显示面板及其制作方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。


背景技术：

2.随着oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示技术的发展，消费者对oled显示产品提出了更高的要求。目前，oled显示面板的色域和分辨率还有待进一步提高。
3.所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，有助于提高显示面板的色域和分辨率，改善显示面板的显示效果。为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
5.根据本公开的第一个方面，提供一种显示面板，包括：
6.衬底基板，
7.驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，包括多个像素电路；
8.第一发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述第一发光层包括多个第一发光器件，多个所述像素电路用于一一对应地驱动各所述第一发光器件发光；
9.第二发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述第二发光层包括多个第二发光器件，所述第二发光器件为有机发光晶体管；
10.其中，所述第二发光器件在所述衬底基板上的正投影与所述第一发光器件在所述衬底基板上的正投影不重叠。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一发光层包括：
12.第一电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层包括多个间隔分布的所述第一发光器件的第一电极；
13.像素定义层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层设有多个开口，多个所述开口一一对应地暴露各所述第一发光器件的第一电极；
14.第一发光功能层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述第一发光功能层包括多个第一发光部，多个所述第一发光部一一对应地位于各所述开口内；
15.第二电极层，设于所述第一发光功能层远离所述第一发光功能层的一侧，所述第二电极层包括多个所述第一发光器件的第二电极；
16.其中，所述第二发光器件在所述衬底基板上的正投影与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
17.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二发光层包括：
18.第二栅极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极层包
括多个间隔分布的所述第二发光器件的栅极；
19.栅极介质层，设于所述第二栅极层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极介质层覆盖所述第二栅极层；
20.第三电极层，设于所述栅极介质层远离所述衬底基板的一侧，所述第三电极层包括多个间隔分布的所述第二发光器件的第一电极；
21.第二发光功能层，设于所述第三电极层远离所述衬底基板的一侧；
22.第四电极层，设于所述第二发光功能层远离所述衬底基板的一侧，所述第四电极层包括多个所述第二发光器件的第二电极。
23.在本公开的一种示例性实施例中，述第二栅极层与所述第一电极层同层设置，所述第二栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影不重叠；
24.所述栅极介质层复用为所述像素定义层。
25.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二发光层包括：
26.第三电极层，设于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，所述第三电极层包括多个间隔分布的所述第二发光器件的第一电极；
27.第二发光功能层，设于所述第三电极层远离所述衬底基板的一侧；
28.第四电极层，设于所述第二发光功能层远离所述衬底基板的一侧，所述第四电极层包括多个所述第二发光器件的第二电极；
29.栅极介质层，设于所述第四电极层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极介质层覆盖所述第四电极层；
30.第二栅极层，设于所述第二栅极层远离所述衬底基板的一侧表面，所述第二栅极层包括多个间隔分布的所述第二发光器件的栅极。
31.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三电极层的厚度为100-500nm，所述第三电极层的材料包括不透明材料。
32.在本公开的一种示例性实施例中，所述第四电极层与所述第二电极层同层设置。
33.在本公开的一种示例性实施例中，所述像素定义层的厚度为1-1.5μm，相邻两个所述开口之间的像素定义层的坡度角为20-40
°
，沿所述第一发光器件和所述第二发光器件的排列方向，相邻两个所述开口之间的像素定义层的宽度为10-15μm，所述开口的宽度为70-90μm。
