一种红外焦平面探测器及其制备方法、平面探测装置与流程

文档序号:32764272发布日期:2022-12-31 10:35阅读:41来源:国知局
一种红外焦平面探测器及其制备方法、平面探测装置与流程

1.本发明涉及半导体领域。更具体地,涉及一种红外焦平面探测器及其制备方法、平面探测装置。


背景技术:

2.在自然界中,温度高于绝对零度的任何物体,都会不断向四周辐射红外谱线,物体各部位温度不同,辐射率不同,就会显示出不同的辐射特征。物体发出的辐射,都要经过大气传输才能达红外接收装置。由于大气中二氧化碳、水蒸气等气体对红外辐射会产生选择性吸收和微粒散射,使红外辐射发生不同程度的衰减。通常,将红外大气窗口分为近红外(0.76~1.1um)、短波红外(1~3um)、中波红外(3~6um)、长波红外(6~15um)、甚至长波红外(15~30um)、远红外(30~100um)和亚毫米波(100~1000um)。其中红外光谱位于可见光谱与微波频谱之间,红外成像技术利用红外光电系统将接收到的红外辐射进行光电转换,转为人眼可察觉图像。而短波红外成像技术兼具可见光均反射光成像(展现物体的阴影、反差)以及长波红外成像(包含分子振动信息、物体热信息)等特点,在微光夜视、透雾霾成像、食品色选、半导体检测等领域具有广泛的应用前景。
3.传统红外焦平面传感器采用铟镓砷材料,制备后的探测器阵列通过铟柱倒装键合工艺与硅基读出电路互联,半导体外延生长成本高,倒装键合成功率低,造价高,过高的成本使其应用限制于军事及科研用途。


技术实现要素:

4.本发明的目的在于提供一种红外焦平面探测器及其制备方法、平面探测装置,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
5.为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
6.本发明第一方面提供了一种红外焦平面探测器,包括阵列排布的多个探测单元,每个探测单元包括衬底、层叠设置在所述衬底上的读出电路层和探测层,其中,
7.所述读出电路层包括各探测单元的读出电路;
8.所述探测层包括第一电极、与所述第一电极相对设置的第二电极、以及设置在所述第一电极和第二电极之间的光电转换层,所述第一电极包括设置在所述读出电路层上的第一功能层和覆盖所述第一功能层的第二功能层,每个探测单元的第一功能层与所述读出电路电连接,并且所述第一功能层包括多个贯通其的开孔。
9.可选地,所述开孔的形状和/或面积相同或不同。
10.可选地,所述开孔的面积大于等于262平方微米且小于等于351平方微米;
11.和/或
12.所述开孔的形状为长方形、圆形、三角形和菱形中的至少一个。
13.可选地,在垂直于所述衬底方向上,所述第一功能层的厚度大于等于300nm且小于等于500nm;
14.和/或
15.所述第一功能层的材料为铝和钼。
16.可选地,所述第二功能层的材料为氧化铟锡;
17.和/或
18.所述光电转换层的材料为胶体量子点。
19.可选地,所述第二电极的材料为金、铂、银、铝和铜中的至少一个;
20.和/或
21.所述衬底为玻璃基板。
22.本发明第二方面提供了一种本发明第一方面提供的红外焦平面探测器的制备方法,包括
23.在衬底上形成读出电路层,包括各像素单元的读出电路;
24.在所述读出电路层上形成探测层,所述探测层包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和第二电极之间的光电转换层,所述第一电极包括设置在所述读出电路层上的第一功能层和覆盖所述第一功能层的第二功能层,每个探测单元的第一功能层与所述读出电路电连接,并且所述第一功能层包括多个贯通其的开孔。
25.所述在所述读出电路层上形成探测层进一步包括:
26.在所述读出电路上图案化形成第一功能层,其中,
27.所述第一功能层在垂直于所述衬底方向上的厚度大于等于300nm且小于等于500nm;
28.在所述第一功能层上沉积形成第二功能层;
29.通过旋涂法或喷涂法在所述第二功能层上形成光电转换层;
30.在所述光电转换层上沉积形成第二电极。
31.可选地,所述在所述读出电路上图案化形成第一功能层的步骤进一步包括:
32.在所述读出电路层上沉积第一功能层材料;
33.图案化所述第一功能层材料形成所述第一功能层,其中,所述开孔的面积大于等于262平方微米且小于等于351平方微米,以及,所述开孔的形状为长方形、圆形、三角形和菱形中的至少一个。
