驱动背板及其制备方法、显示基板及显示装置与流程

文档序号:31885505发布日期:2022-10-22 00:15阅读:72来源:国知局
驱动背板及其制备方法、显示基板及显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种驱动背板及其制备方法、显示基板及显示装置。


背景技术:

2.目前,显示基板一般包括驱动背板和发光单元,驱动背板与发光单元电连接,用于驱动发光单元发光,从而实现显示。
3.其中,驱动背板一般包括:玻璃基板,在玻璃基板一侧形成的具有多个开口的钢网模板,以及在每个开口内形成的沿远离玻璃基板的方向依次层叠的基板电路和自组装焊料(self assembly paste,sap)层。发光单元通过衬垫(pad)与sap接触,以与sap一侧的基板电路电连接。并且,为达到电连接的目的,衬垫靠近驱动背板一侧需要设置助焊剂,以与驱动背板中的sap可靠焊接。
4.但是,受形成驱动背板的工艺和形成的驱动背板的结构影响,目前驱动背板与发光单元电连接的精度和可靠性较低。


技术实现要素:

5.提供了一种驱动背板及其制备方法、显示基板及显示装置,可以解决相关技术驱动背板与发光单元电连接精度和可靠性较低的问题,所述技术方案如下:
6.一方面,提供了一种驱动背板,所述驱动背板包括:
7.基板;
8.位于所述基板一侧,且沿平行于所述基板承载面方向间隔排布的多条导线;
9.位于所述多条导线远离所述基板一侧的保护层,所述保护层覆盖每条导线的侧壁,且具有多个第一开口,每个第一开口在所述基板上的正投影与对应的一条导线在所述基板上的正投影交叠,以暴露所述导线;
10.位于所述保护层远离所述基板一侧的第一金属层,所述第一金属层包括沿平行于所述基板承载面方向间隔排布的多个第一金属图案,每个第一金属图案在所述基板上的正投影与对应的一条导线在所述基板上的正投影交叠,且每个第一金属图案通过暴露所述一条导线的第一开口与所述一条导线搭接;
11.位于所述第一金属层远离所述基板一侧的第二金属层,所述第二金属层包括沿平行于所述基板承载面方向间隔排布的多个第二金属图案,每个第二金属图案在所述基板上的正投影与对应的一个第一金属图案在所述基板上的正投影交叠,且每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案搭接,以用于形成互联结构,电连接所述导线和发光单元。
12.可选的,所述第一金属层中,每个第一金属图案均包括:沿远离所述基板的方向依次层叠,且彼此搭接的第一金属部、第二金属部和第三金属部;
13.其中,所述第三金属部的厚度大于所述第二金属部的厚度,所述第二金属部的厚度大于等于所述第一金属部的厚度。
14.可选的,所述第一金属部的材料包括:钼、钼钛镍合金、钛和钛钨中的任一种,且所述第一金属部的厚度为200埃至500埃;
15.所述第二金属部的材料包括:含镍合金,且所述第二金属部的厚度为300埃至500埃;
16.所述第三金属部的材料包括:铜,且所述第三金属部的厚度为3000埃至5000埃。
17.可选的,每个第一开口在所述基板上的正投影位于对应的一条导线在所述基板上的正投影内;
18.每个第一金属图案包括:位于所述第一开口外的第一部分和位于所述第一开口内的第二部分;
19.并且,所述第一部分与所述保护层远离所述导线的上表面的一侧搭接,所述导线的上表面为所述导线远离所述基板的表面;沿垂直于所述基板的方向,所述第二部分的横截面与所述第一开口的横截面的形状相同,且尺寸相等。
20.可选的,沿垂直于所述基板的方向,所述第一开口的横截面的形状与所述第一金属图案的第二部分的横截面的形状均为倒梯形,所述第一金属图案的第一部分的横截面的形状为正梯形。
21.可选的,所述第二金属层的材料包括:锡,且所述第二金属层中,每个第二金属图案的厚度与电连接的发光单元的尺寸正相关。
22.可选的,所述第二金属层中,每个第二金属图案的厚度为2微米至5微米。
23.可选的,沿垂直于所述基板的方向,所述第二金属图案的横截面的形状为梯形。
24.可选的,每条导线包括:沿远离所述基板的方向依次层叠的种子层和生长层,沿垂直于所述基板的方向,所述种子层的横截面的形状和所述生长层的横截面的形状均为正梯形;
25.并且,所述种子层包括:沿远离所述基板的方向依次层叠的第一种子层和第二种子层;
26.其中,所述第一种子层的材料包括:钼钛镍合金,且所述第一种子层的厚度为300埃;所述第二种子层的材料和所述生长层的材料均包括:铜,且所述第二种子层的厚度为3000埃,所述生长层的厚度为3微米至10微米;所述保护层的材料包括:树脂、氮化硅和氧化硅中的任一种。
