发光装置与其制造方法与流程

1.本公开案涉及一种发光装置与其制造方法，且特别涉及一种用于显示器的发光装置与其制造方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode,led)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等技术领域。当led应用于显示器时，led尺寸的微缩与间距的减小可有助于提高显示器的分辨率。


技术实现要素：

3.根据本公开案的一些实施例，一种发光装置包括基板、设置于基板上的数个发光二极管、以及反射型光阻(光刻胶)。发光二极管包括第一电极与第二电极，其中第一电极与第二电极设置于发光二极管的第一表面，第一表面面向基板。反射型光阻设置于发光二极管之间并直接接触发光二极管的侧表面，其中至少一部分的反射型光阻设置发光二极管的第一电极与第二电极之间。
4.在一些实施例中，反射型光阻直接接触发光二极管的第一表面。
5.在一些实施例中，反射型光阻具有第一高度，反射型光阻完全密合在第一高度以下的发光二极管的侧表面。
6.在一些实施例中，反射型光阻进一步完全密合发光二极管的第一表面。
7.在一些实施例中，发光二极管包括发光层，反射型光阻的第一高度大于发光层的第二高度。
8.在一些实施例中，发光装置进一步包括光学功能层，设置于反射型光阻上。
9.在一些实施例中，光学功能层包括吸光层，吸光层的顶表面等高或高于发光二极管的顶表面。
10.在一些实施例中，光学功能层包括反射层，反射层和反射型光阻共同具有第三高度，第三高度大于发光层的第二高度。
11.在一些实施例中，光学功能层包括挡墙结构，挡墙结构的顶表面高于发光二极管的顶表面。
12.在一些实施例中，发光装置进一步包括色转换层，设置在光学功能层之中且在发光二极管上。
13.在一些实施例中，反射型光阻具有大于60％的反射率。
14.在一些实施例中，反射型光阻包括数个散射粒子。
15.在一些实施例中，反射型光阻造成散射性反射。
16.在一些实施例中，发光装置进一步包括工作件设置于反射型光阻上，其中反射型光阻与工作件之间存在空气。
17.根据本公开案的一些实施例，一种制造发光装置的方法包括设置数个发光二极管
在基板上。制造发光装置的方法还包括在设置发光二极管在基板上之后，填入光阻材料至发光二极管之间及发光二极管的第一电极与第二电极之间，其中光阻材料直接接触发光二极管的侧表面。
18.在一些实施例中，填入光阻材料至发光二极管的第一电极与第二电极之间包括使光阻材料完全填满第一电极与第二电极之间的空间。
19.在一些实施例中，填入光阻材料至发光二极管之间包括使光阻材料的填入高度大于发光二极管的发光层的高度。
20.在一些实施例中，光阻材料包括数个散射粒子在光阻材料内。
21.在一些实施例中，制造发光装置的方法进一步包括执行光刻工艺以移除光阻材料的一部分，其中这一部分位于发光二极管的顶表面上。
22.在一些实施例中，制造发光装置的方法进一步包括执行热处理以固化光阻材料而形成反射型光阻。
23.本公开案的实施例提供发光装置与其制造方法，通过填充的方式，将反射型光阻材料填入led之间的空间和led的接触件之间的空间内，以在led的周围和底部形成反射型光阻。反射型光阻可减少led的光损并降低led之间的混光现象，从而提升光源的出光效率。
附图说明
24.阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本公开案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。再者，相同的附图标记表示相同的元件。
25.图1为依据本公开案一些实施例示出发光装置的截面图。
26.图2为依据本公开案一些实施例示出图1中的发光装置的局部放大截面图。
27.图3a至图3d为依据本公开案一些实施例示出制造图1的发光装置在各个操作阶段的截面图。
28.图4至图9为依据本公开案另一些实施例示出发光装置的截面图。
29.图10为依据本公开案一些实施例示出具有色转换层的发光装置的截面图。
30.图11为依据本公开案另一些实施例示出具有色转换层的发光装置的截面图。
31.附图标记说明：
32.100：发光装置
33.110：基板
34.112a：接触件
35.112b：接触件
36.120：发光二极管(light emitting diode,led)
37.122a：电极
38.122b：电极
39.130：反射型光阻
40.200：半导体叠层
41.202：未掺杂半导体层
42.204：n型掺杂半导体层
43.206：发光层
44.208：p型掺杂半导体层
45.210：保护层
46.300：光刻工艺
47.310：热处理
48.400：发光装置
49.410：粘着层
50.420：工作件
51.500：发光装置
52.510：空气
53.600：发光装置
54.610：第一光学功能层
