器件封装件、封装件和形成封装件的方法与流程

本发明的实施例涉及器件封装件、封装件和形成封装件的方法。

背景技术：

1、由于各个电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进来自最小部件尺寸的迭代减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求不断增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(pop)技术。在pop器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高水平的集成度和组件密度。pop技术通常能够在印刷电路板(pcb)上生产具有增强功能和小覆盖区的半导体器件。

技术实现思路

1、本发明的一些实施例提供了一种器件封装件，包括：第一管芯，在界面处直接接合至第二管芯，其中，界面包括金属-至-金属接合；散热部件，位于第一管芯上方，散热部件包括：热基底，位于第一管芯上方并且围绕第二管芯，其中，热基底由金属制成；以及多个热通孔，位于热基底上；以及密封剂，位于第一管芯上方并且围绕第二管芯、围绕散热基底并且围绕多个热通孔。

2、本发明的另一些实施例提供了一种封装件，包括：第一管芯，位于第二管芯上方并且接合至第二管芯，其中，第一管芯的背侧接合至第二管芯的前侧，并且其中，第一管芯的第一介电层直接接合至第二管芯的第二介电层；晶种层，位于第二介电层上；金属热基底，位于晶种层上；多个金属热通孔，位于金属热基底上；以及密封剂，密封第一管芯、晶种层、金属热基底和多个金属热通孔。

3、本发明的又一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一管芯接合至第二管芯，其中，将第一管芯接合至第二管芯包括将第一管芯的第一介电层直接接合至第二管芯的第二介电层；在第一介电层上方沉积晶种层；使用第一光刻和镀工艺在晶种层上镀热基底；使用第二光刻和镀工艺在热基底上镀多个热通孔；去除晶种层的多余部分；以及将第二管芯、热基底和多个热通孔密封在密封剂中。

4、本发明的再一些实施例提供了集成电路封装件和方法。

技术特征：

1.一种器件封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔由金属制成。

3.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述界面包括由所述第一管芯的第一介电层接触所述第二管芯的第二介电层形成的氧化物-至-氧化物接合，并且其中，所述散热部件直接设置在所述第一管芯的所述第一介电层上。

4.根据权利要求3所述的器件封装件，其中，所述第一介电层在所述散热部件正下方具有第一厚度，其中，所述第一介电层在所述第二管芯的正下方具有第二厚度，并且其中，所述第一厚度小于所述第二厚度。

5.根据权利要求4所述的器件封装件，其中，所述第一厚度在0.1μm至3μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔中的第一热通孔在俯视图中具有比所述多个热通孔中的第二热通孔更大的面积。

7.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔中的第一热通孔在俯视图中具有与所述多个热通孔中的第二热通孔不同的形状。

8.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔中的每个具有一致的尺寸。

9.一种封装件，包括：

10.一种形成封装件的方法，包括：

技术总结
器件封装件包括在界面处直接接合至第二管芯的第一管芯，其中，该界面包括金属‑至‑金属接合，以及位于第一管芯上方的散热部件。散热部件包括位于第一管芯上方并且围绕第二管芯的热基底，其中，热基底由金属制成；以及位于热基底上的多个热通孔；以及位于第一管芯上方并且围绕第二管芯、围绕热基底并且围绕多个热通孔的密封剂。本发明的实施例还提供了封装件和形成封装件的方法。

技术研发人员：吴俊毅,余振华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12