显示面板、显示面板的制备方法及显示终端与流程

1.本技术涉及背光显示领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示终端。


背景技术：

2.oled显示面板结构包括透明阳极层，发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(ir-drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了oled显示终端的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极，与较薄的金属阴极相连。通常采用在辅助电极的上方形成连接垫的方式形成底切结构，实现金属阴极与辅助电极的搭接，但采用这种方式制作的显示面板，需要先制作出连接垫，所需要的光罩制程较多。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提供一种能够降低电压降且能够减少一道光罩制程的显示面板、显示面板的制备方法以及显示终端。
4.为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：
5.第一方面，本技术提供一种显示面板，包括第一区域及第二区域，所述显示面板上还开设有至少一开槽，所述开槽位于第一区域内；所述显示面板还包括：
6.驱动基板，包括第一辅助电极，部分所述第一辅助电极从所述开槽内裸露出来；及
7.发光器件层，包括形成在所述驱动基板上的金属层、发光层及阴极；所述金属层包括位于第二区域内的阳极及位于第一区域内的第二辅助电极；发光层形成在所述阳极上，所述阴极形成在所述发光层上；所述第二辅助电极包括形成在所述第一辅助电极上的第一电极层及形成在所述第一电极层上的第二电极层；
8.所述第二电极层的一端凸出于第一电极层的一端，以在所述第二辅助电极的端部形成第一底切结构，所述阴极在所述第一底切结构处断开且与所述第一辅助电极及/或第二辅助电极电连接。
9.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层的侧向刻蚀程度大于所述第二电极层的侧向刻蚀程度。
10.在本技术一可选实施例中，在同一刻蚀液中，所述第一电极层的耐刻蚀性能小于所述第二电极层的耐刻蚀性能。
11.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层的反射率大于所述第二电极层的反射率。
12.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层的材质为铝合金、银合金及钼合金中的至少一种；所述第二电极层的材质为氧化钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓中的至少一种。
13.在本技术一可选实施例中，所述驱动基板还包括源极及漏极，所述源极及所述漏极与所述第一辅助电极同层设置且材质相同；所述阳极包括：
14.形成在所述驱动基板上的第三电极层，所述第三电极层与所述第一电极层同层设置且为材质相同；及
15.形成在所述第三电极层上的第四电极层，所述第四电极层与所述第二电极层同层设置且材质相同，所述第三电极层及所述第四电极层构成所述阳极，所述阳极与所述漏极电连接。
16.在本技术一可选实施例中，所述第四电极层的两端凸出于所述第三电极层的两端。
17.在本技术一可选实施例中，所述驱动基板包括保护层及形成在保护层上的像素定义层，所述保护层在所述第一区域上具有至少一第一开口，所述第一辅助电极从所述第一开口内裸露出来，所述第二辅助电极部分收容在所述第一开口内；所述像素定义层包括位于所述第二区域的至少一像素开口及位于所述第一区域的至少一第二开口，部分所述第四电极层从所述像素开口内裸露出来，所述第二开口与所述第一开口一一对应设置，所述第一开口及与之相对的第二开口构成所述开槽，所述发光层位于所述像素开口内。
18.在本技术一可选实施例中，所述阴极形成在所述公共层上且在所述底切结构处断开以形成第一阴极部及第二阴极部，所述第二阴极部通过所述第二辅助电极与所述第一阴极部间隔设置；所述第一阴极部的一部分位于所述第二区域内，所述第一阴极的另一部分位于所述第一区域内，所述第二阴极部位于所述第一区域内。
19.第二方面，本技术提供一种如上所述的显示面板的制备方法，包括：
20.提供一驱动基板，所述驱动基板包括第一辅助电极、漏极及具有至少一第一开口及第一过孔的保护层，部分所述第一辅助电极从所述第一开口内裸露出来，所述漏极从所述第一过孔内裸露出来；
