显示面板及显示面板的制备方法与流程

本发明涉及显示面板的制造，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术：

1、随着显示面板制备技术的发展，人们对显示面板的显示效果以及综合性能均提出了更高的要求。

2、在制备显示面板过程中，通常需要制备一阵列基板，并在阵列基板内形成多个薄膜晶体管。当显示面板正常工作时，不同的薄膜晶体管向显示面板提供对应的驱动控制信号，进而保证显示面板的正常工作。因此，阵列基板内薄膜晶体管性能的好坏，对显示性能有较大影响。现有技术中，在形成薄膜晶体管时，通常需要使用多道次不同的光罩与蚀刻工艺，而上述蚀刻工艺会对薄膜晶体管的氧化物半导体层造成蚀刻损伤，进而降低了薄膜晶体管内的驱动电流，降低了薄膜晶体管的性能，最终导致显示面板性能下降，不利于面板综合性能的进一步提高。

3、综上所述，在形成显示面板内的薄膜晶体时，在对各膜层进行蚀刻处理过程中，容易对氧化物半导体层造成蚀刻损伤，进而降低薄膜晶体管内的驱动电流，不利于显示面板综合性能的进一步提高。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以有效的改善制备显示面板的过程容易对氧化物半导体层造成损伤，并提高了薄膜晶体管的驱动电流的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，包括：

3、衬底；

4、源/漏金属层，设置于所述衬底上，所述源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，所述源极设置在相邻两所述漏极之间，或所述漏极设置在相邻两所述源极之间；

5、有源层，所述有源层设置在相邻的所述源极与所述漏极之间，并与所述源极以及所述漏极电性连接；以及，

6、栅极，所述栅极绝缘设置于所述源/漏金属层上。

7、根据本发明一实施例，所述源极包括第一源极与第二源极；

8、其中，所述第一源极、所述第二源极以及所述漏极同层设置，所述有源层设置在所述第一源极与所述漏极之间，且所述有源层设置在所述第二源极与所述漏极之间，并与所述第一源极、所述第二漏极以及所述漏极电性连接。

9、根据本发明一实施例，所述第一源极与所述漏极之间的间隔长度，与所述第二源极与所述漏极之间的间隔长度相同。

10、根据本发明一实施例，所述第一源极、所述第二源极以及所述漏极的厚度相同。

11、根据本发明一实施例，所述漏极的宽度小于所述第一源极以及所述第二源极的宽度，且所述第一源极与所述第二源极的宽度相同。

12、根据本发明一实施例，所述显示面板还包括钝化层以及像素电极；

13、其中，所述钝化层设置在所述栅极上，并覆盖部分所述源/漏金属层以及所述栅极，且所述像素电极通过对应的过孔与所述源极或所述漏极电性连接。

14、根据本发明一实施例，所述漏极包括第一漏极以及第二漏极；

15、其中，所述源极设置在所述第一漏极与所述第二漏极之间，且所述有源层对应设置在所述第一漏极与所述源极之间，且所述有源层对应设置在所述第二漏极与所述源极之间。

16、根据本发明一实施例，所述有源层位于所述栅极在所述衬底上的正投影内。

17、根据本发明一实施例，所述第一漏极与所述第二漏极的长度相同，且均大于所述源极的长度。

18、根据本发明实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

19、提供一衬底，在所述衬底上沉积源/漏金属层，并对所述源/漏金属层图案化处理；

20、在所述衬底上沉积有源层，并将所述有源层沉积在所述源/漏金属层之间对应位置处；

21、在所述源极金属层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积栅极，并对所述栅极绝缘层以及所述栅极图案化处理；

22、沉积一钝化层，并在所述钝化层上蚀刻形成过孔；

23、在所述钝化层上沉积一像素电极，其中，所述像素电极通过过孔与所述源/漏金属层电性连接。

24、本发明实施例的有益效果：相比现有技术，本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、源/漏金属层、栅极以及有源层，其中，该源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，源极设置在相邻两漏极之间，或漏极设置在相邻两源极之间，且该有源层对应设置在源极与漏极之间，并与源极与漏极电性连接。本申请实施例中，通过直接在衬底上制备图案化的源/漏金属层，同时将有源层设置在相邻的源极与漏极之间，并通过像素电极将两侧的源极或漏极串联，形成双薄膜晶体管结构，进而有效的提高了薄膜晶体管内的驱动电流，同时，由于该有源层与源/漏金属层同层设置，且有源层对应设置在源/漏金属层的图案化结构之间对应位置处，进而减少了在制备过程中对有源层的蚀刻，并有效的提高了显示面板的综合性能。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述源极包括第一源极与第二源极；

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一源极与所述漏极之间的间隔长度，与所述第二源极与所述漏极之间的间隔长度相同。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一源极、所述第二源极以及所述漏极的厚度相同。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述漏极的宽度小于所述第一源极以及所述第二源极的宽度，且所述第一源极与所述第二源极的宽度相同。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括钝化层以及像素电极；

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述漏极包括第一漏极以及第二漏极；

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述有源层位于所述栅极在所述衬底上的正投影内。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一漏极与所述第二漏极的长度相同，且均大于所述源极的长度。

10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

技术总结
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、源/漏金属层、栅极以及有源层，其中，该源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，源极设置在相邻两漏极之间，或漏极设置在相邻两源极之间，且该有源层对应设置在源极与漏极之间，并与源极与漏极电性连接。通过直接在衬底上制备图案化的源/漏金属层，并将有源层设置在相邻的源极与漏极之间，进而有效的改进显示面板的制备工艺，并提高薄膜晶体管内的驱动电流及综合性能。

技术研发人员：弓程
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12