一种Mosfet制造方法与流程

一种mosfet制造方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，本发明涉及一种mosfet制造方法。


背景技术：

2.半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间并且导电性可控的材料，而在我们的日常生活中提到的半导体基本是指半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域的应用，在各种半导体中mosfet广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大，由于mosfet的尺寸非常小，因此mosfet既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造，mosfet器件的引入带来了电子开关领域的变化，故此特别需要一种mosfet制造方法。
3.在mosfet的制造过程时，所需要进行涂胶、前烘、曝光、显影、刻蚀、沉积、清洗去胶、后烘、打磨等一系列的步骤，在这过程中，不通过的步骤往往需要使用不同的机械来完成，如果使用人工来进行步骤中硅片的移动中转，所需要的步骤就会比较繁琐，而且效率较为低下，会导致mosfet的制造速度降低。


技术实现要素：

4.为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种mosfet制造方法，以解决上述背景技术中提出的在mosfet的制造过程时，所需要进行涂胶、前烘、曝光、显影、刻蚀、沉积、清洗去胶、后烘、打磨等一系列的步骤，在这过程中，不通过的步骤往往需要使用不同的机械来完成，如果使用人工来进行步骤中硅片的移动中转，所需要的步骤就会比较繁琐，而且效率较为低下，会导致mosfet的制造速度降低的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：包括主体、移动涂胶机构、烘干机构和打磨抛光机构，所述移动涂胶机构包括导轨、移动底座、伸缩杆、旋转台、叉架、放置承重杆、放置旋转轴、硅片放置盘、光刻胶存放箱和光刻胶涂抹管，所述烘干机构包括烘干箱体、烘干放置底板、烘干放置台、放置顶块、伸缩放置台、导热板和电热丝，所述打磨抛光机构包括打磨箱体、打磨放置底座、成品放置台、放置伸缩杆、固定放置板、成品放置槽、打磨安装块、打磨连接台、打磨伸缩杆、转轴、磨砂安装环和磨砂轮，其特征在于：所述主体的顶端设置有安装台，所述主体的左右两端均设置有固定连接板，所述固定连接板的内侧均连接有连接隔板，所述固定连接板的顶端连接有顶板，所述安装台的顶端设置有移动涂胶机构，所述安装台的后端设置有曝光机构，所述安装台的左端设置有清洗显影机构，所述连接隔板的一端安装有烘干机构，所述顶板的底端设置有刻蚀沉积机构，所述安装台的右端安装有打磨抛光机构。
6.在一个优选的实施方式中，所述移动涂胶机构包括导轨、移动底座、伸缩杆、旋转台、叉架、放置承重杆、放置旋转轴、硅片放置盘、光刻胶存放箱和光刻胶涂抹管，所述安装台的表面开设有导轨，所述导轨的内侧活动连接有移动底座，所述移动底座的顶端连接有伸缩杆，所述伸缩杆的顶端安装有旋转台，所述旋转台的顶端安装有叉架，所述安装台的顶
端固定安装有放置承重杆，所述放置承重杆的顶端连接有放置旋转轴，所述放置旋转轴的顶端安装有硅片放置盘。
7.在一个优选的实施方式中，所述硅片放置盘与放置旋转轴之间为焊接，所述硅片放置盘通过放置旋转轴与放置承重杆之间构成旋转结构。
8.在一个优选的实施方式中，所述曝光机构包括光刻主体、曝光放置台、曝光放置槽、紫外光源发生器、导光管、传导连接块、固定板、聚光筒支撑台、聚光筒和光掩膜放置架，所述所述安装台的后端安装有光刻主体，所述光刻主体的内部安装有曝光放置台，所述曝光放置台的顶端开设有曝光放置槽，所述曝光放置台的左侧设置有紫外光源发生器，所述紫外光源发生器的顶端安装有导光管，所述导光管的顶端连接有传导连接块，所述传导连接块的底端连接有固定板，所述固定板的左端安装有聚光筒支撑台，所述聚光筒支撑台的内侧均接有聚光筒，所述固定板的底端安装有光掩膜放置架。