21.在所述驱动基板上形成第一金属层，部分所述第一金属层分别与所述第一辅助电极及所述漏极电接触；
22.在所述第一金属层上形成第二金属层；
23.通过一个光罩制程图案化所述第二金属层及所述第一金属层，所述第一金属层被图案化为第一电极层，所述第二金属层被图案化为第二电极层，形成在所述第一辅助电极上的所述第一电极层及第二电极层为第二辅助电极，与所述漏极电连接的为阳极；所述第一辅助电极的第二电极层的一端凸出于所述第一辅助电极的第一电极层的一端，以在所述第二辅助电极的端部形成第一底切结构；
24.在所述第二电极层上形成像素定义层，所述像素定义层包括至少一像素开口及至少一第二开口，部分所述阳极从所述像素开口内裸露出来，部分所述第二辅助电极及部分所述第一辅助电极从所述第二开口内裸露出来；
25.在所述像素定义层上形成发光层；及
26.在所述发光层上形成阴极，所述阴极在所述底切结构处断开且与所述第一辅助电极及/或第二辅助电极电连接。
27.在本技术一可选实施例中，步骤“通过一个光罩制程图案化所述第二金属层及所述第一金属层”包括：以图案化后的光刻胶作为光罩并通过干法刻蚀工艺蚀刻所述第二金属层；及通过湿法刻蚀工艺蚀刻所述第一金属层；及去除所述光刻胶。
28.在本技术一可选实施例中，步骤“在所述像素定义层上形成发光层”包括：
29.在所述像素开口内形成第一发光层，所述第一发光层与所述第四电极层接触且用于发出有颜色的光；及
30.在所述第一开口、第二开口及所述像素定义层的内壁、所述第二辅助电极及所述像素定义层的背离所述驱动基板的表面上形成公共层。
31.第三方面，本技术提供一种显示终端，包括如上所述的显示面板及主体部，所述显示面板固定在所述主体部上。
32.本技术提供的显示面板、显示面板的制备方法及显示终端，采用两种不同的金属层(第一金属层和第二金属层)通过同一个光罩制程制作成第二辅助电极和阳极，并使得第二辅助电极形成在第一辅助电极上方，通过控制第一金属层和第二金属层的侧向刻蚀程度，以使得形成在第一辅助电极上的第一金属层的侧向刻蚀程度大于形成在第一金属层上的第二金属层的侧向刻蚀程度，从而能够在第二辅助电极的两端形成底切结构，以利于阴极与第一辅助电极或与阳极同层设置的第二辅助电极形成搭接，第二金属层充当底切结构的支撑层。采用这种方法，可以不形成连接垫即可形成底切结构，不仅能够减少大尺寸显示面板的电压降，还可以减少形成连接垫所需要的一道光罩制程，降低了生产成本。
附图说明
33.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
34.图1为本技术较佳实施例提供的一种显示终端的剖视图。
35.图2为图1所示的显示面板的剖视图。
36.图3为图2所示的显示面板的制备方法流程图。
37.图4为本技术提供的驱动基板的剖视图。
38.图5为在图4所示的驱动背板上形成第一金属层和第二金属层后的剖视图。
39.图6为通过光刻工艺图案化所述第二金属层，得到第二电极层和第四电极层后的剖视图。
40.图7为去除图6中的图案化的光刻胶并通过湿法刻蚀工艺图案化所述第一金属层，得到第一电极层和第三电极层后的剖视图。
41.图8为在所述第二电极层和第四电极层上形成像素定义层后的剖视图。
42.图9为在所述像素定义层上形成发光层后的剖视图。
具体实施方式
43.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
44.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示
所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。
45.本技术可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
46.以下将结合具体实施例及附图对本技术提供的背光模组、背光模组的制备方法及显示终端进行详细描述。
47.请参阅图1，本技术提供一种显示终端1000，所述显示终端1000包括显示面板1100及主体部1200，所述显示面板1100固定在所述主体部1200上。
48.其中，所述显示面板1100为有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板或有源矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，amoled)显示面板等。
49.其中，所述显示面板1100可以直接显示，也可以用作背光显示模组中的背光源。
50.请参阅图2，所述显示面板1100包括第一区域101及第二区域102，所述显示面板1100上还开设有至少一开槽30，所述开槽30位于第一区域101内。在本实施例中，所述第一区域101为非显示区域，所述第二区域102为显示区域。
