静电吸盘以及处理装置的制作方法

1.本发明的形态涉及一种静电吸盘以及处理装置。


背景技术：

2.具备氧化铝等的陶瓷电介体基板及电极的静电吸盘在该电极上外加 静电吸附用电力，通过静电力来吸附硅晶片等基板。在这样的静电吸盘中，在 陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(he)等惰性气 体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。
3.例如，在化学汽相沉积(cvd(chemical vapor deposition))装置、 溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处 理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的 静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入he等惰性气体， 通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。
4.在通过he等惰性气体对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导 入he等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体 基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的 穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板 的穿通孔而被引导至基板的背面。
5.在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体 朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基 板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板 的气体导入路或陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放 电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在 气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体 流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下 静电吸盘，在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中，配置有陶瓷 制的多孔体。另外，在专利文献3中记载有如下技术，在基座板的气体导入路 或陶瓷电介体基板的穿通孔中配置陶瓷制的多孔体，同时在对基座板与陶瓷电 介体基板进行粘接的粘接层中，在向气体导入路及/或穿通孔露出的部位配置保 护材，由此抑制粘接剂的腐蚀。在这样的静电吸盘中，要求长时间维持电弧放电的抑制效果。
6.专利文献专利文献1：日本特开2010-123712号公报专利文献2：美国专利us2017/0352568号公报专利文献3：日本特开2021-057468号公报


技术实现要素：

7.本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提 供一种可长期维持电弧放电的降低效果的静电吸盘以及处理装置。
8.第1发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对 象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电 介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接 合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述 陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的 第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部， 设置在所述第1孔部；陶瓷多孔质部，具有所述第3孔部侧的第1面和所述第1 面相反侧的第2面，设置在所述锪孔部；及弹性体，被设置成与所述接合部的 所述第3孔部侧的端部相对，其特征为，所述陶瓷多孔质部还具有连接所述第1 面与所述第2面的侧面，所述侧面具有：所述第1面侧的第1侧部；所述第2 面侧的第2侧部；及所述第1侧部与所述第2侧部之间的第3侧部，而且，当 将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向且将与所述第1 方向大致正交的方向作为第2方向时，在所述第1侧部中的至少与所述第1面 相连的区域中，设置有相对于所述第1方向发生倾斜的第1倾斜部，当在所述 第2方向上观察时，所述第1面与所述接合部及所述弹性体发生重叠，所述陶 瓷多孔质部构成为，在所述第1倾斜部处与所述弹性体发生接触。
9.使用时静电吸盘暴露于较大温度变化下，而陶瓷电介体基板及/或基 座板有时因热而发生膨胀或收缩。此时，由于缘于热的应力也施加到设置在气 体导入路的第1孔部的陶瓷多孔质部，因此有时多孔质部发生膨胀而向第3孔 部侧发生变形。根据该静电吸盘，设置有弹性体，该弹性体构成为，在陶瓷多 孔质部中的第1面侧的第1侧部处接触第1倾斜部，该第1倾斜部设置在与第1 面相连的区域中。因此，由于通过第1倾斜部及弹性体吸收陶瓷多孔质部的变 形，所以能够抑制陶瓷多孔质部的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制效 果。另外，由于在第3孔部处与接合部的端部相对而配置弹性体，因此在使用 静电吸盘时能够抑制端部被等离子体所腐蚀而产生颗粒。另外，当在第2方向 上观察时，第1面构成为与接合部及弹性体发生重叠，因此能够提高抗击穿性。
10.第2发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1发明中，所述陶瓷多孔 质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述 致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述第1倾斜部设置在所述致密部。
11.根据该静电吸盘，由于接触弹性体的倾斜部的强度进一步提高，因此 有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持电弧放电的降低效果。
12.第3发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述第 1侧部由所述第1倾斜部所构成。
13.根据该静电吸盘，有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持 电弧放电的降低效果。
14.第4发明为如下静电吸盘，其特征为，在第3发明中，具备所述第3 侧部的至少一部分且连续于所述第1倾斜部的第2倾斜部，在所述锪孔部与所 述第2倾斜部之间，设置将所述陶瓷多孔质部固定于锪孔部的固定部。
15.根据该静电吸盘，由于能够将固定部配置在离开等离子体的位置，因 此能够抑制固定部被等离子体所腐蚀，可长期维持电弧放电的抑制效果。
16.第5发明为如下静电吸盘，其特征为，在第4发明中，所述第2侧部 的沿向所述第2方向的长度，大致相同于所述锪孔部的沿向所述第2方向的长 度。
17.根据该静电吸盘，在陶瓷多孔质部中，在最接近等离子体的第2侧部 与锪孔部之间几乎不存在间隙，因此可长期维持降低电弧放电的抑制效果。
18.第6发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，在所述 弹性体中，在接触所述第1倾斜部的部分处的沿向所述第1方向的长度，大于 所述接合部的沿向所述第1方向的长度。
19.根据该静电吸盘，由于弹性体成为在接合部的端部与陶瓷多孔质部之 间的物理性阻挡层，因此即使在接合部被等离子体所腐蚀而产生颗粒的情况下， 也能够抑制因该颗粒侵入陶瓷多孔质部而气体流量经时性下降。因此，可长时 间维持电弧放电的抑制效果。
20.第7发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述弹 性体呈环状，当在所述第1方向上观察时，所述第1面被所述弹性体所围住。
21.根据该静电吸盘，容易定位弹性体，通过弹性体能够更加确实地发挥 陶瓷多孔质部的破损抑制效果。
22.第8发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述弹 性体含有聚四氟乙烯及聚酰亚胺的至少任意一种。
23.根据该静电吸盘，有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，可长期维持降低 电弧放电的抑制效果。
24.第9发明为一种处理装置，其特征为，具备：上述任意一个静电吸盘； 及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气体的供给部。根据该处理装 置，能够实现电弧放电的降低。
