介质体及介质滤波器的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种介质体及具有该介质体的介质滤波器。


背景技术：

2.目前，介质滤波器难以在不增加制造难度的情况下同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点的特点，影响滤波器的性能及应用。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于提供一种介质体及介质滤波器，以改善相关技术中介质滤波器难以在不增加制造难度的情况下同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点的技术问题。
4.为实现上述目的，本技术的一方面提供了一种介质体，所述介质体包括：第一双模介质；第一单模介质；以及第一交叉耦合结构，所述第一交叉耦合结构连接于所述第一双模介质和所述第一单模介质，用于供所述第一双模介质与所述第一单模介质进行交叉耦合；其中，所述第一双模介质、所述第一单模介质以及所述第一交叉耦合结构为一体式结构。
5.在一个实施例中，所述第一交叉耦合结构包括：第一耦合介质，所述第一耦合介质连接于所述第一双模介质和所述第一单模介质，用于供所述第一双模介质与所述第一单模介质进行耦合；以及第一耦合结构，所述第一耦合结构设置于所述第一双模介质或所述第一单模介质上，用于供所述第一双模介质与所述第一单模介质进行耦合。
6.在一个实施例中，所述第一耦合结构为耦合槽。
7.在一个实施例中，所述第一耦合结构开设于所述第一双模介质上靠近于所述第一单模介质的一侧；所述第一耦合结构位于所述第一耦合介质的一侧。
8.在一个实施例中，所述第一双模介质为正方体结构。
9.在一个实施例中，所述第一单模介质为长方体结构。
10.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一耦合部，用于供所述第一双模介质的两谐振模式进行耦合。
11.在一个实施例中，所述第一双模介质上开设有第一孔和第二孔，所述第一孔和所述第二孔不位于所述第一双模介质的同一侧，所述第一孔用于调节所述第一双模介质的其中一谐振模式的谐振频率，所述第二孔用于调节所述第一双模介质的另一谐振模式的谐振频率。
12.在一个实施例中，所述第一单模介质上开设有第一频率调节孔。
13.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一连接端，所述第一单模介质上设有第二连接端；所述第一连接端和所述第二连接端中的一者为输入端，另一者为输出端。
14.在一个实施例中，所述介质体包括：第二双模介质；以及第二交叉耦合结构，所述第二交叉耦合结构连接于所述第二双模介质和所述第一单模介质，用于供所述第二双模介质与所述第一单模介质进行交叉耦合。
15.在一个实施例中，所述第一双模介质、所述第一单模介质、所述第一交叉耦合结构、所述第二双模介质以及所述第二交叉耦合结构为一体式结构。
16.在一个实施例中，所述第二双模介质为正方体结构。
17.在一个实施例中，所述第二交叉耦合结构包括：第二耦合介质，所述第二耦合介质连接于所述第二双模介质和所述第一单模介质，用于供所述第二双模介质与所述第一单模介质进行耦合；以及第二耦合结构，所述第二耦合结构设置于所述第二双模介质或所述第一单模介质上，用于供所述第二双模介质与所述第一单模介质进行耦合。
18.在一个实施例中，所述第二耦合结构为耦合槽。
19.在一个实施例中，所述第二耦合结构开设于所述第二双模介质上靠近于所述第一单模介质的一侧；所述第二耦合结构位于所述第二耦合介质的一侧。
20.在一个实施例中，所述第二双模介质上设有第二耦合部，用于供所述第二双模介质的两谐振模式进行耦合。
21.在一个实施例中，所述第二双模介质上开设有第三孔和第四孔，所述第三孔和所述第四孔不位于所述第二双模介质的同一侧，所述第三孔用于调节所述第二双模介质的其中一谐振模式的谐振频率，所述第四孔用于调节所述第二双模介质的另一谐振模式的谐振频率。
22.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一耦合部，用于供所述第一双模介质的两谐振模式进行耦合；所述第二双模介质上设有第二耦合部，用于供所述第二双模介质的两谐振模式进行耦合；其中，所述第一双模介质的两谐振模式之间的耦合极性与所述第二双模介质的两谐振模式之间的耦合极性相反。
23.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一连接端，所述第二双模介质上设有第二连接端；所述第一连接端和所述第二连接端中的一者为输入端，另一者为输出端。
24.在一个实施例中，所述介质体包括：第二单模介质；耦合介质，所述耦合介质连接于所述第二单模介质和所述第一单模介质，用于供所述第二单模介质与所述第一单模介质进行耦合；第二双模介质；以及第二交叉耦合结构，所述第二交叉耦合结构连接于所述第二双模介质和所述第二单模介质，用于供所述第二双模介质与所述第二单模介质进行交叉耦合。
25.在一个实施例中，所述第一单模介质、所述第二单模介质以及所述耦合介质为一体式结构；和/或，所述第二单模介质、所述第二双模介质以及所述第二交叉耦合结构为一体式结构。
