屏蔽栅功率器件的制作方法以及屏蔽栅功率器件与流程

1.本发明涉及半导体工艺领域，具体涉及一种屏蔽栅功率器件的制作方法以及屏蔽栅功率器件。


背景技术：

2.sgt(shield gate trench，屏蔽栅极沟槽)器件在现有技术中已得到广泛的应用。在具体的制作过程中，深沟槽端部位置的场氧化层通过光刻胶遮掩保留，而深沟槽中间位置的场氧化层需要刻蚀掉，在刻蚀过程中通常需要采用湿法刻蚀，由于光刻胶和场氧化层的接触面粘附性不强，因此，刻蚀酸液容易沿接触面往里钻，导致严重的横向刻蚀，这就要求版图设计留出足够的余量，这无疑会浪费一部分屏蔽栅功率器件的空间。


技术实现要素：

3.本发明提供了一种屏蔽栅功率器件的制作方法以及屏蔽栅功率器件，以避免由于场氧化层的横向腐蚀而造成的屏蔽栅功率器件的空间浪费。
4.为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：本技术第一方面的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件的制作方法。制作方法的步骤包括：提供衬底，衬底的一侧形成有外延片，在外延片上形成深沟槽，其中，深沟槽包括有源区和位于有源区两端的端部；在外延片背离衬底的一侧表面和深沟槽的内壁生长场氧化层，并在深沟槽内填充第一多晶硅；在场氧化层的表面和第一多晶硅上形成氮化硅，并刻蚀位于有源区的氮化硅和一部分位于深沟槽的顶部的场氧化层，以形成栅沟槽，保留位于深沟槽端部的氮化硅和场氧化层；刻蚀位于深沟槽端部的氮化硅，保留位于深沟槽端部的场氧化层。
5.根据本技术实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法，首先在衬底的一侧形成有外延片，其中外延片可以为n型掺杂。接着，在外延片上形成深沟槽，并在外延片背离衬底的一侧的表面和深沟槽的内壁生长场氧化层，深沟槽的内壁也需生长场氧化层，接着，便可以在深沟槽内填充第一多晶硅，。接着，在场氧化层背离衬底的一侧形成氮化硅，并刻蚀位于深沟槽有源区的氮化硅和一部分深沟槽的顶部的场氧化层，通常，深沟槽在衬底的投影包括两端的端部和中间部分的有源区，其中，两端的端部不属于工作区，中间部分的有源区为工作区，也就是说，刻蚀位于深沟槽有源区的氮化硅和场氧化层指的便是刻蚀为工作区的氮化硅和场氧化层，以在此处形成栅沟槽。最后便可以刻蚀深沟槽端部的氮化硅，并保留位于深沟槽端部的场氧化层。与相关技术中直接刻蚀场氧化层不同，本实施例首先在场氧化层上形成氮化硅，由于氮化硅与场氧化层的粘附性较强，因此，当刻蚀栅沟槽和场氧化层时，能够减轻刻蚀液对场氧化层造成的横向侵蚀，在对本实施例中的屏蔽栅功率器件进行版面
设计时，无需考虑增加设计余量，从而避免因设计需求而增加的设计余量对屏蔽栅功率器件的面积造成影响，以此避免由于场氧化层的横向腐蚀而造成的屏蔽栅功率器件的空间浪费。
6.本技术实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法还可以具有以下技术特征：在本技术的一些实施例中，所述提供衬底，所述衬底的一侧形成有外延片，在所述外延片上形成深沟槽的步骤具体为：提供衬底，所述衬底的一侧形成有外延片，在所述外延片上形成遮掩膜，利用光刻的方式在所述外延片上形成深沟槽；去除所述遮掩膜。
7.在本技术的一些实施例中，所述刻蚀位于所述有源区的所述氮化硅和一部分位于所述深沟槽的顶部的所述场氧化层的具体步骤为：采用光刻的方式刻蚀位于所述有源区的所述氮化硅和所述场氧化层，保留位于所述端部区域的所述氮化硅和所述场氧化层，其中，采用干法刻蚀的方式刻蚀所述氮化硅，采用湿法刻蚀的方式刻蚀所述场氧化层。在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述栅沟槽的内壁生长栅氧化层，以使所述栅氧化层覆盖所述栅沟槽，其中，所述栅沟槽的内壁包括一部分所述深沟槽的侧壁和所述第一多晶硅的侧壁，并在所述栅沟槽内形成第二多晶硅。
8.在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述外延片背离所述衬底的一侧上注入离子。
9.在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述外延片背离所述衬底的一侧形成隔离层，并通过光刻的方式在所述隔离层上形成过孔。
10.在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述过孔内填充导电物。
11.在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述隔离层背离所述外延片的一侧形成导电层。
