半导体器件的制备方法及半导体器件与流程

1.本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。


背景技术：

2.红外成像技术越来越广泛地应用于工业传感、图像监测、汽车工业、消防搜救、甚至军事上的导航与夜视等领域。红外焦平面探测器是一种同时实现红外信息的获取和进行信息处理的成像传感器，是红外成像技术的核心部件。红外焦平面探测器一般包括光敏元芯片和硅读出电路。
3.其中，所述光敏元芯片的加工过程中，涉及一道铝(al)材料层湿法腐蚀停止在钛(ti)材料层的工序。通常，这一工序采用传统的光刻(ph，photoetching)和刻蚀(et，etching technique)制备，所述刻蚀采用湿法刻蚀(wet et)这样可以保证钛材料层不被损伤。但是湿法刻蚀存在光刻胶易发生剥落(peeling)，导致误腐蚀。进而使铝材料层的形貌不稳定，影响光敏元芯片的性能。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。
5.为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：
7.提供半导体器件初体，所述半导体器件初体包括由顶表面向内部延伸的沟槽；
8.形成金属层，所述金属层覆盖所述半导体器件初体的顶表面并且覆盖所述沟槽的内侧壁和底面但未填满所述沟槽；
9.形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述金属层，所述牺牲层的位于所述沟槽处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度；所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100；
10.部分去除所述牺牲层，保留至少部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层；
11.部分去除所述金属层，仅保留位于所述沟槽的部分内侧壁及底面的剩余金属层；
12.去除所述剩余牺牲层。
13.可选地，所述形成牺牲层，包括：
14.形成覆盖所述金属层的牺牲材料层，所述牺牲材料层填满所述沟槽的未被所述金属层填满的部分；
15.对所述牺牲材料层执行平坦化工艺，形成所述牺牲层，并使得所述牺牲层的位于所述沟槽处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度。
16.可选地，所述部分去除所述牺牲层的步骤，和/或所述去除所述剩余牺牲层的步骤，采用干法刻蚀工艺实现。
17.可选地，采用反应离子刻蚀工艺部分去除所述牺牲层，保留至少部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层。
18.可选地，采用溅射镀膜工艺形成所述金属层。
19.可选地，采用湿法刻蚀工艺部分去除所述金属层。
20.可选地，所述去除所述剩余牺牲层，包括：
21.采用氟化氢作为刻蚀气体，执行化学刻蚀，去除所述剩余牺牲层。
22.可选地，在形成所述金属层之前，所述方法还包括：
23.形成导电层，所述导电层覆盖所述半导体器件初体的顶表面且覆盖所述沟槽的内侧壁和底面但未填满所述沟槽。
24.可选地，所述形成金属层，包括：
25.所述金属层覆盖部分位于所述沟槽内的导电层且未填满所述沟槽。
26.第二方面，本技术实施例提供了一种半导体器件，通过上面所述的任意一种半导体器件的制备方法制备得到。
27.本技术实施例所提供的一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括:形成金属层；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述金属层，所述牺牲层的位于所述沟槽处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度；所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100；部分去除所述牺牲层，仅保留部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层；部分去除所述金属层，仅保留位于所述沟槽的部分内侧壁及底面的剩余金属层；去除所述剩余牺牲层。其中，为了使金属层在刻蚀后有良好及稳定的形貌，在刻蚀金属层之前，先形成牺牲层；并设置所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100。因此，在刻蚀所述牺牲层时，刻蚀牺牲层的刻蚀剂不会损伤所述金属层，在刻蚀金属层时，剩余的牺牲层也不会受到刻蚀金属层的刻蚀剂的损伤，有稳定的边界形状，可以阻挡刻蚀剂进入所述金属层与剩余的牺牲层相邻的侧壁，使得刻蚀后剩余的金属层与牺牲层侧壁有良好及稳定的形貌。如此，本技术实施例所提供的半导体器件的制备方法及半导体器件，能使刻蚀形成的金属层有良好及稳定的形貌，使半导体器件的性能更稳定。