34.本发明第三方面提供了一种平面探测装置,包括本发明第一方面所述的平面探测器。
35.本发明的有益效果如下:
36.本发明所提供的红外焦平面探测器包括层叠设置在衬底上的读出电路层和探测层,实现了对外界物体的红外探测及成像,通过在其第一电极的第一功能层上设置多个贯穿其的开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,有效提高红外焦平面探测器的成像质量,具有实际应用价值。
附图说明
37.下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
38.图1示出本发明的一个实施例提供的一种红外焦平面探测器的结构示意图。
39.图2示出本发明的一个实施例提供的一种红外焦平面探测器的俯视图。
40.图3示出本发明的一个实施例提供的另一种红外焦平面探测器的结构示意图。
41.图4示出本发明的一个实施例提供形成第一功能层后的结构示意图。
42.图5示出本发明的另一个实施例提供的另一种红外焦平面探测器的俯视图。
43.图6示出本发明的又一实施例提供的一种红外焦平面探测器的等效电路图。
44.图7示出本发明的又一实施例提供的一种红外焦平面探测器的制备流程图。
具体实施方式
45.为了更清楚地说明本发明,下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
46.除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
47.本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
48.在本发明中,构图工艺,可包括光刻工艺,或,包括光刻工艺以及刻蚀步骤,同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺;光刻工艺,是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
49.相关技术中,胶体量子点材料逐渐进入了红外焦平面探测器领域,采用胶体量子点制备红外焦平面阵列时通过一次热注实现材料合成,通过液相耦合技术将胶体量子点与读出电路互联,大幅降低工艺难度及成本,对开辟短波红外探测器低成本民用级市场具有重大意义。胶体量子点吸收红外线能量后,产生光致载流子,在内建电场的作用下,被电极收集形成光电流。
50.本发明的一个实施例提供了一种基于胶体量子点材料制备的红外焦平面探测器,如图1所示,所述红外焦平面探测器包括设置在衬底上的读出电路层10和探测层11,所述探测层包括第一电极12、第二电极14以及设置在所述第一电极12和第二电极14之间的光电转换层13,其中,所述光电转换层13采用玻璃基胶体量子点;外界光由所述衬底穿过所述读出电路层10到达所述探测层11。
51.同时,为了提高所述第一电极12的导电率,增加电荷载流子的浓度,所述第一电极12包括整面铺设的第一功能层以及覆盖所述第一功能层的第二功能层。
52.本实施例有效提高了所述第一电极12的导电率,但是发明人发现,本实施例在提高导电率的同时在一定程度上降低了探测器的透明度,具体的,如图2所示,为所述红外焦平面探测器沿入光侧方向的俯视图,发明人指出,由于第一功能层整面铺设,其使得外界的光仅有部分穿过所述第一电极12到达光电转换层13,从而导致胶体量子点产生的光电流较弱,红外焦平面探测器的成像准确率得不到保障;但是,若去除所述第一功能层,则会降低所述第一电极的导电率。
53.综合以上考虑,本发明的一个实施例提供了一种红外焦平面探测器,包括阵列排布的多个探测单元,如图3所示,红外焦平面探测器包括衬底101、层叠设置在所述衬底上的读出电路层102和探测层103,其中,
54.所述读出电路层102包括各探测单元的读出电路;
55.所述探测层103包括第一电极1031、与所述第一电极1031相对设置的第二电极1032、以及设置在所述第一电极1031和第二电极1032之间的光电转换层1033,所述第一电极1031包括设置在所述读出电路层102上的第一功能层10311和覆盖所述第一功能层10311的第二功能层10312,每个探测单元的第一功能层10311与所述读出电路102电连接,并且所述第一功能层10311包括多个贯通其的开孔103111。
