基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质与流程

本发明涉及基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术：

1、在半导体器件的制造方法中所利用的基板处理装置中，存在具有将处理气体相对于处理室内的基板供给的喷管的基板处理装置(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2018/179157号

5、专利文献2：日本特开平9-97767号公报

技术实现思路

1、存在进行消耗的喷管的更换和多种喷管的评价的情况。在该情况下，需要在防止喷管倒伏的同时将石英制的喷管连接于石英制的反应管并进行固定的技术。

2、本发明的课题在于提供一种能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定的技术。

3、其他课题和新特征将根据本说明书的记述及附图而得以明确。

4、若简单说明本发明中的具有代表性的方案的概要则如下所述。

5、根据本发明的一个方案，提供一种技术，具备：

6、非金属制的气体导入部，其将处理容器的侧壁贯穿且与上述侧壁一体地设置，具有向上述处理容器内突出的前端；

7、非金属制的喷管，其具有插入在上述气体导入部的内侧且与上述气体导入部流体性连通的第1直线部、和与上述第1直线部流体性连通且沿着上述处理容器的内壁配置的第2直线部；以及

8、固定块，其设在上述处理容器的上述侧壁的内侧且上述气体导入部的上方，具有能够使上述喷管在上述处理容器的半径方向上移动的槽。

9、发明效果

10、根据本发明的技术，能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

7.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

8.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

9.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

13.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

14.一种处理容器，其特征在于，具备：

15.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

16.一种记录介质，为计算机可读的记录介质，存储有计算机程序，所述记录介质的特征在于，

技术总结
本发明提供一种能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定的基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种技术，具备：非金属制的气体导入部，其将处理容器的侧壁贯穿且与上述侧壁一体地设置，具有向上述处理容器内突出的前端；非金属制的喷管，其具有插入在上述气体导入部的内侧且与上述气体导入部流体性连通的第1直线部、和与上述第1直线部流体性连通且沿着上述处理容器的内壁配置的第2直线部；以及固定块，其设在上述处理容器的上述侧壁的内侧且上述气体导入部的上方，具有能够使上述喷管在上述处理容器的半径方向上移动的槽。

技术研发人员：森田慎也,中嶋诚世
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13