9.在一个优选的实施方式中，所述清洗显影机构包括清洗主体、清洗放置台、清洗水箱、水泵、加压器、高压管、水剂混合箱、清洗显影喷头、显影液存放箱和显影液输送管，所述安装台的左端安装有清洗主体，所述清洗主体的内侧安装有清洗放置台，所述清洗放置台的左侧设置有清洗水箱，所述清洗水箱的顶端安装有水泵，所述水泵的右侧设置有加压器，所述加压器的左端连接有高压管，所述高压管的左端连接有水剂混合箱，所述水剂混合箱的底端安装有清洗显影喷头，所述清洗放置台的右侧设置有显影液存放箱，所述显影液存放箱的左端连接有显影液输送管。
10.在一个优选的实施方式中，所述烘干机构包括烘干箱体、烘干放置底板、烘干放置台、放置顶块、伸缩放置台、导热板和电热丝，所述连接隔板的顶端安装有烘干箱体，所述烘干箱体的内侧安装有烘干放置底板，所述烘干放置底板的顶端设置有烘干放置台，所述烘干放置台的顶端固定安装有放置顶块，所述放置顶块的内侧设置有伸缩放置台，所述烘干放置底板的外侧设置有导热板，所述导热板的外侧安装有电热丝。
11.在一个优选的实施方式中，所述电热丝与导热板之间为卡槽连接，所述电热丝关于导热板的中轴线对称设置。
12.在一个优选的实施方式中，所述刻蚀沉积机构包括底台、处理放置台、腐蚀液存放箱、抽液泵、腐蚀液输送管、输送连接块、输送连接管、腐蚀液喷头、化学气体存放箱、气体处理器、气体输送管和化学气体喷头，所述顶板的底端设置有底台，所述底台的顶端固定安装有处理放置台，所述处理放置台的左侧设置有腐蚀液存放箱，所述腐蚀液存放箱的顶端安装有抽液泵，所述抽液泵的顶端连接有腐蚀液输送管，所述腐蚀液输送管的顶端连接有输送连接块，所述输送连接块的底端连接有输送连接管，所述输送连接管的底端安装有腐蚀液喷头，所述处理放置台的右侧设置有化学气体存放箱，所述化学气体存放箱的顶端设置有气体处理器，所述气体处理器的底端连接有气体输送管，所述气体输送管的底端安装有化学气体喷头。
13.在一个优选的实施方式中，所述打磨抛光机构包括打磨箱体、打磨放置底座、成品放置台、放置伸缩杆、固定放置板、成品放置槽、打磨安装块、打磨连接台、打磨伸缩杆、转轴、磨砂安装环和磨砂轮，所述所述安装台的右端安装有打磨箱体，所述打磨箱体的内侧设置有打磨放置底座，所述打磨放置底座的顶端安装有成品放置台，所述成品放置台的内部安装有放置伸缩杆，所述放置伸缩杆的顶端安装有固定放置板，所述成品放置台的顶端开
设有成品放置槽，所述安装台的上方设置有打磨安装块，所述打磨安装块的底端连接有打磨连接台，所述打磨连接台的底端连接有打磨伸缩杆，所述打磨伸缩杆的底端安装有转轴，所述转轴的设置安装有磨砂安装环，所述磨砂安装环的底端安装有磨砂轮。
14.在一个优选的实施方式中，所述固定放置板与放置伸缩杆之间为焊接，所述固定放置板通过放置伸缩杆与成品放置台之间构成伸缩结构。
15.基于一种mosfet制造方法，具体步骤如下：
16.s1：针对一种mosfet制造方法，先将硅片放置在硅片放置盘上，轻轻下压让硅片放置盘将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶涂抹管涂抹在硅片表面，接着通过放置旋转轴的转动带动硅片转动，使光刻胶在硅片表面更加均匀，接着伸缩杆升起，通过叉架将硅片从硅片放置盘上取下，然后移动底座在导轨上移动，将硅片移动至烘干机构内将光刻胶烘干，然后在将硅片移动至曝光机构中；
17.s2：在将硅片移动到曝光机构内时，旋转台转动带动叉架调整角度，在调整好后伸缩杆降下，将硅片放置在曝光放置槽内，接着启动紫外光源发生器产生紫外光线，在通过导光管将紫外光线传导到聚光筒中，聚光筒将紫外光线聚集照射在光掩膜上，将光掩膜上设置好的电路图投射到硅片上，在硅片完成曝光后，伸缩杆升起使叉架将曝光后的硅片从曝光放置槽内取出，然后移动底座在导轨上移动，带着硅片移动到清洗显影机构内；