27.另一方面,提供了一种显示面板的制备方法,用于制备如上述一方面所述的驱动背板,所述方法包括:
28.提供基板;
29.在所述基板的一侧形成多条导线,且所述多条导线沿平行于所述基板承载面方向间隔排布;
30.在所述多条导线远离所述基板的一侧形成保护层,且所述保护层覆盖每条导线的侧壁,且具有多个第一开口,每个第一开口在所述基板上的正投影与对应的一条导线在所述基板上的正投影交叠,以暴露所述导线;
31.在所述保护层远离所述基板的一侧形成第一金属层,且所述第一金属层包括沿平行于所述基板承载面方向间隔排布的多个第一金属图案,每个第一金属图案在所述基板上的正投影与对应的一条导线在所述基板上的正投影交叠,且每个第一金属图案通过暴露所
述一条导线的第一开口与所述一条导线搭接;
32.在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层,且所述第二金属层包括沿平行于所述基板承载面方向间隔排布的多个第二金属图案,每个第二金属图案在所述基板上的正投影与对应的一个第一金属图案在所述基板上的正投影交叠,且每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案搭接,以用于形成互联结构,电连接所述导线和发光单元。
33.可选的,所述在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层,包括:
34.采用构图工艺,在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成可移除的图案限定层,且所述图案限定层具有多个第二开口,每个第二开口在所述基板上的正投影与对应的一个第一开口在所述基板上的正投影交叠,以暴露位于所述第一开口内的第一金属图案;
35.采用加成法,在每个第二开口内电镀形成一个第二金属图案,以形成包括所述多个第二金属图案的第二金属层;
36.去除所述图案限定层。
37.可选的,所述在所述保护层远离所述基板的一侧形成第一金属层,包括:
38.在所述保护层远离所述基板的一侧沉积形成第一金属薄膜,且所述第一金属薄膜在所述基板上的正投影与所述保护层在所述基板上的正投影重叠;
39.在去除所述图案限定层之后,对所述第一金属薄膜进行湿法刻蚀,以形成包括所述多个第一金属图案的第一金属层;
40.并且,所述在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成可移除的图案限定层,包括:在所述第一金属薄膜远离所述基板的一侧形成可移除的图案限定层。
41.又一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:多个发光单元,以及如上述一方面所述的驱动背板;
42.其中,所述驱动背板与所述多个发光单元电连接,并用于驱动所述多个发光单元发光。
43.可选的,所述发光单元包括:迷你发光二极管,或者微型发光二极管。
44.再一方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括:供电组件,以及如上述又一方面所述的显示基板;
45.其中,所述供电组件与所述显示基板电连接,并用于为所述显示基板供电。
46.综上所述,本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少可以包括:
47.提供了一种驱动背板及其制备方法、显示基板及显示装置。该驱动背板包括:基板,位于基板一侧的多条导线,以及位于多条导线远离基板一侧且依次层叠的保护层、第一金属层和第二金属层。该保护层具有暴露多条导线的多个开口,该第一金属层包括多个第一金属图案,该第二金属层包括多个第二金属图案。其中,每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案可以形成互联结构,以通过暴露导线的开口将位于第一金属图案靠近基板一侧的导线与后续形成于第二金属图案远离基板一侧的发光单元可靠电连接,从而驱动发光单元发光。
附图说明
48.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于
本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
49.图1是本公开实施例提供的一种驱动背板的结构示意图;
50.图2是本公开实施例提供的另一种驱动背板的结构示意图;
51.图3是本公开实施例提供的一种第一金属层的结构示意图;
