一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法与流程

1.本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法。


背景技术：

2.作为第一代太阳能电池，晶硅电池经过数十年的技术革新，其量产效率不断提升，目前实验室规模的晶硅电池转换效率已不断接近转化效率极限。为了进一步光电转换效率，目前研究学者已经将目光转移到叠层电池。钙钛矿电池具有轻质、高效、可灵活制备等特点，其光电转换效率已达到25.7％，这使它成为非常理想的叠层电池子电池。
3.在四端子钙钛矿/晶硅叠层电池组件中，钙钛矿电池与晶硅电池层叠设置，且钙钛矿电池与晶硅电池的电路相互独立，即，透过钙钛矿电池的部分太阳光能够被晶硅电池吸收，使钙钛矿电池与晶硅电池同时发生光电转换，且产生的电能分别传输至外。
4.然而，现有钙钛矿/晶硅叠层电池组件中，晶硅电池受到钙钛矿电池中部分结构的遮挡，导致入射到晶硅电池表面的光不均匀，从而引起热斑效应，进而加速晶硅电池的衰减，对钙钛矿/晶硅叠层电池组件造成严重影响。


技术实现要素：

5.因此，本发明要解决的技术问题在于如何缓解现有钙钛矿/晶硅叠层电池组件中晶硅电池的热斑效应，从而提供一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法。
6.本发明提供一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件，包括：层叠设置的晶硅电池组和第一钙钛矿电池组，所述晶硅电池组包括至少一个晶硅电池，所述第一钙钛矿电池组包括至少一个第一钙钛矿电池；所述晶硅电池朝向所述第一钙钛矿电池组的一侧表面具有第一栅线，所述第一栅线包括若干第一副栅，所述第一钙钛矿电池具有切割线，所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
7.可选的，所述第一栅线还包括与若干所述第一副栅连接的第一主栅；所述第一钙钛矿电池包括：远离所述晶硅电池组的第一透明电极阵列和第一引出件，所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极；所述第一引出件至少位于所述第一透明电极的侧部，所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件，所述第一副引出件适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件；所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内；靠近所述晶硅电池组的第二透明电极阵列和第二引出件，所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极，所述第二透明电极与所述第一透明电极相对设置；所述第二引出件至少位于所述第二透明电极的侧部，所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件，所述第二副引出件适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件；所述第二
副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
8.可选的，所述第一主引出件与所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于同一所述第一主栅内；或者，所述第一主引出件与所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影分别位于两条所述第一主栅内。
9.可选的，所述第一副引出件包括第一段和第二段，所述第一段连接靠近所述第一主引出件的第一透明电极和所述第一主引出件，所述第二段连接相邻所述第一透明电极；所述第二副引出件包括第四段和第五段，所述第四段连接靠近所述第二主引出件的第二透明电极和所述第二主引出件，所述第五段连接相邻所述第二透明电极。
10.可选的，所述第一副引出件还包括第三段，所述第三段与所述第一段背离所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端连接，所述第三段与所述第一透明电极背离所述晶硅电池的部分表面接触；和/或，所述第二副引出件还包括第六段，所述第六段与所述第四段背离所述第二主引出件的一端、以及所述第五段的至少一端连接，所述第六段与所述第二透明电极朝向所述晶硅电池的部分表面接触。
11.可选的，所述第二引出件的厚度为2nm~10nm。
12.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述第一钙钛矿电池组背离所述晶硅电池组的一侧表面的第一封装基板，所述第一封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面包括相对设置的第一汇流区和第二汇流区、以及位于所述第一汇流区和第二汇流区之间的光电反应区；所述第一钙钛矿电池还包括：位于所述第一汇流区的第一汇流件，所述第一汇流件与所述第一主引出件连接；位于所述第二汇流区的第二汇流件，所述第二汇流件与所述第二主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔；所述第一汇流件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合。
13.可选的，所述第一钙钛矿电池与所述晶硅电池一一对应相对设置，所述第一钙钛矿电池的侧壁至第一钙钛矿电池的中心之间的横向距离大于与其相对设置的所述晶硅电池的侧壁至晶硅电池的中心之间的横向距离。
