电容器组件的制作方法

电容器组件
1.本技术是申请日为2020年07月01日、申请号为202010625935.4的发明专利申请“电容器组件”的分案申请。
技术领域
2.本公开涉及一种电容器组件。


背景技术：

3.多层陶瓷电容器(mlcc)(一种电容器组件)具有小尺寸和高电容，并且可容易地安装。
4.通常，当在mlcc中形成外电极时，可使用包括导电金属的膏，并且主体的内电极暴露在其上的表面可浸渍在所述膏中。
5.然而，通过浸渍法形成的外电极的厚度可能不均匀，并且外电极的厚度可能在主体的角部上过度地减小。此外，当在外电极上形成镀层时，镀液可能渗透到主体中，这可能降低mlcc的可靠性。
6.为了解决上述问题，可将外电极分为初级外电极和次级外电极，并且初级外电极可通过转印工艺(transcribing process)等形成。然而，当使用上述方法时，与使用普通方法相比，可减小内电极与外电极之间的接触面积，并且因此，可增大电阻和esr。


技术实现要素：

7.本公开的一方面在于提供一种具有改善的防潮可靠性的电容器组件。
8.本公开的另一方面在于提供一种通过改善电极连接性而具有降低的esr的电容器组件。
9.本公开的另一方面在于提供一种可防止分层的具有改善的接触性能的电容器组件。
10.根据本公开的一方面，一种电容器组件包括主体，所述主体包括：层叠部，具有交替堆叠的第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极沿着第一方向层压且介电层介于它们之间；以及第一连接部和第二连接部，分别设置在所述层叠部的在与所述第一方向垂直的第二方向上的两个相对的表面上并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极，并且所述第一连接部和所述第二连接部均包括：金属层，设置在所述层叠部上；陶瓷层，设置在所述金属层上；以及暴露部，贯穿所述陶瓷层以与所述金属层接触。
11.根据本公开的另一方面，一种电容器组件包括主体，所述主体包括：层叠部，具有交替堆叠的第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极沿着第一方向层压且介电层介于它们之间；第一金属层和第二金属层，分别设置在所述层叠部的在与所述第一方向垂直的第二方向上的两个相对的表面上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；第一暴露部和第二暴露部，分别设置在所述第一金属层和所述第二金属层的外表面的中央部分上，以分别连接到所述第一金属层和所述第二金属层；以及第一陶瓷层
和第二陶瓷层，分别设置在所述第一金属层和所述第二金属层的所述外表面的剩余部分上，所述剩余部分围绕所述中央部分。
附图说明
12.通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
13.图1是示出根据本公开的示例性实施例的电容器组件的透视图；
14.图2是示出图1中所示的主体的透视图；
15.图3是示出图1中所示的层叠部的透视图；
16.图4是沿着图1中的线i-i'截取的截面图；
17.图5a和图5b是沿着图1中所示的x方向和y方向截取的截面图，图5a是示出第一内电极的截面图，图5b是示出第二内电极的截面图；
18.图6a、图6b、图7a和图7b是示出其中形成暴露部的连接部的示图；
19.图8至图11是示出根据本公开的示例性实施例的用于使用转印法形成电容器组件的连接部的工艺的示图；以及
20.图12是示出根据本公开的示例性实施例的用于在电容器组件的连接部上形成外电极的工艺的示图。
具体实施方式
21.在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
22.足够详细地描述这些实施例以使本领域技术人员能够实践本发明。应理解的是，本发明的各种实施例虽然不同，但不必然相互排斥。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在本公开中的实施例中作为示例描述的结构、形状和尺寸可在另一示例性实施例中实现。为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且相同的元件将由相同的附图标记指示。