55.700：发光装置
56.710：第二光学功能层
57.800：发光装置
58.900：发光装置
59.1000：发光装置
60.1010：色转换层
61.1010b：色转换单元
62.1010g：色转换单元
63.1010r：色转换单元
64.1020：第三光学功能层
65.1022：挡墙结构
66.1024：吸光层
67.1100：发光装置
68.1120：第四光学功能层
69.1122：吸光层
70.1124：反射层
71.h1：第一高度
72.h2：第二高度
73.h3：第三高度
74.h4：第四高度
75.h5：第五高度
76.p：节距
77.s1：第一表面
78.s2：第二表面
79.s3：第三表面
80.s4：第四表面
81.s5：第五表面
82.s6：第六表面
83.s7：第七表面
84.s301：操作
85.s302：操作
86.s303：操作
87.s304：操作
88.w：侧表面
具体实施方式
89.当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。
90.此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
91.本文中使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层及/或区域是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层及/或区域不应该被这些词汇所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层及/或区域。因此，在下文中的一第一元件、组件、区域、层及/或区域也可被称为第二元件、组件、区域、层及/或区域，而不脱离本公开案的本意。
92.本文使用的“约”、“近似”、或“大致上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内。
93.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开案所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开案的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
94.因发光二极管(light emitting diode,led)具有体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，故led可作为发光装置应用于显示器中，并通过led尺寸的微缩和间距的缩减以提高显示器的分辨率。随着分辨率持续的提升(例如分辨率大于250每英寸像素(pixel per inch,ppi))，led的微缩可能导致侧向出光的比例提升，再加上间距的缩减可能导致工艺的难度提升而难以有效管理侧向出光，例如，在受限的间距内形成结构(例如，挡墙)以减少侧向出光。本公开案提供一种发光装置与其制造方法可提升光源的出光效
率并兼顾工艺可靠度。
95.请参照图1，图1为依据本公开案一些实施例示出发光装置100的截面图。发光装置100具有基板110、设置在基板110上的数个发光二极管(light emitting diode,led)120、围绕在led120周围的反射型光阻130。
96.基板110可为玻璃基板、硅基板、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)基板、或者是其他合适的基板。在一些实施例中，基板110具有接触件112a和接触件112b，接触件112a和接触件112b设置于基板110的第一表面s1上用以分别对应地接合led120的电极122a和电极122b。led120的电极122a和电极122b可设置于led120的第二表面s2上，其中led的第二表面s2面向基板110的第一表面s1。
97.接触件112a可包括金属材料，例如金(au)、锡(sn)、锡/银/铜合金(sn/ag/cu alloy)、或锡合金(sn alloy)，但本公开案并不以此为限制。接触件112b的材料选择实质上相同于接触件112a的材料选择，因此不再详述。同样地，电极122a与电极122b的材料选择相似于接触件112a或接触件112b。
98.请先参照图2，图2依据本公开案一些实施例示出图1中的发光装置100的局部放大截面图。在如图2所示的单个led120的详细结构图中，led120可包括半导体叠层200，且半导体叠层200可包括未掺杂半导体层202、n型掺杂半导体层204、发光层206、以及p型掺杂半导体层208。自未掺杂半导体层202按序形成n型掺杂半导体层204、发光层206、以及p型掺杂半导体层208，其中发光层206位于p型掺杂半导体层208以及n型掺杂半导体层204之间。