25.第10发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附 对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷 电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面； 接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所 述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板 的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔 部，设置在所述第1孔部或所述第2孔部；陶瓷多孔质部，具有所述第3孔部 侧的第1面和所述第1面相反侧的第2面，设置在所述锪孔部；及弹性体，被 设置成与所述接合部的所述第3孔部侧的端部相对，其特征为，当将从所述基 座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向且将与所述第1方向大致正 交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部包括：具有所述第1面的第1陶 瓷部分；具有所述第2面的第2陶瓷部分；及在所述第1方向上位于所述第1 陶瓷部分与所述第2陶瓷部分之间的第3陶瓷部分，所述第1陶瓷部分的沿向 所述第2方向的长度，小于所述第3陶瓷部分的沿向所述第2方向的长度，当 在所述第2方向上观察时，所述第1面与所述接合部及所述弹性体发生重叠， 所述弹性体的至少一部分在所述第1方向上与所述第3陶瓷部分发生重叠，所 述弹性体接触所述第1陶瓷部分及所述第3陶瓷部分的至少任意一个。
26.根据该静电吸盘，通过弹性体吸收缘于热的陶瓷多孔质部的变形，所 以能够抑制陶瓷多孔质部的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制效果。
27.第11发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10发明中，所述陶瓷多 孔质部具有连接所述第1面与所述第2面的侧面，所述侧面具有：所述第1面 侧的第1侧部；所述第2面侧的第2侧部；及所述第1侧部与所述第2侧部之 间的第3侧部，在所述第1侧部中的至少与所述
第1面相连的区域中，设置有 相对于所述第1方向发生倾斜的第1倾斜部，所述陶瓷多孔质部构成为，在所 述第1倾斜部处与所述弹性体发生接触。
28.根据该静电吸盘，通过弹性体吸收缘于热的陶瓷多孔质部的变形，所 以能够抑制陶瓷多孔质部的破损。
29.第12发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10发明中，所述第3陶 瓷部分具有沿着所述第2方向延伸的延展面，所述弹性体接触所述延展面。
30.根据该静电吸盘，通过弹性体吸收缘于热的陶瓷多孔质部的变形，所 以能够抑制陶瓷多孔质部的破损。
31.第13发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10～第12的任意一个发 明中，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更 致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述弹性体接触 所述致密部。
32.根据该静电吸盘，由于接触弹性体的部分的强度进一步提高，因此有 效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持电弧放电的降低效果。
33.第14发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10～第12的任意一个发 明中，所述锪孔部设置在所述第1孔部，所述第2陶瓷部分的沿向所述第2方 向的长度，大致相同于所述锪孔部的沿向所述第2方向的长度。
34.根据该静电吸盘，由于能够抑制陶瓷多孔质部与锪孔部之间的间隙， 因此可长期维持降低电弧放电的抑制效果。
35.第15发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10～第12的任意一个发 明中，所述弹性体在所述第1方向上已发生压缩变形。
36.根据该静电吸盘，即使从接合部产生了颗粒，也能够抑制该颗粒到达 陶瓷多孔质部。
37.第16发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10～第12的任意一个发 明中，所述弹性体呈环状，当在所述第1方向上观察时，所述第1面被所述弹 性体所围住。
38.根据该静电吸盘，容易定位弹性体，通过弹性体能够更加确实地发挥 陶瓷多孔质部的破损抑制效果。
39.第17发明为如下静电吸盘，其特征为，在第10～第12的任意一个发 明中，所述弹性体含有聚四氟乙烯及聚酰亚胺的至少任意一种。
40.根据该静电吸盘，有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持 降低电弧放电的抑制效果。
41.第18发明为如下处理装置，其特征为，具备：技术方案10～12的任 意一项所记载的静电吸盘；及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气 体的供给部。根据该处理装置，可实现电弧放电的降低。
42.根据本发明的形态，提供一种可长期维持电弧放电的降低效果的静电 吸盘以及处理装置。
附图说明
43.图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图2是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。
图3是例示实施方式所涉及的陶瓷多孔质部的模式化剖视图。图4是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图5是例示本实施方式所涉及的处理装置的模式图。图6是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图7是例示本实施方式所涉及的处理装置的模式图。图8是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图9是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图10是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图11是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图12是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图13是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。符号说明11-陶瓷电介体基板；11a-第1主面；11b-第2主面；12-电极；13-点；14
‑ꢀ
槽；16-细孔；20-连接部；30-弹性体；50-基座板；50a-上部；50b-下部；50u
‑ꢀ
上面；50d-下面；51-输入路；52-输出路；53-气体导入路；53a-第1孔部；53aa
‑ꢀ
第1部分；t1a-长度(横宽)；53ab-第2部分；53ac-中间部分；53b-第2孔部； 53bu-第3部分；53bd-第4部分；53c-第3孔部；tc-长度(横宽)；53s-锪孔部； ts-长度(横宽)；55-连通路；60-接合部；60e-端部；h2-长度(高度)；65-固定 部；70-陶瓷多孔质部(多孔质部)；70a-第3面；70b-第4面；70c-第1面；70d
‑ꢀ
第2面；70f-侧面；70s-侧面；71-第2多孔部；72-致密部；73-第2致密部；t2
‑ꢀ
长度(横宽)；90-陶瓷多孔质部(多孔质部)；90a-第1面；90b-第2面；90f
‑ꢀ
侧面；90s-侧面；90s1-第1侧部；90s2-第2侧部；90s3-第3侧部；91-第1多孔 部；91s-外周侧面；92-致密部；92s-外周侧面；93-第1致密部；t1-长度(横宽)； 110-静电吸盘；200-处理装置；210-电源；211-配线；220-介质供给部；221-收 纳部；222-控制阀；223-排出部；230-供给部；231-气体供给部；232-气体控制 部；240-腔室；701-第1陶瓷部分；701f-侧面；702-第2陶瓷部分；702f-侧面； 703-第3陶瓷部分；703f-侧面；703h-延展面；901-第1陶瓷部分；901f-侧面； 902-第2陶瓷部分；902f-侧面；903-第3陶瓷部分；903f-侧面；903h-延展面； s1-第1倾斜部；s2-第2倾斜部；s11-第1倾斜部；s12-第2倾斜部；t4a-长度； t701-长度；t702-长度；t703-长度；t901-长度；t902-长度；t903-长度；θ1-角度； θ2-角度；w-对象物。
具体实施方式
44.以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在各附图中， 对相同的构成要素标注相同符号并适当省略详细说明。并且，在各附图中，将从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方向作为z 方向(相当于第1方向的一个例子)，将与z方向大致正交的方向的1个作为y 方向(相当于第2方向的一个例子)，将与z方向及y方向大致正交的方向作为 x方向(相当于第2方向的一个例子)。
45.静电吸盘图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。如图1所示，本实施方式所涉及的静电吸盘110具备陶瓷电介体基板11、 基座板50、多孔质部90。在该例子中，静电吸盘110还具备多孔质部70。
46.陶瓷电介体基板11是例如由烧结陶瓷形成的平板状的基体材料。例 如，陶瓷电介体基板11含有氧化铝(al2o3)。例如，陶瓷电介体基板11由高纯 度的氧化铝所形成。陶瓷电介体基板11中的氧化铝的浓度为例如99原子％ (atomic％)以上、100原子％以下。通过使用高纯度的氧化铝，能够提高陶瓷 电介体基板11的抗等离子性。陶瓷电介体基板11具有：放置对象物w(吸附 对象物)的第1主面11a；及第1主面11a的相反侧的第2主面11b。对象物w 例如是硅晶片等半导体基板。