34.在本公开的一种示例性实施例中，显示面板还包括：
35.封装层，设于所述第一发光层和所述第二发光层远离所述衬底基板的一侧；
36.彩膜层，设于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述彩膜层包括遮光部和被所述遮光部分隔开的多个滤光部，所述滤光部在垂直于所述衬底基板方向上与所述第一发光器件或所述第二发光器件一一对应设置。
37.在本公开的一种示例性实施例中，显示面板还包括：
38.量子点转换层，设于所述封装层和所述彩膜层之间，所述量子点转换层包括隔离部和被所述隔离部分隔开的多个光转换部，所述光转换部在垂直于所述衬底基板方向上与所述第一发光器件或所述第二发光器件一一对应设置，且所述光转换部和所述滤光部在垂直于衬底基板方向上一一对应设置，所述多个光转换部中至少部分所述转换部包含量子点
材料。
39.在本公开的一种示例性实施例中，所述多个光转换部包括：
40.多个第一光转换部，用于将所述第一发光器件或所述第二发光器件发出的光转换为第一颜色；
41.多个第二光转换部，用于将所述第一发光器件或所述第二发光器件发出的光转换为第二颜色。
42.在本公开的一种示例性实施例中，所述多个光转换部还包括：
43.多个第三光转换部，用于将所述第一发光器件或所述第二发光器件发出的光转换为第三颜色；
44.或多个透光部，用于使所述第一发光器件或所述第二发光器件发出的光透过。
45.在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动电路层还包括：
46.第一扫描线，用于向所述像素电路提供第一栅极驱动信号；
47.第二扫描线，用于向所述第二发光器件的栅极提供第二栅极驱动信号；
48.第一数据线，用于向所述像素电路提供第一数据信号；
49.第二数据线，用于向所述第二发光器件的第一电极提供第二数据信号；
50.第一电源电压线，用于向所述第一发光器件的第二电极提供第一电压；
51.第二电源电压线，用于向所述第二发光器件的第二电极提供第二电压。
52.根据本公开第二个方面，提供一种显示面板的制作方法，包括：
53.提供衬底基板，
54.于所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括多个像素电路；
55.于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一发光层和第二发光层，所述第一发光层包括多个第一发光器件，多个所述像素电路用于一一对应地驱动各所述第一发光器件发光，所述第二发光层包括多个第二发光器件，所述第二发光器件为有机发光晶体管；
56.其中，所述第二发光器件在所述衬底基板上的正投影与所述第一发光器件在所述衬底基板上的正投影不重叠。
57.根据本公开第三个方面，提供一种显示装置，包括如第一方面所述的显示面板。
58.本公开提供的显示面板，包括第一发光层和第二发光层，其中，第一发光层包括第一发光器件，第二发光层包括第二发光器件，第二发光器件为有机发光晶体管，第一发光器件和第二发光器件在衬底基板上的正投影不重叠。本公开将利用像素电路驱动的第一发光器件与自身具有开关功能的第二发光器件结合，有助于提高显示面板的色域和分辨率，改善显示面板的显示效果。
附图说明
59.通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
60.图1是本公开示例性实施例中衬底基板结构示意图；
61.图2是本公开示例性实施例中显示面板结构示意图；
62.图3是本公开另一示例性实施例中显示面板结构示意图；
63.图4是本公开又一示例性实施例中显示面板结构示意图；
64.图5本公开又一示例性实施例中显示面板结构示意图；
65.图6是本公开示例性实施例中第二发光器件信号线连接结构示意图；
66.图7是本公开示例性实施例中显示面板像素排列结构示意图；
67.图8是本公开示例性实施例中显示面板像素排列结构示意图。
68.图中主要元件附图标记说明如下：
69.1-衬底基板；01-显示区；02-外围区；2-驱动电路层；21-遮光层；22-缓冲层；231-有源层；232-栅绝缘层；233-第一栅极层；234-层间介质层；235-源漏极层；24-钝化层；25-平坦化层；26-绝缘层；27-第二数据线；28-第二电源电压线；29-第二扫描线；3-第一发光层；30-第一发光器件；301-第一电极层；302-第一发光功能层；303-第二电极层；31-像素定义层；4-第二发光层；40-第二发光器件；401-第二栅极层；402-栅极介质层；403-第三电极层；404-第二发光功能层；405-第四电极层；5-封装层；6-量子点转换层；61-隔离部；62-光转换部；621-第一光转换部；622-第二光转换部；623-透光部；7-彩膜层；71-遮光部；72-滤光部；8-盖板。
具体实施方式
70.现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
71.在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
72.所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
73.当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