52.图4是本公开实施例提供的一种驱动背板的制备方法流程图;
53.图5是本公开实施例提供的一种形成有导线的基板示意图;
54.图6是本公开实施例提供的一种形成有保护层的基板示意图;
55.图7是本公开实施例提供的一种形成有第一金属层的基板示意图;
56.图8是本公开实施例提供的一种形成有第二金属层的基板示意图;
57.图9是本公开实施例提供的一种形成有第一金属薄膜的基板示意图;
58.图10是本公开实施例提供的一种制备第一金属图案和第二金属图案的工艺流程图;
59.图11是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
60.图12是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
61.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
62.图1是本公开实施例提供的一种驱动背板的结构示意图。如图1所示,该驱动背板包括:
63.基板01。
64.可选的,基板01可以为图1所示的玻璃(glass)基板,即基板01的材料可以为玻璃材料,如石英玻璃或蓝宝石玻璃。当然,在一些其他实施例中,基板01也可以为柔性基板,即基板01的材料可以为柔性材料,如聚酰亚胺(polyimide,pi)材料。或者,基板01还可以为硅基基板,即基板01的材料可以为硅基材料。又或者,该基板01可以包括依次层叠的多层膜层,各层膜层的材料可以不同。
65.继续参考图1,驱动背板还包括:位于基板01一侧,且沿平行于基板01承载面方向x1间隔排布的多条导线02,即每相邻两条导线02之间可以具有间距。
66.需要说明的是,结合图1可以看出,本公开实施例记载的基板01的承载面可以是指基板01的上表面。之后,可以在该基板01的上表面继续形成其他膜层,以用于承载其他膜层,故将其称为基板01的承载面。
67.继续参考图1,驱动背板还包括:位于多条导线02远离基板01一侧的保护层03。
68.其中,结合图1还可以看出,该保护层03覆盖每条导线02的侧壁,且具有多个第一开口k1。每个第一开口k1在基板01上的正投影与对应的一条导线02在基板01上的正投影交叠,以暴露导线02。即,保护层03可以具有与多条导线02一一对应的多个第一开口k1,以有效暴露该多条导线02。
69.此外,因多条导线02间隔排布,故保护层03还可以覆盖基板01中,位于任意相邻两条导线02之间的部分,即保护层03还可以覆盖未被导线02覆盖的基板01。该保护层03可以
对导线02进行有效保护,避免导线02长时间暴露于空气中而发生氧化。此外,因在保护层03之后还需用到刻蚀工艺形成其他膜层,故设置保护层03覆盖导线02的侧壁,还可以避免导线02被误刻蚀。
70.继续参考图1,驱动背板还包括:位于保护层03远离基板01一侧的第一金属层04。
71.其中,该第一金属层04包括沿平行于基板01承载面方向x1间隔排布的多个第一金属图案041。每个第一金属图案041在基板01上的正投影与对应的一条导线02在基板01上的正投影交叠,且每个第一金属图案041通过暴露一条导线02的第一开口k1与一条导线02搭接(可以是指电连接)。即,第一金属层04可以包括与多条导线02一一对应的多个第一金属图案041,以通过暴露多条导线02的多个第一开口k1与该多条导线02一一对应搭接。
72.继续参考图1,驱动背板还包括:位于第一金属层04远离基板01一侧的第二金属层05。
73.第二金属层05包括沿平行于基板01承载面方向x1间隔排布的多个第二金属图案051,每个第二金属图案051在基板01上的正投影与对应的一个第一金属图案041在基板01上的正投影交叠,且每个第二金属图案051与对应的一个第一金属图案041搭接,以用于形成互联结构,电连接导线02和发光单元。即,第二金属层05可以包括与多个第一金属图案041一一对应的多个第二金属图案051,以分别与该多个第二金属图案051一一对应的形成多个互联结构。
74.其中,互联结构是指:将位于不同层结构电连接,以实现不同层结构之间信号传输的结构。如,对于本公开实施例而言,不同层结构可以是指驱动背板中的导线02,以及后续在驱动背板一侧设置的发光单元。
75.结合上述实施例可知,导线02可以设置于互联结构靠近基板01的一侧,即第一金属图案041靠近基板01的一侧。发光单元可以设置于互联结构远离基板01的一侧,即第二金属图案051远离基板01的一侧。导线02与发光单元可以通过互联结构电连接,进而导线02可以通过互联结构向发光单元传输电信号,以点亮发光单元。本公开实施例通过设置第一金属层04和第二金属层05形成互联结构,可以确保发光单元与导线的可靠互联,提高了电连接的可靠性。