47.在陶瓷电介体基板11中设置电极12。电极12设置在陶瓷电介体基板 11的第1主面11a与第2主面11b之间。电极12以插入于陶瓷电介体基板11 中的方式形成。借由连接部20及配线211将电源210电连接于电极12。利用电 源210对电极12外加吸附保持用电压，从而在电极12的第1主面11a侧产生电 荷，能够利用静电力吸附保持对象物w。
48.电极12的形状呈沿向陶瓷电介体基板11的第1主面11a及第2主面 11b的薄膜状。电极12是用于吸附保持对象物w的吸附电极。电极12既可以 是单极型也可以是双极型。图1所例示的电极12是双极型，同一面上设置有2 极的电极12。在陶瓷电介体基板11中除了电极12之外还可以设置高频外加用 的电极或加热器电极。
49.电极12上设置有向陶瓷电介体基板11的第2主面11b侧延伸的连接 部20。连接部20例如是与电极12导通的过孔(via)(实心型)、导通孔(via hole) (中空型)。连接部20还可以是通过钎焊等的适当的方法进行连接的金属端子。
50.基座板50是支撑陶瓷电介体基板11的构件。基座板50具有陶瓷电 介体基板11侧的上面50u和上面50u相反侧的下面50d。陶瓷电介体基板11借 由图2所例示的接合部60固定在基座板50上。例如，能够将硅酮粘接剂发生 固化的部分作为接合部60。在该例子中，构成为基座板50的上面50u及陶瓷电 介体基板11的第2主面11b接触接合部60。
51.基座板50例如是金属制。基座板50例如分成铝制的上部50a与下部 50b，在上部50a与下部50b之间设置有连通路55。连通路55的一端侧连接于 输入路51，连通路55的另一端侧连接于输出路52。基座板50在第2主面11b 侧的端部还可以具有喷镀部(未图示)。喷镀部例如通过喷镀而形成。喷镀部还 可以构成基座板50的第2主面11b侧的端面(上面50u)。根据需要设置喷镀部 且可以省略。
52.基座板50也发挥静电吸盘110的温度调整的功能。例如，在对静电 吸盘110进行冷却时，从输入路51流入冷却介质，通过连通路55从输出路52 流出。由此，通过冷却介质吸收基座板50的热，能够冷却安装在其上的陶瓷电 介体基板11。另一方面，在对静电吸盘110进行保温时，也能够在连通路55内 放入保温介质。也能够将发热体内置于陶瓷电介体基板11或基座板50。通过调 整基座板50或陶瓷电介体基板11的温度，能够调整被静电吸盘110所吸附保 持的对象物w的温度。
53.另外，在陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧，根据需要设置有点 13，在点13之间设置有槽14。即，第1主面11a是凹凸面，具有凹部及凸部。 第1主面11a的凸部相当于点13，第1主面11a的凹部相当于槽14。槽14例如 可以在xy平面内连续延伸。由此，能够将he等气体分配于第1主面11a整体。 在放置于静电吸盘110的对象物w的背面与包含槽14的第1主面11a之间形成 空间。
54.通过适当选择点13的高度、槽14的深度以及点13与槽14的面积比 率、形状等，能够将对象物w的温度及附着于对象物w的颗粒控制在优选的状 态。
55.气体导入路53以穿通陶瓷电介体基板11、基座板50及接合部60的 方式被设置。气体导入路53具有位于陶瓷电介体基板11的第1孔部53a、位于 基座板50的第2孔部53b及位于接合部60的第3孔部53c。第2孔部53b被设 置成例如穿通基座板50。第2孔部53b既可以直线状穿通基座板50，还可以在 途中发生分支。气体导入路53设置在基座板50的多个部位。
56.第1孔部53a例如连接于槽14。在从第2主面11b到第1主面11a的 跨度上设置第1孔部53a。即，第1孔部53a从第2主面11b到第1主面11a为 止在z方向上延伸，穿通陶瓷电介体基板11。
57.第2孔部53b借由第3孔部53c连通于第1孔部53a。流入第2孔部 53b的气体(氦(he)等)，在通过第2孔部53b之后通过第3孔部53c，之后 流入第1孔部53a。
58.流入第1孔部53a的气体，在通过第1孔部53a之后流入设置在对象 物w与包含槽14的第1主面11a之间的空间。由此，利用气体能够直接冷却对 象物w。
59.在第1孔部53a及第2孔部53b的至少任意一个中设置锪孔部53s。 在锪孔部53s配置多孔质部90及/或多孔质部70。第1孔部53a具有：包含第1主面11a的第1部分53aa；及包含第2主面 11b的第2部分53ab。在第1部分53aa与第2部分53ab之间还可以具有其他部 分。将锪孔部53s例如设置在第2部分53ab。第2孔部53b具有：包含上面50u的第3部分53bu；及包含下面50d的第 4部分53bd。在第3部分53bu与第4部分53bd之间还可以具有其他部分。将 锪孔部53s例如设置在第3部分53bu。
60.将多孔质部90及/或多孔质部70设置在锪孔部53s。多孔质部90具 有第3孔部53c侧的第1面90a和第1面90a相反侧的第2面90b。多孔质部70 具有第3孔部53c侧的第3面70a和第3面70a相反侧的第4面70b。本说明书 中，当将多孔质部配置在陶瓷电介体基板11的内部(第1孔部53a)时作为多 孔质部90，当配置在基座板50的内部(第2孔部53b)时作为多孔质部70。
61.气体导入路53中，氦等冷却气体以第2孔部53b、第3孔部53c、第 1孔部53a的顺序流动，例如借由槽14供向陶瓷电介体基板11的第1主面11a 侧。当使用静电吸盘时，等离子体位于第1主面11a侧。从而，当分别将陶瓷多 孔质部90配置于第1孔部53a，将陶瓷多孔质部70配置于第2孔部53b时，优 选使更靠近等离子体而被配置的陶瓷多孔质部90的抗击穿性高于陶瓷多孔质部 70。作为一个例子，使多孔质部90的第1多孔部91(在以后进行详述)的孔径 小于多孔质部70的第2多孔部71，使第1多孔部91的气孔率小于第2多孔部 71的气孔率。此时，由于能够使位于气体流的上游侧的多孔质部70的透气性高 于位于气体流的下游侧的多孔质部90的透气性，因此从气体流量控制的观点考 虑也应优选。并且，还可以并未设置有多孔质部70。
62.图2是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图3是例示实施方式所涉及的陶瓷多孔质部的模式化剖视图。图2是例示多孔质部90及多孔质部70的周边的模式化剖视图，相当于图1 所示的区域a的放大图。
63.并且，为了避免变烦杂，图2中省略点13(例如，参照图1)而进行 了描绘。
64.如图2所示，在该例子中，在设置于第1孔部53a的锪孔部53s，配 置有多孔质部90，
在设置于第2孔部53b的锪孔部53s，配置有多孔质部70。 多孔质部90的第1面90a是向第3孔部53c露出的露出面。第1面90a与陶瓷 电介体基板11的第2主面11b位于大致同一平面上。多孔质部70的第3面70a 是向第3孔部53c露出的露出面。第3面70a与基座板50的上面50u位于大致 同一平面上。
65.在该例子中，设置在第1孔部53a的锪孔部53s的沿向x或y方向 的长度ts，相同或者小于第3孔部53c的沿向x或y方向的长度tc。多孔质部 90的沿向x或y方向的长度t1，相同或者小于锪孔部的长度ts。因此，能够提 高击穿抑制效果。
66.如果多孔质部90的横宽(长度t1)与锪孔部53s的横宽(长度ts) 相同，则能够抑制在多孔质部90的侧面(分别垂直于第1面90a及第2面90b 的面)与锪孔部53s之间的放电。例如通过烧结将陶瓷电介体基板11与多孔质 部90一体化，从而能够将长度t1与长度ts做成相同。关于多孔质部90的固定， 在以后进行叙述。
67.如图3所示，多孔质部90具有连接第1面90a与第2面90b的侧面 90s。侧面90s是多孔质部90的外周面。当多孔质部90呈圆柱形状时，侧面90s 呈环状。侧面90s具有：第1面90a侧的第1侧部90s1；第2面90b侧的第2 侧部90s2；及第1侧部90s1与第2侧部90s2之间的第3侧部90s3。例如，第1 侧部90s1的下端连接于第1面90a，第1侧部90s1与第1面90a相连。例如， 第2侧部90s2的上端连接于第2面90b，第2侧部90s2与第2面90b相连。其 中，在位于最靠近接合部60的位置且与第1面90a相连的区域中，第1侧部90s1 具有第1倾斜部s1。在第1倾斜部s1，侧面90s相对于z方向发生倾斜。第1 面90a的当在x或y方向上观察时的长度(横宽)，小于第2面90b的当在x 或y方向上观察时的长度。如图2所示，当在x或y方向上观察时，多孔质部90的第1面90a与接合 部60发生重叠。第1面90a位于第3孔部53c。由于在第3孔部53c(空间)配 置绝缘性的陶瓷多孔质部90，因此能够提高抗击穿性。
68.静电吸盘110具备弹性体30。弹性体30被设置成与接合部60的端部 60e相对。图2中，虽然示出了弹性体30与接合部60在x或y方向上接触的 例子，但是在弹性体30与接合部60之间还可以离开距离。当在x或y方向上 观察时，第1面90a还与后述的弹性体30发生重叠。弹性体30在z方向上被陶瓷多孔质部90与基座板50所夹住。在该例子中， 在基座板50的第2孔部53b设置有多孔质部70，弹性体30在z方向上被陶瓷 多孔质部90与多孔质部70所夹住。此时，弹性体30在第1倾斜部s1处接触 多孔质部90。使用时静电吸盘暴露于较大温度变化下，而陶瓷电介体基板11及/或基座板 50有时因热而发生膨胀或收缩。此时，由于缘于热的应力也施加到配置在气体 导入路的第1孔部53a的陶瓷多孔质部90，因此有时多孔质部90发生膨胀而向 第3孔部53c侧发生变形。根据该静电吸盘110，设置有弹性体30，该弹性体 30构成为，在陶瓷多孔质部90中的第1面90a侧的第1侧部90s1处接触第1 倾斜部s1，该第1倾斜部s1设置在与第1面90a相连的区域中。因此，由于通 过第1倾斜部s1及弹性体30吸收陶瓷多孔质部90的变形，所以能够抑制陶瓷 多孔质部90的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制效果。另外，由于在第 3孔部53c处与接合部60的端部60e相对而配置有弹性体30，因此在使用静电 吸盘时能够抑制端部60e被等离子体所腐蚀而产生颗粒。