28.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
29.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
30.图1为本技术实施例提供的半导体器件的制备方法的流程示意图；
31.图2、图4、图6、图8为本技术实施例提供的半导体器件的制备方法中各个工艺过程的一种剖视示意图；
32.图3为图2中a处的局部放大图；
33.图5为图4中b处的局部放大图；
34.图7为图6中c处的局部放大图；
35.图9为图8中d处的局部放大图；
36.图10为本技术实施例提供的半导体器件的制备方法在执行的过程中的相应结构
的一种剖视示意图；
37.图11为图10中e处的局部放大图。
38.附图标记说明：
39.20、半导体器件基底；21、沟槽；30、金属层；40、牺牲层；22、导电层；23、布线层；24、第一介质层；25、隔离层；26、第二介质层。
具体实施方式
40.下面将参照附图更详细地描述本技术公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本技术的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本技术，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本技术，并且能够将本技术公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
41.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
42.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
43.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
44.空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
45.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
46.为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本技术的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。
47.针对现有技术中的技术问题，本技术实施例提供了一种半导体器件的制备方法，图1为本技术实施例提供的半导体器件的制备方法的流程示意图，图2-图9为本技术实施例提供的半导体器件的制备方法中各个工艺过程的一种剖视示意图和局部放大示意图，结合图1-图9，所述方法包括：
48.步骤101：提供半导体器件初体，所述半导体器件初体包括由顶表面向内部延伸的沟槽21；
49.步骤102：形成金属层30，所述金属层30覆盖所述半导体器件初体的顶表面并且覆盖所述沟槽21的内侧壁和底面但未填满所述沟槽21；
50.步骤103：形成牺牲层40，所述牺牲层40覆盖所述金属层30，所述牺牲层40的位于所述沟槽21处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度；所述金属层30的材料与所述牺牲层40的材料的刻蚀选择比大于或等于100；
51.步骤104：部分去除所述牺牲层40，保留至少部分位于所述沟槽21内的剩余牺牲层40；
52.步骤105：部分去除所述金属层30，仅保留位于所述沟槽21的部分内侧壁及底面的剩余金属层30；
53.步骤106：去除所述剩余牺牲层40。
54.本技术实施例提供的半导体器件的制备方法，可以用于红外焦平面探测器中的光敏元芯片的制备，具体地，本技术实施例的制备方法主要用于所述光敏元芯片中的焦平面阵列中的空气桥的制备。下面主要以所述空气桥为例进行介绍。能够理解，本技术实施例的半导体器件的制备方法也可以用于其它半导体器件的制备。
55.上述步骤101中，所述半导体器件初体，可以是半导体器件制备过程中的半成品。所述半导体器件初体包括由顶表面向内部延伸的沟槽21，即沟槽21由所述半导体器件初体的顶表面向下延伸而成。
56.在一些实施例中，所述半导体器件初体可以包括半导体器件基底20、布线层23、第一介质层24、隔离层25、第二介质层26和沟槽21。其中：