14.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：第二钙钛矿电池组，所述第二钙钛矿电池组位于所述晶硅电池组背离所述第一钙钛矿电池组的一侧，所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光。
15.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述晶硅电池组背离所述第一钙钛矿电池组的一侧的第二封装基板；位于所述第二封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面的漫反射层。
16.可选的，所述漫反射层的材料包括硫酸钡、二氧化钛、氧化锌、铝、银、钛、铂中的至少一种。
17.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述晶硅电池组和第一钙钛矿电池组之间的第一封装胶膜，所述第一封装胶膜内包括转换材料，所述转换材料为上转换材料和/或下转换材料。
18.可选的，所述转换材料包括掺杂稀土离子的化合物，所述化合物包括氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物、卤化物、钙钛矿量子点。
19.本发明还提供一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法，包括：形成晶硅电池组，形成所述晶硅电池组的步骤包括形成至少一个晶硅电池，所述晶硅电池的一侧表面具有第一栅线，所述第一栅线包括若干第一副栅；形成第一钙钛矿电池组，形成所述第一钙钛矿电池组的步骤包括形成至少一个第一钙钛矿电池，所述第一钙钛矿电池具有切割线；将所述晶硅电池组和所述第一钙钛矿电池组层压在一起，第一栅线朝向所述第一钙钛矿电池组，且所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
20.可选的，所述第一栅线还包括与若干所述第一副栅连接的第一主栅；形成所述第一钙钛矿电池的步骤包括：提供第一封装基板；在所述第一封装基板的一侧形成第一透明电极阵列和第一引出件；所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极，所述第一引出件的导电率大于所述第一透明电极的导电率，所述第一透明电极的透光率大于所述第一引出件的透光率；所述第一引出件至少位于所述第一透明电极的侧部，所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件，所述第一副引出件适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件；在所述第一透明电极阵列和第一引出件背离所述第一封装基板的一侧表面依次形成第一载流子传输层、钙钛矿层和第二载流子传输层；在所述第二载流子传输层背离钙钛矿层的一侧表面形成第二透明电极阵列和第二引出件，所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极，所述第二透明电极与所述第一透明电极相对设置；所述第二引出件的导电率大于所述第二透明电极的导电率，所述第二透明电极的透光率大于所述第二引出件的透光率；所述第二引出件至少位于所述第二透明电极的侧部，所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件，所述第二副引出件适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件；将所述晶硅电池组和所述第一钙钛矿电池组层压在一起后，所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内，所述第二副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
21.可选的，形成所述第一透明电极阵列和第一引出件的步骤包括：在所述第一封装基板的一侧表面形成所述第一引出件，所述第一副引出件包括连接的第一段、第二段以及第三段，所述第三段与所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端连接；在形成所述第一引出件之后，形成所述第一透明电极阵列，所述第一段连接靠近所述第一主引出件的第一透明电极和所述第一主引出件，所述第二段连接相邻所述第一透明电极，所述第三段被所述第一透明电极的部分表面覆盖；形成所述第二透明电极阵列和第二引出件的步骤包括：形成所述第二透明电极阵列；在形成所述第二透明电极阵列之后，形成所述第二引出件，所述第二副引出件包括第四段、第五段以及第六段，所述第四段连接靠近所述第二主引出件的第二透明电极和所述第二主引出件，所述第五段连接相邻所述第二透明电极，所述第六段覆盖所述第二透明电极的部分表面。
22.可选的，所述第一封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面包括相对设置的第一汇流区和第二汇流区、以及位于所述第一汇流区和第二汇流区之间的光电反应区；形成所述第一钙钛矿电池的步骤还包括：在所述第一汇流区形成第一汇流件，所述第一汇流件与所述第一主引出件连接；在所述第二汇流区形成第二汇流件，所述第二汇流件与所述第二
主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔；所述第一汇流件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合。
23.可选的，所述第一汇流件与所述第一主引出件一同形成；所述第二汇流件与所述第二主引出件一同形成。
24.可选的，形成所述晶硅电池组的步骤包括：提供第二封装基板；在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜；在所述第二封装胶膜背离所述第二封装基板的一侧形成所述晶硅电池组。