18.s3：将硅片移动到清洗显影机构内后，伸缩杆下降将硅片放置在清洗放置台上，接着启动水泵将水和显影液从清洗水箱与显影液存放箱中抽入水剂混合箱内，然后将混合后的水剂通过清洗显影喷头喷洒在硅片上，对硅片进行显影，在完成显影后，伸缩杆升起，通过叉架将硅片从清洗放置台上取下，然后移动底座在导轨上移动，将硅片移动到烘干机构内，接着伸缩杆下降将硅片放置在伸缩放置台上，然后启动电热丝使导热板温度升高，在传导至烘干箱体内将硅片上的水剂烘干，在硅片上的水剂被烘干后，伸缩杆升起，通过叉架将硅片从伸缩放置台上取下，然后将硅片送到刻蚀沉积机构内；
19.s4：在将硅片送到刻蚀沉积机构内后，伸缩杆下降将硅片放置在处理放置台上，接着启动抽液泵将腐蚀液存放箱内的腐蚀液抽出，通过腐蚀液喷头将腐蚀液喷洒至硅片表面进行刻蚀，或者根据情况将化学气体存放箱内的化学气体通过化学气体喷头喷到硅片表面进行化学物质的生长沉积，在进行完刻蚀或沉积后，通过叉架将处理好的硅片取下再次送入清洗显影机构进行清洗去胶，在清洗去胶后将硅片送入烘干机构内进行烘干，烘干完成后在将硅片送入打磨抛光机构内；
20.s5：在硅片送入打磨抛光机构内后，伸缩杆下降将硅片放置在固定放置板上，然后放置伸缩杆下降，将硅片放置于成品放置槽内固定，随后打磨伸缩杆伸出，将磨砂轮放置在硅片表面，然后通过转轴带动磨砂轮转动对硅片表面进行打磨抛光，使硅片成为合格的mosfet，在打磨抛光完成后，打磨伸缩杆收回，放置伸缩杆升起将成品mosfet从成品放置槽取出，接着通过叉架将成品mosfet从固定放置板上取下，然后移动底座在导轨上移动，将成品mosfet放置硅片放置盘上。
21.本发明的技术效果和优点：
22.1、本发明通过设置移动涂胶机构，包括导轨、移动底座、伸缩杆、旋转台、叉架、放置承重杆、放置旋转轴、硅片放置盘、光刻胶存放箱和光刻胶涂抹管，先将硅片放置在硅片放置盘上，轻轻下压让硅片放置盘将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶涂抹管涂抹在硅
片表面，接着伸缩杆升起，通过叉架将硅片从硅片放置盘上取下，然后移动底座在导轨上移动，这样通过放置旋转轴的转动带动硅片转动，使光刻胶受到离心力，在硅片表面分布的更加均匀，提高了涂抹光刻胶的效率，在涂胶后移动底座在导轨上移动在导轨内的移动，使叉架带着硅片移动，方便硅片在各机构之间的移动，避免人工不断的进行硅片位置的调整，节约了人工成本，加快了对硅片的移动速度，提高了mosfet的制作效率；
23.2、本发明通过设置烘干机构，包括烘干箱体、烘干放置底板、烘干放置台、放置顶块、伸缩放置台、导热板和电热丝，所述连接隔板的顶端安装有烘干箱体，所述烘干箱体的内侧安装有烘干放置底板，所述烘干放置底板的顶端设置有烘干放置台，所述烘干放置台的顶端固定安装有放置顶块，所述放置顶块的内侧设置有伸缩放置台，所述烘干放置底板的外侧设置有导热板，所述导热板的外侧安装有电热丝，将硅片移动到烘干机构内后，伸缩杆下降将硅片放置在伸缩放置台上，然后启动电热丝使导热板温度升高，在传导至烘干箱体内将硅片上的水剂烘干，通过电热丝的升温，使烘干箱体内的温度升高，可以将硅片生的水剂快速烘干，以便进行后续处理，同时通过导热板的设置，避免硅片和光刻胶直接与高温接触，导致光刻胶和硅片变性失去应有的作用，保证了硅片和光刻胶的完整性；
24.3、本发明通过设置打磨抛光机构，包括打磨箱体、打磨放置底座、成品放置台、放置伸缩杆、固定放置板、成品放置槽、打磨安装块、打磨连接台、打磨伸缩杆、转轴、磨砂安装环和磨砂轮，在硅片送入打磨抛光机构内后，伸缩杆下降将硅片放置在固定放置板上，然后放置伸缩杆下降，将硅片放置于成品放置槽内固定，随后打磨伸缩杆伸出，将磨砂轮放置在硅片表面，然后通过转轴带动磨砂轮转动对硅片表面进行打磨抛光，使硅片成为合格的mosfet，通过磨砂轮对硅片表面进行打磨抛光，使成型的硅片表面更加的光滑平整，确保最后成型mosfet的性能，同时通过放置伸缩杆的升降将硅片放置成品放置槽进行限位固定，提高打磨时的稳定性；
