绝缘增强型热保护金属氧化物变阻器的制作方法

本公开的实施例涉及金属氧化物变阻器(mov)，并且更具体地涉及径向引线mov。

背景技术：

1、过电压保护设备被用于保护电子电路和组件免受过电压故障状况造成的损坏。过电压保护设备可以包括金属氧化物变阻器(mov)，其被连接在要保护的电路和地线之间。mov包括允许mov在整个设备主体上耗散极高水平的瞬态能量的晶体微结构。

2、mov通常被用于抑制工业或ac线路应用中的闪电和其他高能量瞬变。此外，mov还被用于dc电路，诸如低压电源和汽车应用。它们的制造工艺允许许多不同的形状因素，其中径向引线盘是最常见的。在异常的过电压状况下，mov可能着火。或者mov的环氧树脂涂层可能由于mov过热而燃烧。

3、热保护mov(tmov)还包括集成的热激活元件，诸如热熔断器(thermal cut-off，tco)线，其被设计为由于异常过电压事件导致的过热情况下断开。tco线将熔化并流到mov电极上，以形成开路。偶尔，tco线的随机流动将会导致分离的熔化线重新连接，这也可能导致火灾。

4、出于这些和其他考虑，本发明的改进是有用的。

技术实现思路

1、提供本
技术实现要素：
是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本发明内容无意于确定所要求保护的主题的关键或基本特征，也无意于帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、根据本公开，金属氧化物变阻器(mov)的示例性实施例可包括mov主体、第一电极、第二电极和热熔断器(tco)。mov主体是具有与一个或多个金属氧化物混合的氧化锌的晶体微结构。第一电极位于邻近mov主体的第一侧，并被连接到第一径向引线。第二电极邻近mov主体的第二侧，并被连接到第二径向引线。tco邻近第二电极，并由具有至少一个芯的焊膏组成。至少一个芯在第一温度下为固体，在第二温度下为液体。

3、根据本公开的mov的另一个示例性实施例可以包括mov主体、第一陶瓷电阻器、第二陶瓷电阻器、第一电极和阻隔层。mov主体是晶体微结构，其在低电压下阻止传导，在较高电压下成为非线性电传导的来源。第一陶瓷电阻器和第二陶瓷电阻器被涂有密封剂。mov主体位于第一陶瓷电阻器和第二陶瓷电阻器之间。被连接到第一径向引线的第一电极位于mov主体和第一陶瓷电阻器之间。阻隔层位于第一电极和第一陶瓷电阻器之间，并防止密封剂响应于mov主体过热而着火。

技术特征：

1.一种金属氧化物变阻器(mov)，包括：

2.根据权利要求1所述的mov，还包括：

3.根据权利要求2所述的mov，其中，所述第一陶瓷电阻器和所述第二陶瓷电阻器被涂有密封剂。

4.根据权利要求3所述的mov，其中，所述密封剂为环氧树脂。

5.根据权利要求4所述的mov，还包括被布置在所述第二电极和所述第二陶瓷电阻器之间的阻隔层，其中所述阻隔层防止所述密封剂过热。

6.根据权利要求5所述的mov，还包括被布置在所述第一电极和所述第一陶瓷电阻器之间的第二阻隔层。

7.根据权利要求1所述的mov，其中，所述焊膏包含96.5％的锡、3.0％的银，以及0.5％的铜。

8.根据权利要求1所述的mov，其中，所述焊膏包含99.3％的锡和0.7％的铜。

9.根据权利要求1所述的mov，其中，所述至少一个芯是松香。

10.根据权利要求1所述的mov，其中，所述至少一个芯是温度介于80℃和120℃之间的固体。

11.根据权利要求5所述的mov，其中，所述至少一个芯是高于120℃的液体。

12.一种金属氧化物变阻器(mov)，包括：

13.根据权利要求12所述的mov，还包括：

14.根据权利要求12所述的mov，其中，所述密封剂为环氧树脂。

15.根据权利要求12所述的mov，其中，所述阻隔层包括在每侧都镀锡的箔层。

16.根据权利要求12所述的mov，还包括被布置在所述阻隔层附近的热熔断器，所述热熔断器包括具有至少一个芯的焊膏。

17.根据权利要求16所述的mov，其中，所述至少一个芯包括第一温度下的固体和第二温度下的液体。

18.根据权利要求17所述的mov，其中，所述至少一个芯是温度介于80℃和120℃之间的固体。

19.根据权利要求18所述的mov，其中，所述至少一个芯是高于120℃的液体。

20.根据权利要求16所述的mov，其中，所述至少一个芯是松香。

技术总结
本发明公开了一种绝缘增强型热保护金属氧化物变阻器。一种金属氧化物变阻器(MOV)包括MOV主体、第一电极、第二电极和热熔断器(TCO)。MOV主体是一种晶体微结构，具有与一个或多个金属氧化物混合的氧化锌。第一电极邻近MOV主体的第一侧，并被连接到第一径向引线。第二电极邻近MOV主体的第二侧，并被连接到第二径向引线。TCO邻近第二电极，并由具有至少一个芯的焊膏组成。至少一个芯在第一温度下为固体，并且在第二温度下为液体。

技术研发人员：宋东健,胡容远
受保护的技术使用者：东莞令特电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17