23.为了描述的清楚，可省略或简要示出一些元件，并且可放大元件的厚度以清楚地表示层和区域。将理解的是，除非另有说明，否则当部分“包括”元件时，其可进一步包括另一元件，而不排除另一元件。
24.在附图中，x方向可被定义为第二方向、l方向或长度方向，y方向可被定义为第三方向、w方向或宽度方向，z方向可被定义为第一方向、t方向或厚度方向。
25.在下面的描述中，将参照图1至图5b更详细地描述电容器组件。
26.电容器组件10可包括主体100，主体100包括层叠部110以及第一连接部141和第二连接部142，在层叠部110中彼此相对的第一内电极121和第二内电极122沿着第一方向(z方向)层叠且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，第一连接部141和第二连接部142分别设置在层叠部的在与第一方向垂直的第二方向(x方向)上的两个表面上并分别连接到第一内电极121和第二内电极122，并且第一连接部141包括设置在层叠部110上的金属层141a、设置在金属层141a上的陶瓷层141b以及贯穿陶瓷层141b并与金属层141a接触的暴露部143，第二连接部142包括设置在层叠部110上的金属层142a、设置在金属层142a上的陶瓷层142b以及贯穿陶瓷层142b并与金属层142a接触的暴露部144。
27.在本公开的示例性实施例中，主体100可包括层叠部110以及第一连接部141和第二连接部142。
28.主体100的形状可不限于任意特定的形状，并且主体100可具有六面体形状或者类似于六面体的形状。由于包括在主体100中的陶瓷粉末在烧结工艺期间的收缩，主体100可不具有包括直线的精确的六面体形状，而可具有大体上六面体的形状。主体100可具有在厚度方向(z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(x方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2以及第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
29.在本公开的示例性实施例中，在层叠部110中，介电层111以及第一内电极121和第二内电极122可交替地层叠，并且介电层111以及第一内电极121和第二内电极122可沿着第一方向层叠。包括在层叠部110中的多个介电层111可处于烧结状态，并且介电层可一体化为使得在不使用扫描电子显微镜(sem)的情况下可能难以识别相邻介电层之间的边界。
30.在本公开的示例性实施例中，介电层111的材料可不限于任意特定的材料，只要能获得足够的电容即可。例如，介电层111可使用钛酸钡材料、具有铅(pb)的钙钛矿材料化合物、钛酸锶材料等形成。
31.可根据预期目的而使用包括各种陶瓷添加剂、有机溶剂、偶联剂、分散剂等的钛酸钡(batio3)粉末等作为介电层111的材料。
32.层叠部可通过沿着厚度方向(z方向)交替地层叠其上印刷第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷第二内电极122的陶瓷生片来形成。
33.在本公开的示例性实施例中，多个内电极121和122可彼此相对且介电层111介于它们之间。内电极121和122可包括交替设置并且彼此相对的第一内电极121和第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
34.第一内电极121可仅暴露于层叠部110的在第二方向(x方向)上的一个表面，并且在第二方向(x方向)上暴露于所述一个表面的部分可连接到第一连接部的金属层141a。第二内电极122可暴露于层叠部110的在第二方向(x方向)上的另一表面，并且在第二方向(x方向)上暴露于所述另一表面的部分可连接到第二连接部的金属层142a。第一内电极121和第二内电极122可通过介于它们之间的介电层111彼此电隔离。