25.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法还包括：在所述第二封装基板的一侧形成所述第二封装胶膜之前，在所述第二封装基板的一侧形成第二钙钛矿电池组，所述第二钙钛矿电池组包括至少一个第二钙钛矿电池；在所述第二封装基板的一侧形成所述第二封装胶膜之后，所述第二钙钛矿电池组位于所述第二封装胶膜和所述第二封装基板之间，所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光。
26.可选的，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法还包括：在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜之前，在所述第二封装基板的一侧表面形成漫反射层；在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜之后，所述漫反射层位于所述第二封装胶膜和所述第二封装基板之间。
27.本发明技术方案具有以下有益效果：1.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过使所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于所述第一副栅内，即，所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影与所述第一副栅的部分区域重合，避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
28.2.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，所述第一副引出件和所述第二副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件和所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内，使所述第一引出件和第二引出件在所述晶硅电池表面的正投影与部分所述第一栅线重合，避免了由于第一引出件和第二引出件的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
29.3.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，所述第二引出件的厚度为2nm~10nm。相对于焊带，所述第二引出件的厚度较小，这增加了钙钛矿电池朝向所述晶硅电池的一侧表面的平整度，在组装钙钛矿/晶硅叠层电池组件的过程中第二引出件对晶硅电池的挤压力可忽略不计，从而一定程度上避免了晶硅电池发生隐裂和碎片。
30.4.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过限定所述第一汇流件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合，第一汇流件与第二汇流件不会对入射至晶硅电池上的太阳光进行遮挡，从而避免了由于第一汇流件与第二汇流件的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳
定性、光电转换效率以及良品率。
31.5.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过在所述晶硅电池组背离所述第一钙钛矿电池组的一侧设置第二钙钛矿电池组，所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光，提高了对太阳光的利用率，从而提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。
32.6.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过在所述第二封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面形成漫反射层，使透过第一钙钛矿电池组、晶硅电池组甚至第二钙钛矿电池组的太阳光能够在漫反射层改变光路传输方向，从而重新被电池吸收并进行光电转换，提高了对太阳光的利用率，从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率；同时，漫反射层的设置还能够消除眩光或光斑。
33.7.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过在所述第一封装胶膜内添加转换材料，所述转换材料为上转换材料和/或下转换材料，上转换材料能够将照射至晶硅电池的太阳光中的低能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中，下转换材料能够将照射至晶硅电池的太阳光中的高能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中，从而拓宽了光谱响应，从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。
