半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、关于半导体装置，已知将包括陶瓷电路基板以及设置于该基板之上的半导体芯片的半导体单元容纳于使用了聚苯硫醚(pps)树脂等树脂材料的壳体的技术、以及在那样的壳体设置依次层叠有第一功率端子、绝缘部件以及第二功率端子的端子层叠部的技术(专利文献1)。

2、此外，关于在半导体装置的壳体内部设置将多个主端子和插入到各主端子间的绝缘纸固定于树脂线的端子块的技术、那样的端子块的形成，已知在主端子和绝缘纸形成孔，并在使用了模具的树脂线的成型时，通过与注入到该孔的树脂一起一体成型从而将主端子和绝缘纸固定于树脂线的技术(专利文献2)。

3、此外，已知如下半导体装置：该半导体装置具有依次重叠有第一功率端子、第一绝缘片以及第二功率端子的端子层叠部，第一功率端子具有与电容器的第一连接端子导电连接的第一接合区，第二功率端子具有与电容器的第二连接端子导电连接的第二接合区，第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部(专利文献3)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：美国专利申请公开第2021/0202372号说明书

7、专利文献2：日本特开2004-153243号公报

8、专利文献3：日本特开2021-106235号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在将依次层叠有第一端子、绝缘片以及第二端子的层叠体设置于壳体的半导体装置中，例如，在壳体树脂材料的成型时对该层叠体进行嵌件成型。但是，在该方法中，如果对层叠体中所包含的绝缘片使用耐热温度比壳体树脂材料的成型温度低的绝缘材料，则绝缘片可能由于与成型时的较高温度的壳体树脂材料接触而引起劣化。如果绝缘片劣化，则难以保证隔着该绝缘片而设置的第一端子与第二端子之间的绝缘性，有可能产生绝缘不良，有可能难以保证将这些第一端子、绝缘片以及第二端子的层叠体设置于壳体的半导体装置的可靠性。

3、在一个方面，本发明的目的在于实现可靠性高的半导体装置。

4、技术方案

5、在一个方式中，提供一种半导体装置，其包括：壳体，其为框状，且在所述框状的一边具有凹部；层叠体，其依次层叠有第一端子、绝缘片以及第二端子，并配置于所述凹部；以及梁部，其固着于所述壳体的所述凹部，并将配置于所述凹部的所述层叠体固定。

6、此外，在另一方式中，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：准备壳体的工序，所述壳体为框状，且在所述框状的一边具有凹部；准备梁部的工序，所述梁部能够配置于所述壳体的所述凹部；准备层叠体的工序，所述层叠体依次层叠有第一端子、绝缘片以及第二端子；将所述层叠体配置于所述壳体的所述凹部的工序；以及将所述梁部固着于配置有所述层叠体的、所述壳体的所述凹部而将所述层叠体固定的工序。

7、发明效果

8、在一个方面，能够实现可靠性高的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。

技术研发人员：中込旭人,谷口克己,加藤辽一,村田悠马
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11