74.用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
75.相关技术中，oled显示面板的色域和分辨率还有待进一步提高。如，对于qd-oled(quantum dot-organic light-emitting diode，量子点-有机发光二极管)显示面板，通常需将蓝光有机发光二极管发出的光经量子点转换层转换层红光和绿光，但因b-oled(蓝光有机发光二极管)器件效率较低，量子点转换效率低，导致器件功耗大、色域低、分辨率低。
76.如图1至图5所示，本公开实施方式中提供一种显示面板，包括衬底基板1、驱动电
路层2、第一发光层3和第二发光层4，其中，驱动电路层2，设于衬底基板1的一侧，包括多个像素电路；第一发光层3设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第一发光层3包括多个第一发光器件30，多个像素电路用于一一对应地驱动各第一发光器件30发光；第二发光层4设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第二发光层4包括多个第二发光器件40，第二发光器件40为有机发光晶体管；其中，第二发光器件40在衬底基板1上的正投影与第一发光器件30在衬底基板1上的正投影不重叠。
77.本公开提供的显示面板，包括第一发光层3和第二发光层4，其中，第一发光层3包括第一发光器件30，第二发光层4包括第二发光器件40，第二发光器件40为有机发光晶体管，第一发光器件30和第二发光器件40在衬底基板1上的正投影不重叠。本公开将利用像素电路驱动的第一发光器件30与自身具有开关功能的第二发光器件40结合，有助于提高显示面板的色域和分辨率，改善显示面板的显示效果。
78.下面结合附图对本公开实施方式提供的显示面板的各部件进行详细说明：
79.如图2至图5所示，本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以是oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板，也可以是qd-oled(quantum dot-organic light-emitting diode，量子点-有机发光二极管)显示面板。该显示面板包括衬底基板1、驱动电路层2、第一发光层3和第二发光层4。驱动电路层2设于衬底基板1的一侧，包括多个像素电路；第一发光层3设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第一发光层3包括多个第一发光器件30，多个像素电路用于一一对应地驱动各第一发光器件30发光；第二发光层4，设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第二发光层4包括多个第二发光器件40，第二发光器件40为有机发光晶体管。
80.衬底基板1可以为无机材料的衬底基板1，也可以为有机材料的衬底基板1。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板1的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。衬底基板1也可以为柔性衬底基板1，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板1的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)。衬底基板1还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板1可以包括依次层叠设置的底膜层(bottom film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
81.如图1所示，衬底基板1可包括显示区01和位于显示区01外围的外围区02。显示区01可对应设置像素电路、发光器件等结构，以显示画面。外围区02可对应设置外围电路等，以驱动位于显示区01的像素电路。
82.如图2至图5所示，驱动电路层2设于衬底基板1的一侧，驱动电路层2包括驱动电路，以用于驱动各第一发光器件30发光。驱动电路可包括像素电路和外围电路，像素电路设于显示区01内，其可以是7t1c、7t2c、6t1c或6t2c等像素电路，只要能驱动第一发光器件30发光即可，在此不对其结构做特殊限定。像素电路的数量与第一发光器件30的数量相同，且一一对应地与各第一发光器件30连接，以便分别控制各个第一发光器件30发光。其中，ntmc表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“t”表示)和m个电容(用字母“c”表示)。
83.外围电路位于外围区02，且外围电路与像素电路连接，用于向像素电路输入驱动信号，以便控制第一发光器件30发光。外围电路可包括栅极驱动电路和发光控制电路，当然，还可包括其它电路，在此不对外围电路的具体结构做特殊限定。