34.8.本发明提供的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法，通过使所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于所述第一副栅内，即，所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影与所述第一副栅的部分区域重合，避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本发明实施例提供的一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件的结构示意图；图2为图1中一种第一钙钛矿电池的俯视图；图3为本发明实施例提供的另一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件的结构示意图；附图标记说明：1-第一封装基板；11-第一汇流区；12-第二汇流区；13-光电反应区；2-第一钙钛矿电池组；21-第一引出件；211-第一主引出件；212-第一副引出件；213-第一段；214-第二段；22-第一汇流件；23-第二引出件；231-第二主引出件；232-第二副引出件；233-第四段；234-第五段；24-第二透明电极；25-第二汇流件；3-第一封装胶膜；4-晶硅电池组；5-第二封装胶膜；6-漫反射层；7-第二封装基板；8-第二钙钛矿电池组；9-第三封装胶层。
具体实施方式
37.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术
人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
39.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
40.实施例1参见图1，本实施例提供一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件，包括层叠设置的晶硅电池组4和第一钙钛矿电池组2，所述晶硅电池组4包括至少一个晶硅电池，所述第一钙钛矿电池组2包括至少一个第一钙钛矿电池；所述晶硅电池朝向所述第一钙钛矿电池组2的一侧表面具有第一栅线（未图示），所述第一栅线包括若干第一副栅以及与若干所述第一副栅连接的第一主栅，所述第一钙钛矿电池具有切割线，所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
41.上述钙钛矿/晶硅叠层电池组件，通过使所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于所述第一副栅内，即，所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影与所述第一副栅的部分区域重合，避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
42.在本实施例中，参见图1，所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述第一钙钛矿电池组2背离所述晶硅电池组4的一侧表面的第一封装基板1；参见图2，所述第一封装基板1朝向所述晶硅电池组4的一侧表面包括相对设置的第一汇流区11和第二汇流区12、以及位于所述第一汇流区11和第二汇流区12之间的光电反应区13。所述第一封装基板1为透明基板，所述第一封装基板1包括但不限于玻璃。
43.参见图2，在本实施例中，所述第一钙钛矿电池包括：远离所述晶硅电池组4的第一透明电极阵列和第一引出件21，所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极（未图示）；所述第一引出件21至少位于所述第一透明电极的侧部，所述第一引出件21的导电率大于所述第一透明电极的导电率，所述第一透明电极的透光率大于所述第一引出件21的透光率；所述第一引出件21包括第一主引出件211和若干平行且间隔设置的第一副引出件212，所述第一副引出件212适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件211；所述第一副引出件212在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件211在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内；靠近所述晶硅电池组4的第二透明电极阵列和第二引出件23，所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极24，所述第二透明电极24与所述第一透明电极相对设置；所述第二引出件23至少位于所述第二透明电极24的侧部，所述第二引出件23的导电率大于所述第二透明电极24的导电率，所述第二透明电极24的透光率大于所述第二引出件23的透光率；所述第二引出件23包括第二主引出件231和若干平行且间隔设置的第二副引出件232，
所述第二副引出件232适于电学连接所述第二透明电极24与所述第二主引出件231；所述第二副引出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。图2示出了在入射光方向俯视第一钙钛矿电池的结构示意图，在入射光方向俯视第一钙钛矿电池无法看到第一引出件21，因此用虚线表示，第一透明电极被第二透明电极24遮挡，图中未示出。
44.来自第一钙钛矿电池的第一载流子由第一透明电极传输至第一副引出件212，随后由第一主引出件211传输至外，所述第一引出件21的导电率大于所述第一透明电极的导电率，保证了第一载流子的传输速率；来自钙钛矿电池的第二载流子由第二透明电极24传输至第二副引出件232，随后由第二主引出件231传输至外，所述第二引出件23的导电率大于所述第二透明电极24的导电率，保证了第二载流子的传输速率；所述第一副引出件212和所述第二副引出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件211和所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内，使所述第一引出件21和第二引出件23在所述晶硅电池表面的正投影与部分所述第一栅线重合，避免了由于第一引出件21和第二引出件23的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
