功率模块的制作方法

1.本公开涉及电子功率模块，并且更具体地涉及包含热管理特征的功率模块。


背景技术：

2.功率模块可包括基底，其上附接(例如，焊接)部件和器件(例如，功率晶体管、功率二极管等)。这些部件可作为管芯附接(例如，焊接、烧结)到基底的顶表面。基底的顶表面可包括金属迹线以与部件电连接。引脚也可附接(例如，焊接)至基底上的迹线，为外部耦接电子基底(例如，印刷电路板)提供连接点。此类引脚在本文中被称为焊接信号引脚。焊接信号引脚的连接点中的缺陷会妨碍功率模块和/或电子基底的正确操作。通常，这些缺陷是该功率模块中各处未管理温度造成的结果，温度对应或指示器件中不可接受的高结温。


技术实现要素：

3.在一般方面，功率模块包括具有四个侧壁的框架。功率电子基底附接到框架的底部。设置在功率电子基底前表面上的电路迹线和管芯设置在框架的腔内。
4.在另一方面，至少一个信号引脚附接在功率电子基底前表面的连接点处，传导基板热耦接到功率电子基底的底表面上，该功率电子基底附接在框架的底部。传导基板吸收连接点处的至少一些热负载，并且减少功率模块的结到连接点热阻。
5.在一般方面，功率模块包括由四个侧壁组成的盒状矩形框架。功率电子基底的前表面的至少第一部分附接到框架的底部。至少一个电路迹线设置在功率电子基底的前表面的第二部分上，并且外部传导端子设置在框架上。外部传导端子具有至少端子插芯(terminal stub)，该端子插芯延伸并焊接至包封在框架中的功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线上。
6.在一般方面，功率模块包括具有四个侧壁的框架和附接到该框架的底部的功率电子基底。至少一个电路迹线设置在功率电子基底的前表面上，并且至少一个信号引脚至少部分地嵌入框架的四个侧壁中的一个侧壁中，并且引线接合到设置在该功率电子基底的前表面上的迹线或器件。
7.在一般方面，一种方法包括将功率电子基底附接到框架的底部。框架呈盒状矩形，具有敞开的顶部和敞开的底部。该方法还包括将外部传导端子设置在框架上。该外部传导端子具有延伸至功率电子基底的前表面的至少一个端子插芯。该方法还包括将该至少一个端子插芯焊接到设置在功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线。
8.在以下具体实施方式及其附图内进一步解释了前述说明性发明内容，以及本公开的其他示例性目标和/或优点、以及实现方式。
附图说明
9.图1a示出功率模块壳体的底视图。
10.图1b示出设置在图1a的功率模块壳体的背侧上的传导基板。
11.图2a示出示例性功率模块的元件的分解图。
12.图2b示出图2a的功率模块的顶部透视图。
13.图2c示出图2a的功率模块的底部透视图。
14.图3a示出另一示例性功率模块的元件的分解图。
15.图3b示出图3a的功率模块的顶部透视图。
16.图3c示出图3a的功率模块的底部透视图。
17.图4a示出另一示例性功率模块的元件的分解图。
18.图4b示出图4a的功率模块的顶部透视图。
19.图4c示出图4a的功率模块的底部透视图。
20.图5示出用于制造功率模块的示例性方法。
21.图6示出用于制造功率模块的另一示例性方法。
22.图7示出用于制造功率模块的又一示例性方法。
23.附图中的部件未必相对于彼此按比例绘制。相似附图标记在若干附图中表示相应的零件。
具体实施方式