76.可选的,本公开实施例中两个结构“交叠”可以是指重叠或部分重叠或一个覆盖另一个。如,参考图1,其示出的每个第一开口k1在基板01上的正投影位于对应的导线02在基板01上的正投影内。以及,其示出的第二金属图案051在基板01上的正投影与第一金属图案041在基板01上的正投影近似重叠。
77.综上所述,本公开实施例提供了一种驱动背板。该驱动背板包括:基板,位于基板一侧的多条导线,以及位于多条导线远离基板一侧且依次层叠的保护层、第一金属层和第二金属层。该保护层具有暴露多条导线的多个开口,该第一金属层包括多个第一金属图案,该第二金属层包括多个第二金属图案。其中,每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案可以形成互联结构,以通过暴露导线的开口将位于第一金属图案靠近基板一侧的导线与后续形成于第二金属图案远离基板一侧的发光单元可靠电连接,从而驱动发光单元发光。
78.在本公开实施例中,第一金属图案041和第二金属图案051形成的每相邻两个互联结构可以分别作为正极+和负极-,以通过一个正极pad和一个负极pad将一个发光单元与两条导线02电连接,从而可靠驱动该一个发光单元发光。基于此,图2示出了另一种驱动背板
的结构示意图。
79.其中,图2示意性的示出了位于基板01一侧相邻的两条导线02,相应的,示出的保护层03具有暴露该两条导线02的两个第一开口k1。第一金属层04包括两个第一金属图案041,且该两个第一金属图案041分别通过该两个第一开口k1与该两条导线02搭接。即,一个第一金属图案041通过一个第一开口k1与一条导线02搭接;另一个第一金属图案041通过另一个第一开口k1与另一条导线02搭接。第二金属层05包括两个第二金属图案051,且该两个第二金属图案051分别位于该两个第一金属图案041远离基板01的一侧,与该两个第一金属图案041搭接。即一个第二金属图案051位于一个第一金属图案041远离基板01的一侧,与该一个第一金属图案041搭接,形成一个互联结构;另一个第二金属图案051位于另一个第一金属图案041远离基板01的一侧,与该另一个第一金属图案041搭接,形成另一个互联结构。该两个互联结构中,一个互联结构可以作为正极,通过正极pad将一条导线02与发光单元电连接,另一个互联结构可以作为负极,通过负极pad将另一条导线02与该发光单元电连接。
80.此外,参考图2还可以看出,本公开实施例记载的每条导线02可以包括:沿远离基板01的方向依次层叠的种子层021和生长层022。其中,种子层021可以作为导电基底,生长层022可以用于使得在种子层021远离基板01的一侧顺利生长厚度足够厚,导电能力较强的导电层。
81.可选的,本公开实施例中,沿垂直于基板01的方向,种子层021的横截面的形状和生长层022的横截面的形状可以均呈图2所示的正梯形。当然,在一些其他实施例中,也可以呈其他形状,如矩形或倒梯形。
82.其中,倒梯形是指:上底长度大于下底长度的梯形。正梯形是指:上底长度小于下底长度的梯形。上底即为远离基板01一侧的底边,下底即为靠近基板01一侧的底边。具体呈哪种形状与制备工艺有关,下述方法实施例详细说明。
83.并且,种子层021可以包括:沿远离基板01的方向依次层叠的第一种子层(图中未示出)和第二种子层(图中未示出)。
84.其中,第一种子层的材料可以包括:钼钛镍合金mtd,且第一种子层的厚度可以为300埃第二种子层的材料和生长层022的材料均可以包括:铜cu,且第二种子层的厚度可以为即,种子层021的厚度h1可以为生长层022的厚度h3可以为3微米(μm)至10μm。即,生长层022的厚度h2可以大于等于3μm且小于等于10μm。如,生成层022的厚度h2可以为3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm。需要说明的是,结合图2,此处的厚度方向可以为垂直于基板01的承载面的方向。
85.当然,在一些其他实施例中,第一种子层的材料还可以包括其他类型,如金属钼mo,第一种子层的厚度可以为其他参数,如同理,第二种子层的材料和生长层022的材料还可以为其他导电性较强的金属材料。第二种子层的厚度可以为本公开实施例上述厚度和材料的记载仅是示意性说明,不对本公开实施例的方案进行限定。