99.在led120为氮化镓是的led的实施例中，p型掺杂半导体层208可以是p型氮化镓层(p-gan)，以及n型掺杂半导体层204可以是n型氮化镓层(n-gan)。发光层206，亦称为主动层，的结构可由多层氮化铟镓(ingan)和多层氮化镓(gan)交错堆叠而成的多重量子井结构(multiple quantum well,mqw)。未掺杂半导体层202可以是未掺杂的氮化镓层(u-gan)。
100.led120亦可具有保护层210覆盖半导体叠层200的至少一部分侧壁以及半导体叠层200的表面。保护层210可提供电性隔绝、保护或反射光线的作用。保护层210的材料可包括二氧化硅、氮化硅、或二种不同折射率材料的堆叠组合，而本公开案不以上述列举为限。
101.请重新参照图1，应注意的是，为了清楚说明，图1的led120未绘出如图2所示的半导体叠层200，取而代之是，图1(以及后续图3a至图10)的led120经简化而仅绘出发光层206的例示性位置。
102.如图1所示，反射型光阻130设置于相邻的led120之间。led120的节距(pitch)p扣除单个led120的尺寸之后的剩余空间即为反射型光阻130可设置的空间。在一些实施例中，每一个led120的尺寸可在微米(micron)等级，并且此时的led120可视为微型led。举例来说，每一个led120的尺寸在约1微米至约100微米的范围内，又例如每一led120的尺寸在约10微米至约50微米的范围内。在一些实施例中，led的节距p可小于100微米。
103.反射型光阻130除了设置于相邻的led120之间，还有至少一部分的反射型光阻130设置于led120的电极122a和电极122b之间。换句话说，反射型光阻130围绕led120。在一些实施例中，反射型光阻130可直接接触led120。举例来说，反射型光阻130可直接接触led120的侧表面w。在另一例中，反射型光阻130可直接接触led120的第二表面s2。
104.反射型光阻130可具有大于60％的反射率。因为反射型光阻130可具有反射光线的特性，所以当led120发出的光朝外行进时，围绕在led120周围的反射型光阻130可反射光并
改变光的行进路线，借此减少led120的光损或各个led120之间的混光。举例来说，自led120内部的发光层206发出的光朝向侧表面w的方向行进，设置在相邻的led120之间的反射型光阻130可反射光，并使光的行进路线改变成自侧表面w朝向led120内部的方向行进。在另一例中，自led120内部的发光层206发出的光朝向第二表面s2的方向行进，设置在led120的电极122a和电极122b之间的反射型光阻130可反射光，使光的行进路线改变成自第二表面s2朝向led120内部的方向行进。
105.在一些实施例中，反射型光阻130的第一高度h1可大于发光层206的第二高度h2，其中第一高度h1为反射型光阻130的顶表面和基板110的第一表面s1之间的距离，第二高度h2为发光层206的顶表面和基板110的第一表面s1之间的距离。当反射型光阻130的第一高度h1大于发光层206的第二高度h2时，反射型光阻130可反射发光层206所发出的光。在另一方面，若反射型光阻130的第一高度h1小于发光层206的第二高度h2，则发光层206所发出的光可能直接朝外行进而无法被反射型光阻130反射回led120内部，反射型光阻130可能无法发挥效果从而产生不可接受的光损或是混光现象。因此，反射型光阻130的第一高度h1至少大于发光层206的第二高度h2，以使反射型光阻130有效地反射led120自发光层206所发出的光。
106.在一些进一步的实施例中，反射型光阻130的第一高度h1可大于发光层206的第二高度h2并且反射型光阻130可完全密合在第一高度h1以下的led120，因此，反射型光阻130可遮蔽住发光层206以进一步地降低光损或混光现象。例如，反射型光阻130可完全密合在第一高度h1以下的led120的侧表面w，如此一来，反射型光阻130可从led120的侧表面w覆盖发光层206以进一步地降低光损或混光现象。又例如，反射型光阻130可完全密合led120的第二表面s2，借此可进一步地降低光损或混光现象。在一些实施例中，反射型光阻130可完全填满第二表面s2、电极122a及电极122b之间的横向空间。在一些实施例中，反射型光阻130可完全填满第二表面s2、电极122a、电极122b、接触件112a、接触件112b及第一表面s1之间的空间。
107.反射型光阻130的第一高度h1的上限可依据产品设计需求而调整。举例来说，当反射型光阻130的第一高度h1介在发光层206与led120的顶表面(例如，led120的第三表面s3)之间，led120的出光角度可具有较大的范围。在一些实施例中，当反射型光阻130的第一高度h1等高或是高于led120的顶表面(例如，led120的第三表面s3)，led120的出光角度可较为集中。