84.驱动电路层2可包括多层膜层，以驱动电路中的晶体管为顶栅薄膜晶体管为例，驱动电路层2可包括有源层231、栅绝缘层232、第一栅极层233、层间介质层234和源漏极层235。其中，有源层231设于衬底基板1的一侧，有源层231的材料可以为多晶硅或igzo(铟镓锌氧化物)，其可以通过掺杂等工艺改变不同位置处的导电性能。有源层231可包括驱动电路中各晶体管的有源区。栅绝缘层232设于有源层231远离衬底基板1的一侧，栅绝缘层232覆盖有源层231。栅绝缘层232可采用氮化硅、氧化硅、氧化铝等单膜层或由其组合形成的多膜层。栅绝缘层232可以通过沉积的方法形成，例如可以通过气相化学沉积的方法形成一层氧化硅层作为栅极绝缘材料层，栅极绝缘材料层图案化之后可以形成栅绝缘层232。第一栅极层233设于栅绝缘层232远离衬底基板1的一侧，第一栅极层233可包括像素电路中各晶体管的栅极。第一栅极层233可以包括金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。当然，该第一栅极层233也可以采用透明导电材料，如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等。层间介质层234设于第一栅极层233远离衬底基板1的一侧，层间介质层234覆盖栅极层。源漏极层235设于层间介质层234远离衬底基板1的一侧，源漏极层235可包括各晶体管的源极和漏极，各晶体管的源极和漏极与各自的有源区连接。源漏极层235可以包括金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。当然，该源漏极层235也可以采用透明导电材料，如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等。
85.在一些实施例中，驱动电路层2还包括遮光层21和缓冲层22，其中，遮光层21设于衬底基板1和有源层231之间，遮光层21用于为有源层231遮挡光线，遮光层21的材料可采用不透明的金属材料或金属合金材料。有源层231在衬底基板1上的正投影位于遮光层21在衬底基板1上的正投影之内，进一步地，像素电路中各晶体管的栅极在衬底基板1上的正投影位于遮光层21在衬底基板1上的正投影之内。遮光层21可与有源层231连接，并进一步地通过像素电路中各晶体管的源极或漏极与电源电压连接，从而减小电源线的阻抗。缓冲层22设于遮光层21和有源层231之间，缓冲层22覆盖遮光层21。
86.进一步地，驱动电路层2还包括平坦化层25，设于源漏极层235远离衬底基板1的一侧。
87.第一发光层3包括多个第一发光器件30，第一发光器件30可以是有机发光二极管。第一发光器件30可包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光功能层。第一电极为阳极，第二电极可以为阴极。多个第一发光器件30阵列排布位于显示区01。
88.第一发光层3包括第一电极层301、像素定义层31、第一发光功能层302和第二电极层303。其中，第一电极层301设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第一电极层301包括多个间隔排布的第一发光器件30的第一电极。第一电极层301的材料可以是金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。当然，也可以采用透明导电材料，如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等。第一电极层301可以是单层膜结构也可以是多层膜层层叠结构，如第一电极层301可以是由ito/ag/ito，或ti/al/ti形成的多层层叠结构。
89.像素定义层31设于第一电极层301远离衬底基板1的一侧，如，设于平坦化层25远离衬底基板1的一侧。像素定义层31可用于分割第一发光器件30。像素定义层31设有多个开口，多个开口一一对应地暴露各第一发光器件30的第一电极。每个开口均不大于其露出的第一发光器件30的第一电极，也就是说，任一开口的范围位于其对应的第一发光器件30的
第一电极的边界以内。每个开口限定出的范围即为一第一发光器件30的范围。开口的形状，即开口在衬底基板1的正投影的轮廓的形状可为多边形、光滑的封闭曲线或其它形状，在此不做特殊限定。像素定义层31厚度为1-1.5μm，相邻两个开口之间的像素定义层的坡度角为20-40
°
，如30
°
，沿第一发光器件和第二发光器件的排列方向，相邻两个开口之间的像素定义层的宽度为10-15μm，如12μm，开口的宽度为70-90μm，如84μm。。在此需说说明的是，此处的坡度角是指像素定义层31靠近衬底基板1的一侧表面与相邻两个开口之间的像素定义层31的侧壁之间的夹角。
90.第一发光功能层302设于第一电极层301远离衬底基板1的一侧，第一发光功能层302包括多个第一发光部，多个第一发光部一一对应地位于各开口内。第一发光功能层302可包括沿背离驱动背板的方向依次层叠空穴注入层、空穴传输层、第一发光材料层、电子传输层和电子注入层，可通过使空穴和电子在发光材料层复合成激子，由激子辐射光子，从而产生可见光，具体发光原理在此不再详述。第一发光器件30的发光颜色可由第一发光材料层决定，不同的第一发光材料层可发出不同颜色的光。举例而言，第一发光器件30可发红光、绿光和蓝光，当然，第一发光器件30也可发白光，具体本公开不做限定。
91.第二电极层303设于第一发光功能层302远离第一发光功能层302的一侧。第二电极层303包括多个间隔分布的第一发光器件30的第二电极。第二电极在衬底基板1上的正投影覆盖开口在衬底基板1上的正投影。在本公开一些实施例中，各第一发光器件30的第一电极、第二电极均为独立的结构，即，各第一发光器件30对应的第一电极层301、第二电极层303均未相互连接，是一个个间隔排布的独立结构。