86.以图1和图2所示结构为例,图3示出了一种第一金属层的结构示意图。如图3所示,本公开实施例记载的第一金属层04中,每个第一金属图案041均可以包括:沿远离基板01的方向依次层叠,且彼此搭接的第一金属部0411、第二金属部0412和第三金属部0413。即,每个第一金属图案041可以由三层金属部叠加而成。需要说明的是,彼此搭接可以是指:第一
金属部0411与第二金属部0412搭接,第二金属部0412再与第三金属部0413搭接。
87.其中,第三金属部0413的厚度h5可以大于第二金属部0412的厚度h4,第二金属部0412的厚度h4可以大于等于第一金属部0411的厚度h3。需要说明的是,结合图3,此处的厚度方向也可以为垂直于基板01的承载面的方向。
88.可选的,结合图3,第一金属部0411的厚度h3可以为200埃至即第一金属部0411的厚度h3可以大于等于且小于等于如,第一金属部0411的厚度h3可以为或第二金属部0412的厚度h4可以为至即第二金属部0412的厚度h4可以大于等于且小于等于如,第二金属部0412的厚度h4可以为或第三金属部0413的厚度h5可以为至即第三金属部0413的厚度h5可以大于等于且小于等于如,第三金属部0413的厚度h5可以为或
89.可选的,继续参考图2,本公开实施例记载的第二金属层05中,每个第二金属图案051的厚度h6与电连接的发光单元的尺寸可以正相关。即,电连接的发光单元的尺寸越小,第二金属图案051的厚度h6越小;反之,电连接的发光单元的尺寸越大,第二金属图案051的厚度h6越厚。如此,可以进一步确保可靠搭接。需要说明的是,结合图2,此处的厚度方向也可以为垂直于基板01的承载面的方向。
90.可选的,每个第二金属图案051的厚度h6可以为2μm至5μm。如,每个第二金属图案051的厚度h6可以为2μm、3μm、4μm或5μm。
91.可选的,在本公开实施例中,第一金属部0411的材料可以包括:钼mo、钼钛镍合金mtd、钛ti和钛钨tiw中的任一种。如,一般可以为钼钛镍合金mtd。第二金属部0412的材料可以包括:含镍ni合金。如,第二金属部0412的材料可以包括:铜镍cuni合金,或镍钒niv合金。第三金属部0413的材料可以包括:铜cu。以及,第二金属层05的材料可以包括:锡sn。
92.因锡sn材料在铜cu材料上有着优良的润湿性,同时,在后续工艺的回流焊过程中,锡sn材料和铜cu材料中的原子会彼此迁移,发生扩展,从而生成一层类似合金的介面合金共化物(intermetallic compound,imc),如常见的cu6sn5和cu3sn。故,在本公开实施例中,铜cu材料制成的第三金属部0413可以用于与对应的锡sn材料制成的第二金属图案051生成imc,从而形成稳固的互联结构。即,第一金属图案041可以通过其包括的第三金属部0413与第二金属图案051可靠形成互联结构,用于建立导线02与发光单元之间的电连接,实现导电。如此,确保了电连接的稳定性较好。该互联结构也可以称为导线02与发光单元电连接的焊点,能够使焊点稳固。
93.基于第二金属部0412的材料可知,该第二金属部0412可以用于阻挡第三金属部0413与第二金属图案051生成的imc向靠近基板01的一侧扩展。其中,含镍合金材料阻挡imc扩展的效果较好。如此,若后续需要修复(repair)发光单元,则从驱动背板一侧推掉发光单元时,不会将底层线路(如,导线)破坏。
94.以及,基于第一金属部0411的材料可知,该第一金属部0411可以用于加强位于第一金属部0411远离基板01一侧的膜层,以及位于第一金属部0411靠近基板01一侧的膜层之间的粘附性。如,结合上述实施例可知,第一金属部0411可以加强第二金属部0412与导线02
的粘附性,确保搭接可靠性。
95.结合上述实施例记载可知,包括第二金属图案051的第二金属层05还可以称为凸点(bump)层,在第二金属层05的材料为锡sn的基础上,第二金属层05可以称为sn-bump层。相应的,包括第一金属图案041的第一金属层04可以称为凸点下金属(under ball metal,ubm)层,或者也可以称为基板金属化层。
96.需要说明的是,目前通常是在发光单元端设置bump层,以与驱动背板搭接,而本公开实施例中将该bump层移至了驱动背板端,即发光单元端无需制备bump层,故还降低了发光单元端的制造成本。以及,还避免了在将发光单元绑定搭接至驱动背板之前,pad发生氧化。此外,发光单元端仅需蘸取少量助焊剂即能够可靠绑定至驱动背板上。
97.可选的,继续参考图1和图2可以看出,本公开实施例记载的每个第一开口k1在基板01上的正投影位于对应的一条导线02在基板01上的正投影内。