51.所述显示面板1100还包括驱动基板100及形成在所述驱动基板100上的发光器件层200。所述驱动基板100包括第一辅助电极141，部分所述第一辅助电极141从所述开槽30内裸露出来。
52.所述发光器件层200包括金属层26、形成在所述金属层26上的第一发光层281及形成在所述第一发光层281上的阴极29；所述金属层26包括位于第二区域102内的阳极25及位于第一区域101内的第二辅助电极24；所述第二辅助电极24包括形成在所述第一辅助电极141上的第一电极层241及形成在所述第一电极层241上的第二电极层242；所述第二电极层242的一端凸出于第一电极层241的一端，以在所述第二辅助电极24的端部形成第一底切结构243，所述阴极29在所述第一底切结构243处断开，所述阴极29可以与所述第一辅助电极141电连接，也可以与所述第二辅助电极24电连接，还可以同时与所述第一辅助电极141及第二辅助电极24电连接。
53.由于工艺原因，所述第二电极层242的另一端凸出于第一电极层241的另一端，以在所述第二辅助电极24的端部形成第二底切结构244，所述第二底切结构244位于所述阳极25与所述第一底切结构243之间。
54.具体地，在本实施例中，所述驱动基板100还包括衬底10、形成在衬底10上的遮光层11及形成在所述衬底10上切包覆所述遮光层11的缓冲层12、形成在所述缓冲层12的驱动电路层13及形成在所述驱动电路层13上的保护层15。所述驱动电路层13位于第二区域102内且包括形成在所述缓冲层12上的有源层131、形成在所述有源层131上的栅极绝缘层132、形成在所述栅极绝缘层132上的栅极133、形成在所述栅极133上的层间绝缘层134及形成在所述层间绝缘层134上的源极1351及漏极1352，所述源极1351及所述漏极1352正对所述有源层131且分别与所述有源层131电连接，所述漏极1352还与所述遮光层11电连接。
55.在其他实施例中，所述驱动电路层13的具体结构并不局限于上述结构，可以根据具体情况进行设计。
56.其中，所述源极1351及所述漏极1352与所述第一辅助电极141同层设置且材质相同。
57.其中，所述保护层15可以是钝化层或平坦层，也可以是钝化层和平坦层组成的复合膜层。在本实施例中，所述保护层15包括钝化层151及平坦层152。所述钝化层151形成在所述层间绝缘层134上且包覆所述源极1351、所述漏极1352及所述第一辅助电极141。
58.其中，所述保护层15上开设有至少一位于所述第一区域101内的第一开口17及至少一位于所述第二区域102内的过孔18，部分所述第一辅助电极141从所述第一开口17内裸露出来，部分所述漏极1352从所述过孔18内裸露出来。具体地，所述第一开口17及所述过孔18均贯穿所述保护层15。
59.在本技术一可选实施例中，所述平坦层152的厚度为1.0-6.0微米。
60.其中，所述第二辅助电极24具有第一端245及与所述第一端245相背设置的第二端246，所述第一底切结构243位于所述第一端245，所述第二底切结构244位于所述第二端246。所述第二端246位于所述第一端245与所述阳极25之间。
61.其中，所述第二辅助电极24的所述第一电极层241具有导电和反射特性，所述第二电极层242具有半导体特性。
62.在本技术一可选实施例中，当所述第一电极层241采用干法刻蚀制作得到且所述第二电极层242采用湿法刻蚀制作得到时，所述第一电极层241的侧向刻蚀程度大于所述第二电极层242的侧向刻蚀程度，从而能够在第二辅助电极24的两端形成第一底切结构。
63.在本技术一可选实施例中，在同一种刻蚀液中，所述第一电极层241的耐刻蚀性能小于所述第二电极层242的耐刻蚀性能，从而当所述第一电极层241和所述第二电极层242均采用湿法刻蚀制作得到时，所述第一电极层241的侧向刻蚀程度大于所述第二电极层242的侧向刻蚀程度，从而能够在第二辅助电极24的两端形成第一底切结构243，以便于在所述第二辅助电极24的两端形成底切结构。
64.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层241的反射率大于所述第二电极层242的反射率。
65.其中，所述第一电极层241的材质为铝合金、银合金、钼合金等反射率较高的合金中的至少一种；所述第二电极层242的材质为氧化钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓等透明半导体氧化物中的一种或多种构成的单层或混合膜层。在本实施例中，所述第一电极层241的材质为铝合金，所述第二电极层242的材质为氧化钨。所述第一电极层241用于与所述驱动电路层13的所述漏极1352电连接且能够反射所述第一发光层281发出的光，以提高所述发光器件层200的光线利用率。