45.具体的，所述第一透明电极阵列和第一引出件21均位于所述光电反应区13，所述第二透明电极阵列和第二引出件23在所述第一封装基板1上的正投影均位于所述光电反应区13。所述第一透明电极阵列和第二透明电极阵列的材料包括但不限于azo、ito、izo，第一引出件21和第二引出件23的材料包括但不限于银、铜、金、铝、铂。所述第一透明电极阵列和第二透明电极阵列的厚度为80nm~200nm。示例性的，所述第一透明电极阵列和第二透明电极阵列的厚度可以为80nm、100nm、120nm、140nm、160nm、180nm或200nm。
46.进一步地，所述第一主引出件211与所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影位于同一所述第一主栅内；或者，参见图2，所述第一主引出件211与所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影分别位于两条所述第一主栅内。
47.进一步地，所述第一副引出件212还包括第三段，所述第三段与所述第一段213背离所述第一主引出件211的一端、以及所述第二段214的至少一端连接，所述第三段与所述第一透明电极背离所述晶硅电池的部分表面接触；和/或，所述第二副引出件232还包括第六段，所述第六段与所述第四段233背离所述第二主引出件231的一端、以及所述第五段234的至少一端连接，所述第六段与所述第二透明电极24朝向所述晶硅电池的部分表面接触。进一步地，所述第二引出件23的厚度为2nm~10nm。相对于焊带，所述第二引出件23的厚度较小，这增加了钙钛矿电池朝向所述晶硅电池的一侧表面的平整度，在组装钙钛矿/晶硅叠层电池组件的过程中第二引出件23对晶硅电池的挤压力可忽略不计，从而一定程度上避免了晶硅电池发生隐裂和碎片。示例性的，所述第二引出件23的厚度可以为2nm、5nm、8nm或10nm。
48.进一步地，所述第一钙钛矿电池还包括：位于所述第一透明电极阵列和第二透明电极阵列之间的第一载流子传输层、钙钛矿层和第二载流子传输层，第一载流子传输层与所述第一透明电极阵列接触，第二载流子传输层与所述第二透明电极阵列接触。所述第一钙钛矿电池包括阵列排布的若干钙钛矿子电池，相对设置的第一透明电极和第二透明电极
24、以及位于第一透明电极和第二透明电极24之间的第一载流子传输层、钙钛矿层和第二载流子传输层构成定了钙钛矿子电池，若干钙钛矿子电池通过第一引出件21和第二引出件23并联。
49.具体的，所述第一载流子传输层和第二载流子传输层中的一个为电子传输层、另一为空穴传输层。其中，电子传输层的材料包括但不限于酰亚胺化合物、醌类化合物、富勒烯（c
60
）及其衍生物、三氧化二铝（al2o3）、氧化锡（sno2）、氧化锌镁（mzo）、氧化锌锡（znsno）或二氧化钛（tio2），氧化锌（zno）以及氟化锂（lif）、氟化钙（caf2）、氧化镁（mgo）、五氧化二铌（nb2o5）、金属氧化物、钛酸锶（srtio3）和钛酸钙（catio3）的钙钛矿氧化物中的至少一种，金属氧化物包括镉（cd）、锌（zn）、铟（in）、铅（pb）、钼（mo）、钨（w）、锑（sb）、铋（bi）、铜（cu）、汞（hg）、钛（ti）、银（ag）、锰（mn）、铁（fe）、钒（v）、锡（sn）、锆（zr）、锶（sr）、镓（ga）和铬（cr）的金属氧化物。空穴传输层的材料包括但不限于2,2’,7,7
’‑
四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9
’‑
螺二芴（spiro-meotad）、ometpa-fa、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（pedot:pss）、3-己基取代聚噻吩（p3ht）、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]（ptaa）、4,4
’‑
环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺] （tapc）、n,n
’‑
二苯基-n,n
’‑
(1-萘基)-1,1
’‑
联苯-4,4
’‑
二胺（npb）、n,n
’‑
二苯基-n,n
’‑
二(3-甲基苯基)-1,1
’‑
联苯-4,4
’‑
二胺（tpd）、硫氰化亚铜（cuscn）、三氧化二镍（ni2o3）、三氧化二铁（fe2o3）、edot-ometpa、czpaf-sbf、碘化亚铜（cui）、氧化铜（cuo）、氧化亚铜（cu2o）、氧化镍（nio）、氧化钼（moo
x
）、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯（tpbi）中的至少一种。
[0050]
进一步地，所述第一载流子传输层的厚度为10nm-300nm；示例性的，所述第一载流子传输层的厚度可以为10nm、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm或300nm。所述第二载流子传输层的厚度为10nm-300nm；示例性的，所述第二载流子传输层的厚度可以为10nm、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm或300nm。
[0051]
具体的，钙钛矿层的结构通式为abx3，其中，a包括但不限于甲胺基、甲脒基、铯中的至少一种，b包括但不限于sn、bi、sb、ge、cu或pb中的至少一种，x包括但不限于卤素中的至少一种。钙钛矿层的厚度为80nm~500nm。示例性的，钙钛矿层的厚度可以为80nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm或500nm。