69.弹性体30由具有绝缘性及抗等离子性的材料所构成。弹性体30具有 例如可吸收
多孔质部90的变位程度的弹性(柔软性)。弹性体由树脂构成。作 为树脂可例举聚四氟乙烯(ptfe)等氟树脂及聚酰亚胺等。当弹性体的形状为 环状时，容易定位，在制造上也应优选。
70.如图3所示，多孔质部90具有多孔部(第1多孔部91)及致密部(第 1致密部93)。第1多孔部91具有透气性。第1致密部93与第1多孔部91相 比更致密。第1多孔部91的气孔率大于第1致密部93的气孔率。第1多孔部 91具有多个孔。优选多个孔为具有规定范围的孔径的直线孔。此时，孔径为例 如1um～30um。多个孔还可以一边相互连通一边随机配置。第1致密部93实质 上还可以并不具有透气性。第1致密部93被配置成覆盖第1多孔部91的外周。 通过设置第1致密部93，能够提高多孔质部90的刚性。例如，当在多孔质部 90的侧面90s与锪孔部53s之间配置粘接剂时，通过设置第1致密部93来能够 抑制粘接剂侵入多孔质部90而透气性变差。
71.在侧面90s上，第1倾斜部s1设置在致密部(第1致密部93)。因此， 能够进一步提高接触弹性体30的第1倾斜部s1的强度，有效地抑制陶瓷多孔 质部90的破损，从而可长期维持电弧放电的降低效果。在该例子中，弹性体30 的在接触第1倾斜部的部分处的沿向z方向的长度，大于接合部60的沿向z方 向的长度。因此，由于弹性体30成为在接合部60的端部60e与陶瓷多孔质部 90之间的物理性阻挡层，所以即使在接合部60被等离子体所腐蚀而产生颗粒的 情况下，也能够抑制因该颗粒侵入陶瓷多孔质部90而气体流量经时性下降。因 此，可长时间维持降低电弧放电的抑制效果。第1侧部90s1由第1倾斜部s1构成，也就是说由第1侧部90s1整体构成 第1倾斜部s1，从陶瓷多孔质部的破损抑制的观点考虑也应优选。
72.也优选弹性体30的沿向x或y方向的长度，小于配置在第1多孔部 91外周的第1致密部93的沿向x或y方向的长度。此时，能够有效地抑制多 孔质部90的破损。另外，能够抑制当在z方向上观察时弹性体30与第1多孔 部91发生重叠而多孔质部90的气体流量下降。当弹性体30呈环状时，沿向x或y方向的长度指环(ring)的宽度。第1 致密部93的沿向x或y方向的长度指覆盖第1多孔部91的环状(ring)的宽 度。
73.在图2所示的例子中，多孔质部70同样也具有第2多孔部71及第2 致密部73。第2多孔部71具有透气性。第2致密部73与第2多孔部71相比更 致密。第2多孔部71的气孔率大于第2致密部73的气孔率。第2致密部73实 质上还可以并不具有透气性。第2致密部73被配置成覆盖第2多孔部71的外 周。并且，在第2多孔部71，当多个孔为具有规定范围的孔径的直线状的孔时， 其孔径还可以大于第1多孔部91的孔径。当静电吸盘110具备配置在第2孔部 53b的多孔质部70时，弹性体30接触多孔质部70的第3面70a。当多孔质部 70具有第2多孔部71及第2致密部73时，优选弹性体30接触第2致密部73。 弹性体30还可以接触第2多孔部71的一部分。
74.并且，在多孔质部90，作为第1多孔部91除了覆盖第1致密部93 外周的部分以外还可以具有其他部分。作为其他部分的例子，例如可例举第1 致密部93的中央附近且当在z方向上观察时与第1孔部53a的第1部分53aa 发生重叠的部分即第1中央致密部。在多孔质部70，作为第2多孔部71除了覆 盖第2致密部73外周的部分以外也还可以具有其他部分。作为其他部分，可例 举当在z方向上观察时与第1孔部53a的第1部分53aa发生重叠的部分且当在 z方向上观察时围住配置在第1致密部93中央附近的部分的部分即第2中央致 密部。关于第1中央致密部及第2中央致密部的详细内容，作为本说明书的一部 分构成
而引用日本特开2020-072261号公报及日本特开2020-150257号公报的内 容。例如，第1多孔部91的密度低于第1致密部93的密度。例如，第1多孔 部91的透气性高于第1致密部93的透气性。例如，第1多孔部91呈圆柱状。 第1致密部93接触第1多孔部91的外周侧面。第1致密部93呈围住第1多孔 部91的外周侧面的环状(管状)。例如，第2多孔部71的密度低于第2致密部73的密度。例如，第2多孔 部71的透气性高于第2致密部73的透气性。例如，第2多孔部71呈圆柱状。 第2致密部73接触第2多孔部71的外周侧面。第2致密部73呈围住第2多孔 部71的外周侧面的环状(管状)。
75.图4是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。在图4所示的例子中，在多孔质部90，第3侧部90s3的至少一部分具有第 2倾斜部s2。在该例子中，第1侧部90s1由第1倾斜部s1构成，第2倾斜部 s2连续于第1倾斜部s1。也就是说，从多孔质部90的第1面90a侧连续配置 有第1倾斜部s1及第2倾斜部s2。在第2倾斜部s2与锪孔部53s之间设置有 固定部65。因此，由于能够将固定部65配置在离开等离子体的位置，因此能够 抑制固定部65被等离子体所腐蚀，可长期维持降低电弧放电的抑制效果。可利用与接合部60相同的固定部65，例如可作为已发生固化的硅酮粘接剂。 在该例子中，第1倾斜部s1的相对于第1面90a的角度θ1与第2倾斜部s2的 相对于第1面90a的角度θ2相同。如果将角度θ1做成大于角度θ2，则第2倾 斜部s2与锪孔部53s之间的空间变得越小，第1倾斜部s1与锪孔部53s或接合 部60之间的空间变得越大。因此，能够在提高抗击穿性的同时有效地抑制多孔 质部90的破损。另外，如果将角度θ1做成小于角度θ2，则第2倾斜部s2与锪 孔部53s之间的空间变得越大。因此，通过固定部65能够更加牢固地固定多孔 质部90。θ1、θ2例如为15
°
～50
°
。作为一个例子，第1倾斜部s1的离第1 面90a的z方向的最大距离为多孔质部90的z方向的距离(高度)的30％以下。 作为一个例子，第2倾斜部s2的离第1面90a的z方向的最大距离为多孔质部 90的z方向的距离(高度)的60％以下。
76.如图4所示，多孔质部90的第2侧部90s2的沿向x或y方向的长 度，还可以大致相同于锪孔部53s的沿向x或y方向的长度。也就是说，在第 2侧部90s2与锪孔部53s之间沿着x或y方向接合不存在间隙。因此可提高抗 击穿性。还有选在第2侧部90s2与锪孔部53s之间并不存在固定部。此时，能 够抑制使用中固定部被等离子体所腐蚀而抗击穿性经时性下降。
77.还可以在第3孔部53c配置绝缘性的击穿抑制部(未图示)。通过用 击穿抑制部大致填上第3孔部53c的空间，从而能够提高抗击穿性。击穿抑制 部构成为气体可通过。击穿抑制部还可以具有弹性。击穿抑制部还可以由聚酰 亚胺、聚四氟乙烯(ptfe)等氟树脂及环氧树脂等所构成。击穿抑制部还可以 由陶瓷构成。优选击穿抑制部的透气率高于多孔质部90。多孔质部90的气孔率还可以小于多孔质部70的气孔率。在气体导入路53 中，通过将配置在更靠近等离子体氛围的部分的多孔质部90的气孔率做成相对 较小，从而能够进一步提高抗击穿性。虽然在图2及图3中对具备2个多孔质部(多孔质部90、多孔质部70)的 静电吸盘的例子进行了说明，但是并不局限于此，而是可根据目的进行改变， 还可以只具备多孔质部90。
78.作为一个例子，锪孔部53s的横宽(ts)为1mm～5mm。在第1孔部 53a，第1部分53aa的沿向x或y方向的长度t1a例如为0.05毫米(mm)以上、 0.5mm以下。
79.并且，当第1孔部53a的第1部分53aa向槽14发生开口时，第1部 分53aa的横宽(t1a)是第1部分53aa的接触槽的部分的宽度。多孔质部90的 横宽(t1)及多孔质部70横宽(长度t2)均为最大部分的尺寸。优选多孔质部 的50％以上具有该尺寸，更优选70％以上，进一步优选90％以上。
80.接合部60的高度(长度h2)例如为100μm～1000μm，优选200μm～ 600μm。并且，接合部60的沿向z方向的长度，相同于第3孔部53c的沿向z 方向的长度。
81.在该例子中，多孔质部90的第2面90b位于第1孔部53a的内部。 也就是说，第2面90b与陶瓷电介体基板11的第1主面11a并不构成同一平面。 多孔质部70的第4面70b位于第2孔部53b的内部。也就是说，第4面70b与 基座板50的下面50d并不构成同一平面。
82.多孔质部90及多孔质部70的材料使用具有绝缘性的陶瓷。多孔质部 90(后述的各自第1多孔部91及第1致密部93)含有氧化铝(al2o3)、氧化钛 (tio2)及氧化钇(y2o3)的至少任意一个。由此，能够得到多孔质部90的较 高的绝缘强度及较高的刚性。
83.例如，多孔质部90将氧化铝、氧化钛及氧化钇的任意一个作为主成 分。此时，能够使陶瓷电介体基板11的氧化铝的纯度高于多孔质部90的氧化 铝的纯度。这样，能够确保静电吸盘110的抗等离子性等性能，而且能够确保 多孔质部90的机械强度。作为一个例子，通过使多孔质部90含有微量的添加 物，从而促进多孔质部90的烧结，能够确保对气孔的控制及机械强度。
84.关于多孔质部90及多孔质部70的详细内容，作为本说明书的一部分 构成而引用日本专利6489277号公报的内容。
85.本说明书中，能够通过荧光x线分析、icp-aes法(inductively coupledplasma-atomic emission spectrometry：电感耦合等离子体原子发射光谱法)等对 陶瓷电介体基板11的氧化铝等的陶瓷纯度进行测定。
86.在多孔质部，例如多孔部(第1多孔部91、第2多孔部71)的材料 与致密部(第1致密部93、第2致密部73)的材料相同。但是，多孔部的材料 与致密部的材料还可以不同。多孔部的材料的组成与致密部的材料的组成还可 以不同。