57.沟槽21，由所述半导体器件基底20的顶表面向内部延伸；
58.第一介质层24，形成在所述半导体器件基底20上，覆盖所述半导体器件基底20的顶表面；
59.布线层23，形成于所述半导体器件基底20上。布线层23的至少一部分经由沟槽21暴露；
60.隔离层25，形成于所述第一介质层24上，并被所述沟槽21分割成相互不连通的多个；
61.第二介质层26，所述第二介质层26覆盖所述隔离层25的顶表面以及所述沟槽21的内壁且未填满所述沟槽21；所述第二介质层26覆盖于所述沟槽21的内壁上。
62.在一些实施例中，布线层23的材料可以包括铝。隔离层25和第二介质层26的材料均可以包括二氧化硅(sio2)。
63.本实施例中，所述半导体器件可以是上述的光敏元芯片，所述半导体器件初体可以是光敏元芯片初体。如图2所示，所述光敏元芯片的空气桥示出两个沟槽21，两个沟槽21用于形成所述空气桥的两端的桥墩。为表述简洁，本实施例仅介绍其中一个空气桥的制备方法，能够理解，本技术实施例提供的半导体器件的制备方法，可以用于制备所述光敏元芯片中的焦平面阵列中的所有空气桥。制备所有空气桥，既可以包括同时制备所有空气桥，也可以包括分别制备所有空气桥。示例性地，所述空气桥的制备，可以是空气桥部分结构的制备。
64.上述步骤102中，如图2所示，金属层30未填满所述沟槽21，可以认为是仅在所述沟槽21的内壁表面涂了一层预设厚度的金属膜层，而不是填满所述沟槽21。示例性地，所述金属层30起到支撑空气桥的桥墩的作用。所述半导体器件还包括有与桥面感光元件电性连接的导电层22，所述导电层22部分位于所述桥墩区域内，所述金属层30支撑所述桥墩，也起到支撑所述导电层22的作用。因此，金属层30有良好及稳定的形貌，能使支撑作用更稳定可靠，进而使半导体器件的性能更稳定。
65.在一些实施例中，步骤102中，所述形成金属层30，包括：
66.采用溅射镀膜(sputter)工艺在所述半导体器件初体上形成所述金属层30。
67.示例性地，对于有一定硬度的金属材料来说，采用溅射镀膜工艺，具有膜层厚度均匀，成膜效率高的特点。因此，采用溅射镀膜工艺，能够获得膜层厚度相对比较均匀的金属层30。在一些实施例中，金属层30的材料可以包括铝，也可以是有一定强度的其它金属材料。
68.上述步骤103中，如图3所示，形成所述牺牲层40后，所述沟槽21被填满。所述牺牲层位于沟槽处的厚度包括所述牺牲层位于所述沟槽内及位于沟槽上的厚度总和。所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100，因此在步骤105的刻蚀金属层30时，牺牲层40可以作为刻蚀金属层30的掩膜层。相比其它相关技术中，使用光刻胶作为掩膜刻蚀所述金属层30的技术方案。本技术实施例的半导体器件的制备方法，能克服光刻胶在湿法刻蚀易发生剥落的问题，使得刻蚀后剩余的金属层30与牺牲层40侧壁有良好及稳定的形貌，并且也能减少光刻工艺的次数，降低由于光刻工艺的执行对生产成本的影响。
69.在一些实施例中，步骤103中，所述形成牺牲层40，包括：
70.形成覆盖所述金属层的牺牲材料层，所述牺牲材料层填满所述沟槽21的未被所述金属层30填满的部分；
71.对所述牺牲材料层执行平坦化工艺，形成所述牺牲层40，并使得所述牺牲层40的位于所述沟槽21处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度。
72.示例性地，形成所述牺牲层40的材料可以是一种绝缘介质材料。绝缘介质材料满足如下要求：绝缘介质材料不与金属层30产生化学或类似反应、不损伤金属层30；绝缘介质材料与所述金属层30的刻蚀选择比大于100。示例性地，形成覆盖所述金属层的牺牲材料层可以采用沉积工艺。在一些实施例中，牺牲层40的材料可以包括二氧化硅，也可以是其它材料，例如聚酰亚胺(pi,polyimide)等。
73.示例性地，使得所述牺牲层40的位于所述沟槽21处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度的目的在于：为了达成在刻蚀所述牺牲层40时，所述牺牲层40的覆盖在位于所述沟槽21内的所述金属层30上的部分被部分保留。原因在于：由于需要在金属
层30的所有表面上均沉积绝缘介质材料，且绝缘介质材料需填满所述沟槽21的未被所述金属层30填满的部分。而根据沉积工艺的特点，金属层30顶表面沉积的绝缘介质材料和所述沟槽21内的绝缘介质材料的厚度是类似的。因此使得所述牺牲层40的位于所述沟槽21处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度，才能在刻蚀所述牺牲层40时，所述牺牲层40的覆盖在所述金属层30上的部分能被部分保留。具体地，使得所述牺牲层40的位于所述沟槽21处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度，可以通过平坦化工艺实现。示例性地，通过平坦化工艺，也可以使得牺牲材料层的顶表面更平整，便于实施刻蚀工艺。