26.在一个实施例中，所述第二双模介质为正方体结构。
27.在一个实施例中，所述第二单模介质为长方体结构。
28.在一个实施例中，所述第二交叉耦合结构包括：第二耦合介质，所述第二耦合介质连接于所述第二双模介质和所述第二单模介质，用于供所述第二双模介质与所述第二单模介质进行耦合；以及第二耦合结构，所述第二耦合结构设置于所述第二双模介质或所述第二单模介质上，用于供所述第二双模介质与所述第二单模介质进行耦合。
29.在一个实施例中，所述第二耦合结构为耦合槽。
30.在一个实施例中，所述第二耦合结构开设于所述第二双模介质上靠近于所述第二单模介质的一侧；所述第二耦合结构位于所述第二耦合介质的一侧。
31.在一个实施例中，所述第二双模介质上设有第二耦合部，用于供所述第二双模介质的两谐振模式进行耦合。
32.在一个实施例中，所述第二双模介质上开设有第三孔和第四孔，所述第三孔和所述第四孔不位于所述第二双模介质的同一侧，所述第三孔用于调节所述第二双模介质的其中一谐振模式的谐振频率，所述第四孔用于调节所述第二双模介质的另一谐振模式的谐振频率。
33.在一个实施例中，所述第二单模介质上开设有第二频率调节孔。
34.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一耦合部，用于供所述第一双模介质的两谐振模式进行耦合；所述第二双模介质上设有第二耦合部，用于供所述第二双模介质的两谐振模式进行耦合；其中，所述第一双模介质的两谐振模式之间的耦合极性与所述第二双模介质的两谐振模式之间的耦合极性相反。
35.在一个实施例中，所述第一双模介质上设有第一连接端，所述第二双模介质上设有第二连接端；所述第一连接端和所述第二连接端中的一者为输入端，另一者为输出端。
36.本技术的另一方面提供了一种介质滤波器，所述介质滤波器包括：上述任一实施例所述的介质体；以及金属层，所述金属层包覆于所述介质体的外表面。
37.本技术实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
38.本技术实施例提供的介质体，通过设置第一双模介质、第一单模介质以及第一交叉耦合结构，第一交叉耦合结构连接于第一双模介质和第一单模介质，用于供第一双模介质与第一单模介质进行交叉耦合，因此第一双模介质的两谐振模式与第一单模介质的谐振模式能够两两相互耦合，利于采用本技术实施例提供的介质体的介质滤波器产生传输零点，进而提高介质滤波器的抑制性能；且第一双模介质与第一单模介质进行交叉耦合的方式，不仅相比于每一介质腔对应一个频率点的方式而言可减小介质体的尺寸，进而利于减小采用本技术实施例提供的介质体的介质滤波器的尺寸，而且第一单模介质由于与第一双模介质交叉耦合而能够推远谐波，以改善谐波离通带较近的问题，利于使采用本技术实施例提供的介质体的介质滤波器的二次谐波距离通带较远；同时，通过设置第一双模介质、第一单模介质以及第一交叉耦合结构为一体式结构，即可通过一体成型的方式制造介质体，生产制造难度较低，一致性较好，利于提高采用本技术实施例提供的介质体的介质滤波器的稳定性和可靠性。因此，本技术实施例提供的介质体，可在不增加制造难度的情况下使采用本技术实施例提供的介质体的介质滤波器同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点。
附图说明
39.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
40.图1为本技术实施例提供的介质体的结构示意图；
41.图2为本技术另一实施例提供的介质体的结构示意图；
42.图3为本技术又一实施例提供的介质体的结构示意图；
43.图4为图3中的介质体的主视结构示意图；
44.图5为本技术实施例提供的介质滤波器(采用图3中的介质体)的结构示意图；
45.图6为图5中的介质滤波器的幅频特性曲线图。
46.其中，图中各附图标记：
47.100、介质体；10、第一双模介质；20、第一单模介质；30、第一交叉耦合结构；31、第一耦合介质；32、第一耦合结构；101、第一耦合部；102、第一孔；103、第二孔；201、第一频率调节孔；111、第一连接端；112、第二连接端；40、第二双模介质；50、第二交叉耦合结构；51、第二耦合介质；52、第二耦合结构；401、第二耦合部；402、第三孔；403、第四孔；60、第二单模介质；70、耦合介质；601、第二频率调节孔；
48.1000、介质滤波器；200、金属层。
具体实施方式
49.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
50.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
51.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
52.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
53.随着无线通信技术的不断发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积、重量、覆盖面积要求越来越高，因此滤波器的小型化、轻量化是未来的应用趋势。