附图说明
25.图1为本发明的整体结构示意图；
26.图2为本发明的叉架、导轨和硅片放置盘的相互配合结构示意图；
27.图3为本发明的曝光机构内部零件的配合结构示意图；
28.图4为本发明的清洗显影机构内部零件的配合结构示意图；
29.图5为本发明的伸缩放置台、导热板和电热丝的相互配合结构示意图；
30.图6为本发明的刻蚀沉积机构内部零件的配合结构示意图；
31.图7为本发明的打磨抛光机构内部零件的配合结构示意图。
32.附图标记为：1、主体；2、安装台；3、固定连接板；4、连接隔板；5、顶板；6、移动涂胶机构；601、导轨；602、移动底座；603、伸缩杆；604、旋转台；605、叉架；606、放置承重杆；607、放置旋转轴；608、硅片放置盘；609、光刻胶存放箱；610、光刻胶涂抹管；7、曝光机构；701、光刻主体；702、曝光放置台；703、曝光放置槽；704、紫外光源发生器；705、导光管；706、传导连接块；707、固定板；708、聚光筒支撑台；709、聚光筒；710、光掩膜放置架；8、清洗显影机构；801、清洗主体；802、清洗放置台；803、清洗水箱；804、水泵；805、加压器；806、高压管；807、水剂混合箱；808、清洗显影喷头；809、显影液存放箱；810、显影液输送管；9、烘干机构；901、烘干箱体；902、烘干放置底板；903、烘干放置台；904、放置顶块；905、伸缩放置台；906、导热
板；907、电热丝；10、刻蚀沉积机构；1001、底台；1002、处理放置台；1003、腐蚀液存放箱；1004、抽液泵；1005、腐蚀液输送管；1006、输送连接块；1007、输送连接管；1008、腐蚀液喷头；1009、化学气体存放箱；1010、气体处理器；1011、气体输送管；1012、化学气体喷头；11、打磨抛光机构；1101、打磨箱体；1102、打磨放置底座；1103、成品放置台；1104、放置伸缩杆；1105、固定放置板；1106、成品放置槽；1107、打磨安装块；1108、打磨连接台；1109、打磨伸缩杆；1110、转轴；1111、磨砂安装轮；1112、磨砂轮。
具体实施方式
33.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
34.根据图1-7所示的一种mosfet制造方法，包括主体1、移动涂胶机构6、烘干机构9和打磨抛光机构11，移动涂胶机构6包括导轨601、移动底座602、伸缩杆603、旋转台604、叉架605、放置承重杆606、放置旋转轴607、硅片放置盘608、光刻胶存放箱609和光刻胶涂抹管610，烘干机构9包括烘干箱体901、烘干放置底板902、烘干放置台903、放置顶块904、伸缩放置台905、导热板906和电热丝907，打磨抛光机构11包括打磨箱体1101、打磨放置底座1102、成品放置台1103、放置伸缩杆1104、固定放置板1105、成品放置槽1106、打磨安装块1107、打磨连接台1108、打磨伸缩杆1109、转轴1110、磨砂安装环1111和磨砂轮1112，其特征在于：主体1的顶端设置有安装台2，主体1的左右两端均设置有固定连接板3，固定连接板3的内侧均连接有连接隔板4，固定连接板3的顶端连接有顶板5，安装台2的顶端设置有移动涂胶机构6，安装台2的后端设置有曝光机构7，安装台2的左端设置有清洗显影机构8，连接隔板4的一端安装有烘干机构9，顶板5的底端设置有刻蚀沉积机构10，安装台2的右端安装有打磨抛光机构11；