66.其中，所述阳极25形成在所述保护层15上，具体地，在本实施例中，所述阳极25形成在位于所述第二区域102内的所述平坦层152上。由于所述第二辅助电极24形成在所述第一开口17内，因此，所述阳极25与所述第二辅助电极24之间具有断差。
67.其中，所述阳极25包括形成在所述驱动基板100(即保护层15)上的第三电极层251及形成在所述第三电极层251上的第四电极层252，所述第三电极层251与所述第一电极层241同层设置且为材质相同，所述第四电极层252与所述第二电极层242同层设置且材质相
同。部分所述第三电极层251还形成在所述过孔18的内壁上且与所述漏极1352电接触，部分所述第四电极层252还形成在位于所述过孔18内的所述第三电极层251上且填充满所述过孔18。也即，所述阳极25直接与所述漏极1352电连接，而不需要如现有技术中一样预先在所述漏极1352上形成连接垫，再将阳极与连接垫连接，从而能够减少一道制备所述连接垫的光罩制程。
68.由于所述阳极25与所述第二辅助电极24是同层设置且材质相同，因此，所述阳极25的第四电极层252的两端凸出于所述第三电极层251的两端，以在所述阳极25的两端也形成第三底切结构253和第四底切结构254。
69.其中，所述像素定义层27形成在所述保护层15上，所述像素定义层包括至少一像素开口272及至少一第二开口271，部分所述第四电极层252从所述像素开口272内裸露出来，所述第二开口271与所述第一开口17一一对应设置，所述第一开口17及与之相对的第二开口271构成所述开槽30。部分所述像素定义层27覆盖部分所述第二电极层242，部分所述像素定义层27填充在所述第二底切结构244、第三底切结构253及第四底切结构254的腔体内。也即，只有所述第一底切结构243的腔体是空的，才有利于所述阴极29在所述第一底切结构243处断开。
70.其中，所述第一发光层281设置在所述像素开口272内且与所述第四电极层252接触。所述发光器件层200还包括公共层282，所述公共层282形成在所述像素开口272的内壁、所述第一发光层281、所述开槽30的未被所述第二电极层242覆盖的内壁及所述像素定义层27的背离所述驱动基板100的表面上，所述公共层282在所述第一底切结构243处断开。其中，所述第一发光层281用于发光，所述公共层282为发光功能层，例如：可以是电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层等中的至少一个。当然，所述第一发光层281和所述第四电极层252之间还设置有空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层等。所述第一发光层281及公共层282构成发光层28。
71.其中，所述阴极29形成在所述公共层282上且在所述第一底切结构243处断开，以形成第一阴极部291及第二阴极部292。所述第二阴极部292通过所述第二辅助电极24与所述第一阴极部291间隔设置；所述第二阴极部292可以与所述第一辅助电极141电连接，也可以与所述第二辅助电极24电连接，还可以同时与所述第一辅助电极141及第二辅助电极24电连接。所述第一阴极部291的一部分位于所述第二区域102内，所述第一阴极部291的另一部分位于所述第一区域101内，所述第二阴极部292位于所述第一区域101内。
72.具体地，所述第一阴极部291形成在所述第二辅助电极24的所述第二电极层242及位于所述第二端246向所述阳极25延伸的延伸方向d1上的所述公共层282上，所述第二阴极部292形成在位于所述开槽30内的部分所述公共层282上，所述第二阴极部292位于所述第一底切结构243一侧。所述第二阴极部292可以与所述第一辅助电极141电连接，也可以与所述第一电极层241电连接，还可以同时与所述第一辅助电极141及所述第一电极层241电连接。在本实施例中，所述第二阴极部292同时与所述第一辅助电极141及第二辅助电极24电连接。
73.在本技术一可选实施例中，所述第二阴极部292及所述第二电极层242分别在所述第一辅助电极141上的投影至少部分重叠。
74.在本技术一可选实施例中，所述第二阴极部292及所述第二电极层242分别在所述
第一辅助电极141上的投影也可以不重叠。
75.请参阅图3-图9及图2，本技术还提供一种显示面板1100的制备方法，包括：