54.在实现本技术技术方案的创造过程中，发明人发现，目前介质波导滤波器通常采用同轴腔实现，每一介质腔对应一个频率点，但缺陷是尺寸较大。而介质双模波导滤波器由于具有两个谐振模式，因此一个双模介质即相当于两个单模介质，能大幅降低滤波器的体积与重量，但是介质双模波导滤波器的二次谐波距离通带较近，且这属于固有性质，不可消除，影响滤波器的性能。并且，介质波导滤波器和介质双模波导滤波器均难以实现传输零点，导致滤波器的抑制性能不够理想。
55.为解决上述问题，发明人曾试验将两个双模介质谐振器进行拼接并进行耦合以实现传输零点的方案，但是发现，不仅二次谐波距离通带较近，且将两个双模介质谐振器进行
拼接时，两个双模介质谐振器的金属层上需分别开设相适配的耦合窗口(例如通孔)，且需采用焊接或其他连接方式将两个双模介质谐振器相精确对接，制造工艺较为复杂，精度要求极高，否则将影响最终产品的性能，且由于需要采用拼接的方式将两个单独的双模介质谐振器相连接，导致最终产品的一致性较差。
56.基于此，为改善相关技术中介质滤波器难以在不增加制造难度的情况下同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点的技术问题，发明人提出了以下方案。
57.请参阅图1，本技术实施例提供了一种介质体100，应用于介质滤波器上。介质体100包括第一双模介质10、第一单模介质20以及第一交叉耦合结构30，其中：
58.第一双模介质10即具有两个谐振模式的双模介质结构，第一双模介质10的两谐振模式可以为正交的两个谐振模式，例如为正交的两个简并模，但不限于此。第一双模介质10可以是具有两谐振模式的各种形状的介质结构，例如可以大致呈正方体形状或长方体形状，当然也可以是呈其他形状的结构，在此不作唯一限定。
59.第一单模介质20即具有一个谐振模式的单模介质结构。
60.第一交叉耦合结构30连接于第一双模介质10和第一单模介质20，用于供第一双模介质10与第一单模介质20进行交叉耦合。其中，第一双模介质10与第一单模介质20进行交叉耦合，即第一双模介质10的两个谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间两两相互耦合；也即，第一双模介质10的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间进行耦合，第一双模介质10的另一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间进行耦合，第一双模介质10的两谐振模式之间进行耦合。耦合可以理解为谐振模式之间的电磁能量传递或交换。第一交叉耦合结构30可以是各种可供第一双模介质10与第一单模介质20进行交叉耦合的结构，例如可以包括块状结构、片状结构、板状结构等，也可以在包括块状结构、片状结构或板状结构的同时包括耦合槽、耦合面等，但不限于此。
61.其中，第一双模介质10、第一单模介质20以及第一交叉耦合结构30为一体式结构，也即第一双模介质10、第一单模介质20以及第一交叉耦合结构30一体成型设置。可以理解，可以采用现有的各种制造介质滤波器的介质本体的方式一体成型制造介质体100，例如可在具有介质体100的形状的模具中将介质材料进行压制成型，再进行烧结获得介质体100，但不限于此。介质体100的材料可以采用现有的各种介质滤波器所采用的材料，在此不作唯一限定。
62.本技术实施例提供的介质体100，通过设置第一双模介质10、第一单模介质20以及第一交叉耦合结构30，第一交叉耦合结构30连接于第一双模介质10和第一单模介质20，用于供第一双模介质10与第一单模介质20进行交叉耦合，因此第一双模介质10的两谐振模式与第一单模介质20的谐振模式能够两两相互耦合，利于采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器产生传输零点，进而提高介质滤波器的带外抑制性能；且第一双模介质10与第一单模介质20进行交叉耦合的方式，不仅相比于每一介质腔对应一个频率点的方式而言可减小介质体100的尺寸，进而利于减小采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的尺寸，而且第一单模介质20由于与第一双模介质10交叉耦合而能够推远谐波，利于使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的二次谐波距离通带较远，提高介质滤波器的性能；同时，通过设置第一双模介质10、第一单模介质20以及第一交叉耦合结构30为
一体式结构，即可通过一体成型的方式制造介质体100，生产制造难度较低，一致性较好，利于提高采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的稳定性和可靠性；而发明人原先试验的通过两个双模介质谐振器进行拼接的方式，由于需在双模介质谐振器的金属层上开设耦合窗口，通过耦合窗口进行耦合，且其对耦合窗口的形状有较高要求，因此两个双模介质谐振器难以通过一体成型的方式进行制造。
63.由以上可知，本技术实施例提供的介质体100，可在不增加制造难度的情况下使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点，可有效提高介质滤波器的性能。
