半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、将氮化物半导体作为材料的晶体管具有所谓的hemt(high electron mobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)构造，其多是耗尽型。因此，优选对功率控制用半导体装置使用串联连接了氮化物半导体晶体管和增强型晶体管的电路结构。

技术实现思路

1、实施方式提供提高了安全性的半导体装置。

2、实施方式涉及的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子、电源端子以及密封构件。所述第1晶体管设置在所述基板上，具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接，经由第2导电型的反型层(inversion layer)而进行工作，所述第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间，构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。所述密封构件将所述第1晶体管、所述第2晶体管以及所述栅极控制电路密封在所述基板上。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，

6.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，

7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，

技术总结
实施方式提供提高了安全性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上，具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接，经由第2导电型的反型层进行工作，该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间，构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。

技术研发人员：杉山亨
受保护的技术使用者：株式会社 东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15