92.在本公开一些实施例中，第二发光器件40在衬底基板1上的正投影与像素定义层31在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。如此，可将像素定义层31的区域予以利用，有助于提高显示面板的分辨率和开口率。此外，可根据第一发光器件30的显示效果，调整第二发光器件40的发光颜色，提高显示面板的色域，提升显示效果。
93.第二发光器件40为有机发光晶体管(organic light emitting transistor，olet)，本身具有开关性能。第二发光器件40包括栅极、栅极介质层、第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光功能层。第一电极可以为源极或漏极，相应地，第二电极可以为漏极或源极。
94.第二发光器件40可以是顶栅结构也可以是底栅结构。
95.如图2和图4所示，在一些实施例中，第二发光器件40为底栅结构。第二发光层4包括第二栅极层401、栅极介质层402、第三电极层403、第二发光功能层404和第四电极层405。
96.第二栅极层401设于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧，第二栅极层401包括多个间隔分布的第二发光器件40的栅极。第二栅极层401在衬底基板1上的正投影与第一电极层301在衬底基板1上的正投影不重叠。第二栅极层401的材料可以包括金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。当然，也可以包括透明导电材料，如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等。第二栅极层401可以是单层膜结构也可以是多层膜层层叠结构，如第二栅极层401可以是由ito/ag/ito，或ti/al/ti形成的多层层叠结构。
97.在本公开一实施例中，第二栅极层401与第一电极层301同层设置。在本公开中，同层设置是指采用同材料和同一道工艺制作而成。具体地，可在平坦化层25远离衬底基板1的一侧形成导电材料层，随后对该导电材料层进行图案化，形成第二栅极层401和第一电极层
301，第二栅极层401和第一电极层301不连接，以便分别独立控制第一发光器件30和第二发光器件40。
98.栅极介质层402设于第二栅极层401远离衬底基板1的一侧，栅极介质层402覆盖第二栅极层401。栅极介质层402的材料可包括高介电常数的材料，如al2o3、tio2、sinx、sio2、sion、pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)、peo(聚氧化乙烯)等。在一些实施例中，栅极介质层402复用为像素定义层31。即，栅极介质层402和像素定义层31为同一膜层，即起到隔离第二栅极层401和第三电极层403的作用，也起到界定第一发光器件30范围的作用。当栅极介质层402复用为像素定义层31时，栅极介质层402的形状及尺寸需满足显示面板对像素定义层31的要求。在该实施例中，将栅极介质层402和像素定义层31共用同一膜层，有助于减少显示面板的厚度。
99.第三电极层403设于栅极介质层402远离衬底基板1的一侧，第三电极层403包括多个间隔分布的第二发光器件40的第一电极。在该实施例中，第二发光器件40的第一电极可以为源极。第三电极层403在衬底基板1上的正投影与像素定义层31在衬底基板1上的正投影至少部分重叠，如位于像素定义层31在衬底基板1上的正投影之内。第三电极层403的材料可与第一电极层301的材料相同或不同，可选用金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。第三电极层403可以是单层膜结构也可以是多层膜层层叠结构，如第三电极层403可以是由ito/ag/ito，或ti/al/ti形成的多层层叠结构。此外，第三电极层403的材料可包含不透明导电材料，如碳纳米管、石墨烯、银纳米线等低态密度材料，如此，有助于降低侧边漏光几率，减少不同像素间的串扰。第三电极层403的厚度可以为100～500nm，该厚度既不会屏蔽到第二发光器件40的栅极的电荷调控作用，又可以降低透过率，可与栅极介质层402一起作为像素定义层31，降低相邻像素的串扰问题出现几率。
100.第二发光功能层404设于第三电极层403远离衬底基板1的一侧。第二发光功能层404可包括沿背离驱动背板的方向依次层叠空穴注入层、空穴传输层、第二发光材料层、电子传输层和电子注入层，可通过使空穴和电子在发光材料层复合成激子，由激子辐射光子，从而产生可见光，具体发光原理在此不再详述。第二发光器件40的发光颜色可由第二发光材料层决定，不同的第二发光材料层可发出不同颜色的光。举例而言，第二发光器件40可发红光、绿光和蓝光，当然，第一发光器件30也可发白光，具体本公开不做限定。
101.第四电极层405设于第二发光功能层404远离衬底基板1的一侧，第四电极层405包括多个第二发光器件40的第二电极。在本公开一些实施例中，各第二发光器件40的第一电极、第二电极均为独立的结构，即，各第二发光器件40对应的第三电极层403、第四电极层405均未相互连接，是一个个间隔排布的独立结构。第四电极层405可与第二电极层303同层设置，即，第四电极层405和第二电极层303采用同材料和同一道工艺制作而成。
