述的显示面板。可以理解，显示装置1包括但不限于平板电脑、电子阅读器、笔记本电脑、网络电视、可穿戴设备等具有显示功能的装置。由于显示装置1具有上述的显示面板，因此该显示装置1也具有上述显示面板的全部技术效果，即，能够减少显示屏100制备中发光二极管芯片转移的次数，提高显示屏100的良率，并且有利于提高显示屏100的像素密度，提高显示装置1的显示效果。
105.以上对本发明实施例公开的显示屏及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的显示屏及其制备方法、显示装置及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。