24.功率模块可以封装在包括至少一个基底(例如，诸如直接接合金属(dbm)基底的功率电子基底)的壳体(外壳)中，电路部件和器件(例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)功率器件、快速恢复二极管(frds)、金属氧化物高压dc线路电容器、主电路母线、功率模块驱动电路板、电机控制电路板、三相电流传感器以及dc和大电流ac连接器等)附接(例如，焊接)在该至少一个基底上。部件和器件可作为半导体管芯(集成电路芯片)附接到基底的顶表面。基底的顶表面可包括金属迹线和传导焊盘，用以电连接部件和器件。例如，部件的半导体管芯上的焊盘可以引线接合到基底上的金属迹线，该金属迹线继而可以焊接至向封装提供外部连接端子的引线框架或端子指状物。引脚(例如，信号引脚)也可附接(例如，焊接)到基底上的迹线，为电路部件和器件提供外部连接点。封装壳体可包括附接(例如，环氧树脂胶合)到基部的盖部，使得基底和部件容纳在由基部和盖部限定的腔(内部体积)内。与基部相对的壳体的盖部可包括孔，引脚(焊接的信号引脚)可以通过该孔延伸到封装的外部，为容纳在壳体内的部件和电路提供外部连接点。在功率模块制成后，基部的底表面可以通过导热材料(例如，导热油脂等)耦接到散热器。另外，延伸穿过壳体的盖部的顶表面上的孔的引脚(例如，焊接到基底上的迹线的信号引脚)可以电/机械地耦接(例如，压配合)到电子基底(诸如印刷电路板(pcb)上的通孔。
25.本文公开了可以减少或消除引脚连接中缺陷的功率模块配置。功率模块配置可以减少或消除引脚连接中的缺陷，例如，通过减少对从包封在功率模块封装中的电路和器件到封装的外部环境的热流的热阻。功率模块配置可以例如减少结到焊点的热阻(rthjs)和/或减少焊点到环境的热阻(rthsa)。这些热阻(rthjs和/或rthsa)的减少可以具有提高功率模块和更一般的功率系统的性能(例如，寿命、产量、维修、现场故障等)的技术效果。
26.例如，在一些具体实施中，可以通过将传导基板焊接到功率电子基底(例如，dbm基底)的后表面来减少热阻，而该功率电子基底的前表面上附接(例如，焊接)有电路部件和器件。出于说明的目的，图1a示出了在将传导基板焊接到保持在功率模块壳体110中的功率电
子基底140(例如，一对dbm基底140-1和140-2)的底表面(例如，表面s1和s2)之前的功率模块100的功率模块壳体110的底视图。后表面s1和s2可以是例如金属层(例如，铜层)。dbm基底140-1和140-2的前表面(不可见)可以耦接到电路部件和/或器件。然而，在图1a所示的功率模块壳体110的方向上，功率电子基底的前表面(例如，dbm基底140-1和140-2)和电路部件和器件被隐藏而不可见。仅dbm基底140-1和140-2的后表面(例如，表面s1和s2)是可见的。对于热阻减少，可以将传导基板焊接到dbm基底140-1和140-2的后(例如，暴露的)表面。图1b示出了例如设置在后侧功率模块壳体110上并焊接到dbm基底140-1和140-2的后表面s1和s2的传导基板150。传导基板150可以例如包括金属或金属合金(例如，铜)的实心块。为了视觉清晰，在图1b中，传导基板150以虚线示出为覆盖dbm基底140-1和140-2的后表面s1和s2的透明结构。
27.图2a-2c示出了另一示例性功率模块200的特征，其中传导基板焊接到功率电子基底的后表面。
28.图2a示出功率模块200的元件的分解图。在功率模块200中，功率电子基底(例如，包括一对dbm基底140-1和140-2)附接到框架220a的底部(例如，由四个侧壁220s制成的框架)。框架220a可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。在示例性具体实施中，框架220a可以具有矩形基部长度l和矩形基部宽度w。框架220a的侧壁(例如，侧壁220s)可以具有高度h。在示例性实施方式中，长度l可以在约50mm至150mm的范围内(例如，110mm)，宽度w可以在约30mm至80mm的范围内(例如，60mm)，高度h可以在5mm至20mm的范围内(例如，10mm)。
29.安装在功率电子基底前侧上的至少电路迹线和管芯设置在框架的顶部(例如，顶部a)上方的盖板210下方的框架中的腔(体积)(例如，腔c)内。传导基板(例如，基板230)热耦接(例如，焊接)至功率电子基底的底表面(例如，dbm基底140-1和140-2)。基板230可以由金属或金属合金(例如，铜)制成。基板230可以是金属或金属合金的实心块，并且可以具有约2mm至10mm(例如，3mm)范围内的厚度。