35.第一内电极121和第二内电极122的材料不限于任意特定的材料。例如，第一内电极121和第二内电极122可利用例如包括银(ag)、钯(pd)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、锡(sn)、铜(cu)、钨(w)、钛(ti)以及它们的合金之中的一种或更多种材料的导电膏形成。可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为印刷导电膏的方法，但印刷方法不限于此。
36.第一内电极121和第二内电极122的平均厚度可小于或等于0.4μm。第一内电极121和第二内电极122的平均厚度可以是在烧结的内电极的不同的五个位置中测量的厚度的平均值。第一内电极121和第二内电极122的平均厚度的下限不限于任意特定的厚度，例如，可大于或等于0.01μm。
37.在本公开的示例性实施例中，第一连接部141可包括设置在层叠部110上的金属层141a、设置在金属层141a上的陶瓷层141b以及贯穿陶瓷层141b并与金属层141a接触的暴露部143，第二连接部142可包括设置在层叠部110上的金属层142a、设置在金属层142a上的陶
瓷层142b以及贯穿陶瓷层142b并与金属层142a接触的暴露部144。
38.金属层141a和142a可分别设置在层叠部110的在第二方向(x方向)上的一个表面和另一表面上，并且可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
39.金属层141a和142a可包括具有高导电性的金属材料，并且为了分别增大与第一内电极121和第二内电极122的电连接性，金属层141a和142a可包括与第一内电极121和第二内电极122中包括的金属相同的金属。例如，金属层141a和142a可包括银(ag)、钯(pd)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、锡(sn)、铜(cu)、钨(w)、钛(ti)以及它们的合金中的一种或更多种。
40.金属层141a和142a可以以烧结电极的形式设置，并且可与主体100同时烧结。在这种情况下，烧结之前的金属层141a和142a可包括金属颗粒和诸如粘合剂的有机材料，并可转印在主体100上，并且可在烧结工艺之后去除有机材料等。
41.例如，金属层的厚度ta可以是1μm至10μm。金属层的厚度ta可指的是金属层的沿着第二方向(x方向)截取的长度。金属层的厚度ta可大于或等于1.0μm、大于或等于1.5μm或者大于或等于2.0μm，并且可小于或等于10.0μm、小于或等于9.5μm、小于或等于9.0μm、小于或等于8.5μm、小于或等于8.0μm、小于或等于7.5μm或者小于或等于7.0μm。然而，金属层的厚度不限于此。当金属层的厚度满足上述厚度范围时，可确保与内电极的连接性，并且可确保与外电极的导电性。
42.陶瓷层141b和142b可设置在金属层141a和142a上，并且可改善密封性能，使得可显著减少湿气或镀液渗透到主体100中。陶瓷层141b和142b可被构造为不覆盖金属层141a和142a的在第一方向(z方向)上的表面和在第三方向(y方向)上的表面。
43.陶瓷层141b和142b可利用诸如钛酸钡等的陶瓷材料形成。在这种情况下，陶瓷层141b和142b可包括与介电层111中包括的陶瓷材料相同的陶瓷材料，或者可利用与介电层111的材料相同的材料形成。
44.陶瓷层141b和142b可通过转印工艺形成在金属层141a和142a上，并且之后可进行烧结工艺。可优选的是陶瓷层141b和142b在烧结之前具有用于转印工艺的高粘附力，因此，陶瓷层141b和142b可包括相对大量的有机材料(诸如粘合剂等)。在这种情况下，由于可在烧结工艺之后部分地保留有机材料，因此陶瓷层141b和142b可包括比介电层111中包括的有机材料更大量的有机材料。
45.例如，陶瓷层的厚度tb可以是3μm至15μm。陶瓷层的厚度tb可指的是陶瓷层的沿着第二方向(x方向)截取的长度。陶瓷层的厚度tb可大于或等于3.0μm、大于或等于3.5μm、大于或等于4.0μm、大于或等于4.5μm或者大于或等于5.0μm，并且可小于或等于15.0μm、小于或等于14.5μm、小于或等于14.0μm、小于或等于13.5μm、小于或等于13.0μm、小于或等于12.5μm、小于或等于12.0μm、小于或等于11.5μm、小于或等于11.0μm、小于或等于10.5μm或者小于或等于10.0μm。然而，厚度的示例不限于此。当陶瓷层的厚度满足上述范围时，可确保防潮可靠性，并且可增大电容器组件的强度。