87.例如，对通过扫描式电子显微镜得到的图像进行图像解析，由此算出 在陶瓷电介体基板11及多孔质部70中的气孔率。根据jis(日本工业标准)c2141 5.4.3测定密度。
88.制造方法以下，对以上所说明的实施方式所涉及的静电吸盘的制造方法进行叙述。准备在第1孔部53a配置有多孔质部90的陶瓷电介体基板11和在第2孔部 53b配置有多孔质部70的基座板50。作为多孔质部90使用在侧面90s上具有第 1倾斜部s1的构件。在陶瓷电介体基板11的第2主面11b或基座板50的上面 50u上配置成为接合部60的粘接剂。另外，在基座板50或陶瓷电介体基板11 的规定位置配置弹性体30。之后，在第1倾斜部s1与弹性体30发生接触的状 态下，以第1孔部53a与第2孔部53b相对的方式，接合基座板50与陶瓷电介 体基板11而形成接合部60。
89.处理装置图5是例示本实施方式所涉及的处理装置200的模式图。如图5所示，能够在处理装置200中设置静电吸盘110、电源210、介质供 给部220、供给部230。
将电源210电连接于设置于静电吸盘110的电极12。能够使电源210为例 如直流电源。电源210对电极12外加规定的电压。另外，还可以将切换电压的 外加与停止电压的外加的开关设置于电源210。
90.将介质供给部220连接于输入路51及输出路52。介质供给部220例 如能够供给由冷却介质或保温介质所构成的液体。介质供给部220例如具有收容部221、控制阀222、排出部223。
91.能够使收容部221为例如收容液体的储液箱或工厂配管等。另外，在 收容部221可设置控制液体温度的冷却装置或加热装置。在收容部221还可以 具备用于送出液体的泵等。
92.控制阀222连接于输入路51与收容部221之间。控制阀222能够控 制液体的流量及压力的至少任意一个。另外，还可以使控制阀222切换液体的 供给与停止供给。
93.排出部223连接于输出路52。能够使排出部223为回收从输出路52 排出的液体的储液箱或排液配管等。并且，并不一定需要排出部223，还可以向 收容部221供给从输出路52排出的液体。这样，由于能够使冷却介质或保温介 质进行循环，因此能够实现省资源化。
94.供给部230具有气体供给部231及气体控制部232。能够使气体供给部231为收容氦等气体的高压瓶或工厂配管等。并且，虽 然例示了设置有1个气体供给部231的情况，但是还可以设置有多个气体供给 部231。
95.气体控制部232连接于多个气体导入路53与气体供给部231之间。 气体控制部232能够控制气体流量及压力的至少任意一个。另外，还可以使气 体控制部232还具有切换气体的供给与停止供给的功能。能够使气体控制部232 为例如质量流量控制器(mass flow controller)或质量流量计(mass flow meter) 等。
96.如图5所示，能够设置多个气体控制部232。例如，能够将气体控制 部232设置于第1主面11a的每一个多个区域。这样，能够在每一个多个区域中 进行气体供给的控制。此时，还可以将气体控制部232设置于每一个多个气体 导入路53。这样，能够更加精密地进行在多个区域中的气体控制。并且，虽然 例示了设置多个气体控制部232的情况，但是如果气体控制部232能够独立控 制多个供给系统中的气体供给，则1台也即可。
97.在此，在保持对象物w的手段中存在真空吸盘及机械吸盘等。但是， 在比大气压更被减压的环境中无法使用真空吸盘。另外，如果使用机械吸盘， 则有可能对象物w受损伤或者产生颗粒。因此，例如在半导体制造流程等中使 用的处理装置中使用静电吸盘。
98.在这样的处理装置中，需要从外部环境隔离处理空间。因此，处理装 置200可以还具备腔室240。能够使腔室240具有例如可维持比大气压更被减压 的氛围的气密构造。另外，处理装置200能够具备多个升降销及使多个升降销进行升降的驱动 装置。在从搬运装置接收对象物w或者向搬运装置传递对象物w时，升降销因 驱动装置而进行上升并从第1主面11a突出。在将从搬运装置接收的对象物w 放置于第1主面11a时，升降销因驱动装置而进行下降并收容于陶瓷电介体基板 11的内部。
99.另外，在处理装置200中能够对应于处理内容而设置各种装置。例如， 能够设置对腔室240的内部进行排气的真空泵等。能够设置在腔室240的内部 产生等离子体的等离子体产生装置。能够设置向腔室240的内部供给流程气体 的流程气体供给部。还可以设置在腔室240的内部加热对象物w或流程气体的 加热器。并且，设置于处理装置200的装置并不
限定于例示的内容。由于在设 置于处理装置200的装置中可应用已知的技术，因此省略详细的说明。
100.图6是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图7是例示本实施方式所涉及的处理装置的模式图。图6对应于图1所示的静电吸盘。图7对应于图5所示的处理装置。如图7所示，在该例子中，设置有静电吸盘110a(静电吸盘110的一个例 子)及陶瓷电介体基板11c(陶瓷电介体基板11的一个例子)。
101.图8是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图8是例示多孔质部90及多孔质部70的周边的模式化剖视图，对应于图4。 并且，在实施方式的说明中，有时将从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方 向称为“上”，将从陶瓷电介体基板11朝向基座板50的方向称为“下”。另外， 有时将陶瓷多孔质部90称为多孔质部90，将陶瓷多孔质部70称为多孔质部70。
102.在第2方向(xy平面内的1个方向)上，第1孔部53a与陶瓷电介 体基板11排列。xy平面是垂直于z方向的平面。例如，第1孔部53a由设置 于陶瓷电介体基板11的孔的至少一部分所形成。在第2方向上，第2孔部53b 与基座板50排列。例如，第2孔部53b由设置于基座板50的孔的至少一部分 所形成。第3孔部53c穿通接合部60，在第2方向上，与接合部60排列。例如， 第3孔部53c由被接合部60围住的空间(孔)的至少一部分所形成。
103.例如，第1孔部53a、第2孔部53b及第3孔部53c的各自外周在xy 平面上的形状为圆状。并且，称为圆状的范围不仅指完全的圆(真圆)，而且还 可以包含真圆发生扭曲的形状，例如还可以包含椭圆或扁平圆。圆柱状是具有 圆状的截面形状的柱状。
104.第1孔部53a包含第1部分53aa、第2部分53ab、中间部分53ac。 中间部分53ac位于第1部分53aa与第2部分53ab之间。中间部分53ac例如包 含多孔质部90的第2面90b与陶瓷电介体基板11(锪孔面53ah)之间的空间。
105.第2部分53ab包含锪孔部53s。例如，第1部分53aa、第2部分53ab、 中间部分53ac及锪孔部53s的各自外周在xy平面上的形状为圆状。锪孔部53s 的沿向第2方向的长度ts，大于第1部分53aa的沿向该第2方向的长度t1a。并 且，长度ts例如是锪孔部53s的直径，是锪孔部53s的平面形状的最大宽度。 平面形状的最大宽度是在沿向xy平面内的方向的长度中的最大值。长度t1a例 如是第1部分53aa的直径，是第1部分53aa的平面形状的最大宽度。例如，锪 孔部53s是第1孔部53a中的直径从第1部分53aa发生放大的部分的至少一部 分。例如，在xy平面内，锪孔部53s的中心位置与第1部分53aa的中心位置 大致相同。
106.例如，锪孔部53s的沿向第2方向的长度ts为第3孔部53c的沿向该 第2方向的长度tc以下。并且，长度tc例如是第3孔部53c的直径，是第3孔 部53c的平面形状的最大宽度。例如，多孔质部90的沿向第2方向的长度t1为锪孔部53s的长度ts以下。 并且，长度t1例如是多孔质部90的直径，是多孔质部90的平面形状的最大宽 度。
107.第1部分53aa的上端设置于陶瓷电介体基板11的第1主面11a，连 续于第1主面11a的槽14。第1部分53aa直接连接于第1主面11a的槽14。第 2部分53ab的下端设置于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。锪孔部53s的下 端设置于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。
108.陶瓷电介体基板11具有与第1孔部53a的内周侧面53as发生交叉的 锪孔面53ah。锪孔面53ah例如在第2方向上延展，朝向下方。第1部分53aa 的下端设置于锪孔面53ah。
109.多孔质部90的第1面90a是基座板50侧的下面，第2面90b是上面。 第1面90a及第2面90b分别例如沿着xy平面延伸，实质上是平面。在第1 面90a与多孔质部70(或基座板50)之间形成有空间。
110.在第2方向上，弹性体30分别与接合部60及第1面90a排列。弹性 体30位于第1面90a与接合部60的端部之间。例如，通过弹性体30将接合部 60隔离于第1面90a与多孔质部70(或基座板50)之间的空间。由此，抑制接 合部60被暴露于等离子体或气体，得到保护。例如，在气体导入路53的气体 可通过的空间中配置有弹性体30，以便接合部60不会直接接触。
111.多孔质部90还可以包含第1陶瓷部分901、第2陶瓷部分902、第3 陶瓷部分903。第1陶瓷部分901是多孔质部90的下部，具有第1面90a。第2 陶瓷部分902是多孔质部90的上部，具有第2面90b。第3陶瓷部分903是在 z方向上位于第1陶瓷部分901与第2陶瓷部分902之间的部分。即，第3陶瓷 部分903的z方向的位置，位于第1陶瓷部分901的z方向的位置与第2陶瓷 部分902的z方向的位置之间。
112.第1陶瓷部分901的沿向第2方向的长度t901，小于第2陶瓷部分902 的沿向第2方向的长度t902。第1陶瓷部分901的沿向第2方向的长度t901， 小于第3陶瓷部分903的沿向第2方向的长度t903。并且，长度t901例如是第 1陶瓷部分901的直径，是第1陶瓷部分901的平面形状的最大宽度。长度t902 例如是第2陶瓷部分902的直径，是第2陶瓷部分902的平面形状的最大宽度。 长度t903例如是第3陶瓷部分903的直径，是第3陶瓷部分903的平面形状的 最大宽度。
