电磁屏蔽封装结构与其制造方法及电子组件与流程

本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种电磁屏蔽封装结构与其制造方法及电子组件。

背景技术：

1、现有封装结构于倒装芯片(flip chip)焊接至一电路板时，由于现有封装结构的导电部与电磁屏蔽层之间的距离过于相近，因而容易因为焊料而导致上述导电部与电磁屏蔽层连通而产生短路。于是，本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提供一种电磁屏蔽封装结构与其制造方法及电子组件，能有效地改善现有封装结构所可能产生的缺陷。

2、本发明实施例公开一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其包括：一前置步骤：提供一芯片级封装结构，其包含：一载板，包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧缘，并且第二板面配置有多个导电部；至少一个芯片，安装于载板的第一板面上；及一封装体，形成于载板的第一板面且埋置至少一个芯片；一第一涂布步骤：将芯片级封装结构的载板的第二板面黏接于一紫外光解胶膜上，并于芯片级封装结构的外表面涂布形成有一电磁屏蔽层；其中，电磁屏蔽层的底缘切齐于载板的第二板面；一第二涂布步骤：将芯片级封装结构自紫外光解胶膜分离，并将载板的第二板面与电磁屏蔽层的底缘黏接于一热解胶膜，而后于电磁屏蔽层的外表面涂布形成有一绝缘层；其中，绝缘层的底端切齐于电磁屏蔽层的底缘；以及一渗透包覆步骤：于一预设时段内加热热解胶膜，以使绝缘层通过毛细作用沿着热解胶膜朝向第二板面渗入而形成覆盖电磁屏蔽层的底缘的一毛细渗透部。

3、优选地，于渗透包覆步骤之中，毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于电磁屏蔽层的底缘的内侧、并位于多个导电部的外侧。

4、优选地，于第一涂布步骤之中，电磁屏蔽层进一步限定为厚度介于3微米～5微米的一纳米金属层。

5、优选地，于第二涂布步骤之中，绝缘层的材质包含有环氧树脂。

6、本发明实施例也公开一种电子组件，其包括：一电磁屏蔽封装结构，包含：一载板，包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧缘；其中，第二板面配置有多个导电部；至少一个芯片，安装于载板的第一板面上，并且至少一个芯片电性耦接于至少一个导电部；一封装体，形成于载板的第一板面且埋置至少一个芯片；一电磁屏蔽层，形成于载板的环侧缘及封装体的外表面，并且电磁屏蔽层的底缘切齐于载板的第二板面；及一绝缘层，包含有：一喷涂覆盖部，形成于电磁屏蔽层的至少部分外表面；及一毛细渗透部，自喷涂覆盖部的底端通过毛细作用朝第二板面延伸所形成，并且毛细渗透部覆盖电磁屏蔽层的底缘；一电路板，形成有多个连接垫；其中，电磁屏蔽封装结构的多个导电部分别位于多个连接垫上，并且毛细渗透部位于多个连接垫上；以及多个焊接体，连接电磁屏蔽封装结构与电路板，并且每个导电部与相对应的连接垫以一个焊接体相连接；其中，电磁屏蔽层通过毛细渗透部而与任一个焊接体隔开。

7、优选地，每个焊接体包含有：一连接部，连接于相对应导电部与连接垫之间；一延伸部，自连接部延伸而形成，并且延伸部连接于相对应连接垫与毛细渗透部之间；及一攀爬部，自延伸部延伸而形成，并且攀爬部连接于相对应连接垫及部分喷涂覆盖部。

8、优选地，电磁屏蔽层的外表面包含有一顶面及相连于顶面与底缘的一环侧面，并且喷涂覆盖部形成于电磁屏蔽层的环侧面。

9、优选地，喷涂覆盖部形成于电磁屏蔽层的整个外表面。

10、本发明实施例另公开一种电磁屏蔽封装结构，其包括：一载板，包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧缘；至少一个芯片，安装于载板的第一板面上；一封装体，形成于载板的第一板面且埋置至少一个芯片；一电磁屏蔽层，形成于载板的环侧缘及封装体的外表面，并且电磁屏蔽层的底缘切齐于载板的第二板面；以及一绝缘层，包含有：一喷涂覆盖部，形成于电磁屏蔽层的至少部分外表面；及一毛细渗透部，自喷涂覆盖部的底端通过毛细作用朝第二板面延伸所形成，并且毛细渗透部覆盖电磁屏蔽层的底缘。

11、优选地，载板的第二板面配置有多个导电部，并且至少一个芯片电性耦接于至少一个导电部；其中，毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于电磁屏蔽层的底缘的内侧、并位于多个导电部的外侧。

12、综上所述，本发明实施例所公开的电磁屏蔽封装结构的制造方法，其在通过依序实施上述多个步骤之后(如：采用性质相异的所述紫外光解胶膜与所述热解胶膜)，即可制成有效避免短路缺陷的所述电磁屏蔽封装结构。

13、再者，本发明实施例所公开的电磁屏蔽封装结构及电子组件，其能够以所述绝缘层的所述毛细渗透部来覆盖所述电磁屏蔽层的所述底缘，进而避免所述电磁屏蔽层的所述底缘与其他构件(如：所述导电部)产生短路。

14、为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

技术特征：

1.一种电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽封装结构的制造方法包括：

2.依据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，于所述渗透包覆步骤之中，所述毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于所述电磁屏蔽层的所述底缘的内侧、并位于多个所述导电部的外侧。

3.依据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，于所述第一涂布步骤之中，所述电磁屏蔽层进一步限定为厚度介于3微米～5微米的一纳米金属层。

4.依据权利要求1所述的电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，于所述第二涂布步骤之中，所述绝缘层的材质包含有环氧树脂。

5.一种电子组件，其特征在于，所述电子组件包括：

6.依据权利要求5所述的电子组件，其特征在于，每个所述焊接体包含有：

7.依据权利要求5所述的电子组件，其特征在于，所述电磁屏蔽层的所述外表面包含有一顶面及相连于所述顶面与所述底缘的一环侧面，并且所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的所述环侧面。

8.依据权利要求5所述的电子组件，其特征在于，所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的整个所述外表面。

9.一种电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述电磁屏蔽封装结构包括：

10.依据权利要求9所述的电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述载板的所述第二板面配置有多个导电部，并且至少一个所述芯片电性耦接于至少一个所述导电部；其中，所述毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于所述电磁屏蔽层的所述底缘的内侧、并位于多个所述导电部的外侧。

技术总结
本发明公开一种电磁屏蔽封装结构与其制造方法及电子组件。所述电磁屏蔽封装结构包含一载板、安装于所述载板顶面的至少一个芯片、形成于所述载板且埋置至少一个所述芯片的一封装体、形成于所述封装体外表面的一电磁屏蔽层及一绝缘层。所述绝缘层包含有一喷涂覆盖部与一毛细渗透部。所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的至少部分外表面。所述毛细渗透部自所述喷涂覆盖部的底端通过毛细作用朝所述载板的底面延伸所形成，并且所述毛细渗透部覆盖所述电磁屏蔽层的底缘。据此，所述电磁屏蔽封装结构能以所述毛细渗透部来覆盖所述电磁屏蔽层的底缘，进而避免所述电磁屏蔽层与其他构件产生短路。

技术研发人员：廖志豪,吴书翰,黄馨叶
受保护的技术使用者：纮华电子科技(上海)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22