46.暴露部143和144可分别设置在陶瓷层141b和142b中，并且可分别具有贯穿陶瓷层141b和142b的形状。暴露部143贯穿陶瓷层141b的构造可表示暴露部143的一个侧表面可与金属层141a接触，并且暴露部143的另一侧表面可暴露到主体100的外部，暴露部144贯穿陶瓷层142b的构造可表示暴露部144的一个侧表面可与金属层142a接触，并且暴露部144的另一侧表面可暴露到主体100的外部。此外，当暴露部143被构造为贯穿陶瓷层141b时，暴露部
143的一个侧表面可与金属层141a接触，并且暴露部143的另一侧表面可与外电极151接触，当暴露部144被构造为贯穿陶瓷层142b时，暴露部144的一个侧表面可与金属层142a接触，并且暴露部144的另一侧表面可与外电极152接触。
47.图2、图4、图5a和图5b是示出其中形成贯穿陶瓷层141b和142b并与金属层141a和142a接触的暴露部143和144的主体100以及包括主体100的电容器组件10的示图。参照图2、图4以及图5a和图5b，设置在陶瓷层141b中的暴露部143可贯穿陶瓷层141b并且可与金属层141a接触，设置在陶瓷层142b中的暴露部144可贯穿陶瓷层142b并且可与金属层142a接触。在所述构造中，暴露部143可用作将连接到第一内电极121的金属层141a连接到外电极151的导电路径，暴露部144可用作将连接到第二内电极122的金属层142a连接到外电极152的导电路径。因此，与仅金属层141a与外电极151彼此连接以及金属层142a与外电极152彼此连接的构造相比，可增大内电极与外电极之间的接触面积，并且可减小esr。
48.在本公开的示例性实施例中，暴露部143和144的与金属层141a和142a接触的面积a与金属层141a和142a的面积b的比(a/b)可小于或等于0.7。金属层141a和142a的面积b以及暴露部143和144的与金属层141a和142a接触的面积a可参照沿着第一方向和第三方向截取的截面(y-z截面)来测量。例如，如在图2中，主体100的第三表面或第四表面的面积可以是金属层141a和142a的面积b，并且暴露部143和144的面积a可以是暴露于主体100的第三表面或第四表面的部分的面积。暴露部143和144的与金属层141a和142a接触的面积a与金属层141a和142a的面积b的比(a/b)可小于或等于0.7、小于或等于0.6或者小于或等于0.5，并且下限可不限于任意特定的值。例如，该下限可大于或等于0.01。当比(a/b)满足上述范围时，可实现改善的防潮可靠性，并且可减小esr。
49.图6a和图6b示出了暴露部的示例。参照图6a，暴露部143可具有矩形形状，并且陶瓷层141b可设置在暴露部143周围。此外，参照图6b，可设置两个或更多个暴露部243(具有矩形形状)，并且陶瓷层241b可设置在两个或更多个暴露部243周围。
50.图7a和图7b示出了暴露部的另一示例。参照图7a，暴露部343可具有圆形形状(或椭圆形形状)，并且陶瓷层341b可设置在暴露部343周围。此外，参照图7b，可设置两个或更多个暴露部443(具有圆形形状或椭圆形形状)，并且陶瓷层441b可设置在两个或更多个暴露部443周围。
51.参照图6a、图6b、图7a和图7b描述的暴露部的形状和数量可不限于图6a、图6b、图7a和图7b中所示的示例，并且可改变。
52.在本公开的示例性实施例中，暴露部143和144可包括具有高导电性的金属材料，并且为了改善与金属层141a和142a的电连接性，暴露部143和144可包括与金属层141a和142a中包括的金属相同的金属。例如，暴露部143和144可包括银(ag)、钯(pd)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、锡(sn)、铜(cu)、钨(w)、钛(ti)以及它们的合金中的一种或更多种。
53.暴露部143和144可以以烧结电极的形式设置，并且可与主体100同时烧结。在这种情况下，烧结之前的暴露部143和144可包括金属颗粒和诸如粘合剂的有机材料，并且可转印在金属层141a和142a上。在烧结工艺之后，可去除有机材料等。