108.在一些实施例中，反射型光阻130可造成散射性反射，换句话说，反射型光阻130造成漫反射。反射型光阻130可具有数个散射粒子(未绘出)在反射型光阻130内。散射粒子的材料可包括氧化钛(titanium dioxide)、氧化锆(zirconium dioxide)、其他合适的材料、或上述的组合。在一些实施例中，散射性反射可由反射型光阻130内的散射粒子所造成。
109.请参照图3a至图3d，图3a至图3d为依据本公开案一些实施例示出制造图1的发光装置100在各个操作阶段的截面图。应注意的是，除非有额外说明，当图3a至图3d示出或描述成一系列的操作或事件时，这些操作或事件的描述顺序不应受到限制。例如，部分操作或事件可采取与本公开案不同的顺序、部分操作或事件可同时发生、部分操作或事件可以不须采用、及/或部分操作或事件可重复进行。并且，实际的工艺可能须在图3a至图3d之前、过程中、或之后进行额外的操作步骤以完整形成发光装置。因此，本公开案可能将简短地说明
其中一些额外的操作步骤。
110.如图3a所示，在操作s301中，设置数个led120在基板110上。
111.接下来，如图3b所示，在操作s302中，填入光阻材料130a至相邻的led120之间及led120的电极122a与电极122b之间。
112.详细而言，光阻材料130a可直接接触led120。举例来说，光阻材料130a可直接接触led120的侧表面w。在另一例中，光阻材料130a可直接接触led120的第二表面s2。在一些实施例中，光阻材料130a可完全填满第二表面s2、电极122a及电极122b之间的横向空间。在一些实施例中，光阻材料130a可完全填满第二表面s2、电极122a、电极122b、接触件112a、接触件112b及第一表面s1之间的空间。
113.在一些实施例中，光阻材料130a的第三高度h3可大于led120的发光层206的第二高度h2，以确保后续形成的反射型光阻130的第一高度h1可大于led120的发光层206的第二高度h2(见图1或图3d)。
114.光阻材料130a可包括具有流动性的材料，故光阻材料130a可通过流动而填充于led120的间隙并且包围led120。光阻材料130a还可包括数个散射粒子(未绘出)在光阻材料130a内。在一些实施例中，光阻材料130a为散射粒子均匀混合于具有流动性的材料之中。
115.在一些实施例中，在填入光阻材料130a的过程中，光阻材料130a可能会吸附于led120的侧表面w并沿着侧表面w而披覆led120的上部，例如光阻材料130a覆盖住led120的顶表面(例如，第三表面s3)，如图3b所示。在一些实施例中，在填入光阻材料130a至相邻的led120之间及led120的电极122a与电极122b之间后，对光阻材料130a进行软烤(soft bake)。
116.接下来，如图3c所示，在操作s303中，执行光刻工艺300以移除位于led120的顶表面(例如第三表面s3)上的光阻材料130a的部分。在一些实施例中，光刻工艺300可包含设置图案化遮蔽层(未绘出)在光阻材料130a(见图3b)上方，接着进行曝光及显影以移除光阻材料130a中未受遮蔽的部分，即移除位于led120的顶表面(例如第三表面s3)上的光阻材料130a的部分(见图3b)。
117.在光刻工艺300之后，光阻材料130a经部分移除而形成光阻材料130b。如图3c所示，由于led120的顶表面(例如第三表面s3)未受到光阻材料130b的覆盖，借此可提升led120的正向出光量。
118.在一些实施例中，光阻材料130b的第四高度h4可保持大于led120的发光层206的第二高度h2，以确保后续形成的反射型光阻130的第一高度h1可大于led120的发光层206的第二高度h2(见图1或图3d)。
119.接下来，如图3d所示，在操作s304中，执行热处理310以固化光阻材料130b而形成反射型光阻130。形成的反射型光阻130如图1所描述，因此不再详细说明。
120.热处理310的操作条件可依照所选的光阻材料不同而调整。在一些实施例中，热处理310可在约摄氏200度至约摄氏250度的范围之间。在一些实施例中，热处理310的操作时间在约10分钟至约40分钟的范围之间。
121.请参照图4，图4为依据本公开案另一些实施例示出发光装置400的截面图。图4的发光装置400大致上相似于图1的发光装置100。在如图4所示的实施例中，发光装置400包括图1的结构(例如，基板110、led120及反射型光阻130)、粘着层410和工作件420，其中粘着层
410和工作件420设置在led120和反射型光阻130上。粘着层410可包括光学胶(optical clear adhesive,oca)，其通过涂布等方式配置于工作件420与反射型光阻130之间。
