等离子体边缘环和包括其的等离子体蚀刻装置的制作方法

本发明构思涉及等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法，更具体地，涉及被配置为控制掩模背面蚀刻的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。

背景技术：

1、可以通过各种工艺来制造半导体器件。例如，可以通过对硅晶片执行的光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺来制造半导体器件。可以在用于制造半导体器件的光刻工艺中使用掩模来形成图案。可以用各种方法来制造掩模。例如，可以使用蚀刻工艺来制造掩模。

技术实现思路

1、本发明构思的一些示例实施方式提供了被配置为减少掩模背面蚀刻的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。

2、本发明构思的一些示例实施方式提供了被配置为控制离子流的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。

3、本发明构思的一些示例实施方式提供了被配置为提高制造良率的等离子体边缘环、包括该等离子体边缘环的等离子体蚀刻装置和/或使用该等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法。

4、本发明构思的目的不限于以上提及的目的，本领域技术人员将从以下描述清楚地理解以上没有提及的其它目的。

5、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻装置可以包括：等离子体电极；在等离子体电极上的等离子体边缘环；以及在等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极。等离子体边缘环可以包括内侧壁表面，该内侧壁表面可以包括：第一表面部分，至少部分地限定放置孔，放置孔垂直地穿透等离子体边缘环的中心；以及第二表面部分，至少部分地限定在内侧表面的一部分上的凹陷，凹陷相对于内侧壁表面的第一表面部分远离等离子体边缘环的中心凹入，例如，使得凹陷比第一表面部分的与第二表面部分相邻的至少一部分更远离等离子体边缘环的中心。

6、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻装置可以包括：等离子体电极；在等离子体电极的顶表面上的支撑构件；围绕支撑构件的等离子体边缘环；引导电极；等离子体电压供应部，被配置为向等离子体电极施加第一电压；以及引导电压供应部，被配置为向引导电极施加第二电压。引导电极可以在支撑构件外侧。

7、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体边缘环可以包括具有垂直延伸的中心轴线的板主体。板主体可以包括内侧壁表面，内侧壁表面包括：第一表面部分，至少部分地限定放置孔，放置孔垂直地穿透板主体的中心轴线；以及第二表面部分，至少部分地限定凹陷，凹陷相对于内侧壁表面的第一表面部分远离板主体的中心轴线凹入，例如使得凹陷比第一表面部分的与第二表面部分相邻的至少一部分更远离板主体的中心轴线并且凹入到板主体的内部中。第二表面部分可以包括凹陷顶表面，凹陷顶表面可以限定凹陷的一部分。凹陷顶表面可以在板主体的顶表面之下。

8、根据本发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻方法可以包括：将蚀刻对象放入等离子体蚀刻装置中；向等离子体蚀刻装置供应工艺气体；向引导电极施加第一电压；以及向等离子体电极施加第二电压。将蚀刻对象放入等离子体蚀刻装置中的步骤可以包括将蚀刻对象插入至少部分地由等离子体边缘环的内侧壁表面限定的放置孔中，以将蚀刻对象设置在等离子体电极上。引导电极可以在蚀刻对象外侧。

9、一些示例实施方式的细节被包括在说明书和附图中。

技术特征：

1.一种等离子体蚀刻装置，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述引导电极在所述凹陷外侧和/或之下。

3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述引导电极在所述等离子体边缘环内。

4.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体电极包括：

5.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中所述凹陷在所述等离子体边缘环的顶表面之下，并且通过所述等离子体边缘环的所述顶表面在垂直方向上免于暴露于所述等离子体边缘环的外部。

6.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中当在平面中被观察时，所述放置孔具有四边形形状。

7.一种等离子体蚀刻装置，包括：

8.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体电极包括：

9.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中

10.根据权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体边缘环包括内侧壁表面，所述内侧壁表面包括：

11.根据权利要求10所述的等离子体蚀刻装置，其中所述凹陷被所述等离子体边缘环的顶表面覆盖，并且通过所述等离子体边缘环的所述顶表面在垂直方向上免于暴露于所述等离子体边缘环的外部。

12.根据权利要求10所述的等离子体蚀刻装置，其中

13.根据权利要求10所述的等离子体蚀刻装置，其中所述等离子体边缘环包括：

14.一种等离子体边缘环，包括：

15.根据权利要求14所述的等离子体边缘环，其中当在平面中被观察时，所述放置孔具有四边形形状。

16.根据权利要求15所述的等离子体边缘环，其中

17.根据权利要求14所述的等离子体边缘环，其中所述第二表面部分包括在所述板主体的底表面之上的凹陷底表面，所述凹陷底表面限定所述凹陷的一部分。

18.根据权利要求14所述的等离子体边缘环，其中所述板主体包括一个或更多个内表面，所述一个或更多个内表面至少部分地限定引导电极插入孔，所述引导电极插入孔在所述凹陷外侧和/或之下。

19.根据权利要求14所述的等离子体边缘环，其中所述凹陷顶表面的水平向外远离所述板主体的所述中心轴线下降。

20.根据权利要求14所述的等离子体边缘环，其中所述板主体包括：

技术总结
公开了等离子体边缘环和包括其的等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括等离子体电极、在等离子体电极上的等离子体边缘环、以及在等离子体电极上在蚀刻对象外侧的引导电极。等离子体边缘环提供垂直穿透等离子体边缘环的中心的放置孔、以及在限定放置孔的内侧表面的一部分上的凹陷。凹陷从内侧表面向外凹入。

技术研发人员：李炫周,南象基,曹永贤
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12