54.在本公开的示例性实施例中，第一连接部141和第二连接部142可通过转印片的方法形成。转印片的方法不限于任意特定的方法。例如，具有片形式的金属层和包括暴露部的具有片形式的陶瓷层可转印在主体上，并且片可具有均匀的厚度。因此，连接部141的厚度
中的最小值与最大值的比可以是0.9至1.0，连接部142的厚度中的最小值与最大值的比可以是0.9至1.0。连接部141和142中的每个的厚度可指的是连接部141和142中的每个的沿着第二方向(x方向)截取的长度。
55.根据本公开的另一示例性实施例，主体100的在沿着第一方向和第二方向截取的截面上的角部中的每个可具有倒圆角的形状。通过具有倒圆角的形状，外电极151和152可具有减小且均匀的厚度。
56.当主体的角部中的每个具有成角度的形状时，在制造mlcc的工艺期间可能发生由片之间的碰撞引起的角部的剥落(chipping)缺陷、破裂，这可能引起外部缺陷并且可能使防潮可靠性劣化。通常，为了解决该问题，主体的角部可研磨为具有倒圆角的形状，以防止角部上的外电极的厚度减小并且防止剥落缺陷。
57.然而，通过研磨主体的角部，可能发生内电极的暴露或其它问题，使得可能难以在普通的电容器组件中的主体的角部中的每个上确保充分地倒圆角的形状。此外，为了防止内电极的暴露，当保护部112的厚度增大时，电容器组件的每单位体积的电容可能减小。
58.在本公开的示例性实施例中，通过将第一连接部141和第二连接部142设置在层叠部110的在第二方向(x方向)上的两个表面上，可在主体100的角部上形成充分地倒圆角的形状。因此，可防止每个角部上的外电极的厚度减小而不降低每单位体积的电容，并且可防止剥落缺陷。
59.在本公开的示例性实施例中，层叠部110可包括：电容形成部，限定电容器组件10的电容并且包括彼此相对的第一内电极121和第二内电极122及介于第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111；以及保护部112，设置在电容形成部的上部和下部上。
60.上保护部和下保护部可具有与介电层111的成分相同的成分，并且可通过在主体100的最上内电极的上部中和最下内电极的下部中层叠不包括内电极的一个或更多个介电层来形成。
61.上保护部112和下保护部112可防止由物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。
62.例如，上保护部112和下保护部112中的每个的厚度tp可小于或等于25μm。上保护部112和下保护部112中的每个的厚度tp可小于或等于25μm、小于或等于24μm、小于或等于23μm、小于或等于22μm、小于或等于21μm或者小于或等于20μm。在本公开的示例实施例中，通过将连接部141和142设置在层叠部110上，充分地倒圆角的形状可形成在主体100的角部上，因此，通过显著减小上保护部和下保护部中的每个的厚度tp，可改善电容器组件10的每单位体积的电容。
63.例如，即使当厚度tp小于或等于20μm时，也可形成充分地倒圆角的形状，并且可保护内电极。因此，可改善电容器组件的每单位体积的电容。因此，当厚度tp小于或等于20μm时，上述效果可更突出。
64.厚度tp的下限不限于任意特定的尺寸，并且可考虑主体100的在沿着第一方向和第二方向截取的截面上的角部的曲率半径r1来选择。例如，厚度tp的下限可大于或等于5μm。
65.上保护部112和下保护部112中的每个的厚度tp可指的是上保护部112和下保护部112中的每个的沿着第一方向(z方向)截取的长度。
66.参照图4，当上保护部112和下保护部112中的每个的厚度被定义为tp，主体100的在沿着第一方向和第二方向截取的截面(z-x截面，即，l-t截面)上的角部中的每个的曲率半径被定义为r1时，r1/tp可大于或等于0.3且小于或等于1.4。
67.当r1/tp小于0.3时，可能不能形成充分地倒圆角的形状，使得可能发生剥落缺陷，或者可能减小角部上的外电极的厚度。
