技术特征：
1.一种图像传感器，包括：光感测元件，其位于衬底中；多个传输栅极，其在实质上平行于所述衬底的表面的水平方向上彼此间隔开，所述多个传输栅极中的每一个延伸穿过所述衬底的一部分，并且接触所述光感测元件；以及浮置扩散区域，其位于所述衬底的与所述多个传输栅极相邻的部分处，其中，所述浮置扩散区域在平面图中位于所述多个传输栅极之间。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光感测元件是在所述水平方向上彼此间隔开的多个光感测元件之一，并且其中，所述多个传输栅极分别接触所述多个光感测元件。3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括第一划分图案，所述第一划分图案在实质上垂直于所述衬底的所述表面的竖直方向上至少部分地延伸穿过所述衬底，所述第一划分图案在平面图中具有第一闭合形状，并且分别与其中形成有单元像素的单元像素区域对应，其中，所述光感测元件、所述多个传输栅极和所述浮置扩散区域位于所述单元像素区域中的每一个中。4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括在所述竖直方向上至少部分地延伸穿过所述衬底的第二划分图案，所述第二划分图案在平面图中从所述第一划分图案的所述第一闭合形状朝向所述第一闭合形状的内部延伸。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述第二划分图案是在所述水平方向上彼此间隔开的四个第二划分图案之一，并且其中，所述光感测元件位于与所述第一划分图案以及所述四个第二划分图案中的对应的两个相对应的每个区域中。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述多个传输栅极和所述浮置扩散区域位于所述第一闭合形状的中心区域处。7.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一划分图案在所述竖直方向上延伸穿过所述衬底，所述第一划分图案包括：核，其在所述竖直方向上延伸；以及壳，其覆盖所述核的侧壁。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述核包括多晶硅，并且所述壳包括氧化硅。9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述光感测元件是其中掺杂有第一导电类型杂质的第一杂质区域，并且其中，所述图像传感器还包括其中掺杂有第二导电类型杂质的第二杂质区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。10.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一划分图案在所述竖直方向上部分地延伸穿过所述衬底。11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一划分图案包括金属氧化物。12.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括在所述竖直方向上至少部分地延伸穿过所述衬底的第二划分图案，所述第二划分图案从所述第一划分图案的所述第一闭合形状朝
向所述第一闭合形状的外部延伸，并且所述第一划分图案的一部分和所述第二划分图案在平面图中形成第二闭合形状，其中，至少一个附加的光感测元件、至少一个附加的传输栅极和至少一个附加的浮置扩散区域在平面图中位于与所述第二闭合形状的内部对应的区域中。13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述第二闭合形状的面积小于所述第一闭合形状的面积。14.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，重置晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管在平面图中位于与所述第一闭合形状的内部对应的区域中。15.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，一个附加的光感测元件、一个附加的传输栅极和一个附加的浮置扩散区域在平面图中位于与所述第二闭合形状的所述内部对应的所述区域中。16.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述竖直方向上堆叠的滤色器和微透镜，所述滤色器和所述微透镜在所述竖直方向上与所述光感测元件重叠。17.一种图像传感器，包括：光感测元件，其位于衬底中；传输栅极，其延伸穿过所述衬底的一部分，并且接触所述光感测元件，所述传输栅极在平面图中具有环形；以及浮置扩散区域，其位于所述衬底的与所述传输栅极相邻的部分处，其中，所述浮置扩散区域在平面图中位于所述传输栅极的内部。18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述光感测元件是在实质上平行于所述衬底的表面的水平方向上彼此间隔开的多个光感测元件之一，并且其中，所述传输栅极接触所述多个光感测元件。19.一种图像传感器，包括：多个光感测元件，其位于衬底中，所述多个光感测元件在实质上平行于所述衬底的表面的水平方向上彼此间隔开；彼此间隔开的一个传输栅极或多个传输栅极，所述一个传输栅极或所述多个传输栅极中的每一个延伸穿过所述衬底的一部分，并且共同地或分别地接触所述多个光感测元件；以及浮置扩散区域，其位于所述衬底的与所述一个传输栅极或所述多个传输栅极相邻的部分处，其中，所述浮置扩散区域在实质上垂直于所述衬底的所述表面的竖直方向上的截面位于所述一个传输栅极的内部处或者位于所述多个传输栅极之间。20.根据权利要求19所述的图像传感器，还包括在所述竖直方向上至少部分地延伸穿过所述衬底的第一划分图案，所述第一划分图案在平面图中具有第一闭合形状，并且分别与其中形成有单元像素的单元像素区域对应，其中，所述多个光感测元件、所述一个传输栅极或所述多个传输栅极、以及所述浮置扩散区域位于所述单元像素区域中的每一个中。
技术总结
提供了一种图像传感器，包括：光感测元件，其位于衬底中；多个传输栅极(TG)，其在基本平行于衬底的表面的水平方向上彼此间隔开，多个TG中的每一个延伸穿过衬底的一部分，并且接触光感测元件；以及浮置扩散(FD)区域，其位于衬底的与多个TG相邻的部分上，其中，FD区域在平面图中位于多个TG之间。面图中位于多个TG之间。面图中位于多个TG之间。
技术研发人员：陈暎究
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.08.03
技术公布日：2023/3/10