35.具体地，移动涂胶机构6包括导轨601、移动底座602、伸缩杆603、旋转台604、叉架605、放置承重杆606、放置旋转轴607、硅片放置盘608、光刻胶存放箱609和光刻胶涂抹管610，安装台2的表面开设有导轨601，导轨601的内侧活动连接有移动底座602，移动底座602的顶端连接有伸缩杆603，伸缩杆603的顶端安装有旋转台604，旋转台604的顶端安装有叉架605，安装台2的顶端固定安装有放置承重杆606，放置承重杆606的顶端连接有放置旋转轴607，放置旋转轴607的顶端安装有硅片放置盘608，先将硅片放置在硅片放置盘608上，轻轻下压让硅片放置盘608将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶涂抹管610涂抹在硅片表面，接着伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从硅片放置盘608上取下，然后移动底座602在导轨上移动，这样通过移动底座602在导轨上移动在导轨601内的移动，使叉架605带着硅片移动，方便硅片在各机构之间的移动，避免人工不断的进行硅片位置的调整，节约了人工成本，加快了对硅片的移动速度，提高了mosfet的制作效率。
36.具体地，硅片放置盘608与放置旋转轴607之间为焊接，硅片放置盘608通过放置旋转轴607与放置承重杆606之间构成旋转结构，通过放置旋转轴607的转动带动硅片转动，使光刻胶受到离心力，在硅片表面分布的更加均匀，提高了涂抹光刻胶的效率；
37.具体地，曝光机构7包括光刻主体701、曝光放置台702、曝光放置槽703、紫外光源
发生器704、导光管705、传导连接块706、固定板707、聚光筒支撑台708、聚光筒709和光掩膜放置架710，安装台2的后端安装有光刻主体701，光刻主体701的内部安装有曝光放置台702，曝光放置台702的顶端开设有曝光放置槽703，曝光放置台702的左侧设置有紫外光源发生器704，紫外光源发生器704的顶端安装有导光管705，导光管705的顶端连接有传导连接块706，传导连接块706的底端连接有固定板707，固定板707的左端安装有聚光筒支撑台708，聚光筒支撑台708的内侧均接有聚光筒709，固定板707的底端安装有光掩膜放置架710，在将硅片移动到曝光机构7内时，旋转台604转动带动叉架605调整角度，在调整好后伸缩杆603降下，将硅片放置在曝光放置槽703内，接着启动紫外光源发生器704产生紫外光线，在通过导光管705将紫外光线传导到聚光筒709中，聚光筒709将紫外光线聚集照射在光掩膜上，将光掩膜上设置好的电路图投射到硅片上，通过曝光机构7可以在硅片上进行细微刻画，提供硅片表面不平整的补偿，提高整个硅片的尺寸均匀性。
38.具体地，清洗显影机构8包括清洗主体801、清洗放置台802、清洗水箱803、水泵804、加压器805、高压管806、水剂混合箱807、清洗显影喷头808、显影液存放箱809和显影液输送管810，安装台2的左端安装有清洗主体801，清洗主体801的内侧安装有清洗放置台802，清洗放置台802的左侧设置有清洗水箱803，清洗水箱803的顶端安装有水泵804，水泵804的右侧设置有加压器805，加压器805的左端连接有高压管806，高压管806的左端连接有水剂混合箱807，水剂混合箱807的底端安装有清洗显影喷头808，清洗放置台802的右侧设置有显影液存放箱809，显影液存放箱809的左端连接有显影液输送管810，将硅片移动到清洗显影机构8内后，伸缩杆603下降将硅片放置在清洗放置台802上，接着启动水泵将水和显影液从清洗水箱803与显影液存放箱809中抽入水剂混合箱807内，然后将混合后的水剂通过清洗显影喷头808喷洒在硅片上，对硅片进行显影，这样可以将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解，使光掩膜上的图案永久留在硅片表面，并且将多余的光刻胶清洗，提高硅片表面的洁净度；