74.如图4所示，上述步骤104中，部分去除所述牺牲层40，保留至少部分位于所述沟槽21内的剩余牺牲层40的目的在于：形成掩膜层覆盖至少部分位于所述沟槽21侧壁的金属层30和位于所述沟槽21底面上的金属层30示例性地，由于位于所述沟槽21至少部分侧壁的所述金属层30和位于所述沟槽21底面上的金属层30被掩膜层覆盖，仅能从位于所述沟槽21至少部分侧壁的所述金属层30的顶端向下刻蚀，而向下刻蚀的深度，可以根据半导体器件的相关要求设置，并可以通过控制刻蚀时间达成深度的设置。
75.在一些实施例中，步骤104中，所述部分去除所述牺牲层40，保留至少部分位于所述沟槽21内的剩余牺牲层40，包括：
76.采用干法刻蚀工艺去除所述牺牲层，直至所述牺牲层40位于所述半导体器件初体顶表面上的部分被完全去除，保留至少部分位于所述沟槽21内的剩余牺牲层40。
77.示例性地，相比湿法刻蚀，干法刻蚀的精度更高，刻蚀面可以更平整，因此，采用干法刻蚀，可以使经该干法刻蚀后的剩余牺牲层40的表面更平整。
78.在一些实施例中，所述采用干法刻蚀工艺去除所述牺牲层，包括：
79.实施反应离子刻蚀(rie，reactive ion etching)，直至位于所述半导体器件初体顶表面上的牺牲层40被完全去除，位于所述沟槽21内的剩余牺牲层40被部分保留，使得剩余牺牲层40的顶表面低于所述半导体器件初体顶表面。
80.示例性地，反应离子刻蚀同时兼有物理和化学两种作用。选择合适的气体组分，可以获得理想的刻蚀选择性和速度。因此采用反应离子刻蚀，既有一定的刻蚀精度，使得所述剩余牺牲层的顶面高度更一致，也有一定的刻蚀效率。
81.在一些实施例中，经过上述干法刻蚀后，仅保留部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层，即使该剩余牺牲层40的顶表面低于所述半导体器件初体顶表面，也即不凸出沟槽21，有利于给步骤105中刻蚀位于沟槽21侧壁的金属层30提供高度上的参考。当然，在其它一些实施方式中，经干法刻蚀后的剩余牺牲层40的顶表面也可以高于所述半导体器件初体的顶表面。
82.上述步骤105中，如图5所示，所述金属层30位于所述半导体器件初体顶表面上的部分被完全去除，可以通过将所述半导体器件初体的顶表面作为刻蚀停止层予以实现。所述金属层30的覆盖所述沟槽21内侧壁的部分被部分保留，可以按如上所述的以剩余牺牲层高度为金属层30的上限参考高度及控制刻蚀时间。示例性地，在其它相关技术中，使用光刻胶作为掩膜刻蚀金属层30的技术方案存在以下缺点：刻蚀时间短，金属层30容易凸出于所述沟槽21，刻蚀时间长，光刻胶剥落多，可能从金属层30侧壁向内刻蚀，使金属层30侧壁没有良好及稳定的形貌。可见，无论是哪种情况，均使得空气桥的桥墩结构不稳定。而本技术
实施例的半导体器件的制备方法中不存在光刻胶剥落的问题，刻蚀后剩余金属层30侧壁有良好及稳定的形貌，能够使得空气桥的桥墩结构更稳定，提高半导体器件的性能的稳定性。
83.在一些实施例中，步骤105中，所述部分去除所述金属层30，仅保留位于所述沟槽21的部分内侧壁及底面的剩余金属层30，包括：
84.通过湿法刻蚀工艺刻蚀所述金属层30，直至所述金属层30位于所述半导体器件初体顶表面上的部分被完全去除，仅保留位于所述沟槽的部分内侧壁及底面的剩余金属层，且使得剩余金属层30的顶表面低于剩余牺牲层40的顶表面。
85.湿法刻蚀具有很好的刻蚀选择性，即可以仅刻蚀一种材料，与该材料相邻的其它材料，能作为刻蚀该材料的刻蚀停止层或掩膜层，并且刻蚀效率高。本实施例中，通过湿法刻蚀工艺刻蚀金属层30，金属层的材料与牺牲层的材料的刻蚀选择比较高，剩余牺牲层40可以很好作为刻蚀金属层30的掩膜层，并且金属层材料与半导体器件初体至少顶层的材料的刻蚀选择比高，半导体器件初体顶层可以作为刻蚀金属层30的刻蚀停止层。这样，经湿法刻蚀后剩余金属层30的侧壁能够具有良好及稳定的形貌，有效保证了半导体器件的性能的稳定性。在一些实施例中，半导体器件初体顶层的材料可以是二氧化硅，即半导体器件初体顶层的材料和牺牲层40是一样的，因此金属层30的材料和半导体器件初体顶层的材料的刻蚀选择比一样，也很高，可以作为刻蚀金属层30的刻蚀停止层。在一些实施例中，形成金属层30之前，半导体器件初体的顶层形成有导电层22(详见下面介绍)，这样，可以选择导电层22的材料，使得金属层30的材料与导电层22的材料的刻蚀选择比高于或等于100。例如导电层22的材料一般可以选择钛，而如上所述，金属层30的材料一般可以是铝，铝与钛的刻蚀选择比大于1000。因此金属层30的材料和导电层22的材料的刻蚀选择比更高，导电层22可以作为刻蚀金属层30的刻蚀停止层。