30.功率电子基底(例如，dbm基底140-1和140-2)可以具有安装在该功率电子基底的前表面(例如，表面sf)上的电路迹线(例如，迹线142)和管芯(例如，管芯146)。此外，至少一个信号引脚(例如，引脚11)可以附接到前表面sf上的迹线或焊盘。引脚11可以例如由金属或金属合金制成。至少一个信号引脚(焊接信号引脚)在焊点通过焊料附接到安装在功率电子基底的前表面上的电路迹线和管芯。焊接信号引脚(焊接信号引脚11)可以例如通过焊料(例如，焊料144)在竖直方向(例如，沿着z轴)附接到前表面sf。引脚11可以例如具有大于框架侧壁220s的高度h的竖直高度ph(在z方向上)。在示例性具体实施中，高度ph可以在约10mm至30mm(例如，15mm、20mm)的范围内。至少一个焊接信号引脚通过盖板中的孔从焊料144(即，焊点)延伸至功率模块的外部。
31.热耦接(例如，焊接)到功率电子基底的底表面的传导基板(例如，基板230)可以吸收连接点处(例如，连接点处的焊料144上)的至少一些热负载(热)，并且因此减少功率模块的结到连接点热阻。
32.安装在功率电子基底的前侧sf上的电路迹线和管芯(例如，电路迹线142、管芯146)设置在由放置在框架220a的顶部(例如，顶部a)上方的盖板210和附接到框架的底部(例如，底部b)的功率电子基底140限定的腔(体积)(例如，腔c)内。盖板210(类似于框架220a)可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。当盖板210放置在框架220a的顶部上时，盖板
210可以包括引脚11(竖直高度ph大于框架侧壁220s的高度h)可以穿过(例如，压力配合或过盈配合)的孔(例如，孔212)。
33.图2b示出了功率模块200的顶部透视图，其中盖板210放置在框架220a的顶部以包封功率模块中的功率电子基底(不可见)。然而，在图2b中可见为包封式功率电子基底的电路迹线和管芯提供电连接的若干信号引脚(例如，引脚11)，这些信号引脚从盖板210的孔212里延伸出来。框架220a放置在焊接到包封式功率电子基底的底表面的传导基板(例如，基板230)上。
34.图2c示出了功率模块200的底部透视图，其中基板230设置在框架220a的底部上以将功率电子基底(不可见)包封在功率模块中。然而，在图2c中可见为包封式功率电子基底的电路和管芯提供电连接的一些信号引脚(例如，引脚11)，这些信号引脚(在z方向上朝向页面的底部)延伸超过框架220a的侧壁220s的高度h。
35.本文公开的热阻减少技术不限于将传导基板焊接到容纳在功率模块中的功率电子基底(例如，dbm基底)的后表面的技术。
36.例如，在一些具体实施中，在另一热阻减少技术中，外部传导端子(例如，引线框架)可以耦接到功率模块的外部，并且可以在焊点处焊接到容纳在功率模块中的功率电子基底以减少热阻。相比焊接到功率电子基底的信号引脚(例如，引脚11)，外部传导端子可以具有更高的电导率，并承载更多电流。外部传导端子可以替换至少一些焊接信号引脚(例如，引脚11)，可在其它方面需要这些信号引脚来为功率电子基底上的电路和管芯提供外部连接。
37.此外，例如，在一些具体实施中，在又一热阻减少技术中，避免使用焊接信号引脚。相反，可以引线接合到功率电子基底的信号引脚被集成或包括在功率模块壳体(框架)的侧壁中。至少部分地嵌入侧壁中的这些信号引脚可以包括暴露的基部接触焊盘或端子，其可以引线接合到容纳在功率模块内的电路和管芯(在功率电子基底上的连接点处)，以减少热阻。
38.在示例性具体实施中，可以在功率模块中组合使用多于一种前述热阻减少技术(例如，两种或更多种)。
39.图3a-3c示出了功率模块300的特征，除了传导基板被焊接到功率电子基底的背表面之外，外部传导端子被焊接到包封在功率模块中的功率电子基底，。