98.在此基础上,结合图2中第一金属图案041的局部放大图可知,每个第一金属图案041可以包括:位于第一开口k1外的第一部分041a和位于第一开口k1内的第二部分041b。即,结合图3,第一金属部0411、第二金属部0412和第三金属部0413组成的整体包括第一部分041a和第二部分041b。
99.并且,第一部分041a与保护层03远离导线02的上表面的一侧可以搭接。其中,导线02的上表面为导线02远离基板01的表面。即,第一部分041a可以位于保护层03远离导线02的上表面的一侧,与导线02之间存在保护层03。
100.以及,沿垂直于基板01的方向,第二部分041b的横截面与第一开口k1的横截面的形状可以相同,且尺寸可以相等。
101.例如,参考图1和图2可以看出,沿垂直于基板01的方向,第一开口k1的横截面的形状与第一金属图案041的第二部分041b的横截面的形状可以均为倒梯形,第二部分041b恰好卡接于第一开口k1内,与导线02搭接。以及,第一金属图案041的第一部分041a的横截面的形状可以为正梯形。
102.因保护层03一般采用掩膜板(mask),通过一次构图工艺形成,故第一开口k1的横截面的形状具体呈倒梯形还是正梯形可以采用不同掩膜板形成。此处,不同掩膜板是指所具有开口形状不同的掩膜板。其中,一次构图工艺包括:涂胶、曝光、显影和刻蚀等步骤。
103.当然,在一些实施例中,第一开口k1的横截面也可以呈其他形状,如矩形。相应的,第一金属图案041的第二部分041b的横截面可以呈矩形。第一金属图案041的第一部分041a的横截面也可以呈倒梯形或矩形,具体和制备方式有关。
104.可选的,继续参考图2的局部放大图可知,沿垂直于基板01的方向,第二金属图案051的横截面的形状可以为梯形。如,可以为正梯形或倒梯形。
105.其中,第二金属图案051具体是呈图2所示的正梯形还是倒梯形与制备第一金属图案041和第二金属图案051的工艺有关。下述方法实施例详细说明。
106.可选的,在本公开实施例中,保护层03的材料可以包括:树脂(resin)、氮化硅(siox)和氧化硅(sinx)中的任一种。保护层03还可以称为钝化层(passivation,pvx)。并且,保护层03还可以避免锡sn材料制成的第二金属图案051接触到导线02中铜cu材料制成的生长层022,而与其形成imc。
107.综上所述,本公开实施例提供了一种驱动背板。该驱动背板包括:基板,位于基板
一侧的多条导线,以及位于多条导线远离基板一侧且依次层叠的保护层、第一金属层和第二金属层。该保护层具有暴露多条导线的多个开口,该第一金属层包括多个第一金属图案,该第二金属层包括多个第二金属图案。其中,每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案可以形成互联结构,以通过暴露导线的开口将位于第一金属图案靠近基板一侧的导线与后续形成于第二金属图案远离基板一侧的发光单元可靠电连接,从而驱动发光单元发光。
108.图4是本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法,该方法可以用于制备如图1或图2所示的驱动背板。如图4所示,该方法包括:
109.步骤401、提供基板。
110.可选的,参考图1,如上述实施例记载,提供的基板01可以为玻璃基板、柔性基板或硅基基板。本公开实施例对此不做限定。
111.步骤402、在基板的一侧形成多条导线。
112.可选的,图5示出了一种在基板01上形成的多条导线02的示意图。结合图2可以看出,形成的多条导线02可以沿平行于基板承载面方向x1间隔排布,且每条导线02可以包括依次层叠的种子层021和生长层022。
113.示例的,可以通过沉积电镀等工艺在基板01的一侧形成种子层021和生长层022,得到走线。并且,此处可以采用加成法或减成法形成该多条导线02。
114.其中,加成法对应的工艺流程可以包括:首先,在基板01的一侧沉积金属材料(如,钼钛镍合金mtd)形成整层覆盖基板01的种子层薄膜。然后,紧接着对该种子层薄膜进行图案化处理,得到多个沿平行于基板承载面方向x1间隔排布的种子层021。再然后,在每个种子层021远离基板01的一侧电镀金属材料(如,金属cu)形成生长层022。如此,即得到了多条导线02。一般采用加成法形成的导线02的横截面可以呈正梯形。
115.减成法对应的工艺流程可以包括:首先,在基板01的一侧沉积金属材料(如,钼钛镍合金mtd)形成整层覆盖基板01的种子层薄膜。然后,在种子层薄膜远离基板01的一侧电镀金属材料形成生长层022。最后,再对种子层薄膜进行图案化处理形成种子层021。如此,即得到了多条导线02。一般采用减成法形成的导线02的横截面可以呈倒梯形。