56.本方案包括层叠设置在衬底上的读出电路层和探测层,实现了对外界物体的红外探测和成像,并通过在所述第一电极的第一功能层上设置多个贯穿其的开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,有效提高红外焦平面探测器的成像质量。
57.在一个具体的实施例中,所述第一功能层10311的开孔103111的形状和面积均相同,所述第一电极1031的第一功能层10311的开孔103111形状均为正方形,所述开孔103111的面积为280平方微米。
58.本实施例中,如图5所示,为所述红外焦平面传感器的2*2像素俯视图,其中,各传感器对应的第一功能层10311的开孔103111为长方形,开孔103111的面积为320平方微米。本实施例通过设置多个贯通所述第一功能层的开孔103111,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,所述第一功能层的开孔103111形状和面积均相同,简化了制作工艺,节省了制作成本。
59.应当说明的是,本技术对所述第一功能层10311的开孔103111的形状和面积不作具体限定,并不限于长方形,例如,所述第一功能层10311的开孔103111形状均为菱形,其开孔103111面积均为300平方微米。本领域技术人员应当理解,根据实际应用需求选择适当的开孔103111形状和面积,例如根据红外焦平面传感器的膜层设计或显示区域设计选择对应的开孔103111形状和面积,以确保第一电极导电率的基础上增大光透过率为设计准则,在此不再赘述。
60.在一个具体的实施例中,所述第一功能层10311的开孔103111的形状相同但面积不同,具体的,部分第一功能层的开孔103111的形状为三角形,面积为300平方微米,剩余部分第一功能层的开孔103111的形状为三角形,面积为298平方微米。
61.在一个具体的实施例中,所述第一功能层10311的开孔103111的形状不同但面积相同,具体的,部分第一功能层的开孔103111的形状为三角形,面积为300平方微米,剩余部
分第一功能层的开孔103111的形状为菱形,面积为300平方微米。
62.在一个具体的实施例中,所述第一功能层的开孔103111的形状和面积不同,具体的,部分所述第一功能层的开孔103111形状为圆形,所述圆形开孔103111的面积为269平方微米,剩余部分第一功能层的开孔103111形状为长方形,所述长方形开孔103111的面积为320平方微米。
63.本实施例中,通过设置贯通所述第一功能层的多个开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,所述第一功能层的开孔形状和面积不相同,能够在不改变探测层布局的情况下实现所述红外焦平面探测器显示区和非显示区的走线布置。
64.本技术对此不做具体限定,本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的开孔形状和面积。
65.考虑到确保第一电极的导电率,在一种可能的实现方式中,所述开孔的面积大于等于262平方微米且小于等于351平方微米;所述开孔的形状为长方形、圆形、三角形和菱形中的至少一个,具体可根据实际应用需求进行设置,在此不做限定。
66.在一个具体的实施例中,所述开孔103111的面积与所述第一功能层的面积比大于等于1.38且小于等于1.5。
67.本实施例限定了所述第一电极的第一功能层的开孔103111的面积和其与第一功能层的面积比,当所述开孔103111的面积与所述第一功能层的面积比大于等于1.38且小于等于1.5时,所述红外焦平面探测器的光的透过率与第一电极的电荷传输均保证在较高水平,即在保证第一电极的导电率同时增大了光的透过率的同时,提高了探测器的成像质量。
68.在一个具体的实施例中,所述第一功能层10311的材料为铝和钼,具体的,为由钼金属层、铝金属层和钼金属层依次叠加形成的三明治结构。
69.在一个具体的实施例中,所述衬底101为玻璃基板,由于玻璃基板具有硬度高,透明的性质,在保证光的透过率的同时能够防止红外焦平面探测器被划伤。
70.在一个具体的实施例中,以制备本实施例的红外焦平面探测器为例进行说明,所述红外焦平面探测器包括形成于衬底101上的读出电路层102和探测层103,所述读出电路层102包括设置在衬底101上的至少一个薄膜晶体管。