[0052]
进一步地，继续参见图2，所述第一钙钛矿电池还包括：位于所述第一汇流区11的第一汇流件22，所述第一汇流件22与所述第一主引出件211连接；位于所述第二汇流区12的第二汇流件25，所述第二汇流件25与所述第二主引出件231连接且与所述第一引出件21和/或第一透明电极间隔不电学连接；所述第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板1上的正投影不重合，第一汇流件22与第二汇流件25不会对入射至晶硅电池上的太阳光进行遮挡，从而避免了由于第一汇流件22与第二汇流件25的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应，从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度，有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
[0053]
具体的，参见图1，所述第一钙钛矿电池与所述晶硅电池一一对应相对设置，所述第一钙钛矿电池的侧壁至第一钙钛矿电池的中心之间的横向距离大于与其相对设置的所述晶硅电池的侧壁至晶硅电池的中心之间的横向距离。当相邻所述第一钙钛矿电池紧密拼接时，则相邻所述晶硅电池之间具有第一空隙，所述晶硅电池组4中的边缘位置的外侧具有
第二空隙，第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的正投影位于第一空隙或第二空隙。
[0054]
需要理解的是，所述第二汇流件25与所述第二主引出件231连接且与所述第一引出件21和/或第一透明电极间隔不电学连接是指：所述第一引出件21和第一透明电极的设置区域未完全覆盖光电反应区13，远离所述第一汇流件22的第一引出件21和第一透明电极与第二汇流件25之间存在间隙。
[0055]
具体的，所述第一汇流件22的导电率大于所述第一透明电极的导电率，所述第一透明电极的透光率大于所述第一汇流件22的透光率；所述第二汇流件25的导电率大于所述第二透明电极24的导电率，所述第二透明电极24的透光率大于所述第二汇流件25的透光率。第一载流子由第一主引出件211传输至第一汇流件22，第二载流子由第二主引出件231传输至第二汇流件25。进一步地，所述第一汇流件22的材料可以与第一引出件21的材料相同，所述第二汇流件25的材料可以与第二引出件23的材料相同。
[0056]
进一步地，所述第一汇流件22和第二汇流件25的厚度均小于所述第二引出件23和/或第二透明电极24至所述第一封装基板1的距离，这使钙钛矿电池朝向所述晶硅电池的一侧表面平整，在组装钙钛矿/晶硅叠层电池组件的过程中，所述第一汇流件22和第二汇流件25不会对晶硅电池造成挤压，从而避免了晶硅电池发生隐裂和碎片，提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的良率。
[0057]
在一个实施例中，第一引出件21、第二引出件23、第一汇流件22和第二汇流件25的宽度为5mm，第一主引出件211和第二主引出件231与第一封装基板1的长边边缘的距离为10mm，第一汇流件22和第二汇流件25的长度为390mm，第一汇流件22和第二汇流件25与第一封装基板1的短边边缘的距离为20mm，第一透明电极与第二透明电极24的尺寸为185mm*140mm，相邻第一透明电极之间的间距为10mm，第一透明电极和第二透明电极24与第一封装基板1的长边边缘的最小距离均为20mm，第一透明电极和第二透明电极24与第一封装基板1的短边边缘的最小距离均为45mm。
[0058]
进一步的，所述切割线包括第一切割线、第二切割线和第三切割线中的至少一种，第一切割线贯穿所述第一透明电极，第二切割线依次贯穿第二载流子传输层、钙钛矿层和第一载流子层，第三切割线依次贯穿所述第二透明电极、第二载流子传输层、钙钛矿层和第一载流子层。进一步地，第一切割线、第二切割线和第三切割线均平行于第一封装基板的短边边缘。第一切割线和第而切割线的延伸长度等于第一封装基板的短边长度，第三切割线的延伸长度小于第一封装基板的短边长度，未切割区域用以粘接第三封装胶层，从而实现钙钛矿/晶硅叠层电池组件的组装。
[0059]
在一个实施方式中，第一切割线包括沿第一方向依次排布的等间距的10组，每组包括沿第一方向依次排布的等间距的21条，第一方向为第一封装基板1的长边边缘的延伸方向；第一切割线的长度为810mm，第一切割线的宽度为50μm，相邻第一切割线的中心间距为7mm，第一组中第一条第一切割线与第一封装基板1的短边边缘的距离为45mm，相邻组的第一条第一切割线之间的间距为150mm；第二切割线包括沿第一方向依次排布的等间距的10组，每组包括沿第一方向依次排布的等间距的20条，第二切割线的长度为810mm，第二切割线的宽度为50μm，相邻第二切割线的中心间距为7mm，第一组中第一条第二切割线与第一封装基板1的短边边缘的距离为45.1mm，相邻组的第一条第二切割线之间的间距为150mm；
第三切割线包括沿第一方向依次排布的等间距的10组，每组包括沿第一方向依次排布的等间距的20条，第三切割线的长度为770mm，第三切割线的两端与第一封装基板1的长边边缘的距离为20mm，第三切割线的宽度为50μm，相邻第三切割线的中心间距为7mm，第一组中第一条第三切割线与第一封装基板1的短边边缘的距离为45.2mm，相邻组的第一条第三切割线之间的间距为150mm。
[0060]
在本实施例中，继续参见图1，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述晶硅电池组4和第一钙钛矿电池组2之间的第一封装胶膜3，所述第一封装胶膜3适于粘结第一钙钛矿电池组2和晶硅电池组4。所述第一封装胶膜3可以为eva胶膜。