12.在本技术的一些实施例中，所述制作方法的步骤还包括：在所述导电层背离所述外延片的一侧形成钝化层。
13.本技术第二方面的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件，采用第一方面任一实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法制作而成。
14.根据本技术实施例中的屏蔽栅功率器件，其采用第一方面任一实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法制作而成，因此，其也具备第一方面任一实施例的有益效果，此处不再赘述。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施
例。
16.图1为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（形成遮掩膜）；图2为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（形成深沟槽）；图3为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（填充第一多晶硅）；图4为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（形成栅沟槽）；图5为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（填充第二多晶硅）；图6为申请实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（注入离子）；图7a为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（刻蚀场氧化层前）；图7b为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（刻蚀场氧化层后）；图8为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的俯视图；图9为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（沿深沟槽延伸方向场氧化层填充位置剖面图）；图10为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（形成氮化硅）；图11为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（刻蚀深沟槽中间部位的氮化硅）；图12为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的制作方法的结构示意图（刻蚀深沟槽中间部位的场氧化层并去除氮化硅）；图13为本技术实施例中屏蔽栅功率器件的结构示意图；图14为相关技术中屏蔽栅功率器件的横向腐蚀的结构示意图。
17.附图标记如下：100-外延片；110-深沟槽；120-栅沟槽； 200-遮掩膜；300-场氧化层；310-第一场氧化层；320-第二场氧化层；410-第一多晶硅；420-第二多晶硅；500-栅氧化层；600-氮化硅；610-p阱；620-nplus离子m-有源区；n-端部；800-场氧化层；900-光刻胶。
具体实施方式
18.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
19.为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员基于本技术所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
21.如图14所示，在相关技术的制作过程中，深沟槽端部位置b的场氧化层800通过光刻胶900遮掩保留，而深沟槽中间位置a的场氧化层800需要刻蚀掉，在刻蚀过程中通常需要采用湿法刻蚀，由于光刻胶900和场氧化层800的接触面粘附性不强，因此，刻蚀酸液容易沿接触面往里钻，导致严重的横向刻蚀s，在一个具体的实施方式中，正常栅沟槽刻蚀深度为1um，而场氧化层的横向腐蚀竟达到5um，这就要求版图设计留出足够的余量，这无疑会浪费一部分屏蔽栅功率器件的空间。