39.具体地，烘干机构9包括烘干箱体901、烘干放置底板902、烘干放置台903、放置顶块904、伸缩放置台905、导热板906和电热丝907，连接隔板4的顶端安装有烘干箱体901，烘干箱体901的内侧安装有烘干放置底板902，烘干放置底板902的顶端设置有烘干放置台903，烘干放置台903的顶端固定安装有放置顶块904，放置顶块904的内侧设置有伸缩放置台905，烘干放置底板902的外侧设置有导热板906，导热板906的外侧安装有电热丝907，将硅片移动到烘干机构9内后，伸缩杆603下降将硅片放置在伸缩放置台905上，然后启动电热丝907使导热板906温度升高，在传导至烘干箱体901内将硅片上的水剂烘干，通过电热丝907的升温，使烘干箱体901内的温度升高，可以将硅片生的水剂快速烘干，以便进行后续处理。
40.具体地，电热丝907与导热板906之间为卡槽连接，电热丝907关于导热板906的中轴线对称设置，通过导热板906的设置，避免硅片和光刻胶直接与高温接触，导致光刻胶和硅片变性失去应有的作用，保证了硅片和光刻胶的完整性。
41.具体地，刻蚀沉积机构10包括底台1001、处理放置台1002、腐蚀液存放箱1003、抽液泵1004、腐蚀液输送管1005、输送连接块1006、输送连接管1007、腐蚀液喷头1008、化学气体存放箱1009、气体处理器1010、气体输送管1011和化学气体喷头1012，顶板5的底端设置有底台1001，底台1001的顶端固定安装有处理放置台1002，处理放置台1002的左侧设置有
腐蚀液存放箱1003，腐蚀液存放箱1003的顶端安装有抽液泵1004，抽液泵1004的顶端连接有腐蚀液输送管1005，腐蚀液输送管1005的顶端连接有输送连接块1006，输送连接块1006的底端连接有输送连接管1007，输送连接管1007的底端安装有腐蚀液喷头1008，处理放置台1002的右侧设置有化学气体存放箱1009，化学气体存放箱1009的顶端设置有气体处理器1010，气体处理器1010的底端连接有气体输送管1011，气体输送管1011的底端安装有化学气体喷头1012，在将硅片送到刻蚀沉积机构10内后，伸缩杆603下降将硅片放置在处理放置台1002上，接着启动抽液泵1004将腐蚀液存放箱1003内的腐蚀液抽出，通过腐蚀液喷头1008将腐蚀液喷洒至硅片表面进行刻蚀，或者根据情况将化学气体存放箱1009内的化学气体通过化学气体喷头1012喷到硅片表面进行化学物质的生长沉积，这样可以使硅片上产生均匀的沟槽或者使硅片上生长出均匀的物质，确保硅片质量的均匀性。
42.具体地，打磨抛光机构11包括打磨箱体1101、打磨放置底座1102、成品放置台1103、放置伸缩杆1104、固定放置板1105、成品放置槽1106、打磨安装块1107、打磨连接台1108、打磨伸缩杆1109、转轴1110、磨砂安装环1111和磨砂轮1112，安装台2的右端安装有打磨箱体1101，打磨箱体1101的内侧设置有打磨放置底座1102，打磨放置底座1102的顶端安装有成品放置台1103，成品放置台1103的内部安装有放置伸缩杆1104，放置伸缩杆1104的顶端安装有固定放置板1105，成品放置台1103的顶端开设有成品放置槽1106，安装台2的上方设置有打磨安装块1107，打磨安装块1107的底端连接有打磨连接台1108，打磨连接台1108的底端连接有打磨伸缩杆1109，打磨伸缩杆1109的底端安装有转轴1110，转轴1110的设置安装有磨砂安装环1111，磨砂安装环1111的底端安装有磨砂轮1112，在硅片送入打磨抛光机构11内后，伸缩杆603下降将硅片放置在固定放置板1105上，然后放置伸缩杆1104下降，将硅片放置于成品放置槽1106内固定，随后打磨伸缩杆1109伸出，将磨砂轮1112放置在硅片表面，然后通过转轴1110带动磨砂轮1112转动对硅片表面进行打磨抛光，使硅片成为合格的mosfet，通过磨砂轮1112对硅片表面进行打磨抛光，使成型的硅片表面更加的光滑平整，确保最后成型mosfet的性能。