122.工作件420可为单层或是多层结构。工作件420可包括保护层、覆盖板(cover glass)、粘着层(例如光学胶)、偏光层、相位差板、金属层、任何合适的元件、或上述的组合。举例来说，偏光层可包含金属线栅结构(wire grid polarizer,wgp)。具体而言，偏光层的金属线栅结构可以是由多个实质上平行且具有间隙的金属线形成。偏光层的金属线栅结构可使单一偏振态(例如p极化)的光束穿过，并使另一偏振态(例如s极化)的光束反射。可依据产品设计的需求调整工作件420可具有的作用。
123.请参照图5，图5为依据本公开案另一些实施例示出发光装置500的截面图。图5相似于图4，差异仅在于原本图4的粘着层410省略，而使反射型光阻130和工作件420之间存在空气510。在如图5所示的实施例中，发光装置500包括图1的结构(例如，基板110、led120及反射型光阻130)、空气510和工作件420，其中工作件420设置在led120和反射型光阻130上，而空气510介在反射型光阻130和工作件420之间。
124.值得一提的是，图5的完整结构仍包括粘着层(未绘出)，例如此粘着层仅设置于发光装置500的边缘区(未绘出)，因此反射型光阻130与工作件420的中央区(如图5所示的结构)之间是存在气体，例如空气510。换言之，反射型光阻130上方实质上为口字贴合(air bond)。
125.请参照图6，图6为依据本公开案另一些实施例示出发光装置600的截面图。图6的发光装置600大致上相似于图1的发光装置100。在如图6所示的实施例中，发光装置600包括图1的结构(例如，基板110、led120及反射型光阻130)和第一光学功能层610，其中第一光学功能层610设置在led120和反射型光阻130上。
126.第一光学功能层610可包括吸光层，其中吸光层所用的材料可足以使吸光层的光吸收率大于90％。在一些实施例中，吸光层的材料可包含钼氧化物、钽或其组合，以形成黑化材料。
127.当第一光学功能层610具有吸光层时，第一光学功能层610介于相邻的led120之间以隔开led120，并且在一些实施例中，第一光学功能层610围绕在led120的周围。除此之外，第一光学功能层610的顶表面(例如第四表面s4)可等高或高于led120的顶表面(例如第三表面s3)以防混光现象的发生，借此可使产品的对比度有所提升。
128.请参照图7，图7为依据本公开案另一些实施例示出发光装置700的截面图。图7相似于图6，差异仅使用不同作用的第二光学功能层710。第二光学功能层710可包括反射层用以反射光，其中反射层可为单层或多层结构，并且反射层可包括金属(例如，钛)、合金、或其他合适的反射材质。在一些实施例中，第二光学功能层710以镜面反射来反射光。
129.当第二光学功能层710具有反射层时，第二光学功能层710介于相邻的led120之间以隔开led120，并且在一些实施例中，第二光学功能层710设置于led120的侧表面w上。除此之外，第二光学功能层710和反射型光阻130共同具有一第五高度h5，第五高度h5大于led120的发光层206的第二高度h2以反射并集中光线，借此提升出光效率。
130.图8和图9为依据本公开案另一些实施例示出发光装置800和发光装置900的截面图。在图8的实施例中，工作件420、粘着层410和光学功能层(以图7具有反射层的第二光学功能层710为例)可设置在图1的结构上(例如，基板110、led120及反射型光阻130上)以形成
发光装置800。类似地，在图9的实施例中，以口字贴合的方式将工作件420和光学功能层(以图7具有反射层的第二光学功能层710为例)设置在图1的结构上(例如，基板110、led120及反射型光阻130上)以形成发光装置900。发光装置800和发光装置900仅作为例子，故本公开案不限于此。可根据产品设计的不同需求来选择对应的光学功能层及工作件，并且可使用粘着层或是以形成气粘结的方式来制成发光装置。
131.请参照图10为依据本公开案一些实施例示出具有色转换层1010的发光装置1000的截面图。发光装置1000包括图1的结构(例如，基板110、led120及反射型光阻130)、色转换层1010和第三光学功能层1020，其中色转换层1010和第三光学功能层1020设置于反射型光阻130和led120上，并且色转换层1010设置在第三光学功能层1020中。在如图10所示的实施例中，色转换层1010可包括至少三个色转换单元1010r、1010g及1010b为范例，但本公开案不限于此。色转换单元1010r、1010g及1010b可一对一地对应于一个led120，但不限于此。
132.色转换单元1010r、1010g及1010b可具有单层或多层结构的光致发光(photoluminescence,pl)材料，且光致发光材料可包含荧光(phosphor)材料、量子点(quantum dot,qd)材料、钙钛矿(perovskite)材料、或其它合适的光致发光材料。在一些实施例中，色转换单元1010r、1010g及1010b可具有散射粒子，借此调整经过色转换单元1010r、1010g或1010b的光线性质(例如，波形)。