22.鉴于此，如图1至图6所示，本技术第一方面的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件的制作方法，制作方法的步骤包括：提供衬底，衬底的一侧形成有外延片100，在外延片100上形成深沟槽110，其中，深沟槽110包括有源区m和位于有源区两端的端部n；在外延片100背离衬底的一侧表面和深沟槽110的内壁生长场氧化层300，并在深沟槽110内填充第一多晶硅410；在场氧化层300的一侧表面和第一多晶硅410上形成氮化硅600，并刻蚀位于有源区m的氮化硅600和一部分位于深沟槽110的顶部的场氧化层300，以形成栅沟槽120，保留位于深沟槽110端部的氮化硅600和场氧化层300；刻蚀位于深沟槽110端部的氮化硅600，保留位于深沟槽110端部的场氧化层300。
23.在本实施例中，衬底的一侧形成有外延片100，其中外延片100可以为n型掺杂。接着，如图1所示，可以在外延片100上形成遮掩膜200，然后通过光刻的方式形成深沟槽110，并去除其余部位的遮掩膜200。接着，如图2所示，在外延片100背离衬底的一侧的表面和深沟槽110的内壁生长场氧化层300，其中，深沟槽110的内壁也需生长场氧化层300，也就是说，场氧化层300包括覆盖在外延片100表面的第一场氧化层310和位于外延片100的深沟槽110内的第二场氧化层320。如图3所示，接着，便可以在深沟槽110内填充第一多晶硅410。
24.如图7a、7b和图8所示，图7a示出了在深沟槽110内填充第一多晶硅410后且刻蚀场氧化层300之前的示意图，图7b示出了刻蚀场氧化层300之后的示意图。图8为图7a和7b的俯视图。
25.接着，如图9和图10所示，在场氧化层300的表面和第一多晶硅410上形成氮化硅600，并刻蚀位于有源区m的氮化硅600和一部分位于深沟槽110的顶部的场氧化层300，通常，如图7a、7b和图8所示，深沟槽110在衬底的投影包括两端的端部n和中间部分的有源区m，其中，两端的端部n不属于工作区，中间部分的有源区m为工作区，也就是说，如图11所示，刻蚀位于深沟槽110有源区m的氮化硅600和场氧化层300指的便是刻蚀为工作区的氮化硅600和一部分位于深沟槽110的顶部的场氧化层300，以在此处形成栅沟槽120,其中，l为刻蚀深沟槽110有源区m的氮化硅600和场氧化层300时的刻蚀线，图1至图6为深沟槽110有源区m的截面图。最后便可以刻蚀深沟槽110端部n的氮化硅600，并保留位于深沟槽110端部n的场氧化层300。与相关技术中使用光刻胶覆盖深沟槽端部的场氧化层以刻蚀位于深沟槽有源区的场氧化层不同，本实施例首先在场氧化层300上形成氮化硅600，由于氮化硅600与
场氧化层300的粘附性较强，因此，当刻蚀栅沟槽120和场氧化层300时，能够减轻刻蚀液对场氧化层300造成的横向侵蚀，在对本实施例中的屏蔽栅功率器件进行版面设计时，无需考虑增加设计余量，从而避免因设计需求而增加的设计余量对屏蔽栅功率器件的面积造成影响，以此避免由于场氧化层300的横向腐蚀而造成的屏蔽栅功率器件的空间浪费。
26.如图1和图2所示，在本技术的一些实施例中，提供衬底，衬底的一侧形成有外延片100，在外延片100上形成深沟槽110的步骤具体为：提供衬底，衬底的一侧形成有外延片100，在外延片100上形成遮掩膜200，利用光刻的方式在外延片100上形成深沟槽110；去除遮掩膜200。
27.在本实施例中，可以通过光刻的方式在衬底的外延片100上形成深沟槽110，具体而言，首先在外延片100上形成遮掩膜200，遮掩膜200的材质可以为氧化层或者氧化层与氮化硅600的混合物。当形成深沟槽110后，去除遮掩膜200。
28.如图7a、7b和图8所示，在本技术的一些实施例中，刻蚀位于深沟槽110有源区m的氮化硅600和一部分位于深沟槽110的顶部的场氧化层300的具体步骤为：采用光刻的方式刻蚀位于有源区m的氮化硅600和场氧化层300，保留位于端部n区域的氮化硅600和场氧化层300，其中，采用干法刻蚀的方式刻蚀氮化硅600，采用湿法刻蚀的方式刻蚀场氧化层300。
29.在本实施例中，当形成深沟槽110后，通常，深沟槽110在衬底的投影包括有源区m和两端的端部n，其中有源区m即为中间部位，有源区为屏蔽栅功率器件的工作区域。位于两端的端部n的部位不参与屏蔽栅功率器件的工作过程，因此也可以称为无用区。在本实施例中，首先采用干法刻蚀的方式刻蚀位于有源区m的氮化硅600，接着采用湿法刻蚀的方式刻蚀位于有源区m的场氧化层300，由于氮化硅600与场氧化层300的粘附性较强，因此，当刻蚀掉有源区m的氮化硅600后，再用湿法刻蚀的方式刻蚀有源区m的场氧化层300时，由于端部n的氮化硅600和场氧化层300粘合的较为紧密，因此，能够减轻湿法刻蚀的腐蚀液横向渗透至端部n的场氧化层300，并对场氧化层300造成横向腐蚀。