113.例如，第1陶瓷部分901的侧面(相对于xy平面发生交叉的外周面) 相对于z方向发生倾斜。此时，第1陶瓷部分901的长度t901沿着z方向发生 变化，伴随朝向下方例如单调地变短。例如，第2陶瓷部分902的侧面沿着z 方向延伸。此时，第2陶瓷部分902的长度t902沿着z方向呈一定。另外，例 如，第3陶瓷部分903的侧面相对于z方向发生倾斜。此时，第3陶瓷部分903 的长度t903沿着z方向发生变化，伴随朝向下方例如单调地变短。
114.在该例子中，第1陶瓷部分901及第3陶瓷部分903呈圆锥台状，第 2陶瓷部分902呈圆柱状。例如，在xy平面内，第1陶瓷部分901的中心位置 与第2陶瓷部分902的中心位置大致相同。
115.第1陶瓷部分901的侧面例如是前述的第1侧部90s1。第2陶瓷部分 902的侧面例如是第2侧部90s2。第3陶瓷部分903的侧面例如是第3侧部90s3。
116.在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分903发生重叠。 换言之，在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分903排列。在该 例子中，在z方向上，环状的弹性体30的内周侧的部分与第1陶瓷部分901、 第2陶瓷部分902及第3陶瓷部分903发生重叠。在z方向上，环状的弹性体 30的外周侧的部分并不与多孔质部90发生重叠。但是，在z方向上，还可以弹 性体30的整体与多孔质部90发生重叠。
117.弹性体30接触第1陶瓷部分901及第3陶瓷部分903的至少任意一 个。在该例子中，弹性体30接触第1陶瓷部分901的发生倾斜的侧面。
118.例如，第2陶瓷部分902的沿向第2方向的长度t902，大致相同于锪 孔部53s的沿向第2方向的长度ts。具体而言，第2陶瓷部分902的第2方向上 的一端及第2陶瓷部分902的该第2方向上的另一端分别接触锪孔部53s(形成 锪孔部53s的陶瓷电介体基板11的内周面)。
例如，第2陶瓷部分902的外径(长 度t902)与锪孔部53s的内径(长度ts)大致相同。由此，在陶瓷多孔质部90， 在最接近等离子体的第2陶瓷部分902与锪孔部53s之间几乎不存在间隙，因此 可长期维持降低电弧放电的抑制效果。并且，“大致相同”或“相同”并不只局 限于严格相同，而是还可以包括例如缘于制造偏差的程度的范围或者制造上的 游隙(例如用于在锪孔部内配置多孔质部等的些许间隙)范围内的不同。
119.图9是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图9是在图8所示的c-c线上的截面。并且，图8对应于在图9的d-d线 上的截面。d-d线通过多孔质部90的平面形状的中心。例如，第1多孔部91呈圆柱状。第1致密部93接触第1多孔部91的外周 侧面91s。第1致密部93呈围住第1多孔部91的外周侧面91s的环状(管状)。
120.如图9所示，环状的弹性体30的内周侧还可以在其环状的整周的跨 度上接触第1倾斜部s1。另外，环状的弹性体30的外周侧还可以其环状的整周 的跨度上接触接合部60的端部60e。
121.图10是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图10是例示与图1相同的静电吸盘的一部分的模式化剖视图。但是，在多 孔质部90的形状等上，该例子不同于前述的例子。即使在该例子中，也设置具 有第1孔部53a、第2孔部53b、第3孔部53c的气体导入路53。第1孔部53a 具有锪孔部53s。多孔质部90的一部分配置在锪孔部53s内。弹性体30与接合 部60的第3孔部53c侧的端部相对。在第2方向上，弹性体30与接合部60排 列。
122.如图10所示，多孔质部90具有第1陶瓷部分901、第2陶瓷部分902、 第3陶瓷部分903。即使在该例子中，第1陶瓷部分901的沿向第2方向的长度 t901，也小于第2陶瓷部分902的沿向第2方向的长度t902。第1陶瓷部分901 的沿向第2方向的长度t901，小于第3陶瓷部分903的沿向第2方向的长度t903。
123.多孔质部90具有侧面90f。侧面90f是相对于xy平面发生交叉的外 周面。侧面90f具有第1陶瓷部分901的侧面901f、第2陶瓷部分902的侧面 902f、第3陶瓷部分903的侧面903f。侧面901f朝向与z方向发生交叉的方向 (例如垂直于z方向的方向)，例如沿着z方向延伸。侧面902f朝向相对于z 方向发生交叉的方向。侧面903f朝向相对于z方向发生交叉的方向(例如垂直 于z方向的方向)，例如沿着z方向延伸。侧面901f、侧面902f及侧面903f分 别还可以平行于z方向。侧面901f、侧面902f及侧面903f分别还可以倾斜于z 方向。
124.在该例子中，多孔质部90具有设置在第1陶瓷部分901的侧面901f 与第3陶瓷部分903的侧面903f之间的阶梯部。具体而言，第3陶瓷部分903 具有沿着第2方向延伸的延展面903h。延展面903h例如平行于xy平面。延展 面903h连接侧面901f与侧面903f。延展面903h是第3陶瓷部分903的下面， 朝向下方。第1陶瓷部分901是从第3陶瓷部分903的下面(延展面903h)的 中央部向下方突出的凸部。例如，第1陶瓷部分901、第2陶瓷部分902及第3 陶瓷部分903分别呈圆柱状。第2陶瓷部分902还可以呈圆锥台状。
125.当在第2方向上观察时，多孔质部90的第1面90a与弹性体30及接 合部60排列。换言之，在第2方向上，弹性体30分别与接合部60及第1面90a 排列。
126.在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分903发生重叠。 在该例子中，在z方向上，环状的弹性体30的整体与第3陶瓷部分903发生重 叠。
127.弹性体30接触第1陶瓷部分901及第3陶瓷部分903的至少任意一 个。在图10的例子中，弹性体30的上面接触第3陶瓷部分903的延展面903h。 弹性体30的侧面(内周面)还可以接触第1陶瓷部分901的侧面901f。另外， 弹性体30的下面例如接触多孔质部70(或基座板50)。
128.像这样，实施方式中，弹性体30的至少一部分在z方向上与第3陶 瓷部分903发生重叠，弹性体30接触第1陶瓷部分901及第3陶瓷部分903的 至少任意一个。由此，由于通过弹性体30吸收缘于热的陶瓷多孔质部90的变 形，所以能够抑制陶瓷多孔质部90的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制 效果。另外，当在第2方向上观察时，第1面90a与接合部60及弹性体30发生 重叠。也就是说，第1陶瓷部分901的一部分配置在第3孔部53c。由此，能够 提高抗击穿性。另外，由于在第3孔部53c处与接合部60的端部60e相对而配 置有弹性体30，因此在使用静电吸盘时能够抑制端部60e被等离子体所腐蚀而 产生颗粒。
129.弹性体30的沿向z方向的长度30t，例如相同于接合部60的沿向z 方向的长度h2。由此，例如即使从接合部60产生了颗粒，也能够抑制该颗粒到 达多孔质部90。长度30t与长度h2相比还可以更长。
130.图11是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图11是在图10所示的a-a线上的截面。并且，图10对应于在图11的b-b 线上的截面。b-b线通过多孔质部90的平面形状的中心。多孔质部90具有第1多孔部91及第1致密部93。在该例子中，多孔质部 90还具有致密部92。
131.致密部92例如呈圆柱状。致密部92与第1多孔部91相比更致密。 第1多孔部91的气孔率大于致密部92的气孔率。例如，第1多孔部91的密度 低于致密部92的密度。第1多孔部91的透气性高于致密部92的透气性。致密 部92实质上还可以并不具有透气性。第1多孔部91接触致密部92的外周侧面 92s。第1多孔部91呈围住致密部92的外周侧面92s的环状(管状)。并且，当 并未设置有致密部92时，第1多孔部91例如呈圆柱状。第1致密部93接触第 1多孔部91的外周侧面91s。第1致密部93呈围住第1多孔部91的外周侧面 91s的环状(管状)。
132.弹性体30接触第1致密部93。例如，第1陶瓷部分901的侧面901f 及第3陶瓷部分903的延展面903h分别设置在第1致密部93。由此，由于与弹 性体发生接触的第1陶瓷部分901及第3陶瓷部分903的至少任意一个的强度 进一步提高，因此有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持电弧放电 的降低效果。
133.环状的弹性体30的上面还可以在其环状的整周的跨度上接触第3陶 瓷部分903的延展面903h。环状的弹性体30的内周侧面还可以在其环状的整周 的跨度上接触第1陶瓷部分901的侧面901f。
134.图12是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图12是例示与图1相同的静电吸盘的一部分的模式化剖视图。但是，在多 孔质部70及其周边的形状等上，该例子不同于前述的例子。
135.图12是例如平行于z方向且通过多孔质部70的平面形状的中心的截 面。如图12所示，设置穿通陶瓷电介体基板11、基座板50及接合部60的气体 导入路53。气体导入路53具有第1孔部53a、第2孔部53b及第3孔部53c。
136.第1孔部53a具有在第2方向上排列的多个细孔16。各细孔16在z 方向上从第3孔部53c延伸至槽14。
137.第2孔部53b具有第3部分53bu及第4部分53bd。在该例子中，第 3部分53bu包含锪孔部53s。即，在该例子中，锪孔部53s设置在第2孔部53b。 还可以将锪孔部53s并不设置在第1孔部53a。第3部分53bu的上端设置于基 座板50的上面50u。锪孔部53s的上端设置于上面50u。例如，第4部分53bd 连接于锪孔部53s的下端。第4部分53bd的下端设置于基座板50的下面50d。