71.在一个具体的实施例中,所述薄膜晶体管采用顶栅结构或底栅结构。顶栅结构指栅极位于有源层之上的薄膜晶体管的结构,底栅结构是指栅极位于有源层之下的薄膜晶体管的结构。
72.在一个具体的实施例中,以制作如图3所示的红外焦平面探测器为例进行说明,具体包括以下步骤:
73.第一步,在衬底101上形成读出电路层102,包括各像素单元的读出电路。
74.在本实施例中,所述读出电路层102包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管为底栅结构,其中形成至少一个薄膜晶体管包括如下步骤:
75.在衬底101上形成栅极层1021;实施例中,栅极层的材质为金属,比如,栅极层的材质为铝、铜等。
76.在栅极层1021上形成覆盖所述栅极层1021的栅极绝缘层1022,比如,栅极绝缘层的材质为有机绝缘层,例如氮化硅或氮氧化硅。
77.在栅极绝缘层1022上形成有源层1024以及位于有源层两侧的源漏层1023;
78.形成覆盖所述源漏层1023和有源层1024的绝缘钝化层1025;所述绝缘钝化层1025包括第一绝缘钝化层10251、第二绝缘钝化层10252和第三绝缘钝化层10253,所述第一绝缘钝化层10251的材质例如为无机绝缘层,例如氮化硅层或者氮氧化硅层;所述第二绝缘钝化层10252为有机绝缘层,例如为环形树脂绝缘层,所述第三绝缘钝化层10253的材质例如氮化硅层或者氮氧化硅层。
79.氮化硅和环形树脂的绝缘性好,保证了源极或漏极与探测器之间的分隔,且氮化硅和环形树脂的透光性好,避免绝缘钝化层影响光的照射,有效提高红外焦平面探测器的成像质量。
80.在绝缘钝化层1025中形成互连和/或通道,使得所述至少一个薄膜晶体管彼此相连接;所述薄膜晶体管上还包括贯穿所述绝缘钝化层的第一过孔,以实现在所述薄膜晶体管上形成的探测器层的电极,并且与所述源极或漏极的连接。
81.根据电路的设计要求,不同的薄膜晶体管可以由绝缘钝化层隔开,利用在绝缘钝化层中形成的互连相连接,针对底栅结构阵列基板,可以有效阻隔有源层的残留物分别连接数据线和像素电极等第一导电层,避免tft电学性工艺不良。
82.在一个可选的实施例中,所述薄膜晶体管为顶栅结构,其中,形成一个薄膜晶体管包括如下步骤:
83.在衬底上形成有源层,在有源层之上形成覆盖有源层的栅绝缘层;
84.形成栅极层。具体包括:在形成前述图案的基底上,沉积第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,形成设置在栅绝缘层上的栅极层。栅极层的材质为金属,比如,栅极层的材质为铝、铜等。
85.形成层间电介质层。具体包括:在形成前述图案的基底上,采用等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition),形成在栅极之上的层间电介质层,其中,层间电介质层的材质为氧化硅或氮化硅。
86.形成源漏层。具体包括:在形成前述图案的基础上,采用磁控溅射设备,在层间电介质层之上沉积第二金属薄膜,形成设置在层间电介质层上的源极和漏极,其中,源漏层的材质为金属,例如,源漏层的材质为铝或铜。
87.第二步,在所述读出电路层上形成探测层,所述探测层包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和第二电极之间的光电转换层,所述第一电极包括设置在所述读出电路层上的第一功能层和覆盖所述第一功能层的第二功能层,每个探测单元的第一功能层与所述读出电路电连接,并且所述第一功能层包括多个贯通其的开孔103111。
88.在本实施例中,形成所述探测层包括:在所述读出电路102上图案化形成第一功能层10311,其中,所述第一功能层10311在垂直于所述衬底方向上的厚度大于等于300nm且小于等于500nm;
89.在本实施例中,所述制备所述第一功能层10311的步骤包括:
90.在所述读出电路层102的远离衬底方向上沉积钼金属形成第一金属层,在所述第一金属层上沉积金属铝形成第二金属层,在所述第二金属层上沉积金属钼形成第三金属层;
91.在所述第三金属层上涂布一层光刻胶,通过掩膜版进行曝光显影,分别形成保留区和去除区,所述去除区对应开孔103111的位置,采用湿法刻蚀去除所述去除区对应的第