30.如图5和图6所示，在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在栅沟槽120的内壁生长栅氧化层500，以使栅氧化层500覆盖栅沟槽120，其中，栅沟槽120的内壁包括一部分深沟槽110的侧壁和第一多晶硅410的侧壁，并在栅沟槽120内形成第二多晶硅420。在本实施例中，可以采用生长的方式形成栅氧化层500，也可以通过沉积的方式形成栅氧化层500，以此便能够形成栅沟槽120，本实施例对如何形成栅氧化层500不做特殊限定，接着，便能够在栅沟槽120填充第二多晶硅420。栅氧化层500位于第一多晶硅410和第二多晶硅420之间，以使两者隔绝。
31.如图6所示，在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在外延片100背离衬底的一侧上注入离子。在本实施例中，可以通过离子注入的方式在外延片100上注入离子以形成p阱620，接着在p阱620靠近外表面的一侧进行n plus离子610注入，以使得屏蔽栅功率器件的外延片100上具备导电性能，注入离子的区域也可以称为离子注入区。
32.在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在外延片100背离衬底的一侧形成隔离层，并通过光刻的方式在隔离层上形成过
孔。在本实施例中，可以在外延片100远离衬底的一侧形成隔离层，也可以称为层间介质隔离（ild），然后通过光刻的方式在隔离层上形成过孔，通常，过孔在外延片100的投影位于第二多晶硅420在外延片100的投影内，或者，过孔在外延片100的投影位于离子注入区在外延片100的投影内，以引出第二多晶硅420以及离子注入区的电子。
33.在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在过孔内填充导电物。在本实施例中，在隔离层上形成过孔后，即可以在过孔内填充导电物，例如钨、铜或银等物质，以引出第二多晶硅420和离子注入区的电子。通常在过孔内填充导电物时，会将导电物填充至非过孔区域，此时就需要对导电物进行回刻，以清除部分填充至非过孔内的导电物。
34.在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在隔离层背离外延片100的一侧形成导电层。在本实施例中，通过在过孔内填充导电物后，即可以在隔离层上进行导电层的沉淀，导电层的材质可以为金属，以使得相同极性的导电物相互连通。
35.在本技术的一些实施例中，制作方法的步骤还包括：在导电层背离外延片100的一侧形成钝化层。在本实施例中，在形成导电层后，需要在导电层上沉淀钝化层，以对导电层进行保护。
36.如图13所示，本技术第二方面的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件，采用第一方面任一实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法制作而成。
37.根据本技术实施例中的屏蔽栅功率器件，其采用第一方面任一实施例中的屏蔽栅功率器件的制作方法制作而成。在制作本实施例中的屏蔽栅功率器件时，首先在衬底的一侧形成有外延片100，其中外延片100可以为n型掺杂。接着，在外延片100上形成深沟槽110，并在外延片100背离衬底的一侧生长场氧化层300，其中，深沟槽110内也需生长场氧化层300，接着，便可以在深沟槽110内填充第一多晶硅410，。接着，在场氧化层300背离衬底的一侧形成氮化硅600，并刻蚀位于深沟槽110有源区m的氮化硅600和场氧化层300，通常，深沟槽110在衬底的投影包括两端的端部n和中间部分的有源区m，其中，端部不属于工作区，中间部分的有源区m为工作区，也就是说，刻蚀位于深沟槽110有源区m的氮化硅600和场氧化层300指的便是刻蚀为工作区的氮化硅600和场氧化层300，以在此处形成栅沟槽120。最后便可以刻蚀深沟槽110端部的氮化硅600，并保留位于深沟槽110端部的场氧化层300。与相关技术中直接刻蚀场氧化层不同，本实施例首先在场氧化层300上形成氮化硅600，由于氮化硅600与场氧化层300的粘附性较强，因此，当刻蚀栅沟槽120和场氧化层300时，能够减轻刻蚀液对场氧化层300造成的横向侵蚀，在对本实施例中的屏蔽栅功率器件进行版面设计时，无需考虑增加设计余量，从而避免因设计需求而增加的设计余量对屏蔽栅功率器件的面积造成影响，以此避免由于场氧化层300的横向腐蚀而造成的屏蔽栅功率器件的空间浪费。
38.以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。