138.例如，第3部分53bu、第4部分53bd及锪孔部53s的各自外周在xy 平面上的形状为圆状。如图12所示，锪孔部53s的沿向第2方向的长度ts，大 于第4部分53bd的沿向该第2方向的长度t4a。长度t4a例如是第4部分53bd 的直径，是第4部分53bd的平面形状的最大宽度。例如，锪孔部53s是第2孔 部53b中的直径从第4部分53bd发生放大的部分的至少一部分。例如，在xy 平面内，锪孔部53s的中心位置与第4部分53bd的中心位置大致相同。
139.多孔质部70的一部分设置在锪孔部53s。多孔质部70具有第3孔部 53c侧的第1面70c(例如第3面70a)和第1面70c相反侧的第2面70d(例如 第4面70b)。多孔质部70的第1面70c是陶瓷电介体基板11侧的上面，第2 面70d是下面。第1面70c及第2面70d分别例如沿着xy平面延伸，实质上是 平面。在第1面70c与陶瓷电介体基板11之间形成有空间。
140.弹性体30被设置成与接合部60的第3孔部53c侧的端部60e相对。 在该例子中，弹性体30接触端部60e。在第2方向上，弹性体30分别与接合部 60及第1面70c排列。换言之，当在第2方向上观察时，第1面70c与接合部 60及弹性体30发生重叠。弹性体30位于第1面70c与接合部60的端部60e之 间。由此，抑制接合部60被暴露于等离子体或气体，得到保护。例如，通过弹 性体30将接合部60隔离于第1面70c与陶瓷电介体基板11之间的空间。例如， 在气体导入路53的气体可通过的空间中配置有弹性体30，以便接合部60不会 直接接触。
141.多孔质部70具有侧面70s。侧面70s是相对于xy平面发生交叉的外 周面。侧面70s连接第1面70c与第2面70d。侧面70s具有：第1面70c侧的 第1侧部70s1；第2面70d侧的第2侧部70s2；及第1侧部70s1与第2侧部70s2 之间的第3侧部70s3。在第1侧部70s1中的至少与第1面70c相连的区域中， 设置有相对于z方向发生倾斜的第1倾斜部s11。在该例子中，第1侧部70s1 由第1倾斜部s11构成。即，第1倾斜部s11与第1面70c相连，相对于z方 向发生倾斜。另外，第3侧部70s3具有相对于z方向发生倾斜的第2倾斜部s12。 例如，第2倾斜部s12连续于第1倾斜部s11。也就是说，从多孔质部70的第1面70a侧连续配置有第1倾斜部s11及第2倾斜部s12。还可以在第2倾斜部 s12与锪孔部53s之间设置固定部。
142.多孔质部70包含第1陶瓷部分701、第2陶瓷部分702、第3陶瓷部 分703。第1陶瓷部分701是多孔质部70的上部，具有第1面70c。第2陶瓷 部分702是多孔质部90的下部，具有第2面70d。第3陶瓷部分703是在z方 向上位于第1陶瓷部分701与第2陶瓷部分702之间的部分。即，第3陶瓷部 分703的z方向的位置，位于第1陶瓷部分701的z方向的位置与第2陶瓷部 分702的z方向的位置之间。
143.第1陶瓷部分701的沿向第2方向的长度t701，小于第2陶瓷部分 702的沿向第2方向的长度t702。第1陶瓷部分701的沿向第2方向的长度t701， 小于第3陶瓷部分703的沿向第2方向的长度t703。并且，长度t701例如是第 1陶瓷部分701的直径，是第1陶瓷部分701的平面形状的最大宽度。长度t702 例如是第2陶瓷部分702的直径，是第2陶瓷部分702的平面
形状的最大宽度。 长度t703例如是第3陶瓷部分703的直径，是第3陶瓷部分703的平面形状的 最大宽度。
144.第1陶瓷部分701的侧面相对于z方向发生倾斜。此时，第1陶瓷部 分701的长度t701沿着z方向发生变化，伴随朝向上方例如单调地变短。例如， 第2陶瓷部分702的侧面沿着z方向延伸。此时，第2陶瓷部分702的长度t702 沿着z方向呈一定。另外，例如，第3陶瓷部分703的侧面相对于z方向发生 倾斜。此时，第3陶瓷部分703的长度t703沿着z方向发生变化，伴随朝向上 方例如单调地变短。
145.在该例子中，第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分703呈圆锥台状，第 2陶瓷部分702呈圆柱状。例如，在xy平面内，第1陶瓷部分701的中心位置 与第2陶瓷部分702的中心位置大致相同。
146.第1陶瓷部分701的侧面例如是第1侧部70s1。第2陶瓷部分702 的侧面例如是第2侧部70s2。第3陶瓷部分703的侧面例如是第3侧部70s3。
147.在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分703发生重叠。 换言之，在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分703排列。在该 例子中，在z方向上，环状的弹性体30的内周侧的部分与第1陶瓷部分701、 第2陶瓷部分702及第3陶瓷部分703发生重叠。在z方向上，环状的弹性体 30的外周侧的部分并不与多孔质部70发生重叠。但是，在z方向上，还可以弹 性体30的整体与多孔质部70发生重叠。
148.弹性体30接触第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分903的至少任意一 个。在该例子中，弹性体30接触第1陶瓷部分901的发生倾斜的侧面。即，多 孔质部70在第1倾斜部s11处接触弹性体30。
149.如以上说明，弹性体30的至少一部分在z方向上与第3陶瓷部分703 发生重叠，弹性体30接触第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分703的至少任意一 个。由此，由于通过弹性体30吸收缘于热的陶瓷多孔质部70的变形，因此能 够抑制陶瓷多孔质部70的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制效果。另外，当在第2方向上观察时，第1面70c与接合部60及弹性体30发生 重叠。也就是说，第1陶瓷部分701的一部分配置在第3孔部53c。由此，能够 提高抗击穿性。另外，由于在第3孔部53c处与接合部60的端部60e相对而配 置有弹性体30，因此在使用静电吸盘时能够抑制端部60e被等离子体所腐蚀而 产生颗粒。
150.例如，第2陶瓷部分702的沿向第2方向的长度t702，大致相同于锪 孔部53s的沿向第2方向的长度ts。具体而言，第2陶瓷部分702的第2方向上 的一端及第2陶瓷部分702的该第2方向上的另一端分别接触锪孔部53s(形成 锪孔部53s的基座板50的内周面)。例如，第2陶瓷部分702的外径(长度t702) 大致相同于锪孔部53s的内径(长度ts)。由此，由于能够抑制陶瓷多孔质部70 与锪孔部53s之间的间隙，因此可长期维持降低电弧放电的抑制效果。
151.例如，第2多孔部71呈圆柱状。第2致密部73接触第2多孔部71 的外周侧面。第2致密部73呈围住第2多孔部71的外周侧面的环状(管状)。 环状的弹性体30的内周侧还可以在其环状的整周的跨度上接触第1倾斜部s11。 另外，环状的弹性体30的外周侧还可以其环状的整周的跨度上接触接合部60 的端部60e。
152.图13是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图13是例示与图1相同的静电吸盘的一部分的模式化剖视图。但是，在该 例子中，
在多孔质部70及其周边的形状等上，该例子不同于前述的例子。图13 是例如平行于z方向且通过多孔质部70的平面形状的中心的截面。即使在该例 子中，也设置具有第1孔部53a、第2孔部53b、第3孔部53c的气体导入路53。 第2孔部53b具有锪孔部53s。多孔质部70的一部分配置在锪孔部53s内。弹 性体30与接合部60的第3孔部53c侧的端部相对。在第2方向上，弹性体30 与接合部60排列。
153.如图13所示，多孔质部70具有第1陶瓷部分701、第2陶瓷部分702、 第3陶瓷部分703。即使在该例子中，第1陶瓷部分701的沿向第2方向的长度 t701，也小于第2陶瓷部分702的沿向第2方向的长度t702。第1陶瓷部分701 的沿向第2方向的长度t701，小于第3陶瓷部分703的沿向第2方向的长度t703。
154.多孔质部70具有侧面70f。侧面70f是相对于xy平面发生交叉的外 周面。侧面70f具有第1陶瓷部分701的侧面701f、第2陶瓷部分702的侧面 702f、第3陶瓷部分703的侧面703f。侧面701f朝向与z方向发生交叉的方向 (例如垂直于z方向的方向)，例如沿着z方向延伸。侧面702f朝向相对于z 方向发生交叉的方向。侧面703f朝向相对于z方向发生交叉的方向(例如垂直 于z方向的方向)，例如沿着z方向延伸。侧面701f、侧面702f及侧面703f分 别还可以平行于z方向。侧面701f、侧面702f及侧面703f分别还可以倾斜于z 方向。
155.在该例子中，多孔质部70具有设置在第1陶瓷部分701的侧面701f 与第3陶瓷部分703的侧面703f之间的阶梯部。具体而言，第3陶瓷部分703 具有沿着第2方向延伸的延展面703h。延展面703h例如平行于xy平面。延展 面703h连接侧面701f与侧面703f。延展面703h是第3陶瓷部分703的上面， 朝向上方。第1陶瓷部分701是从第3陶瓷部分703的上面(延展面703h)的 中央部向上方突出的凸部。例如，第1陶瓷部分701、第2陶瓷部分702及第3 陶瓷部分703分别呈圆柱状。第2陶瓷部分702还可以呈圆锥台状。
156.当在第2方向上观察时，多孔质部70的第1面70c与弹性体30及接 合部60排列。换言之，在第2方向上，弹性体30分别与接合部60及第1面70c 排列。
157.在z方向上，弹性体30的至少一部分与第3陶瓷部分703发生重叠。 在该例子中，在z方向上，环状的弹性体30的整体与第3陶瓷部分703发生重 叠。
