电子封装及其制造方法与流程

本申请总体上涉及半导体封装技术，更具体地，涉及一种电子封装及其制造方法。

背景技术：

1、具有集成到一个封装中的系统和天线的5g封装天线(aip)已被用于移动手持设备和其他便携式多媒体设备。然而，紧凑的5g aip需要在基于系统的封装内减少接口间接、增加接口引脚数、减少的厚度和更高水平的集成。

2、部分屏蔽技术已被用于实现传统的5g aip。特别地，用于半导体芯片的aip基底的区域被密封和屏蔽，以及用于板对板(b2b)连接器的aip基底的其他区域没有被密封以使b2b连接器可以连接到外部设备。因此，传统的aip在结构上是不对称的，导致其翘曲且低可靠性。特别地，用于b2b连接器的非封装区域容易被翘曲，导致不被期望的b2b连接器从aip基底分离。

3、因此，需要提供一种具有改进布局设计和可靠性的电子封装。

技术实现思路

1、本申请的一个目的是提供一种具有改进布局设计和可靠性的电子封装。

2、根据本申请的一个方面，提供了一种电子封装。所述电子封装包括基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第二区域在所述基底的长度方向上与所述第一区域相邻；第一电子元件，所述第一电子元件安装在所述基底的所述第一区域中；第二电子元件，所述第二电子元件安装在所述基底的所述第二区域中，其中所述第二电子元件在所述基底的宽度方向上不占据整个基底；密封层，所述密封层形成在所述基底上，其中至少所述第二元件从所述密封层暴露，并且其中所述密封层从所述第一区域延伸至所述第二区域以在所述第一区域和所述第二区域加强所述基底。

3、根据本申请的另一个方面，提供了一种用于制造电子封装的方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第二区域在所述基底的长度方向上与所述第一区域相邻；将所述第一电子元件安装在所述基底的所述第一区域中；将所述第二电子元件安装在所述基底的所述第二区域中，其中所述第二电子元件在所述基底的宽度方向上不占据整个基底；在所述基底上形成密封层，所述密封层从所述第一区域延伸至所述第二区域以在所述第一区域和所述第二区域加强所述基底，其中至少所述第二电子元件从所述密封层暴露。

4、应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本发明的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图说明了本发明的实施例并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

技术特征：

1.一种电子封装，其特征在于，所述电子封装包括：

2.根据权利要求1所述的电子封装，其特征在于，所述密封层包括：

3.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述两个加强壁的厚度与所述主体的厚度相等。

4.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述两个加强壁分别设置在所述第二电子元件的两侧。

5.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述两个加强壁在所述第二区域的整个长度上延伸。

6.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述密封层还包括：

7.根据权利要求1所述的电子封装，其特征在于，所述第一电子元件被所述密封层覆盖。

8.根据权利要求1所述的电子封装，其特征在于，所述第一电子元件从所述密封层暴露。

9.根据权利要求8所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：

10.根据权利要求9所述的电子封装，其特征在于，所述电子封装还包括：

11.根据权利要求10所述的电子封装，其特征在于，所述第二电子元件包括连接器组件。

12.一种用于制造电子封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成密封层包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述第二电子元件的上表面附接胶带进一步包括：

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述第二电子元件的上表面附接胶带进一步包括：

16.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述第一电子元件从所述密封层暴露。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一电子元件上安装盖体以用于散热。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述第一电子元件上安装盖体前，在所述第一电子元件上形成屏蔽层以屏蔽干扰。

技术总结
一种电子封装，所述电子封装包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第二区域在所述基底的长度方向上与所述第一区域相邻；第一电子元件，所述第一电子元件安装在所述基底的所述第一区域中；第二电子元件，所述第二电子元件安装在所述基底的所述第二区域中，其中所述第二电子元件在所述基底的宽度方向上不占据整个基底；密封层，所述密封层形成在所述基底上，其中至少所述第二元件从所述密封层暴露，并且其中所述密封层从所述第一区域延伸至所述第二区域以在所述第一区域和所述第二区域加强所述基底。

技术研发人员：李承炫,李喜秀,朴睿进
受保护的技术使用者：JCET星科金朋韩国有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5