68.当r1/tp大于1.4时，可能发生由内电极的暴露引起的短路，或者可能难以形成外电极。由内电极的暴露引起的短路可指的是这样的现象：随着主体100的角部被研磨，第一内电极121可暴露于其上设置有第二外电极152的表面并可连接到第二外电极152，或者第二内电极122暴露于其上设置有第一外电极151的表面并可连接到第一外电极151。
69.r1/tp可大于1.0且小于或等于1.4。
70.当不设置连接部141和142，并且r1/tp被控制为大于1.0时，极有可能发生由内电极的暴露引起的短路。然而，当如在示例性实施例中设置连接部141和142时，即使当r1/tp被控制为大于1.0且小于或等于1.4时，也可显著降低由内电极的暴露引起的短路的可能性。
71.主体100的在沿着第一方向和第二方向截取的截面上的角部中的每个的倒圆角的形状可形成在连接部141和142上，并且可延伸到层叠部110的一部分，如图4以及图5a和图5b中所示。
72.在本公开的示例性实施例中，第一边缘部131和第二边缘部132可分别设置在层叠部110的在与第一方向和第二方向垂直的第三方向(y方向)上的两个表面上。
73.在普通的电容器组件中，介电层的面积可被构造为大于内电极的面积，并且边缘区域可形成在除了内电极的连接到外电极的部分之外的剩余外周部分上。然而，在这种情况下，当层叠数十至数百个介电层时，介电层可能被拉长以填充台阶差，因此，内电极可能弯曲。当内电极弯曲时，可能在相应部分中降低击穿电压(bdv)性能。
74.因此，在示例性实施例中的电容器组件中，可通过去除层叠部110的在第三方向上的两个表面上的边缘区域来防止由内电极引起的台阶差，并且可防止内电极弯曲。因此，可防止击穿电压(bdv)性能降低的问题，从而改善电容器组件的可靠性。
75.另外，通过将第一边缘部131和第二边缘部132设置在层叠部110的在第三方向上的两个表面上，可保护内电极。此外，由于第一边缘部131和第二边缘部132单独地形成，因此可不需要考虑制造误差(诸如内电极的未对准等)。因此，当第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的厚度wm可被构造为小于普通电容器组件中的边缘区域的厚度时，可改善电容器组件的每单位体积的电容。
76.因此，当主体100包括第一边缘部131和第二边缘部132时，第一内电极121可暴露于层叠部110的在第三方向上的两个表面和层叠部110的在第二方向上的一个表面，并且暴露于在第二方向上的一个表面的部分可连接到第一连接部141。此外，第二内电极122可暴露于层叠部110的在第三方向上的两个表面和层叠部110的在第二方向上的另一表面，并且暴露于在第二方向上的另一表面的部分可连接到第二连接部142。
77.第一边缘部131和第二边缘部132可利用绝缘材料形成，并且可利用诸如钛酸钡的陶瓷材料形成。在这种情况下，第一边缘部131和第二边缘部132可包括与介电层111中包括的陶瓷材料相同的陶瓷材料，或者可利用与介电层111中包括的材料相同的材料形成。
78.形成第一边缘部131和第二边缘部132的方法可不限于任意特定的方法。例如，第一边缘部131和第二边缘部132可通过在层叠部的在第三方向上的两个表面上涂覆包括陶瓷的浆料或者层叠介电片来形成。
79.第一边缘部131和第二边缘部132也可通过使用上述转印工艺转印介电片来形成。因此，第一边缘部131和第二边缘部132中的每个可具有均匀的厚度。当第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的厚度被定义为wm时，厚度wm的最小值与最大值的比可以是0.9至1.0。
80.当第一边缘部131和第二边缘部132通过转印介电片形成时，可优选的是，第一边缘部131和第二边缘部132在烧结之前具有用于转印工艺的高粘附力。为此，第一边缘部131和第二边缘部132可包括相对大量的有机材料(诸如粘合剂)。在这种情况下，由于可在烧结工艺之后部分地保留有机材料，因此第一边缘部131和第二边缘部132可包括比介电层111中包括的有机材料的量更大量的有机材料。
81.第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的厚度wm可不限于任意特定的尺寸。在本公开的示例性实施例中，由于可通过将连接部141和142设置在层叠部110上而在主体100的角部上形成充分地倒圆角的形状，因此通过显著地减小厚度wm，可改善电容器组件的每单位体积的电容。例如，在本公开的示例性实施例中，即使当厚度wm小于或等于15μm时，也可形成充分地倒圆角的形状，并且还可保护内电极121和122，从而改善电容器组件的每单位体积的电容。
