半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统与流程

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统。

背景技术：

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。

2、光刻工艺是dram制程过程中的一道重要的工艺方法，该方法通常需要在待蚀刻的半导体结构表面形成光阻层，但是，形成的光阻层的边缘部分易出现凸起，凸起干燥后易脱落，进而对后续工艺的设备造成污染，设备维护成本较高。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供了一种半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统，可降低设备的维护成本，提高产品良率。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的处理方法，包括：

3、提供半导体衬底；

4、在所述半导体衬底上形成光阻层，所述光阻层包括邻接分布的边缘区域和中间区域，所述边缘区域包括凸起；

5、检测所述凸起的位置信息，并根据所述位置信息确定目标蚀刻区域，所述凸起位于所述目标蚀刻区域内；

6、蚀刻位于所述目标蚀刻区域内的所述光阻层。

7、在本公开的一种示例性实施例中，所述检测所述凸起的位置信息，并根据所述位置信息确定目标蚀刻区域，所述凸起位于所述目标蚀刻区域内，包括：

8、检测所述凸起靠近所述中间区域的边界；

9、将所述凸起靠近所述中间区域的边界和所述边缘区域远离所述中间区域的边界围成的区域确定为目标蚀刻区域。

10、在本公开的一种示例性实施例中，所述检测所述凸起靠近所述中间区域的边界，包括：

11、根据检测电路的检测探头的实际位置与所述实际位置对应的所述光阻层的厚度生成变化曲线；

12、根据所述变化曲线确定所述凸起靠近所述中间区域的边界。

13、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述变化曲线确定所述凸起靠近所述中间区域的边界，包括：

14、将所述变化曲线中经过峰值后的平坦化区域的起始位置作为所述凸起靠近所述中间区域的边界。

15、在本公开的一种示例性实施例中，所述蚀刻位于所述目标蚀刻区域内的所述光阻层，包括：

16、采用等离子体蚀刻工艺蚀刻位于所述目标蚀刻区域内的所述光阻层。

17、在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述半导体衬底上形成光阻层包括：

18、对所述半导体衬底的表面进行预处理，以提高所述半导体衬底的粘接性；

19、采用旋涂工艺在所述半导体衬底上形成光阻层。

20、在本公开的一种示例性实施例中，所述处理方法还包括：

21、去除位于所述半导体衬底的侧壁及背面的所述光阻层的材料。

22、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的处理装置，所述处理装置包括：

23、箱体，包括真空腔室；

24、旋涂机台，设于所述真空腔室内，用于在半导体衬底上形成光阻层，所述光阻层包括邻接分布的边缘区域和中间区域，所述边缘区域包括凸起；

25、位置检测组件，设于所述真空腔室内，用于检测所述凸起的位置信息，并根据所述位置信息确定目标蚀刻区域，所述凸起位于所述目标蚀刻区域内；

26、蚀刻机台，设于所述真空腔室内，并与所述位置检测组件电性连接，所述蚀刻机台用于接收所述位置检测组件确定的所述目标蚀刻区域，并蚀刻位于所述目标蚀刻区域内的所述光阻层。

27、在本公开的一种示例性实施例中，所述旋涂机台包括：

28、转台，用于承载所述半导体衬底，所述转台能带动所述半导体衬底旋转；

29、滴管，设于所述真空腔室内，且其开口与所述转台相对设置，所述滴管用于向所述半导体衬底的表面滴入所述光阻层的材料。

30、在本公开的一种示例性实施例中，所述旋涂机台还包括：

31、第一喷嘴，与所述转台相对设置，用于在向所述半导体衬底的表面滴入所述光阻层的材料之前向所述半导体衬底的表面喷射润湿材料，以提高所述半导体衬底的表面的粘接性。

32、在本公开的一种示例性实施例中，所述位置检测组件位于所述半导体衬底远离所述转台的一侧，并能由所述半导体衬底的外侧经由所述边缘区域向所述中间区域移动。

33、在本公开的一种示例性实施例中，所述位置检测组件包括：

34、检测电路，用于在由所述半导体衬底的外侧经由所述边缘区域向所述中间区域移动的过程中检测所述凸起靠近所述中间区域的边界；

35、区域确定模块，用于根据所述凸起靠近所述中间区域的边界和所述边缘区域远离所述中间区域的边界确定目标蚀刻区域。

36、在本公开的一种示例性实施例中，所述位置检测组件还包括：

37、曲线生成模块，用于根据所述检测电路的检测探头的实际位置与所述实际位置对应的所述光阻层的厚度生成变化曲线；

38、边界确定模块，用于根据所述变化曲线确定所述凸起靠近所述中间区域的边界。

39、在本公开的一种示例性实施例中，所述边界确定模块用于将所述变化曲线中经过峰值后的平坦化区域的起始位置作为所述凸起靠近所述中间区域的边界。

40、在本公开的一种示例性实施例中，所述蚀刻机台包括：

41、承载台，用于承载具有所述光阻层的所述半导体衬底；

42、第二喷嘴，与所述承载台相对设置；

43、控制组件，与所述位置检测组件电性连接，用于接收所述位置检测组件确定的所述目标蚀刻区域，并控制所述第二喷嘴向所述目标蚀刻区域喷射蚀刻气体。

44、在本公开的一种示例性实施例中，所述蚀刻气体包括含氧气体。

45、在本公开的一种示例性实施例中，所述含氧气体包括氧气、一氧化碳或二氧化碳中至少一种。

46、在本公开的一种示例性实施例中，所述蚀刻气体包括氢气和氮气。

47、在本公开的一种示例性实施例中，所述处理装置还包括：

48、气体浓度检测组件，深入至所述真空腔室内，用于检测所述真空腔内的气体浓度，并在所述气体浓度小于预设值时，判断所述目标蚀刻区域的所述光阻层蚀刻完成。

49、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的处理系统，包括上述任意一项所述的半导体结构的处理装置，以及

50、移动装置，用于将所述半导体衬底由所述旋涂机运送至所述蚀刻机。

51、本公开的半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统，可通过检测获得凸起的位置信息，根据凸起的位置信息确定包含凸起的目标蚀刻区域，通过蚀刻的方式将目标蚀刻区域内的所有光阻层全部去除。在此过程中，位于目标蚀刻区域内的凸起可被全部蚀刻掉，可避免在后续工艺中因凸起掉落而污染设备，无需频繁的对设备进行擦拭，可降低设备的维护成本；同时，还可避免凸起掉落在半导体衬底的其他部位，可减少缺陷产生的概率，避免产品报废，进而提高产品良率；此外，采用蚀刻的方式清除凸起不会造成二次隆起，可进一步减少产品中缺陷的来源，提高产品良率。

52、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。