一金属层、第二金属层、第三金属层及光刻胶,形成图案化的第一功能层10311,如图4所示。
92.在所述第一功能层10311上沉积形成第二功能层10312;
93.在本实施例中,所述第一电极1031的第二功能层10312的材料为氧化铟锡。氧化铟锡薄膜通过电子束蒸发、物理气相沉积或溅射沉积技术沉积到所述第一功能层表面,厚度大于等于800nm且小于等于1200nm。
94.本实施例中,利用氧化铟锡材料制备所述第二功能层,氧化铟锡薄膜具备高透明度的特性,其与所述第一功能层结合形成的第一电极在保证高导电率的同时具有较高的透明度,提高了红外焦平面探测器的性能。
95.通过旋涂法或喷涂法在所述第二功能层10312上形成光电转换层1033;
96.在所述光电转换层1033上沉积形成第二电极1032。
97.在本的实施例中,所述光电转换层1033上设置有第二电极1032,所述第二电极1032的材料采用为金、铂、银、铝和铜中的至少一个。本技术对此不作具体限定,本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的材料,在此不再赘述。
98.在本实施例中,通过设置贯通所述第一功能层的多个开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,同时设置所述第一功能层的厚度为大于等于300nm且小于等于500nm,以保证所述第一电极的导电率和光的透过率。
99.在一种可能的实现方式中,由于所述第一功能层10311的材料具有高导电特性,为了避免在刻蚀所述第一功能层时发生静电击穿,在制备所述第一功能层时,需在所述第三金属层上沉积形成钝化层(pvx层),在所述钝化层上涂覆光刻胶,通过掩膜版进行曝光显影,分别形成保留区和去除区,采用干法刻蚀进行处理,保留所述保留区对应的第一金属层、第二金属层、第三金属层,形成图案化的第一功能层。
100.本实施例通过在刻蚀前在所述第一功能层上形成钝化层,避免了刻蚀时发生静电击穿,进一步提高了产品良率。
101.在一个具体的实施例中,所述光电转换层1033由能够吸收指定波长的红外光的胶体量子点材料形成。
102.本实施例中,采用胶体量子点材料制备所述光电转换层1033,大幅降低工艺难度及成本,对开辟短波红外探测器低成本民用级市场具有重大意义。
103.在一个具体的实施例中,所述胶体量子点材料包括硫化锡、硒化锡、碲化锡、硫化铅、硒化铅、碲化铅、砷化铟、锑化铟、硒化汞、碲化汞及其合金化量子点。所述光电转换层1033可采用同一材料制成,或者可分为若干组,不同组的光电转换层1033能够各自采用不同材料制成,使得光电转换层1033不仅能够实现单波段光电探测,也能够在同一个读出电路上实现扩展波长或多波段光电探测。当形成量子点薄膜的量子点材料是硒化铅时,量子点薄膜的吸收带边在1800nm-2300nm的范围内可调;当形成量子点薄膜的量子点材料是硫化铅时,量子点薄膜的吸收带边在900nm-1300nm的范围内可调;当形成量子点薄膜的量子点材料是硒化锡时,量子点薄膜的吸收带边在800nm-900nm的范围内可调。其中,吸收带边为1800nm表示入射光波长小于1800nm的光都能被吸收。
104.在一种可能的实现方式中,采用低温滴涂、旋涂、刮涂及喷墨打印等方法,在所述第一电极1031上形成可传感红外信号的硫化铅胶体量子点得到光电转换层1033,所述光电转换层1033的厚度为400~500nm。
105.在一个具体的实施例中,所述光电转换层1033上还设置有p型掺杂层1034以形成pi结,以加强导电能力。
106.在一种可能的实现方式中,采用低温滴涂、旋涂、刮涂及喷墨打印等方法,在所述第一电极1031上涂布碲化汞胶体量子点,厚度为500nm,得到光电转换层1033。
107.在一个具体的实施例中,所述光电转换层1033上还设置有p型掺杂层1034,具体的,通过旋涂法在所述光电转换层1033上涂布碲化银,厚度为200nm,并对所述碲化银进行氯化汞处理,发生化学反应后得到包括氯化银和碲化汞的p型掺杂层1034形成pi结,其作用等同于pn结,具备正向导通反向截止的性质。
108.在一个具体的实施例中,所述红外焦平面探测器还包括偏置电极104(bias电极),如图3所示,所述偏置电极104连接所述第二电极以输出偏置电压,所述偏置电压用于实现光电转换。