102.如图3和图5所示，在本公开另一些实施例中，第二发光器件40为顶栅结构，第二发光层4沿远离衬底基板1方向依次包括第三电极层403、第二发光功能层404、第四电极层405、栅极介质层402和第二栅极层401。
103.第三电极层403设于像素定义层31远离衬底基板1的一侧，第三电极层403包括多个间隔分布的第二发光器件40的第一电极。第二发光器件40的第一电极可以为源极或漏极，举例而言，此处，第一电极可以是漏极。第三电极层403在衬底基板1上的正投影与像素定义层31在衬底基板1上的正投影至少部分重叠，如位于像素定义层31在衬底基板1上的正
投影之内或或正好完全重叠。第三电极层403的厚度可以为100～500nm，该厚度可以降低透过率，可与像素定义层31一起共同界定第一发光器件30的范围，降低相邻像素的串扰问题出现几率。在该实施例中，第三电极层403的材料可参照上述实施例中第三电极层403材料的选择，在此不详细赘述。
104.第二发光功能层404设于第三电极层403远离衬底基板1的一侧。第四电极层405设于第二发光功能层404远离衬底基板1的一侧，第四电极层405包括多个第二发光器件40的第二电极。第二发光器件40的第二电极可以为漏极或源极，举例而言，此处，第二电极可以是源极。在该实施例中，第二发光功能层404和第四电极层405的膜层结构及材料选择可参照上述实施例，在此不详细赘述。在该实施例中，第四电极层405也可与第二电极层303同层设置。
105.栅极介质层402设于第四电极层405远离衬底基板1的一侧，栅极介质层402覆盖第四电极层405。在该实施例中，栅极介质层402的尺寸设计可与上述实施例中的不同，不复用为像素定义层31，厚度可设置相对上述实施例较薄。在该实施例中，栅极介质层402的材料可参照上述实施例，在此不详细赘述。
106.第二栅极层401设于第二栅极层401远离衬底基板1的一侧表面，第二栅极层401包括多个间隔分布的第二发光器件40的栅极。在该实施例中，第二栅极层401的材料可以包括金属材料或者合金材料，以保证其良好的导电性能。当然，也可以包括透明导电材料，如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等。
107.在该实施例中，第一电极层301还包括屏蔽电极407，第二发光器件40在衬底基板1上的正投影与屏蔽电极407在衬底基板上的正投影至少部分重叠，以减少下方像素电路对第二发光器件40发光信号的影响。
108.如图2至图5所示，在本公开一些实施例中，显示面板还包括封装层5，封装层5覆盖于第一发光层3和第二发光层4远离衬底基板1的表面，其可用于保护第一发光层3和第二发光层4，阻隔外界的水、氧对第一发光器件30和第二发光器件40造成侵蚀。
109.在本公开的一些实施方式中，可采用薄膜封装(thin-film encapsulation，tfe)的方式实现封装，具体而言，封装层5可包括第一无机层、有机层和第二无机层，其中，第一无机层覆盖于第一发光层3和第二发光层4远离衬底基板1的表面，有机层可设于第一无机层远离衬底基板1的表面，且有机层的边界限定于第一无机层的边界的内侧，第二无机层覆盖有机层和未被有机层覆盖的第一无机层，可通过第二无机层阻挡水氧侵入，通过具有柔性的有机层实现平坦化。
110.在本公开中，第一发光器件30和第二发光器件40的发光颜色可根据显示面板的显示需求进行设定。举例而言，多个第一发光器件30中不同的第一发光器件30可发出不同颜色的光，如红光、绿光和蓝光。第二发光器件40可最为辅助发光器件，弥补第一发光器件30的不足，如，第二发光器件40可发出蓝光。当然，第一发光器件30和第二发光器件40的发光颜色不仅限于此。
111.如图7和图8所示，在一些实施例中，第一发光器件30和第二发光器件40可根据自身的排列顺序，形成不同的像素排列方式，如，第一发光器件30和第二发光器件40可作为一各个独立的子像素，每个第一发光器件30和第二发光器件40可发出不同颜色的光，形成不同颜色的子像素，如红色子像素(r)、绿色子像素(g)和蓝色子像素(b)。位于像素定义层31
开口内的第一发光器件30和位于像素定义层31上的第二发光器件40可排列形成rgb brg bgr bgrb rbgb等像素。举例而言，如图8所示，位于像素定义层31开口内的第一发光器件30和位于像素定义层31上的第二发光器件40排列形成rgb像素，又如图7所示，位于像素定义层31开口内的第一发光器件30和位于像素定义层31上的第二发光器件40排列形成rbgb像素。
112.如图2和图3所示，当然，第一发光器件30和第二发光器件40也可发出白光，此时，显示面板还可包括彩膜层7，设于封装层5远离衬底基板1的一侧，彩膜层7包括遮光部71和被遮光部71分隔开的多个滤光部72，滤光部72在垂直于衬底基板1方向上与第一发光器件30或第二发光器件40一一对应设置。遮光部71可为遮光材质，例如，遮光部71的材料可包括黑色的树脂。遮光部71可开设与第一发光器件30或第二发光器件40一一对应的通孔，以界定滤光部72的范围。滤光部72可为滤光材质，每个滤光部72仅允许一种颜色的光线通过，同时，各滤光部72一一对应地设于各遮光部71开设的通孔内，从而被遮光部71分隔，第一发光器件30和第二发光器件40发出的光线可通过对应的滤光部72出射。每个第一发光器件30和第二发光器件40和对应的滤光部72可形成一发光单元，该发光单元可发出单色光，例如红色、蓝色或绿色。当然，发光单元也可以发出白光，此时，滤光部72可为透明材质。每个发光单元形成一个子像素，同上述实施例，多个发光单元可排列形成rgb brg bgr bgrb rbgb等像素。
