一种并联倒比尺寸电阻的制作方法

本发明涉及集成电路，特别涉及一种并联倒比尺寸电阻。

背景技术：

1、作为一种常见的无源元件，电阻在模拟集成电路设计、数字集成电路设计技术领域应用广泛。电阻尺寸设计通常采用电阻的长度大于电阻的宽度(即l>w)，这严重限制了小阻值电阻的实现，特别是当电阻的长度远大于电阻的宽度(如l/w＝50/2)、电阻的方块阻值较大、电阻的方块阻值在不同工艺角下变化率较大时，这已经成为当前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种并联倒比尺寸电阻，以解决背景技术中的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种并联倒比尺寸电阻，包括倒比尺寸电阻r1和倒比尺寸电阻r2，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2在电学关系上并联；

3、所述倒比尺寸电阻r1和所述倒比尺寸电阻r2的功能均是分流。

4、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r1的长度l1小于所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1，即l1<w1。

5、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r2的长度l2小于所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2，即l2<w2。

6、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r1的长度l1等于所述倒比尺寸电阻r2的长度l2，即l1＝l2；所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1不等于所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2，即w1≠w2。

7、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2采用同种类型电阻，电阻类型包括n型多晶电阻、p型多晶电阻、n型注入电阻、p型注入电阻。

8、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2采用同种类型电阻，并且其方块阻值r□适当，而且不同电阻工艺角下方块阻值变化率较小。

9、在一种实施方式中，所述倒比尺寸电阻r1的阻值为r1＝l1/w1r□＝l/w1r□，所述倒比尺寸电阻r2的阻值为r2＝l2/w2r□＝l/w2r□，并联形成的所述并联倒比尺寸电阻r的阻值为r＝r1∥r2＝r1r2/(r1+r2)＝l/w1r□l/w2r□/(l/w1r□+l/w2r□)＝l/(w1+w2)r□。

10、在一种实施方式中，所述并联倒比尺寸电阻的阻值r能够根据需要选用电阻类型，或调整所述倒比尺寸电阻r1的长度l1、所述倒比尺寸电阻r2的长度l2，或调整所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1与所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2之和灵活设计。

11、在本发明提供的一种并联倒比尺寸电阻中，包括倒比尺寸电阻r1和倒比尺寸电阻r2，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2在电学关系上并联。本发明能够通过倒比尺寸电阻设计，实现可以灵活设计的小阻值电阻。

技术特征：

1.一种并联倒比尺寸电阻，其特征在于，包括倒比尺寸电阻r1和倒比尺寸电阻r2，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2在电学关系上并联；

2.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r1的长度l1小于所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1，即l1<w1。

3.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r2的长度l2小于所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2，即l2<w2。

4.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r1的长度l1等于所述倒比尺寸电阻r2的长度l2，即l1＝l2；所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1不等于所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2，即w1≠w2。

5.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2采用同种类型电阻，电阻类型包括n型多晶电阻、p型多晶电阻、n型注入电阻、p型注入电阻。

6.如权利要求5所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r1、所述倒比尺寸电阻r2采用同种类型电阻，并且其方块阻值r□适当，而且不同电阻工艺角下方块阻值变化率较小。

7.如权利要求6所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述倒比尺寸电阻r1的阻值为r1＝l1/w1r□＝l/w1r□，所述倒比尺寸电阻r2的阻值为r2＝l2/w2r□＝l/w2r□，并联形成的所述并联倒比尺寸电阻r的阻值为r＝r1∥r2＝r1r2/(r1+r2)＝l/w1r□l/w2r□/(l/w1r□+l/w2r□)＝l/(w1+w2)r□。

8.如权利要求1所述的并联倒比尺寸电阻，其特征在于，所述并联倒比尺寸电阻的阻值r能够根据需要选用电阻类型，或调整所述倒比尺寸电阻r1的长度l1、所述倒比尺寸电阻r2的长度l2，或调整所述倒比尺寸电阻r1的宽度w1与所述倒比尺寸电阻r2的宽度w2之和灵活设计。

技术总结
本发明公开一种并联倒比尺寸电阻，属于集成电路技术领域，包括倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;和倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;，所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;、所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;在电学关系上并联；所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;和所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;的功能均是分流。所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;的长度L<subgt;1</subgt;小于所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;的宽度W<subgt;1</subgt;，所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;的长度L<subgt;2</subgt;小于所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;的宽度W<subgt;2</subgt;，所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;的长度L<subgt;1</subgt;等于所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;的长度L<subgt;2</subgt;，即L<subgt;1</subgt;＝L<subgt;2</subgt;；所述倒比尺寸电阻R<subgt;1</subgt;的宽度W<subgt;1</subgt;不等于所述倒比尺寸电阻R<subgt;2</subgt;的宽度W<subgt;2</subgt;，即W<subgt;1</subgt;≠W<subgt;2</subgt;。本发明能够通过倒比尺寸电阻设计，实现可以灵活设计的小阻值电阻。

技术研发人员：于飞,林中瑀,钟道鸿
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十八研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13