64.在一个实施例中，请参阅图1，第一交叉耦合结构30包括第一耦合介质31和第一耦合结构32，第一耦合介质31连接于第一双模介质10和第一单模介质20，用于供第一双模介质10与第一单模介质20进行耦合。可以理解，第一耦合介质31即用于供第一双模介质10与第一单模介质20进行耦合的介质结构；第一耦合介质31可以是各种形状的介质结构，例如块状结构、条状结构、板状结构等，但不限于此。由于第一交叉耦合结构30与第一双模介质10及第一单模介质20为一体式结构，因此第一耦合介质31与第一双模介质10及第一单模介质20为一体式结构。第一耦合结构32设置于第一双模介质10或第一单模介质20上，用于供第一双模介质10与第一单模介质20进行耦合。第一耦合结构32可以是耦合槽、耦合切角、耦合切边、耦合孔等结构，但不限于此。
65.如此设置，由于第一交叉耦合结构30包括连接于第一双模介质10和第一单模介质20的第一耦合介质31，以及包括设置于第一双模介质10或第一单模介质20上的第一耦合结构32，因此第一双模介质10的其中一谐振模式可通过第一耦合介质31与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，第一双模介质10的另一谐振模式可通过第一耦合结构32与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，从而利于第一双模介质10的两谐振模式分别通过一耦合通道与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合的效果，更利于采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器在通带的一侧产生传输零点。
66.可以理解，第一耦合介质31的数量可以是一个或多个，第一耦合结构32的数量可以是一个或多个，具体可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
67.需要说明的是，第一交叉耦合结构30的结构不限于此。
68.可选地，在其他一些实施方式中，第一交叉耦合结构30也可以不具有第一耦合结构32。例如，第一交叉耦合结构30可以为第一耦合介质31，第一双模介质10的两谐振模式可均通过第一耦合介质31与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，即第一双模介质10的两谐振模式可通过同一耦合通道与第一单模介质20的谐振模式进行耦合。
69.可选地，在其他一些实施方式中，第一交叉耦合结构30也可以不具有第一耦合介质31。例如，第一交叉耦合结构30可以为第一耦合结构32，第一双模介质10的两谐振模式可均通过第一耦合结构32与第一单模介质20的谐振模式进行耦合。此种情况下，第一双模介质10和第一单模介质20可以直接相连。
70.可选地，在一个实施例中，请参阅图1，第一耦合结构32为耦合槽。
71.如此设置，由于第一耦合结构32为耦合槽，可以直接在第一双模介质10或第一单模介质20上开设即可，利于加工制造。而且，通过改变耦合槽所占第一双模介质10或第一单模介质20的体积，可改变第一双模介质10的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式
之间的耦合强度(耦合强度也可以理解为耦合量或耦合大小)。例如，可通过改变耦合槽的长度、宽度和深度中的至少一个而改变第一双模介质10的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间的耦合强度，更利于第一双模介质10的一谐振模式通过耦合槽与第一单模介质20的谐振模式进行耦合。
72.需要说明的是，第一耦合结构32的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第一耦合结构32还可以为切角结构、切边结构、孔结构等，例如可以在第一双模介质10或第一单模介质20的棱角或边缘处设置切角结构或切边结构。
73.在一个实施例中，请参阅图1，第一耦合结构32开设于第一双模介质10上靠近于第一单模介质20的一侧。第一耦合结构32位于第一耦合介质31的一侧。可选地，第一耦合结构32可以与第一耦合介质31相邻。
74.如此设置，由于第一耦合结构32开设于第一双模介质10上靠近于第一单模介质20的一侧并位于第一耦合介质31的一侧，因此第一耦合结构32与第一耦合介质31的距离较近，利于第一双模介质10的两谐振模式分别通过第一耦合结构32和第一耦合介质31与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合效果。
75.当然，第一耦合结构32的位置设置不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第一耦合结构32与第一耦合介质31也可以具有一定距离，只要能够供第一双模介质10的其中一谐振模式通过第一耦合结构32与第一单模介质20的谐振模式进行耦合即可。
76.可选地，第一耦合结构32可以设置于第一双模介质10的侧边(侧边即第一双模介质10的一侧边缘)，更利于第一双模介质10与第一单模介质20进行耦合。而且，相对于第一耦合结构32设置于靠内侧而言，第一耦合结构32设置于第一双模介质10的侧边更利于加工成型，且对第一双模介质10的结构强度影响较小，在受外力作用时不易损坏，可靠性更高。