76.步骤s1，请参阅图3及图4，提供一驱动基板100，所述驱动基板100包括第一辅助电极141、漏极1352及具有至少一第一开口17及第一过孔18的保护层15，部分所述第一辅助电极141从所述第一开口17内裸露出来，所述漏极1352从所述第一过孔18内裸露出来。
77.具体地，在本实施例中，所述驱动基板100还包括衬底10、形成在衬底10上的遮光层11及形成在所述衬底10上且包覆所述遮光层11的缓冲层12、形成在所述缓冲层12的驱动电路层13及形成在所述驱动电路层13上的保护层15。所述驱动电路层13位于第二区域102内且包括形成在所述缓冲层12上的有源层131、形成在所述有源层131上的栅极绝缘层132、形成在所述栅极绝缘层132上的栅极133、形成在所述栅极133上的层间绝缘层134及形成在所述层间绝缘层134上的源极1351及漏极1352，所述源极1351及所述漏极1352正对所述有源层131且分别与所述有源层131电连接，所述漏极1352还与所述遮光层11电连接。
78.在其他实施例中，所述驱动电路层13的具体结构并不局限于上述结构，可以根据具体情况进行设计。
79.其中，所述源极1351及所述漏极1352与所述第一辅助电极141同层设置且材质相同。
80.其中，所述保护层15可以是钝化层或平坦层，也可以是钝化层和平坦层组成的复合膜层。在本实施例中，所述保护层15包括钝化层151及平坦层152。所述钝化层151形成在所述层间绝缘层134上且包覆所述源极1351、所述漏极1352及所述第一辅助电极141。
81.具体地，所述第一开口17及所述过孔18均贯穿所述保护层15。
82.在本技术一可选实施例中，所述平坦层152的厚度为1.0-6.0微米。
83.步骤s2，请参阅图3及图5，在所述驱动基板100上形成第一金属层21，部分所述第一金属层21分别与所述第一辅助电极141及所述漏极1352电接触。
84.具体地，所述第一金属层21形成在所述保护层15(平坦层152)上。
85.步骤s3，请参阅图3及图5，在所述第一金属层21上形成第二金属层22。
86.步骤s4，请参阅图3、图6及图7，通过一个光罩制程图案化所述第二金属层22及所述第一金属层21，所述第一金属层21被图案化为第一电极层241和第三电极层251，所述第二金属层22被图案化为第二电极层242和第四电极层252，所述第一电极层241和所述第二电极层242形成第二辅助电极24，所述第三电极层251及所述第四电极层252形成阳极25；所述第二辅助电极24的第二电极层242的一端凸出于所述第一电极层241的一端，以在所述第二辅助电极24的端部形成第一底切结构243。
87.在本技术一可选实施例中，所述第二电极层242的另一端凸出于第一电极层241的另一端，以在所述第二辅助电极24的端部形成第二底切结构244，所述第二底切结构244位于所述阳极25与所述第一底切结构243之间。
88.在本实施例中，步骤“过一个光罩制程图案化所述第二金属层22及所述第一金属层21”包括：以图案化后的光刻胶23作为光罩并通过干法刻蚀工艺图案化所述第二金属层22；通过湿法刻蚀工艺图案化所述第一金属层21；及去除所述光刻胶23。其中，通过干法刻蚀并配合湿法刻蚀图案化所述第二金属层22及所述第一金属层21，由于湿法刻蚀的工艺特性，所述第一金属层21会发生侧向刻蚀，从而能够使得所述第二辅助电极24的第二电极层
242的一端凸出于所述第一电极层241的一端，以在所述第二辅助电极24的端部形成第一底切结构243。
89.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层241的耐刻蚀性能小于所述第二电极层242的耐刻蚀性能，以便于在所述第二辅助电极24的两端形成底切结构。相应地，可以根据所述第一金属层21和第二金属层22的材料特性，选择通过湿法刻蚀工艺图案化所述第一金属层21及第二金属层22。
90.其中，所述阳极25与所述第二辅助电极24之间具有断差。
91.其中，所述第二辅助电极24的所述第一电极层241具有导电和反射特性，所述第二电极层242具有半导体特性。
92.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层241的反射率大于所述第二电极层242的反射率。
93.其中，所述第一电极层241的材质为铝合金、银合金、钼合金等反射率较高的合金中的至少一种；所述第二电极层242的材质为氧化钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓等透明半导体氧化物中的一种或多种构成的单层或混合膜层。在本实施例中，所述第一电极层241的材质为铝合金，所述第二电极层242的材质为氧化钨。
