测试键结构及其形成方法与流程

本发明实施例是关于半导体制造技术，特别是关于测试键结构及其形成方法。

背景技术：

1、为了改善半导体装置的合格率，通常会设置测试键结构以便在制造过程中随时监测是否产生缺陷，并可据此调整工艺以提升半导体装置性能。然而，现有的测试键结构及其形成方法仍无法满足既定的需求。

2、半导体装置的工艺繁复且日新月异，有些工艺仍无法被良好地监测，且随着电子产品小型化趋势，测试键结构的尺寸也会持续缩减。因此，必须进一步改善测试键结构及其形成方法，以便在缩减测试键结构尺寸的同时，也能够确切地监测半导体装置的工艺。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中测试键结构的尺寸无法顺应电子产品小型化的趋势的问题，本申请提出以下技术方案：

2、根据本发明的一些实施例提供测试键结构，包含基底、控制栅极、金属栅极、介电结构、源极线和漏极线。控制栅极设置于基底上方且包含相邻的第一区域和第二区域。第一区域具有第一导电类型，第二区域具有第二导电类型，并且第一导电类型与第二导电类型不同。金属栅极设置于控制栅极上方。介电结构埋设于金属栅极中并将金属栅极分成第一部分和第二部分，其中介电结构邻近控制栅极的第一区域和第二区域之间的接面并接触控制栅极。源极线和漏极线分别设置于控制栅极的两侧。

3、根据本发明的一些实施例提供测试键结构，包含基底、第一存储器单元、第二存储器单元和一导电层。第一存储器单元设置于基底上方，包含第一控制栅极、第一金属栅极和第一介电结构。第一控制栅极具有第一pn结。第一金属栅极设置于第一控制栅极上方。第一介电结构设置于第一金属栅极中，位于第一控制栅极的第一pn结上方且接触第一控制栅极。第二存储器单元设置于基底上方，包含第二控制栅极、第二金属栅极和第二介电结构。第二控制栅极具有第二pn结。第二金属栅极设置于第二控制栅极上方。第二介电结构设置于第二金属栅极中，位于第二控制栅极的第二pn结上方且接触第二控制栅极。导电层将第一金属栅极电耦接至第二金属栅极。

4、根据本发明的一些实施例提供测试键结构的形成方法，包含在基底上方形成控制栅极，控制栅极具有第一导电类型；遮蔽控制栅极的第一区域并对控制栅极进行反向掺杂，使控制栅极的第二区域具有第二导电类型，并且第一区域和第二区域形成一pn结；在控制栅极上方形成金属栅极；以及在控制栅极的pn结上方形成开口穿过金属栅极，其中开口至少暴露出控制栅极的第二区域的一部分。

5、本发明实施例提供的测试键结构通过在反向掺杂工艺的边界设置介电结构，可以监控反向掺杂工艺，同时可以缩减进行反向掺杂工艺的范围，进而可以缩减测试键结构的尺寸。

技术特征：

1.一种测试键结构，其特征在于，所述测试键结构包括：

2.如权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，所述介电结构接触所述接面和所述控制栅极的所述第一区域。

3.如权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，所述金属栅极的所述第一部分部分地覆盖所述控制栅极的所述第一区域，并且所述金属栅极的所述第二部分部分地覆盖所述控制栅极的所述第二区域。

4.一种测试键结构，其特征在于，所述测试键结构包括：

5.如权利要求4所述的测试键结构，其特征在于，所述基底具有一阵列区和一周边区，并且所述第一介电结构和所述第二介电结构位于所述周边区上方。

6.如权利要求4所述的测试键结构，其特征在于，所述导电层沿着一第一方向延伸，并且所述第一介电结构和所述第二介电结构大致沿着所述第一方向延伸。

7.如权利要求6所述的测试键结构，其特征在于，所述第一存储器单元还包括：一源极线和一漏极线，分别设置于所述第一控制栅极的两侧且沿着一第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同。

8.如权利要求4所述的测试键结构，其特征在于，所述第一介电结构与所述第二介电结构相连。

9.一种测试键结构的形成方法，其特征在于，所述测试键结构的形成方法包括：

10.如权利要求9所述的测试键结构的形成方法，其特征在于，所述测试键结构的形成方法还包括：在所述控制栅极的两侧形成一源极线和一漏极线，其中不在所述源极线及/或所述漏极线正上方进行所述反向掺杂。

技术总结
本发明提供一种测试键结构及其形成方法，测试键结构包含基底、控制栅极、金属栅极、介电结构、源极线和漏极线。控制栅极设置于基底上方且包含相邻的第一区域和第二区域。第一区域具有第一导电类型，第二区域具有第二导电类型，并且第一导电类型与第二导电类型不同。金属栅极设置于控制栅极上方。介电结构埋设于金属栅极中并将金属栅极分成第一部分和第二部分，其中介电结构邻近控制栅极的第一区域和第二区域之间的接面并接触控制栅极。源极线和漏极线分别设置于控制栅极的两侧。通过在反向掺杂工艺的边界设置介电结构，可以监控反向掺杂工艺，同时可以缩减进行反向掺杂工艺的范围，进而可以缩减测试键结构的尺寸。

技术研发人员：王琮玄
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6