晶片结构的制作方法

本发明的实施例是有关于一种晶片结构及其修整方法，特别是有关于一种具有经修整边缘的半导体晶片结构及一种用于处理半导体晶片结构的外边缘的修整方法。

背景技术：

1、近年来，由于半导体芯片小型化的需求，因此在半导体制造工艺中晶片薄化工艺的要求变得更严格。一般来说，在晶片薄化工艺期间，对半导体晶片的背侧执行的研磨工艺可能使晶片边缘被损坏。随后，可执行边缘修整工艺以移除晶片的外边缘。

技术实现思路

1、根据一些实施例，提供一种修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中形成所述第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着所述第一晶片的周边的路径。在所述第一预修整标记上且沿着所述第一预修整标记的所述路径修整所述第一晶片，以移除所述第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。

2、根据一些替代实施例，提供一种修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。从所述第一晶片的所述第一表面沿着厚度方向对所述第一晶片执行第一标记修整步骤，以移除围绕所述第一晶片的周边的环状结构。通过提供第二晶片并将所述第二晶片堆叠到所述第一晶片的所述第一表面来形成堆叠的晶片结构。从所述第一晶片的所述第二表面沿着所述厚度方向对所述堆叠的晶片结构执行第二标记修整步骤，以移除所述堆叠的晶片结构的边缘部分。

3、根据一些替代实施例，提供一种晶片结构。一种晶片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面与所述第二表面的边缘。所述边缘实质上垂直于所述晶片的所述第一表面及所述第二表面，所述边缘具有被第二区环绕的多个第一区，各个所述第一区被所述第二区彼此分离及间隔开且所述第二区的纹理特征不同于所述第一区的纹理特征。

技术特征：

1.一种晶片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于，所述第一区的所述纹理特征包括在所述第一区中在所述晶片的厚度方向上延伸的多个条痕。

3.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于，所述第二区的所述纹理特征包括主裂缝部分及位于所述主裂缝部分下方的中间裂缝部分，所述主裂缝部分小于所述中间裂缝部分。

4.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于，所述晶片在所述晶片的所述第二表面处包括对齐标记。

技术总结
一种晶片结构及其修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。在第一晶片的第一表面上形成第一预修整标记，其中形成第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着第一晶片的周边的路径。在第一预修整标记上且沿着第一预修整标记的路径修整第一晶片，以移除第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。

技术研发人员：江浩宁,庄铭德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13