电磁屏蔽方法及电子设备与流程

文档序号:34378822发布日期:2023-06-08 00:39阅读:41来源:国知局
电磁屏蔽方法及电子设备与流程

本发明涉及电磁干扰,尤其涉及一种电磁屏蔽方法及电子设备。


背景技术:

1、万物互联的时代,电子设备种类众多,无线通信技术飞速发展,电磁环境越来越复杂,电磁干扰的防护至关重要,包括多个芯片的电子设备内干扰较为明显,尤其是射频芯片,负责信号的发出与接收,对射频芯片的电磁屏蔽至关重要。

2、电子设备通常采用系统级封装,一个电子设备的封装体内部包括多个芯片,各芯片之间存在一定的电磁干扰。通常电磁屏蔽技术多为塑封完成后再开槽进行填充导电料完成多芯片之间的屏蔽,工艺复杂,成本较高,产能很低。

3、上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种电磁屏蔽方法及电子设备,旨在解决现有技术中多芯片之间的屏蔽,工艺复杂,成本较高,产能很低的技术问题。

2、为实现上述目的,本发明提出一种电磁屏蔽方法,所述电磁屏蔽方法包括:

3、所述电磁屏蔽方法包括:

4、将芯片正面向下安装于基板上;

5、在所述芯片的背面上覆盖设置导电层;

6、在所述导电层四周均悬垂设置一定数目的导电引线。

7、可选地,所述将芯片安装于基板上,所述芯片的正面与所述基板上表面相对设置的步骤包括:

8、在所述基板上选取所述芯片对应的安装位置;

9、将所述芯片正面向下安装于所述安装位置。

10、可选地,所述将所述芯片正面向下安装于所述安装位置的步骤包括:

11、在所述安装位置上设置多个安装焊球;

12、基于各所述安装焊球将所述芯片正面向下焊接于所述安装位置。

13、可选地,所述导电层为铝片、铜片或硅片。

14、可选地,所述在所述芯片的背面上设置导电层的步骤包括:

15、在所述芯片的背面上设置胶层;

16、将所述导电层设置在所述胶层上。

17、可选地,所述在所述芯片的背面上设置导电层的步骤包括:

18、在所述芯片的背面上设置金属焊料;

19、基于所述金属焊料将所述导电层焊接于所述芯片的背面上。

20、可选地,所述导电引线为铜线、铝线或金线。

21、可选地,所述在所述导电层四周均悬垂设置一定数目的导电引线的步骤之后,还包括:

22、在所述基板上确定各所述导电引线对应的连接点;

23、将所述导电引线连接至各自对应的所述连接点上。

24、此外,为实现上述目的,本发明还提供了一种电子设备,所述电子设备包括:

25、基板;

26、设置在所述基板上的多个芯片,各所述芯片的正面与所述基板上表面相对设置;

27、设置在所述芯片背面上的导电层,所述导电层覆盖所述芯片的背面;

28、悬垂设置在所述导电层四周且具有一定数目的导电引线。

29、可选地,所述芯片的背面与所述导电层之间设有胶层或金属焊料;

30、所述基板的上表面与所述芯片的正面之间设有多个安装焊球。

31、本发明提供了一种电磁屏蔽方法及电子设备,该方法包括:将芯片正面向下安装于基板上;在所述芯片的背面上覆盖设置导电层;在所述导电层四周均悬垂设置一定数目的导电引线。在本发明中通过直接利用导电层与四周的导电引线形成屏蔽结构对芯片进行屏蔽,从而并不需要在塑封完成后开槽填充对芯片进行屏蔽,实现了降低芯片屏蔽的工艺复杂程度和成本,有效的提高产能。



技术特征:

1.一种电磁屏蔽方法,其特征在于,所述电磁屏蔽方法包括:

2.如权利要求1所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述将芯片安装于基板上,所述芯片的正面与所述基板上表面相对设置的步骤包括:

3.如权利要求2所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述将所述芯片正面向下安装于所述安装位置的步骤包括:

4.如权利要求1所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述导电层为铝片、铜片或硅片。

5.如权利要求4所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述在所述芯片的背面上设置导电层的步骤包括:

6.如权利要求4所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述在所述芯片的背面上设置导电层的步骤包括:

7.如权利要求1所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述导电引线为铜线、铝线或金线。

8.如权利要求7所述的电磁屏蔽方法,其特征在于,所述在所述导电层四周均悬垂设置一定数目的导电引线的步骤之后,还包括:

9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:

10.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述芯片的背面与所述导电层之间设有胶层或金属焊料;


技术总结
本发明公开了一种电磁屏蔽方法及电子设备,该方法包括:将芯片正面向下安装于基板上;在所述芯片的背面上覆盖设置导电层;在所述导电层四周均悬垂设置一定数目的导电引线。在本发明中通过直接利用导电层与四周的导电引线形成屏蔽结构对芯片进行屏蔽,从而并不需要在塑封完成后开槽填充对芯片进行屏蔽,实现了降低芯片屏蔽的工艺复杂程度和成本,有效的提高产能。

技术研发人员:赵欣根,张超,王二磊,许超胜,孙铎,叶世芬
受保护的技术使用者:江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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