40.图3a示出了功率模块300的元件的分解图。在功率模块300中(如在图2a的功率模块200中)，功率电子基底(例如，包括一对dbm基底140-1和140-2)附接到框架320a(例如，由四个侧壁320s制成的框架)的底部。框架320a可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。在示例性具体实施中，框架320a(类似于框架220a，图2a)可以具有矩形基部长度l和矩形基部宽度w。框架320a的侧壁(例如，侧壁320s)可以具有高度h。
41.至少一个外部传导端子32a可以设置在框架320a上。图3a示出了例如设置在框架320a的端部320p上的四个外部传导端子32a。
42.外部传导端子32a可以由金属或金属合金制成，并且可以包括端子指状物或插芯(stub)(例如，端子插芯32b)，在焊点32w处，其延伸至并接触包封在功率模块300中的功率电子基底的前表面(例如，表面sf)上的迹线。端子插芯32b可以在焊接点32w处焊接到功率电子基底，使得来自功率电子基底的至少一些电流可以通过外部传导端子32a承载到功率
模块300的外部。外部传导端子32a的这种布置可以减少流过功率模块300中的焊接信号引脚(例如，引脚11)的电流量(例如，与流过图2a功率模块200中的类似焊接信号引脚(例如，引脚11)的电流量相比)。
43.为了进一步减少功率模块300中的热阻，除了提供外部传导端子32a以外，传导基板(例如，基板230)可以焊接到功率电子基底(例如，dbm基底140-1和140-2)的底表面(例如，如功率模块200中)。功率电子基底(例如，dbm基底140-1和140-2)可以具有安装在该功率电子基底的前表面(例如，表面sf)上的电路迹线(例如，迹线142)和管芯(例如，管芯146)。此外，至少一个信号引脚(例如，引脚11)可以附接到前表面sf上的迹线或焊盘。在功率模块200中，引脚11可以例如由金属或金属合金制成。引脚11可以例如通过焊料(例如，焊料144)在竖直方向(例如，沿着z轴)附接到前表面sf。引脚11可以例如具有大于框架320a的框架侧壁320s的高度h的垂直高度ph(在z方向上)。
44.在图3a所示的示例性功率模块300中，安装在功率电子基底的前侧sf上的电路迹线和管芯(例如，管芯146)被包封在由设置在框架320a的顶部上方的盖板210和附接到框架320a的底部的功率电子基底限定的体积内。框架320a(类似于框架220a)可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。当盖板210放置在框架320a的顶部上时，盖板210可以包括引脚11(垂直高度ph大于框架侧壁320s的高度h)可以穿过的孔(例如，孔212)。
45.图3b示出了功率模块300的顶部透视图，其中盖板210放置在框架320a的顶部以包封功率模块中的功率电子基底(不可见)。然而，设置在端部上的外部传导端子32a在图3b中可见为设置在框架320a的端部320p上，该外部传导端子32a为包封式功率电子基底的电路和器件提供电连接。而且，在图3b中可见为包封式功率电子基底的电路和器件提供电连接的若干信号引脚(例如，引脚11)，所述信号引脚从盖板210的孔212里延伸出来。框架320a放置在焊接到包封式功率电子基底的底表面的传导基板(例如，基板230)上(不可见)。
46.图3c示出了功率模块300的底部透视图，其中基板230设置在框架320a的底部以将功率电子基底(不可见)包封在功率模块中。
47.图4a-4c示出了功率模块400的特征，其中，除了将传导端子焊接到电子基底和将传导基板焊接到功率电子基底的后表面以减少热阻之外，为了减少模块中的热阻，信号引脚至少部分地嵌入功率模块的框架中并且引线接合到功率电子基底上的连接点。