[0061]
进一步地，所述第一封装胶膜3内包括转换材料，所述转换材料为上转换材料和/或下转换材料。上转换材料能够将照射至晶硅电池的太阳光中的低能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中，下转换材料能够将照射至晶硅电池的太阳光中的高能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中，从而拓宽了光谱响应，从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。
[0062]
具体的，所述转换材料包括掺杂稀土离子的化合物，所述化合物包括氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物、卤化物、钙钛矿量子点。示例性的，所述转换材料可以为nayf4：yb
3+
，k2gdf5:tb
3+
。
[0063]
在本实施例中，继续参见图1，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于所述晶硅电池组4背离所述第一钙钛矿电池组2的一侧的第二封装基板7；位于所述第二封装基板7朝向所述晶硅电池组4的一侧表面的漫反射层6。透过第一钙钛矿电池组2、晶硅电池组4的太阳光能够在漫反射层6改变光路传输方向，从而重新被电池吸收并进行光电转换，提高了对太阳光的利用率，从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率；同时，漫反射层6的设置还能够消除眩光或光斑。
[0064]
具体的，所述漫反射层6的材料包括但不限于硫酸钡、二氧化钛、氧化锌、铝、银、钛、铂中的至少一种。
[0065]
在本实施例中，继续参见图1，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：位于漫反射层6背离所述第二封装基板7的一侧表面的第二封装胶膜5和第三封装胶层9，所述第三封装胶层9围绕第二封装胶膜5设置，所述第二封装胶膜5适于粘接漫反射层6和晶硅电池组4，所述第三封装胶层9适于粘接漫反射层6和第一封装基板1。进一步地，第二封装胶膜5可以为eva胶膜，第三封装胶层9的材料可以为丁基胶。
[0066]
具体的，相对于常规钙钛矿/晶硅叠层电池组件，上述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能衰减速度减小了20%-50%，光电转换效率提高了10%左右。
[0067]
作为一个优选的实施方式，参见图3，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件还包括：第二钙钛矿电池组8，所述第二钙钛矿电池组8位于所述晶硅电池组4背离所述第一钙钛矿电池组2的一侧，所述第二钙钛矿电池组8适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组2和所述晶硅电池组4的部分太阳光，提高了对太阳光的利用率，从而提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。具体的，所述第二钙钛矿电池组8位于漫反射层6背离所述第二封装胶膜5的一侧表面，所述第二封装胶膜5适于粘接所述第二钙钛矿电池组8和晶硅电池组4。具体的，相对于常规钙钛矿/晶硅叠层电池组件，该钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率提高了20%左右。
[0068]
实施例2本实施例提供一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法，包括：形成晶硅电池组4，形成所述晶硅电池组4的步骤包括形成至少一个晶硅电池，所述晶硅电池的一侧表面具有第一栅线，所述第一栅线包括若干第一副栅以及与若干所述第一副栅连接的第一主栅；形成第一钙钛矿电池组2，形成所述第一钙钛矿电池组2的步骤包括形成至少一个第一钙钛矿电池，所述第一钙钛矿电池具有切割线；将所述晶硅电池组4和所述第一钙钛矿电池组2层压在一起，第一栅线朝向所述第一钙钛矿电池组2，且所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
[0069]
具体的，形成所述第一钙钛矿电池的步骤包括：提供第一封装基板1；在所述第一封装基板1的一侧形成第一透明电极阵列和第一引出件21；所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极，所述第一引出件21的导电率大于所述第一透明电极的导电率，所述第一透明电极的透光率大于所述第一引出件21的透光率；所述第一引出件21至少位于所述第一透明电极的侧部，所述第一引出件21包括第一主引出件211和若干第一副引出件212，所述第一副引出件212适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件211；在所述第一透明电极阵列和第一引出件21背离所述第一封装基板1的一侧表面依次形成第一载流子传输层、钙钛矿层和第二载流子传输层；在所述第二载流子传输层背离钙钛矿层的一侧表面形成第二透明电极阵列和第二引出件23，所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极24，所述第二透明电极24与所述第一透明电极相对设置；所述第二引出件23的导电率大于所述第二透明电极24的导电率，所述第二透明电极24的透光率大于所述第二引出件23的透光率；所述第二引出件23至少位于所述第二透明电极24的侧部，所述第二引出件23包括第二主引出件231和若干第二副引出件232，所述第二副引出件232适于电学连接所述第二透明电极24与所述第二主引出件231；将所述晶硅电池组4和所述第一钙钛矿电池组2层压在一起后，所述第一副引出件212在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第一主引出件211在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内，所述第二副引出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内，所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
