高电压半导体装置的制作方法

本公开内容的示例涉及具有用于内部部分与外部部分之间的径向场分布的过渡部分的高电压半导体装置。具体地，本公开内容涉及在功率电子装置中使用的集成电路。

背景技术：

1、cmos技术(互补金属氧化物半导体)中的hv(高电压)半导体装置形成或包括以下两方面之间的接口：一方面是输入电压低于5v的标准cmos装置，另一方面是在高于30v的电压下工作的工业或消费者电路。这样的hv半导体装置的典型应用是机器人、机动车辆和用于mems(微机电系统)的驱动器。通常，大多数信号处理是在cmos部件中在低工作电压下进行的，并且仅输出信号接口和/或输入信号接口在较高的信号电平下工作并且/或者要求较高的电流驱动和吸收能力。这样的hv半导体装置的示例是使得微控制器或数字信号处理器(dsp)能够高效地接通和关断功率半导体开关的栅极驱动器电路。

2、一直需要以很少的额外工作来进一步改善功率电子装置的装置特性并且/或者在不牺牲性能的情况下减小芯片面积。

技术实现思路

1、本公开内容的实施方式涉及一种半导体装置，该半导体装置具有用于内部部分与外部部分之间的径向场分布的过渡部分，并且以使电子元件能够容易地彼此对接并且/或者使电子元件能够容易地与不同电压域对接的方式将电子元件集成在该过渡部分中。可以减小芯片面积，并且可以避免集成的电子元件之间的关键相互作用。

2、为此，本公开内容的实施方式涉及具有下述半导体层的半导体装置，所述半导体层包括内部部分、横向围绕内部部分的外部部分以及横向围绕内部部分并将内部部分和外部部分隔开的过渡部分。第一电子元件包括形成在内部部分中的第一掺杂区和形成在外部部分中的第二掺杂区。第一电子元件被配置成至少暂时地阻断施加在第一掺杂区与第二掺杂区之间的电压。沟槽隔离结构从第一表面延伸到半导体层中，并且分割内部部分、过渡部分和外部部分中的至少一者。

3、本领域技术人员在阅读以下具体实施方式并查看附图后将认识到另外的特征和优点。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，还包括：

15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，

技术总结
一种半导体装置(500)包括半导体层(100)，半导体层(100)具有内部部分(110)、横向围绕内部部分(110)的外部部分(130)以及横向围绕内部部分(110)并将内部部分(110)与外部部分(130)隔开的过渡部分(120)。第一电子元件(210)包括形成在内部部分(110)中的第一掺杂区(211)和形成在外部部分(130)中的第二掺杂区(212)。第一电子元件(210)被配置成至少暂时地阻断施加在第一掺杂区(211)与第二掺杂区(212)之间的电压。沟槽隔离结构(400)从半导体层(100)前侧的第一表面(101)延伸到半导体层(100)中，并且分割内部部分(110)、过渡部分(120)和外部部分(130)中的至少一者。

技术研发人员：拉尔斯·穆勒-梅什坎普,拉尔夫·鲁道夫,迪尔克·普列费特,安内特·文策尔,托马斯·金齐格,克里斯蒂安·希佩尔
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12