43.具体地，固定放置板1105与放置伸缩杆1104之间为焊接，固定放置板1105通过放置伸缩杆1104与成品放置台1103之间构成伸缩结构，通过放置伸缩杆1104的升降将硅片放置成品放置槽1106进行限位固定，提高打磨时的稳定性。
44.基于一种mosfet制造方法，具体步骤如下：
45.s1：针对一种mosfet制造方法，先将硅片放置在硅片放置盘608上，轻轻下压让硅片放置盘608将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶涂抹管610涂抹在硅片表面，接着通过放置旋转轴607的转动带动硅片转动，使光刻胶在硅片表面更加均匀，接着伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从硅片放置盘608上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将硅片移动至烘干机构9内将光刻胶烘干，然后在将硅片移动至曝光机构7中；
46.s2：在将硅片移动到曝光机构7内时，旋转台604转动带动叉架605调整角度，在调整好后伸缩杆603降下，将硅片放置在曝光放置槽703内，接着启动紫外光源发生器704产生紫外光线，在通过导光管705将紫外光线传导到聚光筒709中，聚光筒709将紫外光线聚集照射在光掩膜上，将光掩膜上设置好的电路图投射到硅片上，在硅片完成曝光后，伸缩杆603升起使叉架605将曝光后的硅片从曝光放置槽703内取出，然后移动底座602在导轨上移动，带着硅片移动到清洗显影机构内8；
47.s3：将硅片移动到清洗显影机构8内后，伸缩杆603下降将硅片放置在清洗放置台802上，接着启动水泵将水和显影液从清洗水箱803与显影液存放箱809中抽入水剂混合箱807内，然后将混合后的水剂通过清洗显影喷头808喷洒在硅片上，对硅片进行显影，在完成显影后，伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从清洗放置台802上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将硅片移动到烘干机构9内，接着伸缩杆603下降将硅片放置在伸缩放置台905上，然后启动电热丝907使导热板906温度升高，在传导至烘干箱体901内将硅片上的水剂烘干，在硅片上的水剂被烘干后，伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从伸缩放置台905上取下，然后将硅片送到刻蚀沉积机构10内；
48.s4：在将硅片送到刻蚀沉积机构10内后，伸缩杆603下降将硅片放置在处理放置台1002上，接着启动抽液泵1004将腐蚀液存放箱1003内的腐蚀液抽出，通过腐蚀液喷头1008将腐蚀液喷洒至硅片表面进行刻蚀，或者根据情况将化学气体存放箱1009内的化学气体通过化学气体喷头1012喷到硅片表面进行化学物质的生长沉积，在进行完刻蚀或沉积后，通过叉架605将处理好的硅片取下再次送入清洗显影机构8进行清洗去胶，在清洗去胶后将硅片送入烘干机构9内进行烘干，烘干完成后在将硅片送入打磨抛光机构11内；
49.s5：在硅片送入打磨抛光机构11内后，伸缩杆603下降将硅片放置在固定放置板1105上，然后放置伸缩杆1104下降，将硅片放置于成品放置槽1106内固定，随后打磨伸缩杆1109伸出，将磨砂轮1112放置在硅片表面，然后通过转轴1110带动磨砂轮1112转动对硅片表面进行打磨抛光，使硅片成为合格的mosfet，在打磨抛光完成后，打磨伸缩杆1109收回，放置伸缩杆1104升起将成品mosfet从成品放置槽1106取出，接着通过叉架605将成品mosfet从固定放置板1105上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将成品mosfet放置硅片放置盘608上。
50.本发明工作原理：