113.如图4和图5所示，在一些实施例中，显示面板还包括量子点转换层6，量子点转换层6设于封装层5和彩膜层7之间，量子点转换层6包括隔离部61和被隔离部61分隔开的多个光转换部62。隔离部61的材料可选用胶材，隔离部61可开设与第一发光器件30或第二发光器件40一一对应的通孔，以界定光转换部62的范围。多个光转换部62在垂直于衬底基板1方向上与第一发光器件30或第二发光器件40一一对应设置，多个光转换部62中至少部分转换部包含量子点材料。量子点是一种纳米级别的半导体，通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压，它们便会发出特定频率的光，而发出的光的频率会随着这种半导体的尺寸的改变而变化，因而通过调节这种纳米半导体的尺寸就可以控制其发出的光的颜色。
114.在本公开一些实施例中，多个光转换部62包括多个第一光转换部621和多个第二光转换部622，其中，第一光转换部621用于将第一发光器件30或第二发光器件40发出的光转换为第一颜色。第二光转换部622用于将第一发光器件30或第二发光器件40发出的光转换为第二颜色。第一颜色、第二颜色具体的颜色选择可根据实际情况进行设定，如，第一颜色可以为绿色，第二颜色可以为红色，但不限于此。举例而言，第一发光器件30和第二发光器件40可发出蓝光，第一光转换部621可将蓝光转换为绿光，第二光转换部622可蓝光转换为红光。
115.在一实施例中，多个光转换部62还包括多个第三光转换部，用于将第一发光器件30或第二发光器件40发出的光转换为第三颜色。第三颜色可以为蓝色。
116.在另一实施例中，多个光转换部62还包括多个透光部623，用于使第一发光器件30或第二发光器件40发出的光透过。透光部623可包含散射粒子。如，第一发光器件30或第二发光器件40可发出蓝光，透光部623可使该蓝光透过。
117.在本公开中，光转换部62转换出的光的颜色与其对应的滤光部72可透过的光的颜色相同，如第一光转换部621转换出的光的颜色为第一颜色，如绿色，则其对应的滤光部72
可使第一颜色的光透过，如，使绿色的光透过。在该实施例中，每个第一发光器件30或第二发光器件40，与对应的光转换部62和滤光部72形成一发光单元，该发光单元可发出单色光，例如红色、蓝色或绿色。每个发光单元形成一个子像素，同上述实施例，多个发光单元可排列形成rgb brg bgr bgrb rbgb等像素。
118.如图2至图5所示，在本公开一些实施例中，显示面板还包括盖板8，设于彩膜层7远离衬底基板1的一侧。盖板8的材料可采用透明材料。
119.在本公开中，驱动电路层2还包括第一扫描线、第二扫描线29、第一数据线、第二数据线27、第一电源电压线和第二电源电压线28，其中，第一扫描线用于向像素电路提供第一栅极驱动信号，具体地，可用于向像素电路中驱动晶体管的栅极提供栅极驱动信号。第二扫描线29用于向第二发光器件40的栅极提供第二栅极驱动信号。第一数据线用于向像素电路提供第一数据信号，以控制第一发光器件30的发光亮度，第二数据线27用于向第二发光器件40的第一电极提供数据信号，如向第二发光器件40的源极提供数据信号，以控制第二发光器件40的发光亮度。第一电源电压线用于向第一发光器件30的第二电极提供第一电压。第二电源电压线28用于向第二发光器件40的第二电极提供第二电压。第一电压和第二电压可以为vss信号，两者大小可相同或不同。
120.在该实施例中，第一扫描线可分布于第一栅极层233，第一数据线可分布于源漏极层235，第一电源电压线也可分布于源漏极层235，当然，第一扫描线、第一数据线和第一电源电压线也可分布于驱动电路层2的其他导电层，只要具有良好的导电性能即可。
121.如图6所示，驱动电路层2还可包括至少一层信号线层，设于源漏极层235和平坦化层25之间，源漏极层235和信号线层之间，以及相邻两层信号线层之间均设有绝缘层。第二扫描线29、第二数据线27和第二电源电压线28可分布于至少一层信号线层中，具体分布在哪一层信号线层中，本公开不做特殊限定。
122.进一步地，驱动电路层2还包括第三电源电压线和第四电源电压线，其中，第三电源电压线用于向像素电路提供第三电压，第四电源电压线用于向第二发光器件40的第一电极提供第四电压，第三电压和第四电压可以为vdd信号，两者大小可相同或不同。第三电源电压线可分布于源漏极层235，第四电源电压线可分布于信号线层，但不限于此。
123.如图2至图5所示，本公开还提供一种显示面板的制作方法，包括：
124.步骤s100，提供衬底基板1，
125.步骤s200，于衬底基板1的一侧形成驱动电路层2，驱动电路层2包括多个像素电路；
126.步骤s300，于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧形成第一发光层3和第二发光层4，第一发光层3包括多个第一发光器件30，多个像素电路用于一一对应地驱动各第一发光器件30发光，第二发光层4包括多个第二发光器件40，第二发光器件40为有机发光晶体管；
127.其中，第二发光器件40在衬底基板1上的正投影与第一发光器件30在衬底基板1上的正投影不重叠。
