半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、对于电力转换用半导体装置，要求降低恢复损耗(开关损耗)。

技术实现思路

1、实施方式提供降低了恢复损耗的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备半导体部、第一～第四电极和第一及第二绝缘膜。半导体部包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层和第一导电型的第四半导体层。第一电极设于半导体部的背面上。第二电极设于半导体部的与背面相反的一侧的表面上。第三电极配置在设于半导体部的表面侧的第一沟槽的内部。第一绝缘膜覆盖第一沟槽的内表面，且位于半导体部与第三电极之间。第四电极在半导体部的表面侧配置在设于与第一沟槽相邻的位置的第二沟槽的内部。第二绝缘膜覆盖第二沟槽的内表面，且位于半导体部与第四电极之间。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，且在第三电极与第四电极之间延伸。第三半导体层在第二半导体层与第二电极之间部分地设于第二半导体层上，包含比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高浓度的第二导电型杂质。在第三电极与第四电极之间，第四半导体层位于第二半导体层中，第二半导体层包含位于第三半导体层与第四半导体层之间而使第三半导体层与所述第四半导体层分离的部分。第二电极在半导体部的表面与第二及第三半导体层连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体装置中，第一导电型的第一电极设于半导体部背面。第二导电型的第二电极设于半导体部。第二导电型的第三电极配置于第一沟槽的内部，第一绝缘膜覆盖其内表面且位于半导体部与第三电极间。第一导电型的第四电极配置于第二沟槽的内部，第二绝缘膜覆盖其内表面且位于半导体部与第四电极间。第一半导体层在第一、第二电极间延伸。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间且在第三、第四电极间延伸。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部设于第二半导体层且第二导电型杂质的浓度比其高。在第三、第四电极间，第四半导体层位于第二半导体层，第二半导体层包含第三、第四半导体层间的部分。第二电极在上述表面与第二及第三半导体层连接。

技术研发人员：布施香织,河村圭子,末代知子,岩鍜治阳子,罇贵子,系数裕子
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8