加热单元及包括其的基板处理装置的制作方法

本发明涉及加热单元及包括其的基板处理装置。更详细地，涉及能够用于半导体制造工艺的加热单元及包括其的基板处理装置。

背景技术：

1、半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为fab(fabrication plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。

2、前工艺是指在晶片(wafer)上形成电路图案以完成芯片(chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(deposition process)、利用光掩模(photo mask)将光刻胶(photo resist)转印到薄膜上的光刻工艺(photo lithography process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(etching process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(ashing process)、向与电路图案连接的部分注入离子以使其具有电子元件特性的离子注入工艺(ionimplantation process)、去除晶片上的污染源的清洗工艺(cleaning process)等。

3、后工艺是指对通过前工艺完成的产品的性能进行评价的工艺。后工艺可以包括检查晶片上的每个芯片是否工作以筛选优良品和不良品的一次检查工艺、通过切片(dicing)、贴片(die bonding)、焊线(wire bonding)、成型(molding)、标记(marking)等对每个芯片进行切割和分离以使其具有产品的形状的封装工艺(package process)、通过电特性检查、老化(burn in)检查等来对产品的特性和可靠性进行最终检查的最终检查工艺等。

技术实现思路

1、在光刻工艺中，可以使用烘烤腔室(bake chamber)以对基板进行热处理。此时，可以在烘烤腔室内利用升降销(lift pin)将基板安置在板(plate)上之后进行烘烤。

2、升降销可以通过设置在板的内部的多个衬套(bush)在垂直方向上移动，从而使基板安置在板上。然而，由于升降销的持续的升降(up and down)，在衬套的内部与升降销之间可能随时发生摩擦，由此可能生成微粒从而在基板的下部引起工艺不良。

3、本发明要解决的技术问题是提供能够利用形成于衬套的孔(hole)来去除微粒的加热单元及包括其的基板处理装置。

4、本发明的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。

5、用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一方面(aspect)包括：加热单元，包括加热板，并且加热基板；冷却单元，冷却所述基板；以及搬运单元，向所述加热单元或所述冷却单元移动所述基板，其中，所述加热板包括：第一板，为所述基板提供安置表面；以及第二板，布置在所述第一板的下部，并且在所述第二板的内部设置有加热器和衬套(bush)，以及所述衬套为升降销提供移动空间，所述升降销用于通过所述衬套的内部空间使所述基板升降，并且所述衬套包括从所述内部空间向外侧方向贯通形成的多个孔。

6、所述孔可以在相对于所述衬套的长度方向的垂直方向上形成，或者可以相对于所述衬套的长度方向倾斜形成。

7、所述孔可以形成在所述衬套的表面的一部分上。

8、所述内部空间可以包括：第一部分空间；以及第二部分空间，具有比所述第一部分空间的宽度小的宽度，且所述孔可以与所述第一部分空间连接。

9、所述升降销的端部可以在上升时首先通过所述第二部分空间，并且可以在下降时首先通过所述第一部分空间。

10、所述第二板可以包括形成在所述第二板的内部并且与所述孔连通的通道，且在所述内部空间产生的微粒可以通过与所述通道连接的抽吸部件被去除。

11、所述升降销可以包括：第一主体；以及第二主体，与所述第一主体连接，并且形成为具有比所述第一主体的宽度大的宽度。

12、在所述升降销插入到所述内部空间的情况下，所述第一主体可以布置在所述第二主体的上方。

13、所述第二主体的宽度可以与所述内部空间的第二部分空间的宽度相同。

14、所述第一主体的长度可以通过所述第一主体进出所述第二主体的内部而被调节。

15、所述第二主体的长度可以与所述内部空间的第二部分空间的长度相同。

16、所述第一板可以包括形成在所述第一板的表面上的槽，且所述衬套可以通过所述槽固定到所述第一板。

17、所述衬套可以包括：第一衬套，设置于所述第二板；以及第二衬套，与所述第一衬套紧固，并且通过所述槽固定到所述第一板。

18、所述第二板可以包括在高度方向上连续设置的多个衬套，且包括所述孔的衬套可以是在所述多个衬套中布置在最上方的衬套。

19、此外，用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的另一方面包括：加热单元，包括加热板，并且加热基板；冷却单元，冷却所述基板；以及搬运单元，向所述加热单元或所述冷却单元移动所述基板，其中，所述加热板包括：第一板，为所述基板提供安置表面；以及第二板，布置在所述第一板的下部，并且在所述第二板的内部设置有加热器和衬套(bush)，所述衬套为升降销提供移动空间，所述升降销用于通过所述衬套的内部空间使所述基板升降，并且所述衬套包括从所述内部空间向外侧方向贯通形成的多个孔，所述孔在相对于所述衬套的长度方向的垂直方向上形成，或者相对于所述衬套的长度方向倾斜形成，所述内部空间包括：第一部分空间；以及第二部分空间，具有比所述第一部分空间的宽度小的宽度，所述孔与所述第一部分空间连通，所述升降销包括：第一主体；以及第二主体，与所述第一主体连接，并且形成为具有比所述第一主体的宽度大的宽度，所述第二主体的宽度与所述内部空间的所述第二部分空间的宽度相同，以及所述第一板包括形成在所述第一板的表面上的槽，且所述衬套通过所述槽固定。

20、此外，用于解决上述技术问题的本发明的加热单元的一方面，设置于处理基板的装置，并且包括：加热板，包括向所述基板提供安置表面的主体部和设置在所述主体部的内部的加热器，并且加热所述基板；盖，覆盖所述加热板的上部；以及驱动器，使所述盖移动，其中，所述主体部包括：第一板，为所述基板提供安置表面；以及第二板，布置在所述第一板的下部，并且在所述第二板的内部设置有所述加热器和衬套(bush)，以及所述衬套为升降销提供移动空间，所述升降销用于通过所述衬套的内部空间使所述基板升降，并且所述衬套包括从所述内部空间向外侧方向贯通形成的多个孔。

21、其它实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。

技术特征：

1.一种基板处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述内部空间包括：

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述升降销包括：

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

11.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述衬套包括：

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

15.一种基板处理装置，包括：

16.一种加热单元，设置于处理基板的装置，并且包括：

17.根据权利要求16所述的加热单元，其中，

18.根据权利要求16所述的加热单元，其中，

19.根据权利要求18所述的加热单元，其中，所述内部空间包括：

20.根据权利要求16所述的加热单元，其中，

技术总结
本发明提供能够利用形成于衬套的孔来去除微粒的加热单元及包括其的基板处理装置。所述基板处理装置包括：加热单元，包括加热板，并且加热基板；冷却单元，冷却基板；以及搬运单元，向加热单元或冷却单元移动基板，其中，加热板包括：第一板，向基板提供安置表面；以及第二板，布置在第一板的下部，并且在第二板的内部设置有加热器和衬套，以及衬套向用于通过衬套的内部空间使基板升降的升降销提供移动空间，并且包括从内部空间向外侧方向贯通形成的多个孔。

技术研发人员：崔东旻,金慧智
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13