电子器件的冷却的制作方法

本公开总体上涉及电子系统和器件及其保护和冷却装置。本公开在一些实施例中适用于用于冷却由封装保护的电子器件的装置。

背景技术：

1、很多用于冷却由封装保护的电子系统和器件的技术是已知的。例如，已知使用适于耗散由电子器件或系统的组件和电路生成的热量的封装。

2、希望能够至少部分改进用于冷却由封装保护的电子器件的装置。

技术实现思路

1、一个实施例克服了已知电子器件冷却装置的全部或部分缺点。

2、一个实施例提供了一种电子器件，该电子器件包括：

3、-电子芯片，包括在第一表面和与第一表面相对的第二表面，有源区在第一表面上；

4、-衬底，上述芯片的第一表面安装在上述衬底的第三表面上；以及

5、-导热盖，包括至少在上述电子芯片的第二表面上方延伸的横向部分，

6、其中电子器件还包括将电子芯片的第二表面耦合到上述导热盖的上述横向部分的至少一个导热柱。

7、根据一个实施例，上述至少一个导热柱是金属柱。

8、根据一个实施例，上述至少一个导热柱包括第一铜部分。

9、根据一个实施例，上述至少一个导热柱包括由金属焊料合金制成的至少第二部分。

10、根据一个实施例，上述至少一个导热柱被由第一导热材料制成的第一层围绕，第一层从电子芯片的上述第二表面延伸到上述导热盖的上述横向部分。

11、根据一个实施例，上述第一层还覆盖上述电子芯片的至少第四侧面。

12、根据一个实施例，上述盖的上述横向部分具有在上述电子芯片的第二表面上方延伸的具有第一厚度的第一部分、和在上述电子芯片的外围延伸的具有大于第一厚度的第二厚度的至少第二部分。

13、根据一个实施例，第二部分一直延伸到上述电子芯片的第一表面的水平。

14、根据一个实施例，上述第二部分通过至少一个第一导热条耦合到上述衬底的上述第三表面。

15、根据一个实施例，盖还包括围绕电子芯片的至少一个侧向部分、和从盖的侧向部分延伸到上述电子芯片的上述第四侧面的至少一个延伸部。

16、根据一个实施例，上述盖的上述横向部分与上述至少一个延伸部之间的空间填充有第二导热材料。

17、根据一个实施例，上述延伸部通过至少第二导热条耦合到上述衬底的上述第三表面。

18、根据一个实施例，导热盖是金属盖。

19、根据一个实施例，上述至少一个延伸部在其上表面上包括至少一个凹槽。

20、一个实施例提供了一种制造电子器件的方法，该电子器件包括电子芯片，电子芯片具有在第一表面和与第一表面相对的第二表面上的有源区，方法包括以下连续步骤：

21、-在上述电子芯片的上述第二表面上形成至少一个导热柱；

22、-将上述电子芯片安装在衬底的第三表面上，芯片的第一表面在上述衬底的第三表面侧；以及

23、-布置导热盖，导热盖包括在上述电子芯片的第一表面上方延伸的横向部分，上述横向部分与上述至少一个导热柱接触。

24、根据一个实施例，上述至少一个导热柱包括第一铜部分和由金属焊料合金制成的至少第二部分。

技术特征：

1.一种电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一个导热柱包括金属柱。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一个导热柱中的导热柱包含第一部分及第二部分，所述导热柱的所述第一部分为铜，并且所述导热柱的所述第二部分为不同于铜的导电材料。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一个导热柱中的导热柱包括第一部分和第二部分，所述导热柱的所述第二部分是金属焊料合金，并且所述导热柱的所述第一部分是与所述第二部分的所述金属焊料合金不同的导电材料。

5.根据权利要求1所述的器件，包括围绕所述至少一个导热柱的第一导热材料的第一层，所述第一层从所述电子芯片的所述第二表面延伸到所述导热盖的所述横向部分。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第一层覆盖所述电子芯片的侧表面。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述导热盖的所述横向部分具有第一部分和第二部分，所述导热盖的所述第一部分具有第一厚度，并且在所述电子芯片的所述第二表面上方延伸，并且所述导热盖的所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度并且在所述电子芯片的外围处延伸。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述导热盖的所述第二部分一直延伸到所述电子芯片的所述第一表面的水平。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述导热盖的所述第二部分通过至少一个第一导热条被耦合到所述衬底的所述第三表面。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述导热盖还包括：

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述导热盖的所述横向部分与所述至少一个延伸部分之间的空间填充有第二导热材料。

12.根据权利要求10所述的器件，其中所述至少一个延伸部分各自通过至少第二导热条被耦合到所述衬底的所述第三表面。

13.根据权利要求1所述的器件，其中所述导热盖是金属。

14.根据权利要求10所述的器件，其中所述至少一个延伸部分的延伸部分在其上表面上包括至少一个凹槽。

15.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述至少一个导热柱各自包括铜的第一部分和金属焊料合金的第二部分。

17.一种半导体封装，包括：

18.根据权利要求17所述的封装，包括耦合在所述管芯的所述第一表面与所述衬底之间的电连接元件。

19.根据权利要求17所述的封装，其中所述至少一个导热柱中的导热柱包括铜的第一部分和金属焊料合金的第二部分。

20.根据权利要求17所述的封装，其中所述导热盖通过耦合层被耦合到所述衬底。

技术总结
本公开的各实施例总体上涉及电子器件的冷却。本说明书涉及一种电子器件，电子器件包括：电子芯片，包括在第一表面上的有源区，和与第一表面相对的第二表面；衬底，上述芯片的第一表面安装在上述衬底的第三表面上；以及包括至少在上述电子芯片的第二表面上方延伸的横向部分的导热盖，其中电子器件还包括将电子芯片的第二表面耦合到上述导热盖的上述横向部分的至少一个导热柱。

技术研发人员：Y·博塔勒布,D·凯雷,R·科菲
受保护的技术使用者：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12