82.厚度wm的下限可不限于任意特定的尺寸，并且可考虑主体的在沿着第二方向和第三方向截取的截面(x-y截面，即，l-w截面)上的角部的曲率半径r2来选择。例如，厚度wm可大于或等于5μm。第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的厚度wm可指的是第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的沿着第三方向(y方向)截取的长度。
83.参照图5a和图5b，当第一边缘部131和第二边缘部132中的每个的厚度被定义为wm，并且主体的在沿着第二方向和第三方向截取的截面(x-y截面，即，l-w截面)上的角部的曲率半径被定义为r2时，r2/wm可大于或等于0.3且小于或等于1.4。当r2/wm小于0.3时，可能无法形成充分地倒圆角的形状，使得可能发生剥落缺陷或者可能减小角部上的外电极的厚度。当r2/wm超过1.4时，可能发生由内电极的暴露引起的短路，或者可能难以形成外电极。由内电极的暴露引起的短路可指的是这样的现象：随着主体的角部被研磨，第一内电极121可暴露于其上设置有第二外电极152的表面并且可连接到第二外电极152，或者第二内电极122可暴露于其上设置有第一外电极151的表面并且可连接到第一外电极151。
84.r2/wm可大于1.0且小于或等于1.4。
85.当不设置连接部141和142，并且r2/wm被控制为大于1.0时，极有可能发生由内电极的暴露引起的短路。然而，当如本公开的示例性实施例中那样设置连接部141和142时，即使当r2/wm被控制为大于1.0且小于或等于1.4时，也可显著降低由内电极的暴露引起的短路的可能性。
86.为了容易地执行研磨工艺，主体100的在沿着第二方向和第三方向截取的截面上的角部的曲率半径r2可被构造为与主体100的在沿着第一方向和第二方向截取的截面上的角部的曲率半径r1相同，但其示例性实施例不限于此。主体100的角部可被研磨为使得r2和r1可被构造为不同。
87.由于第一连接部141和第二连接部142可在层叠部110上形成第一边缘部131和第二边缘部132之后使用转印工艺形成，因此第一连接部141可设置为覆盖第一边缘部131和第二边缘部132的在第二方向(x方向)上的一个表面，第二连接部142可设置为覆盖第一边缘部131和第二边缘部132的在第二方向(x方向)上的另一表面。
88.第一连接部141可设置在层叠部110以及第一边缘部131和第二边缘部132的在第二方向(x方向)上的一个表面内，第二连接部142可设置在层叠部110以及第一边缘部131和第二边缘部132的在第二方向(x方向)上的另一表面内。因此，第一连接部141可不延伸到层叠部110的在第一方向(z方向)上的两个表面，并且可不延伸到第一边缘部131和第二边缘部132的在第三方向(y方向)上的两个表面。
89.第一外电极151和第二外电极152可分别设置在第一连接部141和第二连接部142上。第一外电极151可通过第一连接部141的金属层141a和暴露部143电连接到第一内电极121，第二外电极152可通过第二连接部142的金属层142a和暴露部144电连接到第二内电极122。
90.第一外电极151和第二外电极152可延伸到第一连接部141和第二连接部142的在第一方向(z方向)上的两个表面，并且第一连接部141和第二连接部142的金属层141a和142a可暴露于第一连接部141和第二连接部142的在第一方向(z方向)上的表面，并可分别连接到第一外电极151和第二外电极152。第一外电极151和第二外电极152还可延伸到第一连接部141和第二连接部142的在第三方向(y方向)上的两个表面，并且第一连接部141和第二连接部142的金属层141a和142a还可暴露于第一连接部141和第二连接部142的在第三方向(y方向)上的表面，并可分别连接到第一外电极151和第二外电极152。