48.图4a示出了功率模块400的元件的分解图。在功率模块400中(如在图2a的功率模块200和图3a的功率模块300中)，功率电子基底(例如，包括一对dbm基底140-1和140-2)附接到框架420a(例如，由四个侧壁420s制成的框架)的底部。框架420a可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。在示例性具体实施中，框架420a(类似于框架220a，图2a)可以具有矩形基部长度l和矩形基部宽度w。框架420a的侧壁(例如，侧壁420s)可以具有高度h。
49.在示例性具体实施中，至少一个信号引脚(例如，引脚41)可以至少部分地嵌入框架420a的侧壁(例如，侧壁420s)中，并且引线接合到设置在包封在功率模块中的功率电子基底(例如，dbm基底140-1和140-2)的前表面sf上的迹线或管芯。
50.在示例性具体实施中，如图4a所示，信号引脚41可模制到纵向侧壁(换句话说，侧壁420s沿着框架的长度l在x方向上延伸)中。信号引脚41可以垂直对齐(例如，沿着z方向)，并且信号引脚的顶部部分可以在侧壁420s的顶表面上方延伸约h的垂直高度。信号引脚的底部部分可以在侧壁420s的内表面(例如，内表面420si)上暴露于框架420a/功率模块400
的内部。信号引脚暴露的底部部分可以向功率模块400的内部呈现可引线接合的表面(例如，突片)。在示例性具体实施中，信号引脚41的暴露底部部分可以被成形为具有区域ta的可引线接合突片(例如，突片41t)。图4a示出了例如平坦矩形或正方形突片41t，其具有大致垂直(即，沿着y方向)延伸至侧壁420s的内表面420si的区域ta。
51.信号引脚41可以通过接合在突片41t与功率电子基底的前表面(例如，表面sf)上的迹线和管芯(例如，迹线142)上的连接点之间的引线(例如，引线41r)连接到功率电子基底(例如，dbm基底140-1和140-2)的迹线或管芯。和例如在功率模块200(图2a)和功率模块300(图4a)中使用的焊接信号引脚相比，功率模块400中的引线接合引脚连接(例如，引线41r)可以具有更低的热阻。
52.在功率模块400中，焊接信号引脚(例如，如功率模块200和功率模块300中的引脚11)不用于形成到设置在功率电子基底的前表面sf上的迹线或管芯的连接点。功率模块400和包封式功率电子基底的操作所需的所有信号连接可以使用引线接合(或焊接端子)连接来实现。
53.在一些示例性具体实施中，除了至少部分地嵌入框架的侧壁中用于减少热阻的引线接合信号引脚41之外，功率模块400可以(如功率模块300中)包括设置在框架420a的端部420p上的外部传导端子32a。外部传导端子32a可以包括端子指状物或插芯(例如，端子插芯32b)，在焊点32w处，其延伸至并接触功率电子基底的前表面(例如，表面sf)上的迹线。如上文参考图3a的功率模块300所述，在功率模块400中，端子插芯32b也可以在焊点32w处焊接到功率电子基底，使得来自功率电子基底的至少一些电流可以通过外部传导端子32a承载到功率模块400的外部。
54.在一些示例性具体实施中，为了进一步减少热阻，除了至少部分地嵌入框架420a的侧壁中的引线接合信号引脚41和设置在框架420a的端部420p上的外部传导端子32a之外，功率模块400还可以具有焊接到功率电子基底(例如，dbm基板140-1和140-2)的底表面的传导基板(例如，基板230)。
55.在功率模块400中，安装在功率电子基底的前侧sf上的电路迹线和管芯(例如，管芯146)设置在由设置在由框架420a的顶部上方的盖板410和附接到框架420a的底部的功率电子基底限定的腔(体积)(例如，腔c)内。框架420a，类似于框架220a和框架320a，可以由塑料、聚合物或陶瓷材料制成。盖板410(设置在框架420a的顶部上方)可以不包括用于焊接到功率电子器件基底的引脚(例如，引脚11)通过的任何特殊孔(例如，图2a的孔212)，因为这些引脚不用于功率模块400中。然而，如图4a和4b所示，盖板410可包括用于其它目的(例如，将凝胶材料引入功率模块中以密封或封装包封在功率模块中的一个或多个电路部件)的开口(例如，开口45)。