158.弹性体30接触第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分703的至少任意一 个。在图13的例子中，弹性体30的下面接触第3陶瓷部分703的延展面703h。 弹性体30的侧面(内周面)还可以接触第1陶瓷部分701的侧面701f。另外， 弹性体30的上面例如接触陶瓷电介体基板11。
159.像这样，实施方式中，弹性体30的至少一部分在z方向上与第3陶 瓷部分703发生重叠，弹性体30接触第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分703的 至少任意一个。由此，由于通过弹性体30吸收缘于热的陶瓷多孔质部70的变 形，所以能够抑制陶瓷多孔质部70的破损。因此，可长期维持电弧放电的抑制 效果。另外，当在第2方向上观察时，第1面70c与接合部60及弹性体30发生 重叠。也就是说，第1陶瓷部分701的一部分配置在第3孔部53c。由此，能够 提高抗击穿性。另外，由于在第3孔部53c处与接合部60的端部60e相对而配 置有弹性体30，因此在使用静电吸盘时能够抑制端部60e被等离子体所腐蚀而 产生颗粒。
160.弹性体30的沿向z方向的长度30t，例如相同于接合部60的沿向z 方向的长度h2。长度30t还可以大于长度h2。另外，例如通过第3陶瓷部分703 的延展面703h及陶瓷基板11对弹性体30施加z方向的力。弹性体30还可以 在z方向上已发生压缩变形。即，弹性体30的
长度30t小于弹性体30的自然长 度(当陶瓷基板11及多孔质部并不外加压力时的z方向的长度)。例如，即使 从接合部60产生了颗粒，也能够抑制该颗粒到达多孔质部70。
161.多孔质部70具有第2多孔部71、第2致密部73、致密部72。致密部 72例如呈圆柱状。致密部72与第2多孔部71相比更致密。第2多孔部71的气 孔率大于致密部72的气孔率。例如，第2多孔部71的密度低于致密部72的密 度。第2多孔部71的透气性高于致密部72的透气性。致密部72实质上还可以 并不具有透气性。第2多孔部71接触致密部72的外周侧面。第2多孔部71呈 围住致密部72的外周侧面的环状(管状)。并且，当并未设置有致密部72时， 第2多孔部71例如呈圆柱状。第2致密部73接触第2多孔部71的外周侧面。 第2致密部73呈围住第2多孔部71的外周侧面的环状(管状)。
162.弹性体30接触第2致密部73。例如，第1陶瓷部分701的侧面701f 及第3陶瓷部分703的延展面703h分别设置在第2致密部73。由此，由于与弹 性体发生接触的第1陶瓷部分701及第3陶瓷部分703的至少任意一个的强度 进一步提高，因此有效地抑制陶瓷多孔质部的破损，从而可长期维持电弧放电 的降低效果。
163.环状的弹性体30的下面还可以在其环状的整周的跨度上接触第3陶 瓷部703的延展面703h。环状的弹性体30的内周侧面还可以在其环状的整周的 跨度上接触第1陶瓷部分701的侧面701f。
164.实施方式还可以包括以下的构成。构成1一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧 的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和 所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有 位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述 接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部；陶瓷多孔质部，具有所述第3孔部侧的第1面和所述第1面相反侧的第2 面，设置在所述锪孔部；及弹性体，被设置成与所述接合部的所述第3孔部侧的端部相对，所述陶瓷多孔质部还具有连接所述第1面与所述第2面的侧面，所述侧面具有：所述第1面侧的第1侧部；所述第2面侧的第2侧部；及所述第1侧部与所述第2侧部之间的第3侧部，而且，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向且 将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，在所述第1侧部中的至少与所述第1面相连的区域中，设置有相对于所述 第1方向发生倾斜的第1倾斜部，当在所述第2方向上观察时，所述第1面与所述接合部及所述弹性体发生 重叠，
所述陶瓷多孔质部构成为，在所述第1倾斜部处与所述弹性体发生接触。构成2构成1所记载的静电吸盘，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部； 及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的 外周，所述第1倾斜部设置在所述致密部。构成3构成1或2所记载的静电吸盘，所述第1侧部由所述第1倾斜部所构成。构成4构成3所记载的静电吸盘，具备所述第3侧部的至少一部分且连续于所述 第1倾斜部的第2倾斜部，在所述锪孔部与所述第2倾斜部之间，设置将所述陶瓷多孔质部固定于锪 孔部的固定部。构成5构成4所记载的静电吸盘，所述第2侧部的沿向所述第2方向的长度，大 致相同于所述锪孔部的沿向所述第2方向的长度。构成6构成1～5的任意一项所记载的静电吸盘，在所述弹性体中，在接触所述第 1倾斜部的部分处的沿向所述第1方向的长度，大于所述接合部的沿向所述第1 方向的长度。构成7构成1～6的任意一项所记载的静电吸盘，所述弹性体呈环状，当在所述第 1方向上观察时，所述第1面被所述弹性体所围住。构成8构成1～7的任意一项所记载的静电吸盘，所述弹性体含有聚四氟乙烯及聚 酰亚胺的至少任意一种。构成9一种处理装置，其特征为，具备：构成1～8的任意一项所记载的静电吸盘；及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气体的供给部。构成10一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧 的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和 所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有 位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述 接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部或所述第2孔部；陶瓷多孔质部，具有所述第3孔部侧的第1面和所述第1面相反侧的第2 面，设置在
所述锪孔部；及弹性体，被设置成与所述接合部的所述第3孔部侧的端部相对，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向且将与所 述第1方向正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部包括：具有所述第1 面的第1陶瓷部分；具有所述第2面的第2陶瓷部分；及在所述第1方向上位 于所述第1陶瓷部分与所述第2陶瓷部分之间的第3陶瓷部分，所述第1陶瓷部分的沿向所述第2方向的长度，小于所述第3陶瓷部分的 沿向所述第2方向的长度，当在所述第2方向上观察时，所述第1面与所述接合部及所述弹性体发生 重叠，所述弹性体的至少一部分在所述第1方向上与所述第3陶瓷部分发生重叠，所述弹性体接触所述第1陶瓷部分及所述第3陶瓷部分的至少任意一个。构成11构成10所记载的静电吸盘，所述陶瓷多孔质部具有连接所述第1面与所述第2面的侧面，所述侧面具有：所述第1面侧的第1侧部；所述第2面侧的第2侧部；及 所述第1侧部与所述第2侧部之间的第3侧部，在所述第1侧部中的至少与所述第1面相连的区域中，设置有相对于所述 第1方向发生倾斜的第1倾斜部，所述陶瓷多孔质部构成为，在所述第1倾斜部处与所述弹性体发生接触。构成12构成10所记载的静电吸盘，所述第3陶瓷部分具有沿着所述第2方向延伸 的延展面，所述弹性体接触所述延展面。构成13构成10～12的任意一项所记载的静电吸盘，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致 密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述弹性体接触所述致密部。构成14构成10～13的任意一项所记载的静电吸盘，所述第2陶瓷部分的沿向所述 第2方向的长度，大致相同于所述锪孔部的沿向所述第2方向的长度。构成15构成10～14的任意一项所记载的静电吸盘，所述弹性体在所述第1方向上 已发生压缩变形。构成16构成10～15的任意一项所记载的静电吸盘，所述弹性体呈环状，当在所述 第1方向上观察时，所述第1面被所述弹性体所围住。构成17
构成10～16的任意一项所记载的静电吸盘，所述弹性体含有聚四氟乙烯及 聚酰亚胺的至少任意一种。构成18一种处理装置，其特征为，具备：构成10～17的任意一项所记载的静电吸盘；及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气体的供给部。
165.本技术说明书中，“垂直”、“平行”及“正交”并不仅是严格的垂直、 严格的平行及严格的正交，而是例如还包括制造工序中的偏差等，只要实质上 的垂直、实质上的平行及实质上的正交即可。
166.以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不局限于上 述的内容。例如，虽然作为静电吸盘110而例示了利用库仑力的结构，但是即 使是利用约翰逊拉别克力的结构也可以加以应用。另外，关于前述的实施方式， 只要具备本发明的特征，则本领域技术人员适当加以设计变更的技术也包含在 本发明的范围内。另外，只要技术上可行，则可对前述的各实施方式所具备的 各要素进行组合，这些组合后的技术只要包含本发明的特征，则也包含在本发 明的范围内。