1.本发明涉及光伏领域，具体涉及一种选择性发射极电池的制备方法。
背景技术：
2.太阳能光伏发电，由于其清洁、安全、便利及高效等特点，已成为全世界普遍关注和重点发展的新兴产业。近年来晶硅太阳能电池片生产迅速发展，技术不断进步。
3.当前太阳能技术中，perc技术生产已经成熟化，为了提升转化率，se技术是各光伏企业的首选。在perc+se的技术路线中，轻掺区的作用主要是形成内建电场使电子-空穴对分开，而重掺区则要起到与金属接触的作用，二者对掺杂曲线的要求不同。激光掺杂技术的应用使金属接触部分进一步优化，但激光掺杂能量有限，更高的激光能量在获得更好金属接触的同时，造成的激光损伤使重掺区缺陷数目增加，制约了电性能的上升空间。
4.在此基础上，进一步优化重掺区制备流程，使之在减弱激光损伤的基础上获得更优的重掺区掺杂，对提升电性能有十分重要的意义。
技术实现要素：
5.为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种选择性发射极电池的制备方法，在扩散之后，对硅片进行液相沉积掺杂源，然后进行局部激光掺杂，形成重掺区。
6.优选的，对硅片进行液相沉积掺杂源之后，先进行退火处理，然后进行局部激光掺杂。
7.本发明选择性发射极电池的制备方法，其具体步骤和工艺参数见实施例。
8.本发明的优点和有益效果在于：提供一种选择性发射极电池的制备方法，在扩散和激光掺杂之间增加液相沉积并可选择退火处理，重掺区获得更多的掺杂源，激光后重掺区掺杂浓度提高；本发明能在较小的激光能量下获得更重的掺杂，能克服现有技术中激光能量过高造成的激光损伤等问题；本发明可以降低重掺区对扩散形成的psg厚度的需求，增加扩散工艺窗口，降低扩散工艺时间；本发明能优化金属接触，降低接触电阻，降低金属接触区复合，获得更优异的电性能，电性能增益0.1%以上。
具体实施方式
9.下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
10.实施例1本发明提供一种选择性发射极电池的制备方法，包括如下步骤：1）去除硅片表面损伤层，并在硅片表面制备绒面；2）对制备绒面后的硅片进行扩散；具体的：所述扩散为磷扩散（可以是管式磷扩散）；
3）对扩散后硅片的扩散面进行液相沉积掺杂源；具体的：所述液相沉积采用喷涂、滚涂、旋涂或滴涂等方法；所述掺杂源为液态磷源；所述液态磷源中磷的浓度为0.05～2mol/l；所述液相沉积的沉积厚度为0.1～20μm；4）对液相沉积掺杂源后硅片的沉积面进行局部激光掺杂，形成重掺区；5）对形成重掺区的硅片进行去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结；6）对去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结的硅片进行表面钝化处理，正面沉积氮化硅膜，背面沉积氧化铝和氮化硅膜；7）对表面钝化处理后的硅片进行背面激光开模，然后进行印刷背电极、背电场和正电极，并进行烧结使电极金属化，得到选择性发射极电池。
11.实施例2本发明还提供另一种选择性发射极电池的制备方法，包括如下步骤：1）去除硅片表面损伤层，并在硅片表面制备绒面；2）对制备绒面后的硅片进行扩散；具体的：所述扩散为磷扩散（可以是管式磷扩散）；3）对扩散后硅片的扩散面进行液相沉积掺杂源；具体的：所述液相沉积采用喷涂、滚涂、旋涂或滴涂等方法；所述掺杂源为液态磷源；所述液态磷源中磷的浓度为0.05～2mol/l；所述液相沉积的沉积厚度为0.1～20μm；4）对液相沉积掺杂源后硅片的沉积面进行退火处理；具体的：所述退火处理在链式炉或管式炉中进行；所述退火处理的温度为100～900℃，时间为30s～1h；所述退火处理的气氛为氧气、氮气或氮氧混合气；5）对退火处理后硅片的沉积面进行局部激光掺杂，形成重掺区；6）对形成重掺区的硅片进行去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结；7）对去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结的硅片进行表面钝化处理，正面沉积氮化硅膜，背面沉积氧化铝和氮化硅膜；8）对表面钝化处理后的硅片进行背面激光开模，然后进行印刷背电极、背电场和正电极，并进行烧结使电极金属化，得到选择性发射极电池。
12.本发明在扩散和激光掺杂之间增加液相沉积并可选择退火处理，重掺区获得更多的掺杂源，激光后重掺区掺杂浓度提高；本发明能在较小的激光能量下获得更重的掺杂，能克服现有技术中激光能量过高造成的激光损伤等问题；本发明可以降低重掺区对扩散形成的psg厚度的需求，增加扩散工艺窗口，降低扩散工艺时间；本发明能优化金属接触，降低接