56.图4b示出了功率模块400的顶部透视图，其中盖板410放置在框架420a的顶部以包封功率模块中的功率电子基底(不可见)。然而，图4b中可见设置在框架420a的端部420p上的外部传导端子32a，该外部传导端子32a为包封式功率电子基底的电路和器件提供电连接。而且，图4b中可见为包封式功率电子基底的电路和管芯提供引线接合电连接的若干信号引脚(例如，引脚41)，所述信号引脚从框架420a的侧壁(例如，侧壁40s)延伸出来(例如，在垂直z方向上)。框架420a放置在焊接到包封式功率电子基底的底表面的传导基板(例如，基板230)上。
57.图4c示出了功率模块400的底部透视图，其中基板230设置在框架420a的底部以将功率电子基底(不可见)包封在功率模块中。
58.图5示出用于制造功率模块的方法500，该功率模块具有减少的结到焊点热阻(rthjs)和/或减少的焊点到环境热阻(rthsa)。
59.方法500包括将功率电子基底附接到框架的底部(510)，该框架由四个侧壁制成。至少一个电路迹线设置在功率电子基底的前表面上。方法500还涉及将外部传导端子设置在框架上(520)。该外部传导端子具有延伸至功率电子基底的前表面的至少一个端子插芯。方法500还包括将至少一个端子插芯焊接到设置在功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线(530)。
60.图6示出用于制造功率模块的另一种方法600，该功率模块具有减少的结到焊点热阻(rthjs)和/或减少的焊点到环境热阻(rthsa)。
61.方法600包括将功率电子基底附接到框架的底部(610)。该框架至少具有包括部分嵌入的信号引脚的侧壁，该部分嵌入的信号引脚的底部部分暴露于框架的内部。
62.方法600还包括将部分嵌入的信号引脚的底部部分引线接合到设置在功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线或器件(620)。
63.图7示出用于制造功率模块的又一种方法700，该功率模块具有减少的结到焊点热阻(rthjs)和/或减少的焊点到环境热阻(rthsa)。
64.方法700包括将功率电子基底附接到框架的底部，该框架具有四个侧壁(710)，以及用焊料将至少一个信号引脚附接在功率电子基底的前表面上的焊点处(720)。
65.方法700还包括将基板焊接至附接到框架的底部的功率电子基底的底表面，该基板吸收焊点处焊料上的至少一些热负载，以减少焊点处焊料的结到焊点热阻(rthjs)(730)。基板可以是金属或金属合金的实心块。
66.一种方法包括将功率电子基底附接到框架的底部，该框架具有四个侧壁，至少一个电路迹线设置在功率电子基底的前表面上；在框架上设置外部传导端子，该外部传导端子具有延伸至功率电子基底的前表面上的至少一个端子插芯；以及将至少一个端子插芯焊接到设置在功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线。
67.在该方法中，框架的四个侧壁中的至少一个侧壁包括部分嵌入的信号引脚，该部分嵌入的信号引脚的底部部分暴露于框架的内部，并且该方法还包括：将部分嵌入的信号引脚的底部部分引线接合到设置在功率电子基底的前表面上的至少一个电路迹线或器件。
68.在一些具体实施中，所述方法还包括：用焊料将至少一个信号引脚附接在功率电子基底的前表面上的连接点；以及将基板焊接到附接至框架的底部的功率电子基底的底表面，该基板吸收连接点处的焊料上的至少一些热负载，以减少连接点处焊料的结到连接点热阻。