[0070]
进一步地，形成所述第一透明电极阵列和第一引出件21的步骤包括：在所述第一封装基板1的一侧表面形成所述第一引出件21，所述第一副引出件212包括连接的第一段213、第二段214以及第三段，所述第三段与所述第一主引出件211的一端、以及所述第二段214的至少一端连接；在形成所述第一引出件21之后，形成所述第一透明电极阵列，所述第一段213连接靠近所述第一主引出件211的第一透明电极和所述第一主引出件211，所述第二段214连接相邻所述第一透明电极，所述第三段被所述第一透明电极的部分表面覆盖。
[0071]
进一步地，形成所述第二透明电极阵列和第二引出件23的步骤包括：形成所述第二透明电极阵列；在形成所述第二透明电极阵列之后，形成所述第二引出件23，所述第二副引出件232包括第四段233、第五段234以及第六段，所述第四段233连接靠近所述第二主引出件231的第二透明电极24和所述第二主引出件231，所述第五段234连接相邻所述第二透明电极24，所述第六段覆盖所述第二透明电极24的部分表面。在一个实施方式中，所述第一汇流件22与所述第一引出件21一同形成。
[0072]
进一步地，所述第一封装基板1朝向所述晶硅电池组4的一侧表面包括相对设置的
第一汇流区11和第二汇流区12、以及位于所述第一汇流区11和第二汇流区12之间的光电反应区13；形成所述第一钙钛矿电池的步骤还包括：在所述第一汇流区11形成第一汇流件22，所述第一汇流件22与所述第一主引出件211连接；在所述第二汇流区12形成第二汇流件25，所述第二汇流件25与所述第二主引出件231连接且与所述第一引出件21和/或第一透明电极间隔；所述第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板1上的正投影不重合。在一个实施方式中，所述第二汇流件25与所述第二引出件23一同形成。
[0073]
形成第一透明电极阵列、第二透明电极阵列、第一引出件21、第二引出件23、第一汇流件22和第二汇流件25的方法包括但不限于蒸镀。
[0074]
具体的，在形成所述第一透明电极阵列之后，在形成第一载流子传输层之前，对所述第一透明电极阵列进行第一切割（p1），形成平行且间隔排布的若干第一切割线。在形成所述第二载流子传输层之后，在形成第二透明电极阵列之前进行第二切割（p2），形成平行且间隔排布的若干第二切割线，第二切割线依次贯穿第二载流子传输层、钙钛矿层和第一载流子层，第二切割线在第一封装基板1上的正投影位于相邻第一切割线在第一封装基板1上的正投影之间。在形成所述第二透明电极阵列之后，且在形成第二引出件23之前，进行第三切割（p3），形成平行且间隔排布的若干第三切割线，第三切割线依次贯穿所述第二透明电极24、第二载流子传输层、钙钛矿层和第一载流子层，第三切割线在第一封装基板1上的正投影位于相邻第一切割线在第一封装基板1上的正投影之间且位于相邻第二切割线在第一封装基板1上的正投影之间。
[0075]
具体的，形成所述晶硅电池组4的步骤包括：提供第二封装基板7；在所述第二封装基板7的一侧形成第二封装胶膜5和第三封装胶层9，所述第三封装胶层9围绕第二封装胶膜5设置；在所述第二封装胶膜5背离所述第二封装基板7的一侧形成所述晶硅电池组4。
[0076]
将所述晶硅电池组4和所述第一钙钛矿电池组2层压在一起的步骤包括：在所述晶硅电池组4背离所述第二封装基板7的一侧形成第一封装胶膜3；将所述第一钙钛矿电池组2设置在所述第一封装胶膜3背离所述晶硅电池组4的一侧表面，进行层压；层压之后，所述第三封装胶层9粘接漫反射层6和第一封装基板1。层压的温度为110℃-130℃，层压压力为50 kpa-80 kpa，层压的时间为10 min-20 min；示例性的，层压的温度为120℃，层压压力为60 kpa，层压的时间为15 min。
[0077]
作为一个优选的实施方式，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法还包括：在所述第二封装基板7的一侧形成第二封装胶膜5之前，在所述第二封装基板7的一侧表面形成漫反射层6；在所述第二封装基板7的一侧形成第二封装胶膜5之后，所述漫反射层6位于所述第二封装胶膜5和所述第二封装基板7之间。
[0078]
作为一个优选的实施方式，所述钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法还包括：在所述第二封装基板7的一侧形成所述第二封装胶膜5之前，在所述第二封装基板7的一侧形成第二钙钛矿电池组8，所述第二钙钛矿电池组8包括至少一个第二钙钛矿电池；在所述第二封装基板7的一侧形成所述第二封装胶膜5之后，所述第二钙钛矿电池组8位于所述第二封装胶膜5和所述第二封装基板7之间，所述第二钙钛矿电池组8适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组2和所述晶硅电池组4的部分太阳光。进一步地，在形成第二钙钛矿电池组8之前，在所述第二封装基板7的一侧表面形成漫反射层6，所述第二钙钛矿电池组8位于漫反射
层6背离所述第二封装胶膜5的一侧表面，所述第二封装胶膜5适于粘接所述第二钙钛矿电池组8和晶硅电池。
[0079]
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。