51.第一步：针对一种mosfet制造方法，先将硅片放置在硅片放置盘608上，轻轻下压让硅片放置盘608将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶涂抹管610涂抹在硅片表面，接着通过放置旋转轴607的转动带动硅片转动，使光刻胶在硅片表面更加均匀，接着伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从硅片放置盘608上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将硅片移动至烘干机构9内将光刻胶烘干，然后在将硅片移动至曝光机构7中；
52.第二步：在将硅片移动到曝光机构7内时，旋转台604转动带动叉架605调整角度，在调整好后伸缩杆603降下，将硅片放置在曝光放置槽703内，接着启动紫外光源发生器704产生紫外光线，在通过导光管705将紫外光线传导到聚光筒709中，聚光筒709将紫外光线聚集照射在光掩膜上，将光掩膜上设置好的电路图投射到硅片上，在硅片完成曝光后，伸缩杆603升起使叉架605将曝光后的硅片从曝光放置槽703内取出，然后移动底座602在导轨上移动，带着硅片移动到清洗显影机构内8；
53.第三步：将硅片移动到清洗显影机构8内后，伸缩杆603下降将硅片放置在清洗放置台802上，接着启动水泵将水和显影液从清洗水箱803与显影液存放箱809中抽入水剂混合箱807内，然后将混合后的水剂通过清洗显影喷头808喷洒在硅片上，对硅片进行显影，在完成显影后，伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从清洗放置台802上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将硅片移动到烘干机构9内，接着伸缩杆603下降将硅片放置在伸缩放置台905上，然后启动电热丝907使导热板906温度升高，在传导至烘干箱体901内将硅片上的
水剂烘干，在硅片上的水剂被烘干后，伸缩杆603升起，通过叉架605将硅片从伸缩放置台905上取下，然后将硅片送到刻蚀沉积机构10内；
54.第四步：在将硅片送到刻蚀沉积机构10内后，伸缩杆603下降将硅片放置在处理放置台1002上，接着启动抽液泵1004将腐蚀液存放箱1003内的腐蚀液抽出，通过腐蚀液喷头1008将腐蚀液喷洒至硅片表面进行刻蚀，或者根据情况将化学气体存放箱1009内的化学气体通过化学气体喷头1012喷到硅片表面进行化学物质的生长沉积，在进行完刻蚀或沉积后，通过叉架605将处理好的硅片取下再次送入清洗显影机构8进行清洗去胶，在清洗去胶后将硅片送入烘干机构9内进行烘干，烘干完成后在将硅片送入打磨抛光机构11内；
55.第五步：在硅片送入打磨抛光机构11内后，伸缩杆603下降将硅片放置在固定放置板1105上，然后放置伸缩杆1104下降，将硅片放置于成品放置槽1106内固定，随后打磨伸缩杆1109伸出，将磨砂轮1112放置在硅片表面，然后通过转轴1110带动磨砂轮1112转动对硅片表面进行打磨抛光，使硅片成为合格的mosfet，在打磨抛光完成后，打磨伸缩杆1109收回，放置伸缩杆1104升起将成品mosfet从成品放置槽1106取出，接着通过叉架605将成品mosfet从固定放置板1105上取下，然后移动底座602在导轨上移动，将成品mosfet放置硅片放置盘608上。
56.最后应说明的几点是：首先，在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；
57.其次：本发明公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本发明同一实施例及不同实施例可以相互组合；
58.最后：以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。