技术特征：
1.一种电阻测试结构，其特征在于，包括：多个第一测试模块；每一所述第一测试模块包括：形成于同一半导体器件有源区之上的两个间隔设置的第一接触结构和第二接触结构；相邻两所述第一测试模块中一第一测试模块的第一接触结构与另一第一测试模块的第二接触结构之间相邻且电连接，从而多个所述第一测试模块形成第一串联结构，所述第一串联结构的两端分别电连接一第一测试焊垫；其中，通过在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，实现对所述第一测试模块相应接触电阻的测试与监控。2.如权利要求1所述的电阻测试结构，其特征在于，所述有源区为第一掺杂类型的重掺区；所述第一接触结构为接触孔结构，所述接触孔结构与所述重掺区之间形成第一接触电阻；所述第二接触结构为共享接触孔结构，所述共享接触孔结构与所述重掺区之间形成共享接触孔接触电阻；通过在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，基于所述重掺区的电阻、所述第一接触电阻，实现对所述共享接触孔接触电阻的测试与监控。3.如权利要求1所述的电阻测试结构，其特征在于，所述有源区为第一掺杂类型的重掺区，所述第一接触结构与所述第二接触结构均为共享接触孔结构，所述共享接触孔结构与所述重掺区之间形成共享接触孔接触电阻；通过在所述第一串联结构的两端所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，基于所述重掺区的电阻，实现对所述共享接触孔接触电阻的测试与监控。4.如权利要求1所述的电阻测试结构，其特征在于，相邻两所述第一测试模块中一第一测试模块的第一接触结构与另一第一测试模块的第二接触结构之间相邻且通过远离所述有源区的第一金属结构电连接，所述第一串联结构的两端分别通过远离所述有源区的第二金属结构电连接相应的第一测试焊垫。5.如权利要求4所述的电阻测试结构，其特征在于，所述第一金属结构、第二金属结构通过对远离所述有源区的同一金属层进行图案化形成。6.如权利要求1所述的电阻测试结构，其特征在于，还包括至少一第二串联结构，所述第二串联结构包括多个串联的第二测试模块；所述第二串联结构一端电连接至所述第一串联结构，另一端电连接一第二测试焊垫；其中，通过在所述第一串联结构一端的第一测试焊垫以及所述第二测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，实现对所述第二测试模块相应电阻的测试与监控。7.一种电阻测试方法，其特征在于，包括：提供多个相互隔离的半导体器件有源区；于每一所述有源区之上形成一第一测试模块的两个间隔设置的第一接触结构和第二接触结构，其中，相邻两所述第一测试模块中一第一测试模块的第一接触结构与另一第一测试模块的第二接触结构之间相邻且电连接，从而多个所述第一测试模块形成第一串联结构，所述第一串联结构的两端分别电连接一第一测试焊垫；
在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，以对所述第一测试模块相应接触电阻进行测试与监控。8.如权利要求7所述的电阻测试方法，其特征在于，所述有源区为第一掺杂类型的重掺区，所述第一接触结构为接触孔结构，所述接触孔结构与所述重掺区之间形成第一接触电阻；所述第二接触结构为共享接触孔结构，所述共享接触孔结构与所述重掺区之间形成共享接触孔接触电阻；所述的在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，以对所述第一测试模块相应接触电阻进行测试与监控的步骤进一步包括：基于所述测试电压、所述输出电流、所述重掺区的电阻、所述第一接触电阻以及所述第一串联结构中所述第一测试模块的数量，获取所述共享接触孔接触电阻的电阻测量值；将所述电阻测量值与预设阈值进行对比，以监控所述共享接触孔结构的接触情况。9.如权利要求8所述的电阻测试方法，其特征在于，采用以下公式获取所述共享接触孔接触电阻的电阻测量值：r
c_sct
＝(v/i
n-n
·
r
s_aa-n
·
r
c_aa
)/n；其中，r
c_sct
为所述共享接触孔接触电阻，v为所述测试电压，i
n
为所述输出电流，r
s_aa
为所述重掺区的电阻，r
c_aa
为所述第一接触电阻，n为所述第一串联结构中所述第一测试模块的数量。10.如权利要求7所述的电阻测试方法，其特征在于，所述有源区为第一掺杂类型的重掺区，所述第一接触结构与所述第二接触结构均为共享接触孔结构，所述共享接触孔结构与所述重掺区之间形成共享接触孔接触电阻；所述的在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，以对所述第一测试模块相应接触电阻进行测试与监控的步骤进一步包括：基于所述测试电压、所述输出电流、所述重掺区的电阻以及所述第一串联结构中共享接触孔结构的数量，获取所述共享接触孔接触电阻的电阻测量值；将所述电阻测量值与预设阈值进行对比，以监控所述共享接触孔结构的接触情况。11.如权利要求10所述的电阻测试方法，其特征在于，采用以下公式获取所述共享接触孔接触电阻的电阻测量值：r
c_sct
＝(v/i
n-n
·
r
s_aa
)/(2n)；其中，r
c_sct
为所述共享接触孔接触电阻，v为所述测试电压，i
n
为所述输出电流，r
s_aa
为所述重掺区的电阻，n为所述第一串联结构中所述第一测试模块的数量。12.如权利要求7所述的电阻测试方法，其特征在于，所述方法进一步包括：形成至少一第二串联结构，所述第二串联结构包括多个串联的第二测试模块，所述第二串联结构一端电连接至所述第一串联结构，另一端电连接一第二测试焊垫；在所述第一串联结构一端的第一测试焊垫以及所述第二测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，以对所述第二测试模块相应电阻进行测试与监控。
技术总结
本发明公开了一种电阻测试结构及电阻测试方法。所述电阻测试结构包括：多个第一测试模块；每一所述第一测试模块包括：形成于同一半导体器件有源区之上的两个间隔设置的第一接触结构和第二接触结构；相邻两所述第一测试模块中一第一测试模块的第一接触结构与另一第一测试模块的第二接触结构之间相邻且电连接，从而多个所述第一测试模块形成第一串联结构，所述第一串联结构的两端分别电连接一第一测试焊垫；其中，通过在所述第一串联结构两端的所述第一测试焊垫上施加测试电压并测量输出电流，实现对所述第一测试模块相应接触电阻的测试与监控。的测试与监控。的测试与监控。
技术研发人员：李留洋 谷东光 常建光
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：2022.11.29
技术公布日：2023/2/23