真空隧穿器件及制造其的方法与流程

实施例涉及一种真空隧穿器件及制造该真空隧穿器件的方法。

背景技术：

1、隧穿器件可以使用电荷的隧穿。

技术实现思路

1、实施例可以通过提供一种制造真空隧穿器件的方法来实现，该方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。

2、实施例可以通过提供一种制造真空隧穿器件的方法来实现，该方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；在绝缘夹层上形成辅助层，以至少部分地覆盖开口的顶端；以及在真空腔室中在辅助层和绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的未被辅助层覆盖的上部。

3、实施例可以通过提供真空隧穿器件来实现，该真空隧穿器件包括：绝缘夹层，位于基底上，绝缘夹层包括处于真空状态的开口；隧穿器件，隧穿器件的至少一部分位于开口中；辅助层，至少部分地覆盖开口的顶端，辅助层包括二维材料；以及密封层，位于辅助层和绝缘夹层上，密封层填充开口的未被辅助层覆盖的上部。

技术特征：

1.一种制造真空隧穿器件的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，倾斜沉积工艺包括将基底相对于源气体提供器沿倾斜方向放置，源气体提供器被构造为提供用于形成密封层的源气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在不是真空腔室的普通腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在真空腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，密封层具有包括顺序堆叠的多个层的多层结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在形成密封层之前，在绝缘夹层上形成辅助层，以至少部分地覆盖开口的顶端，

9.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层包括单层材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层在普通腔室中形成并且仅覆盖开口的顶端的一部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层在真空腔室中形成并且覆盖开口的整个顶端。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

13.一种制造真空隧穿器件的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，辅助层包括单层材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，辅助层在不是真空腔室的普通腔室中形成。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，密封层通过倾斜沉积工艺形成。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，密封层通过垂直沉积工艺形成。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，在不是真空腔室的普通腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。

19.一种真空隧穿器件，所述真空隧穿器件包括：

20.根据权利要求19所述的真空隧穿器件，其中：

技术总结
提供了一种真空隧穿器件和制造该真空隧穿器件的方法，所述方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。

技术研发人员：田昌勳,张宰银,许秀珍,金昭熙,张岘瑀,崔箕洵
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13