94.部分所述第三电极层251还形成在所述过孔18的内壁上且与所述漏极1352电接触，部分所述第四电极层252还形成在位于所述过孔18内的所述第三电极层251上且填充满所述过孔18。也即，所述阳极25直接与所述漏极1352，而不需要预先在所述漏极1352上形成连接垫，再将阳极与连接垫连接，从而能够减少一道制备所述连接垫的光罩制程。
95.步骤s5，请参阅图3及图8，在所述第二电极层242及所述阳极25上形成像素定义层27，所述像素定义层27包括至少一像素开口272及至少一第二开口271，部分所述阳极25从所述像素开口272内裸露出来，部分所述第二辅助电极24及部分所述第一辅助电极141从所述第二开口271内裸露出来。
96.其中，所述第一开口17及所述第二开口271一一对应且连通且形成开槽30。
97.部分所述像素定义层27覆盖部分所述第二电极层242，部分所述像素定义层27填充在所述第二底切结构244、第三底切结构253及第四底切结构254的腔体内。也即，只有所述第一底切结构243的腔体是空的，才有利于所述阴极29在所述第一底切结构243处断开。
98.步骤s6，请参阅图3及图9，在所述像素定义层27的所述像素开口272内形成发光层28。
99.其中，所述发光层28包括第一发光层281及形成在第一发光层281上的公共层282，所述第一发光层281与所述第四电极层252接触。
100.具体地，公共层282形成在所述像素开口272的内壁、所述第一发光层281、所述开槽30的未被所述第二电极层242覆盖的内壁及所述像素定义层27的背离所述驱动基板100的表面上。
101.其中，所述公共层282在所述第一底切结构243处断开。所述第一发光层281用于发光，所述公共层282为发光功能层，例如：电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层等中的至少一个。当然，所述第一发光层281和所述第四电极层252之间还设置有空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层等中的至少一个。
102.步骤s7，请参阅图3及图2，在所述发光层28上形成阴极29，所述阴极29在所述第一
底切结构243处与所述第一辅助电极141及/或第二辅助电极24电连接。
103.具体地，所述阴极29形成在所述公共层282上且在所述第一底切结构243处断开，以形成第一阴极部291及第二阴极部292。所述第二阴极部292通过所述第二辅助电极24与所述第一阴极部291间隔设置；所述第二阴极部292可以与所述第一辅助电极141电连接，也可以与所述第一电极层241电连接，还可以与所述第一辅助电极141及所述第一电极层241电连接。一部分所述第一阴极部291位于所述第二区域102内，另一部分位于所述第一区域101内，所述第二阴极部292位于所述第一区域101内。
104.具体地，所述第一阴极部291形成在所述第二辅助电极24的所述第二电极层242及位于所述第二端246向所述阳极25延伸的延伸方向d1上的所述公共层282上，所述第二阴极部292形成在位于所述开槽30内的部分所述公共层282上，所述第二阴极部292位于所述第一底切结构243一侧。所述第二阴极部292可以与所述第一辅助电极141电连接，也可以与所述第一电极层241电连接，还可以与所述第一辅助电极141及所述第一电极层241电连接。
105.在本技术一可选实施例中，所述第二阴极部292及所述第二电极层242分别在所述第一辅助电极141上的投影至少部分重叠。
106.在本技术一可选实施例中，所述第二阴极部292及所述第二电极层242分别在所述第一辅助电极141上的投影也可以不重叠。
107.本技术提供的显示面板、显示面板的制备方法及显示终端，采用两种不同的金属层(第一金属层和第二金属层)通过同一个光罩制程制作成第二辅助电极和阳极，并使得第二辅助电极形成在第一辅助电极上方，通过控制第一金属层和第二金属层的侧向刻蚀程度，以使得形成在第一辅助电极上的第一金属层的侧向刻蚀程度大于形成在第一金属层上的第二金属层的侧向刻蚀程度，从而能够在第二辅助电极的两端形成底切结构，以利于阴极与第一辅助电极或与阳极同层设置的第二辅助电极形成搭接，第二金属层充当底切结构的支撑层。采用这种方法，可以不形成连接垫即可形成底切结构，不仅能够减少大尺寸显示面板的电压降，还可以减少形成连接垫所需要的一道光罩制程，降低了生产成本。
108.综上所述，虽然本技术已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为准。