86.上述步骤106中，剩余牺牲层40，并不是半导体器件最终需要的结构层，而是刻蚀所述金属层30的过程中的工艺层，因此将其去除，去除后的半导体器件如图6所示。
87.在一些实施例中，步骤106中，所述去除所述剩余牺牲层40，包括：
88.通过干法刻蚀，去除所述剩余牺牲层40。
89.示例性地，相比湿法刻蚀，干法刻蚀的精度更高，刻蚀面可以更平整，因此，采用干法刻蚀，可以使保留在所述沟槽21内的所述金属层30的表面不会受到损伤。
90.在一些实施例中，所述去除所述剩余牺牲层，包括：
91.采用氟化氢作为刻蚀气体，执行化学刻蚀，去除所述剩余牺牲层。
92.采用氟化氢作为刻蚀气体，执行化学刻蚀，具有刻蚀效率高、成本低的优点。能够理解，对刻蚀效率要求不高的情况下，也可以采用其它干法刻蚀方法。
93.在一些实施例中，在形成所述金属层30之前，所述半导体器件的制备方法还包括：在所述半导体器件初体上形成导电层22，所述导电层22覆盖所述半导体器件初体的顶表面且覆盖所述沟槽21的内侧壁及底面但未填满所述沟槽21；
94.所述形成金属层30，包括：
95.在所述导电层22上形成所述金属层30，所述金属层30覆盖部分所述导电层22且未填满所述沟槽21。
96.示例性地，导电层22为上面所述的与桥面感光元件电性连接的导电层22，在正常的空气桥的制备工艺过程中，导电层22先于金属层30制备。即先在沟槽21内形成覆盖所述
沟槽21的内侧壁和底面但不填满所述沟槽21的所述导电层22，然后再在所述沟槽21内形成金属层30覆盖所述导电层22且不填满所述沟槽21。导电层22用于与桥面的感光元件电性连接，以接收所述感光元件的信号。金属层30用于支撑所述导电层22及整个桥墩，起到稳固所述空气桥的作用。
97.在一些实施例中，导电层22的材料可以包括钛，也可以是导电且机械性能良好的其它导电材料。
98.本技术实施例还提供一种半导体器件，所述半导体器件通过上述的半导体器件的制备方法制备得到。
99.在一些实施例中，如图6所示，所述半导体器件包括：
100.半导体器件初体，包括由顶表面向内部延伸的沟槽21；
101.导电层22，所述导电层22覆盖所述半导体器件初体的顶表面且覆盖所述沟槽21的内侧壁和底面但未填满所述沟槽21；
102.金属层30，形成于所述沟槽21内，所述金属层30覆盖部分位于所述沟槽21内的导电层且未填满所述沟槽21；所述金属层30的顶表面在纵向上低于所述半导体器件初体的顶表面。
103.在一些实施例中，所述半导体器件初体包括：
104.半导体器件基底20；
105.布线层23，形成于所述半导体器件基底20上。布线层23的至少一部分经由沟槽21暴露；所述布线层23暴露的部分与位于所述沟槽21内的所述导电层22导电连接。
106.示例性地，所述布线层23可以设置有对应沟槽21的多个。对应不同沟槽的多个所述布线层23可以通过所述导电层22两两导电连接。对应空气桥的结构，所述布线层23可以位于所述空气桥的桥墩下端。所述导电层22的一端连接一个桥墩下端的所述布线层23，另一端经由所述空气桥的桥面，连接至另一个桥墩下端的所述布线层23。
107.第一介质层24，形成在所述半导体器件基底20上，覆盖所述半导体器件基底20的顶表面；
108.隔离层25，形成于所述第一介质层24上，并被所述沟槽21分割成相互不连通的多个；
109.第二介质层26，所述第二介质层26覆盖所述隔离层25的顶表面以及所述沟槽21的内壁且未填满所述沟槽21；所述第二介质层26位于所述导电层22和所述沟槽21的内壁之间。
110.需要说明的是，本技术提供的半导体器件实施例与半导体器件的制备方法实施例属于同一构思；各实施例所记载的技术方案中各技术特征之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。但需要进一步说明的是，本技术实施例提供的半导体器件，其各技术特征组合已经可以解决本技术所要解决的技术问题；因而，本技术实施例所提供的半导体器件可以不受本技术实施例提供的半导体器件的制备方法的限制，任何能够形成本技术实施例所提供的半导体器件结构的制备方法所制备的半导体器件均在本技术保护的范围之内。
111.应当理解，以上实施例均为示例性的，不用于包含权利要求所包含的所有可能的实施方式。在不脱离本公开的范围的情况下，还可以在以上实施例的基础上做出各种变形和改变。同样的，也可以对以上实施例的各个技术特征进行任意组合，以形成可能没有被明
确描述的本发明的另外的实施例。因此，上述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，不对本发明专利的保护范围进行限制。