触电阻，降低金属接触区复合，获得更优异的电性能，电性能增益0.1%以上。
13.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
技术特征：
1.一种选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，在扩散之后，对硅片进行液相沉积掺杂源，然后进行局部激光掺杂，形成重掺区。2.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）去除硅片表面损伤层，并在硅片表面制备绒面；2）对制备绒面后的硅片进行扩散；3）对扩散后硅片的扩散面进行液相沉积掺杂源；4）对液相沉积掺杂源后硅片的沉积面进行局部激光掺杂，形成重掺区；5）对形成重掺区的硅片进行去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结；6）对去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结的硅片进行表面钝化处理，正面沉积氮化硅膜，背面沉积氧化铝和氮化硅膜；7）对表面钝化处理后的硅片进行背面激光开模，然后进行印刷背电极、背电场和正电极，并进行烧结使电极金属化，得到选择性发射极电池。3.根据权利要求1所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，对硅片进行液相沉积掺杂源之后，先进行退火处理，然后进行局部激光掺杂。4.根据权利要求3所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）去除硅片表面损伤层，并在硅片表面制备绒面；2）对制备绒面后的硅片进行扩散；3）对扩散后硅片的扩散面进行液相沉积掺杂源；4）对液相沉积掺杂源后硅片的沉积面进行退火处理；5）对退火处理后硅片的沉积面进行局部激光掺杂，形成重掺区；6）对形成重掺区的硅片进行去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结；7）对去除表面psg以及去除边缘和背面p-n结的硅片进行表面钝化处理，正面沉积氮化硅膜，背面沉积氧化铝和氮化硅膜；8）对表面钝化处理后的硅片进行背面激光开模，然后进行印刷背电极、背电场和正电极，并进行烧结使电极金属化，得到选择性发射极电池。5.根据权利要求1至4中任一项所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述液相沉积采用喷涂、滚涂、旋涂或滴涂方法。6.根据权利要求1、2或4所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述扩散为磷扩散；所述掺杂源为液态磷源。7.根据权利要求6所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述液态磷源中磷的浓度为0.05～2mol/l。8.根据权利要求7所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述液相沉积的沉积厚度为0.1～20μm。9.根据权利要求3或4所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理在链式炉或管式炉中进行。10.根据权利要求3或4所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为100～900℃，时间为30s～1h。11.根据权利要求10所述的选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理的气氛为氧气、氮气或氮氧混合气。
技术总结
本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法，在扩散之后，对硅片进行液相沉积掺杂源并可选择退火处理，然后进行局部激光掺杂，形成重掺区。本发明在扩散和激光掺杂之间增加液相沉积并可选择退火处理，重掺区获得更多的掺杂源，激光后重掺区掺杂浓度提高；本发明能在较小的激光能量下获得更重的掺杂，能克服现有技术中激光能量过高造成的激光损伤等问题；本发明可以降低重掺区对扩散形成的PSG厚度的需求，增加扩散工艺窗口，降低扩散工艺时间；本发明能优化金属接触，降低接触电阻，降低金属接触区复合，获得更优异的电性能，电性能增益0.1%以上。0.1%以上。
技术研发人员：任常瑞 张佳舟 董建文 符黎明
受保护的技术使用者：常州时创能源股份有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2023/1/13