生产芯片的方法与流程

本公开涉及芯片领域，更具体地，涉及生产芯片的方法。

背景技术：

1、当前，人工智能(artificial intelligence，ai)芯片面临两大困境。首 先是摩尔定律正在失效，传统的单芯片集成制造成本越来越高。由于光刻 设备掩模版尺寸的限制，芯片面积不能无限增大，因为芯片面积越大意味 着良率越低。此外，半导体工艺节点越来越接近物理极限，每一代半导体 工艺节点提升对于芯片性能带来的收益也越来越小，摩尔定律已经很难延 续。

2、ai芯片性能的另一制约因素是数据的存取。具体而言，运算单元的运 算速度通常是存储器存取速度的几十倍乃至几百倍，很多ai芯片所描述 的实际算力会因为存储器的瓶颈而大大降低。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种制备具有多个统计缓存晶粒的芯片的方法。

2、根据本公开的第一方面，提供一种生产芯片的方法，包括：提供片上 系统soc晶粒，所述soc晶粒包括soc有源侧和soc背侧；提供多个 同级高速缓存晶粒，所述缓存晶粒包括缓存有源侧和缓存背侧；以及在片 上系统soc晶粒上并行地设置多个同级高速缓存晶粒，以实现所述同级高 速缓存晶粒的同级扩展。

3、根据本公开的第二方面，提供一种通过如上所述的方法制作的芯片。

4、根据本公开的第三方面，提供一种板卡，包括如上所述的芯片。

5、根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括如上所述的芯片或 如上所述的板卡。

6、本公开的技术方案通过高速缓存晶粒的垂直互连，能够实现高速缓存 容量的同级扩展，从而降低ai芯片数据频繁交换导致的延迟和功耗。

技术特征：

1.一种生产芯片的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述同级高速缓存晶粒为最后一级缓存llc晶粒。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，提供soc晶粒包括：在所述soc晶粒上形成soc有源侧和soc背侧。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述soc晶粒上形成soc有源侧包括：

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，在所述soc晶粒上形成soc背侧包括：

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其中，提供多个同级高速缓存晶粒包括：

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中，在片上系统soc晶粒上并行地设置多个同级高速缓存晶粒包括：

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

10.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述soc晶粒上形成soc有源侧包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在soc晶粒的soc有源层一面上进行刻蚀，以形成第二tsv包括：

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在soc晶粒的soc有源层一面上进行刻蚀，以形成第二tsv包括：

13.根据权利要求10-12中任意一项所述的方法，其中，提供多个同级高速缓存晶粒包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在片上系统soc晶粒上并行地设置多个同级高速缓存晶粒包括：

15.根据权利要求10-14中任意一项所述的方法，进一步包括：

16.一种通过权利要求1-15中任意一项所述的方法制作的芯片。

17.一种板卡，包括如权利要求16所述的芯片。

18.一种电子设备，包括如权利要求16所述的芯片或如权利要求17所述的板卡。

技术总结
本公开提供一种芯片和制备该芯片的方法。芯片可以实现在组合处理装置中。组合处理装置可以通过对外接口装置与外部设备相连接。待处理的数据可以由外部设备通过对外接口装置传递至组合处理装置。组合处理装置的计算结果可以经由对外接口装置传送回外部设备。根据不同的应用场景，对外接口装置可以具有不同的接口形式。

技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者：上海寒武纪信息科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12