69.在图1a至图7中，用术语如上、顶等描述的部分是指比用术语如下、底等指定的部分更靠近页面顶部的部分。同样，用术语如左描述的部分比用术语如右描述的部分更靠近页面左侧。应当认识到，这些描述表示所选择的参考系，其并非旨在限制，因为几乎任何其他参考系都可以用于描述这些部分。
70.功率模块框架和盖可以由第一材料(即，壳体材料)制成，第一材料可以基于诸如电隔离和与制造的兼容性(例如，与注射模制工艺的兼容性)的性质来选择。例如，壳体材料
可以是热塑性聚合物，如聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)。pbt可具有在约30x10-6到100x10-6/开尔文(k-1)(即30-100ppm/k)范围内的第一热膨胀系数(cte)。
71.虽然所描述的具体实施的某些特征已经如本文所述进行了说明，但是本领域技术人员现在将想到许多修改形式、替代形式、变化形式和等同形式。因此，应当理解，所附权利要求书旨在涵盖落入具体实施的范围内的所有此类修改形式和变化形式。应当理解，它们仅以示例而非限制的方式呈现，并且可以在形式和细节上进行各种改变。除了相互排斥的组合以外，本文所述的设备和/或方法的任何部分可以任意组合进行组合。本文所述的具体实施可包括所描述的不同具体实施的功能、部件和/或特征的各种组合和/或子组合。
72.将理解，在前述描述中，当元件被提及为在另一个元件上、连接到另一个元件、电连接到另一个元件、耦接到另一个元件或电耦接到另一个元件时，该元件可以是直接地在另一个元件上、连接或耦接到另一个元件，或可以存在一个或多个中间元件。相反，当元件被提及直接在另一个元件上、直接连接到另一个元件、或直接耦接到另一个元件时，不存在中间元件。虽然在整个具体实施方式中可能不会使用术语直接在
…
上、直接连接到
…
、或直接耦接到
…
，但是被示为直接在元件上、直接连接或直接耦接的元件能以此类方式提及。本技术的权利要求书(如果存在的话)可被修订以叙述在说明书中描述或者在附图中示出的示例关系。
73.如在本说明书中所使用的，除非根据上下文明确地指出特定情况，否则单数形式可包括复数形式。除了附图中所示的取向之外，空间相对术语(例如，在
…
上方、在
…
上面、在
…
之上、在
…
下方、在
…
下面、在
…
之下、在
…
之以下等)旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。在一些具体实施中，在
…
上面和在
…
下面的相对术语可分别包括竖直地在
…
上面和竖直地在
…
下面。在一些具体实施中，术语邻近能包括横向邻近或水平邻近。
74.除非另外定义，否则本文所用的所有技术和科学术语具有与本领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。可以在本公开的实践或测试中使用与本文所述的那些类似或等同的方法和材料。如本说明书中以及所附权利要求书中所用，单数形式“一个”、“一种”、“该”包括多个指代物，除非上下文另有明确规定。如本文所用的术语“包含”及其变型形式与术语“包括”及其变型形式同义地使用，并且是开放式的非限制性术语。本文所用术语“任选的”或“任选地”是指随后描述的特征、事件或情况可能发生或可能不发生，并且该描述包括所述特征、事件或情况发生的实例和不发生的实例。范围在本文中可以表达为从“约”一个特定值，和/或到“约”另一个特定值。当表达这样的范围时，一个方面包括从一个特定值和/或到另一个特定值。类似地，当值通过使用先行词“约”表达为近似值时，应当理解，该特定值形成另一个方面。还应当理解，每个范围的端点相对于另一个端点是重要的，并且独立于另一个端点。
75.一些具体实施可使用各种半导体处理和/或封装技术来实现。一些实施方式可使用与半导体衬底相关联的各种类型的半导体处理技术来实现，该半导体衬底包含但不限于，例如硅(si)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等。