半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。

背景技术：

1、在三维非易失性存储器中，例如在层叠多个导电层而形成的层叠体中以三维的方式配置存储单元。另外，通过将这些多个导电层加工为阶梯状，并分别连接接触部，能够将多个导电层电引出。

技术实现思路

1、本发明要解决的课题在于，提供能够降低与多个导电层连接的接触部的接触电阻的半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。

2、实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其通过将多个第1导电层和多个第1绝缘层一层一层地交替层叠而形成，包括所述多个第1导电层被加工为阶梯状的阶梯部；柱，其在从所述阶梯部在与所述层叠体的层叠方向交叉的第1方向上分离的所述层叠体内沿着所述层叠方向延伸，在与所述多个第1导电层的至少一部分的交叉部分别形成存储单元；以及接触部，其配置于所述阶梯部，与所述多个第1导电层中的一个连接，所述接触部具有从所述阶梯部的上方向所述一个第1导电层延伸且与所述一个第1导电层一体化了的第2导电层。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

7.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，

11.一种半导体存储装置的制造方法，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，

13.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，

14.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置的制造方法，

17.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，

18.根据权利要求17所述的半导体存储装置的制造方法，

19.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，

20.根据权利要求19所述的半导体存储装置的制造方法，

技术总结
实施方式提供能够降低与多个导电层连接的接触部的接触电阻的半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其通过将多个第1导电层和多个第1绝缘层一层一层地交替层叠而形成，包括多个第1导电层被加工为阶梯状的阶梯部；柱，其在从阶梯部在与层叠体的层叠方向交叉的第1方向上分离的层叠体内沿着层叠方向延伸，在与多个第1导电层的至少一部分的交叉部分别形成存储单元；以及接触部，其配置于阶梯部，与多个第1导电层中的一个第1导电层连接，接触部具有从阶梯部的上方向一个第1导电层延伸且与一个第1导电层一体化了的第2导电层。

技术研发人员：下村将史
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13