91.第一外电极151和第二外电极152可延伸到主体100的第一表面1的一部分和第二表面2的一部分。第一外电极151和第二外电极152还可延伸到主体100的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。
92.形成第一外电极151和第二外电极152的方法可不限于任意特定的方法。例如，第一外电极151和第二外电极152可通过将主体100浸渍在包括导电金属和玻璃的膏中，或者通过将通过干燥金属膏而形成的干膜转印在第一连接部和第二连接部上而形成。
93.在本公开的示例性实施例中，由于主体100的角部中的每个具有倒圆角的形状，因此即使当使用浸渍工艺形成外电极时，也可防止主体100的角部上的外电极151和152中的每个的厚度减小的现象。
94.此外，当使用上述干膜通过转印工艺形成外电极时，外电极可具有均匀的厚度。
95.因此，当外电极151和152中的每个的厚度被定义为tc时，厚度tc的最小值与最大值的比可以是0.8至1.0。
96.在本公开的示例性实施例中，外电极151和152中的每个的厚度可在5μm至25μm的范围内。例如，外电极151和152中的每个的厚度可大于或等于5μm、大于或等于6μm、大于或等于7μm、大于或等于8μm、大于或等于9μm或者大于或等于10μm，并且可小于或等于25μm、小于或等于24μm、小于或等于23μm、小于或等于22μm、小于或等于21μm或者小于或等于20μm。然而，厚度的示例不限于此。当外电极151和152中的每个的厚度满足上述范围时，电容器组件可具有改善的安装性能和导电性，并且可具有减小的尺寸。
97.在本公开的示例性实施例中，外电极151和152可包括银(ag)、钯(pd)、金(au)、铂
(pt)、镍(ni)、锡(sn)、铜(cu)、钨(w)、钛(ti)以及它们的合金中的一种或更多种。当外电极151和152包括上述元素之中的镍时，可改善与第一连接部和第二连接部的电连接到第一外电极151和第二外电极152的金属层的连接性，并且可改善导电性。
98.为了改善与基板的安装性能，可在第一外电极151和第二外电极152上形成镀层。例如，镀层可实现为ni镀层或sn镀层，并且ni镀层和sn镀层可顺序地形成在外电极上。可选地，第一外电极151和第二外电极152可包括多个ni镀层和/或多个sn镀层。
99.图8至图11是示出根据本公开的示例性实施例的通过转印工艺形成电容器组件的连接部141的工艺的示图。
100.如图8中所示，在转印金属层141a的工艺中，可将金属层片140a布置在支撑台300上，可将层叠部110压制到金属层片140a，使得金属层141a可附着到层叠部110的表面。尚未烧结的金属层片140a可包括诸如粘合剂、有机溶剂等的成份。
101.如图9中所示，可将陶瓷层片140b布置在支撑台300上，可将层叠部110压制到陶瓷层片140b，使得陶瓷层141b可附着到金属层141a的表面。尚未烧结的陶瓷层片140b可包括诸如粘合剂、有机溶剂等的成份。
102.可在与其上设置金属层141a和陶瓷层141b的表面相对的另一表面上执行相同的工艺，以形成金属层142a和陶瓷层142b，从而制造如图11中所示的主体100。
103.可通过执行研磨工艺来将主体的角部中的每个加工为具有倒圆角的形状，并且可通过将研磨的主体100浸渍到导电膏400中来形成外电极151和152，如图12中所示，从而制造电容器组件10。
104.如图10中所示，也可通过将陶瓷层片140b和金属层片140a两者层叠在支撑台300上并且执行单次转印工艺，而不是单独地转印金属层和陶瓷层来形成第一连接部141。
105.根据本公开的前述示例性实施例，通过将连接部设置在层叠部上，可改善电容器组件的每单位体积的电容，并且可改善防潮可靠性。
106.此外，主体的角部中的每个可具有充分地倒圆角的形状，并且当主体的角部中的每个具有充分地倒圆角的形状时，外电极中的每个可具有均匀且减小的厚度。
107.此外，通过改善内电极与外电极之间的电极连接性，可提供具有降低的esr的电容器组件。
108.另外，通过改善外电极与连接部之间的接触性能，可防止电容器组件中的分层。
109.虽然以上已经示出并且描述了示例性实施例，但对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出修改和变形。