128.如图2和图4所示，在本公开一些实施例中，步骤s200，于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧形成第一发光层3和第二发光层4包括：
129.步骤s210，于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧形成第一导电材料层，图案化第一导电材料层形成第一电极层301和第二栅极层401，第一电极层301包括多个间隔分布的
第一发光器件30的第一电极，第二栅极层401包括多个间隔分布的第二发光器件40的栅极；
130.步骤s220，于第一电极层301和第三电极层403远离衬底基板1的一侧形成高介电常数材料层，图案化高介电常数材料层，形成栅极介质层402，该栅极介质层402复用为像素定义层31，像素定义层31包括多个开口，各开口一一对应地暴露各第一发光器件30的第一电极，栅极介质层402在衬底基板1上的正投影可覆盖第二栅极层401在衬底基板1上的正投影。
131.步骤s230，于栅极介质层402远离衬底基板1的一侧形成第二导电材料层，图案化第二导电材料层形成第三电极层403，第三电极层403包括多个间隔分布的第二发光器件40的第一电极，第三电极层403在衬底基板1上的正投影与栅极介质层402在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
132.步骤s240，于第一电极层301和第三电极层403远离衬底基板1的一侧形成发光功能层，图案化发光功能层形成第一发光功能层302和第二发光功能层404。第一发光功能层302位于像素定义层31的各开口内，第二发光功能层404在衬底基板1上的正投影于第三电极层403在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
133.步骤s250，于第一发光功能层302和第二发光功能层404远离衬底基板1的一侧形成第三导电材料层，图案化第三导电材料层，形成第二电极层303和第四电极层405，其中，第二电极层303包括多个间隔分布的第一发光器件30的第二电极，第四电极层405包括多个间隔分布的第二发光器件40的第二电极。
134.在该实施例中，各膜层具体结构关系可参照图2和图4所示实施例，在此不详细赘述。
135.如图3和图5所示，在本公开另一些实施例中，步骤s200，于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧形成第一发光层3和第二发光层4包括：
136.步骤s210，于驱动电路层2远离衬底基板1的一侧形成第一导电材料层，图案化第一导电材料层形成第一电极层301，第一电极层301包括多个间隔分布的第一发光器件30的第一电极；
137.步骤s220，于第一电极层301远离衬底基板1的一侧形成像素定义材料层，图案化像素定义材料层，形成像素定义层31，像素定义层31包括多个开口，各开口一一对应地暴露各第一发光器件30的第一电极。
138.步骤s230，于像素定义层31远离衬底基板1的一侧形成第二导电材料层，图案化第二导电材料层形成第三电极层403，第三电极层403包括多个间隔分布的第二发光器件40的第一电极，第三电极层403在衬底基板1上的正投影与像素定义层31在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
139.步骤s240，于第一电极层301和第三电极层403远离衬底基板1的一侧形成发光功能层，图案化发光功能层形成第一发光功能层302和第二发光功能层404。第一发光功能层302位于像素定义层31的各开口内，第二发光功能层404在衬底基板1上的正投影于第三电极层403在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
140.步骤s250，于第一发光功能层302和第二发光功能层404远离衬底基板1的一侧形成第三导电材料层，图案化第三导电材料层，形成第二电极层303和第四电极层405，其中，第二电极层303包括多个间隔分布的第一发光器件30的第二电极，第四电极层405包括多个
间隔分布的第二发光器件40的第二电极；
141.步骤s260，于第四电极层405远离衬底基板1的一侧形成高介电常数材料层，图案化高介电常数材料层，形成栅极介质层402，栅极介质层402在衬底基板1上的正投影可覆盖第四电极层405在衬底基板1上的正投影。
142.步骤s270，于栅极介质层402远离衬底基板1的一侧形成第四导电材料层，图案化第四导电材料层形成第二栅极层401。第二栅极层401包括多个间隔分布的第二发光器件40的栅极。
143.在该实施例中，各膜层具体结构关系可参照图3和图5所示，所示实施例，在此不详细赘述。
144.本公开还提供一种显示装置，包括显示面板，该显示面板可为上述任意实施方式的显示面板，其具体结构和有益效果可参考上文中显示面板的实施方式，在此不再赘述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑、电视等电子设备，在此不再一一列举。
145.需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等，均应视为本公开的一部分。
146.应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。