116.步骤403、在多条导线远离基板的一侧形成保护层。
117.可选的,图6示出了一种在基板01上形成的保护层03的示意图。参考图2和图6可以看出,形成的保护层03可以覆盖每条导线02的侧壁,且可以具有多个第一开口k1,每个第一开口k1在基板01上的正投影与对应的一条导线02在基板上的正投影交叠,以暴露导线02。如,每个第一开口k1在基板01上的正投影位于对应的一条导线02在基板上的正投影内,以可靠暴露导线02。
118.示例的,可以采用等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,pecvd)结合图形化处理,形成保护层03。该方法基础上,形成保护层03采用的材料可以为上述实施例记载的氮化硅siox或氧化硅sinx等非树脂材料。或者,可以采用包括涂胶、曝光和显影的一次构图工艺形成保护层03。该方法基础上,形成保护层03采用的材料可以为上述实施例记载的树脂材料。并且,形成的每个第一开口k1的横截面可以呈图6所示的倒梯形。
119.步骤404、在保护层远离基板的一侧形成第一金属层。
120.可选的,图7示出了一种在基板01上形成的第一金属层的示意图。参考图2和图7可
以看出,形成的第一金属层04可以包括沿平行于基板01承载面方向x1间隔排布的多个第一金属图案041,每个第一金属图案041在基板01上的正投影与对应的一条导线02在基板01上的正投影可以交叠,且每个第一金属图案041可以通过暴露一条导线02的第一开口k1与一条导线02搭接。
121.并且,结合图3可以看出,形成的第一金属层04中,每个第一金属图案041可以包括沿远离基板01的方向依次层叠的第一金属部0411、第二金属部0412和第三金属部0413。每个第一金属图案041可以包括位于第一开口k1外的第一部分041a和位于第一开口k1内的第二部分041b。其中,第一部分041a的横截面可以呈图中所示的正梯形;第二部分041b的横截面可以呈图中所示的倒梯形,与第一开口k1的横截面形状相同,尺寸相等,恰好卡接于第一开口k1。
122.示例的,可以在保护层03远离基板01的一侧依次沉积不同的金属材料(如,钼钛镍合金mtd、含镍ni合金和铜cu)形成第一金属部0411、第二金属部0412和第三金属部0413,得到第一金属图案041。并且,可以先沉积形成整层覆盖保护层03的第一金属薄膜,然后再后续刻蚀得到第一金属图案041。
123.步骤405、在第一金属层远离基板的一侧形成第二金属层。
124.可选的,图8示出了一种在基板01上形成的第一金属层的示意图。参考图2和图8可以看出,形成的第二金属层05可以包括沿平行于基板01承载面方向x1间隔排布的多个第二金属图案051,且每个第二金属图案051在基板01上的正投影与对应的一个第一金属图案041在基板01上的正投影交叠,且每个第二金属图案051与对应的一个第一金属图案041搭接,以用于形成互联结构,电连接导线02和发光单元。并且,形成的第二金属图案051的横截面形成可以呈梯形。如,图8所示的正梯形,或倒梯形。
125.示例的,可以采用电镀工艺形成多个第二金属图案051得到第二金属层05。在此基础上,以先沉积形成整层覆盖保护层03的第一金属薄膜,然后再后续刻蚀得到第一金属图案041为例,对步骤404和步骤405的工艺介绍如下:
126.首先,结合图9,在保护层03远离基板01的一侧沉积形成第一金属薄膜m1,且形成的第一金属薄膜m1在基板01上的正投影与保护层03在基板01上的正投影重叠,即整层覆盖保护层03。
127.然后,结合图10,可以采用构图工艺,在第一金属薄膜m1远离基板01的一侧形成可移除的图案限定层m2。其中,形成的图案限定层m2可以具有多个第二开口k2,每个第二开口k2在基板01上的正投影与对应的一个第一开口k1在基板01上的正投影可以交叠,以暴露位于第一开口k1内的第一金属图案041。可选的,可以在第一金属薄膜m1远离基板01的一侧形成整层覆盖第一金属薄膜m1的光刻胶材料层,并接着对光刻胶材料层进行曝光和显影,以得到具有多个第二开口k2且可移除的图案限定层m2。
128.再然后,继续结合图10,采用加成法,在每个第二开口k2内电镀形成一个第二金属图案051,以形成包括多个第二金属图案051的第二金属层05。
129.再然后,继续结合图10,可以去除图案限定层m2。可选的,可以通过刻蚀工艺去除图案限定层m2。
130.最后,继续结合图10,可以对第一金属薄膜m1进行湿法刻蚀,以形成包括多个第一金属图案041的第一金属层04。因此处需要对第一金属薄膜m1刻蚀,故通过设置保护层03覆