133.在一些实施例中，色转换单元1010r可包括例如产生红光波长的量子点材料，色转换单元1010g可包括例如产生绿光波长的量子点材料，色转换单元1010b可包括例如透明光阻或透明平坦层，其中色转换单元1010b可以不需掺杂任何量子点材料，但本公开案不以此为限。在一些实施例中，色转换单元1010b可包括散射粒子。在led120所发出的光线颜色为蓝光的实施例中，色转换单元1010r可将蓝光的波长转换为红光的波长，色转换单元1010g可将蓝光的波长转换为绿光的波长，而颜色转换单元1010b可使光线直接穿透。因此，穿透色转换单元1010r、1010g及1010b的光分别为红光、绿光及蓝光。在一些其他实施例中，若色转换单元1010b可包括产生包含蓝色量子点材料，则led120所发出的光线可为紫外光，而其余的色转换单元(例如色转换单元1010r或色转换单元1010g)亦可将紫外光的波长转换为所对应颜色(例如红光或绿光)的波长。
134.第三光学功能层1020可包括挡墙结构1022，配置于相邻的色转换单元1010r、1010g或1010b之间，用以隔开各个色转换单元1010r、1010g或1010b。在一些实施例中，挡墙结构1022可提供反射光或进一步地散射光的作用，借此反射并集中光线，从而提升出光效率。在一些实施例中，挡墙结构1022的材料实质上相同于反射型光阻130的材料。
135.如图10所示，色转换层1010设置于第三光学功能层1020。详细而言，色转换层1010设置于第三光学功能层1020的挡墙结构1022之中。在一些实施例中，色转换层1010设置于第三光学功能层1020的挡墙结构1022之中的方式可包括形成色转换层1010在对应的led120之上、填入挡墙结构材料(未绘出)、并且此固化挡墙结构材料以形成挡墙结构1022。在一些其他的实施例中，色转换层1010设置于第三光学功能层1020的挡墙结构1022之中的方式可包括形成挡墙结构材料(未绘出)在led120和反射型光阻130上、图案化挡墙结构材料以形成孔洞(未绘出)在led120上并暴露出led120、并且形成色转换层在此孔洞中。
136.第三光学功能层1020还可包括吸光层1024，吸光层1024可设置于挡墙结构1022之上。吸光层1024实质上相同于图6中所述的第一光学功能层610的吸光层的作用。吸光层
1024的顶表面(例如第五表面s5)可等高或高于色转换层1010的顶表面(例如第六表面s6)以防混光现象的发生，借此可使产品的对比度有所提升。
137.请参照图11为依据本公开案另一些实施例示出具有色转换层1010的发光装置1100的截面图。发光装置1100包括图1的结构(例如，基板110、led120及反射型光阻130)、色转换层1010和第四光学功能层1120，其中色转换层1010和第四光学功能层1120设置于反射型光阻130和led120上，并且色转换层1010设置在第四光学功能层1120中。
138.第四光学功能层1120可包括吸光层1122，吸光层1122可设置于反射型光阻130之上。吸光层1122实质上相同于图6中所述的第一光学功能层610的吸光层的作用。吸光层1122的顶表面(例如第七表面s7)可等高或高于色转换层1010的顶表面(例如第六表面s6)，以避免应通过特定色转换单元的光(例如应射入色转换单元1010r的光)朝向其它色转换单元(例如色转换单元1010g及/或1010b)。因此，吸光层1122可防混光现象的发生，从而提升产品的对比度。
139.第四光学功能层1120还可包括反射层1124，反射层1124分别设置于色转换单元1010r、1010g及1010b的至少一侧边，可避免入射至色转换单元1010r、1010g及1010b的侧边的光线(例如led120发出的光线及/或转换出的光线(红光、绿光及/或蓝光等)被吸收而使出光量降低，借此进一步提升出光效率。
140.综合以上，本公开案提供各种实施例来描述具有反射型光阻的发光装置与其制造方法。通过填充的方式，将反射型光阻材料填入led之间的空间和led的接触件之间的空间内，从而在led的周围和底部形成反射型光阻。当led发出的光朝外行进时，围绕在led周围和底部的反射型光阻可将光线反射回led内部，借此减少led的光损并降低led之间的混光现象，以提升光源的出光效率。
141.以上概略说明了本公开案数个实施例的特征，使所属技术领域内技术人员对于本公开案可更为容易理解。任何所属技术领域内技术人员应了解到本说明书可轻易作为其他结构或工艺的变更或设计基础，以进行相同于本公开案实施例的目的及/或获得相同的优点。任何所属技术领域内技术人员亦可理解与上述等同的结构并未脱离本公开案的构思及保护范围内，且可在不脱离本公开案的构思及范围内，可作变动、替代与修改。