109.应当说明的是,所述红外焦平面探测器包括显示区(active area)和非显示区,如图6所示,所述红外焦平面探测器的偏置电极104位于非显示区,表面通过覆晶薄膜(cof,chip on film)封装。
110.本实施例通过设置偏置电极输出偏置电压,所述偏置电压用于实现光电转换,且所述偏置电极位于非显示区,进一步保证了探测器的显示效果。
111.基于上述实施例提供的红外焦平面探测器,本发明的一个实施例提供了一种红外焦平面探测器的制备方法,所述平面探测器包括阵列排布的多个像素单元,如图7所示,所述制备方法的步骤包括:
112.在衬底上形成读出电路层,包括各像素单元的读出电路;
113.在所述读出电路层上形成探测层,所述探测层包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和第二电极之间的光电转换层,所述第一电极包括设置在所述读出电路层上的第一功能层和覆盖所述第一功能层的第二功能层,每个探测单元的第一功能层与所述读出电路电连接,并且所述第一功能层包括多个贯通其的开孔103111。
114.本实施例通过上述制备方法制备得到的红外焦平面探测器具有结构简单、成本较低的优点,通过在其第一电极的第一功能层上设置多个贯穿其的开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,有效提高红外焦平面探测器的成像质量和灵敏度。本实施例的具体实施方式参见前述实施例,在此不再赘述。
115.在一种可能的实现方式中,所述衬底为玻璃基板,由于玻璃基板具有硬度高,透明的性质,能够在保证光的透过率的同时防止红外焦平面探测器被划伤。
116.在一个具体的实施例中,所述在所述读出电路层上形成探测层进一步包括:
117.在所述读出电路上图案化形成第一功能层,所述第一功能层通过所述第一过孔与所述源极或漏极接触,其中,
118.所述第一功能层在垂直于所述衬底方向上的厚度大于等于300nm且小于等于500nm;
119.在所述第一功能层上沉积形成第二功能层;
120.通过旋涂法或喷涂法在所述第二功能层上形成光电转换层;
121.在所述光电转换层上沉积形成第二电极。
122.具体的,所述在所述读出电路上图案化形成第一功能层的步骤进一步包括:
123.在所述读出电路层上沉积第一功能层材料;
124.图案化所述第一功能层材料形成所述第一功能层10311,其中,所述开孔103111的面积大于等于262平方微米且小于等于351平方微米,以及,所述开孔103111的形状为长方形、圆形、三角形和菱形中的至少一个。
125.在本实施例中,所述第一功能层的材料为铝和钼,具体的,为由钼金属层、铝金属层和钼金属层依次叠加形成的三明治结构,有效提高了探测层的稳定能力。
126.在一个具体的实施例中,由于所述第一功能层的材料具有高导电特性,为了避免在刻蚀所述第一功能层时产品被静电击穿,在制备所述第一功能层时,需在所述第三金属层上沉积形成钝化层(pvx层),在所述钝化层上涂覆光刻胶,通过掩膜版进行曝光显影,分别形成保留区和去除区,采用干法刻蚀进行处理,保留所述保留区对应的第一金属层、第二金属层、第三金属层,形成图案化的第一功能层。
127.需要说明的是,本实施例提供的红外焦平面探测器的制备方法的原理及工作流程与上述红外焦平面探测器的原理相似,相关之处可以参照上述说明,在此不再赘述。
128.本发明的一个实施例提供了一种平面探测装置,所述平面探测装置包括上述红外焦平面探测器。
129.本实施例中,所述平面探测装置的红外焦平面探测器通过在其第一电极的第一功能层上设置多个贯穿其的开孔,在确保第一电极的导电率的基础上增大了光的透过率,有效提高红外焦平面探测装置的成像质量。
130.需要说明的是,术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个
……”
限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
131.显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于本领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
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