盖导线02的侧壁,可以避免导线02被误刻蚀。
131.当然,在一些实施例中,还可以采用减成法电镀形成第二金属层05,具体方式可以参考上述减成法对应的实施例,在此不再赘述。以及,可以采用除电镀之外的化学镀或丝网印刷等工艺形成第二金属层05。电镀工艺和化学镀工艺的精度均较高,可以形成所需微米级厚度的第二金属图案051。
132.综上所述,本公开实施例提供了一种驱动背板的制备方法。该方法中,可以在基板的一侧形成多条导线,以及在多条导线远离基板一侧形成依次层叠的保护层、第一金属层和第二金属层。且形成的保护层具有暴露多条导线的多个开口,第一金属层包括多个第一金属图案,第二金属层包括多个第二金属图案。其中,每个第二金属图案与对应的一个第一金属图案可以形成互联结构,以通过暴露导线的开口将位于第一金属图案靠近基板一侧的导线与后续形成于第二金属图案远离基板一侧的发光单元可靠电连接,从而驱动发光单元发光。
133.图11是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。如图11所示,该显示基板000包括:多个发光单元l1,以及如图1或图2所示的驱动背板00。
134.其中,驱动背板00与多个发光单元l1电连接,并用于驱动多个发光单元l1发光。
135.需要说明的是,结合图11,驱动背板00中,每相邻两个互联结构可以分别作为正极+和负极-,以通过正极pad+和负极pad-与一个发光单元l1电连接,可靠驱动该一个发光单元发光。其余发光单元l1连接方式同理,不再赘述。
136.可选的,发光单元l1可以包括:次毫米级发光二极管,也可以称为迷你发光二极管(mini_light emitting diode,mini_led),或者微型发光二极管(micro_led)。其中,micro_led的尺寸可以达到微米量级,比mini_led的尺寸更小。故,将micro_led组装到驱动背板上以形成高密度阵列的技术成为更受市场欢迎的一种显示技术。且,micro_led还具有自发光、分辨率高、对比度高、能耗低、使用寿命长、响应速度快和热稳定性好等方面的优势。
137.图12是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图12所示,该显示装置包括:供电组件j1,以及如图11所示的显示基板000。
138.其中,供电组件j1与显示基板000电连接,并用于为显示基板000供电。
139.可选的,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或透明显示产品等任何具有显示功能的产品或部件。
140.可选的,在应用于液晶显示装置时,图12所示的显示基板000可以作为背光模组设置于液晶显示面板的背光侧,为液晶显示面板提供背光。
141.需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间惟一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
142.以及,本公开实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释,而非旨在限定本公开。除非另作定义,本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为
本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
143.如,在本公开实施例中,术语“第一”和“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上,除非另有明确的限定。
144.同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。
[0145]“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。
[0146]“上”、“下”、“左”或者“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。“连接”或者“耦接”是指电连接。
[0147]
以上所述仅为本公开的可选的实施例,并不用以限制本公开,凡在本公开的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。
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