77.在一个实施例中，请参阅图1，第一双模介质10上设有第一耦合部101，用于供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合。可以理解，第一耦合部101可以是各种可供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合的结构，例如可以是耦合槽、耦合切角、耦合切边、耦合孔等，但不限于此。可以理解，第一耦合部101的数量可以是一个或多个，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
78.如此设置，由于第一双模介质10上设有供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合的第一耦合部101，不仅利于第一双模介质10的两谐振模式之间进行耦合，而且通过改变第一耦合部101在第一双模介质10上的位置，即可改变第一双模介质10的两谐振模式的电场方向，以利于改变第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性(即第一双模介质10的两个谐振模式之间为正耦合或负耦合，耦合极性为正即为正耦合，耦合极性为负即为负耦合)，进而利于改变传输零点的位置(即使传输零点在介质滤波器的通带的左侧或右侧)，便于控制传输零点的位置。
79.可选地，第一耦合部101可以设置于第一双模介质10的侧边(侧边即第一双模介质10的一侧边缘)，更利于第一双模介质10的两谐振模式进行耦合。
80.可选地，请参阅图1，第一耦合部101可以为设置于第一双模介质10的棱角或边缘处的耦合槽，不仅便于加工制造，而且通过改变耦合槽所占第一双模介质10的体积即可改变第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合强度。例如，可通过改变耦合槽的长度、宽度和深度中的至少一个而改变第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合强度(耦合强度也可以
理解为耦合量或耦合大小)，即可改变第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合系数。
81.在一个实施例中，请参阅图1，第一双模介质10上开设有第一孔102和第二孔103，第一孔102和第二孔103不位于第一双模介质10的同一侧(例如可以分别位于第一双模介质10的相邻两侧；当然，在第一双模介质10为不规则形状的结构时，第一孔102和第二孔103也可以位于第一双模介质10的相对两侧，例如第一双模介质10的周侧面具有弧面或五个及以上的平面，但不限于此)，第一孔102用于调节第一双模介质10的其中一谐振模式的谐振频率，第二孔103用于调节第一双模介质10的另一谐振模式的谐振频率。可以理解，第一孔102的数量可以是一个或多个，第二孔103的数量也可以是一个或多个，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
82.如此设置，通过第一孔102和第二孔103，能够分别调节第一双模介质10的两谐振模式的谐振频率。
83.可选地，请参阅图1，第一孔102和第二孔103可以为圆孔；当然，第一孔102和第二孔103还可以是多边形孔，但不限于此，也可以是其他形状规则或不规则的孔。
84.可选地，在一个实施例中，请参阅图1，第一双模介质10具有相邻的第一外表面和第二外表面，第一孔102开设于第一外表面上，第二孔103开设于第二外表面上。
85.可选地，请参阅图1，第一孔102和第二孔103均可以为盲孔。
86.在一个实施例中，请参阅图1，第一单模介质20上开设有第一频率调节孔201，以便于调节第一单模介质20的谐振模式的谐振频率。可选地，第一频率调节孔201可以开设于第一单模介质20的任意一个表面上，只要能够调节第一单模介质20的谐振模式的谐振频率的位置均可。
87.可选地，请参阅图1，第一频率调节孔201可以为盲孔。可选地，第一频率调节孔201可以为圆孔；当然，第一频率调节孔201还可以是多边形孔，但不限于此，也可以是其他形状规则或不规则的孔。
88.可选地，在一个实施例中，请参阅图1，第一频率调节孔201的深度可以大于或等于第一单模介质20的深度的四分之一；其中，第一单模介质20的深度方向与第一频率调节孔201的深度方向相同。
89.如此设置，由于第一频率调节孔201的深度大于或等于第一单模介质20的深度的四分之一，可以有效的推远谐波，使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的二次谐波距离通带较远，利于提高介质滤波器的性能。
90.需要说明的是，第一频率调节孔201的深度不限于此，还可以是能够调节第一单模介质20的谐振模式的谐振频率的其他深度。
91.可选地，请参阅图1，第一频率调节孔201可以横向设置，例如第一频率调节孔201的轴线方向可以垂直于第一单模介质20的高度方向，更利于调节第一单模介质20的谐振模式的谐振频率。
92.当然，在其他一些实施方式中，第一频率调节孔201也可以纵向设置，例如第一频率调节孔201的轴线方向可以平行于第一单模介质20的高度方向。在其他一些实施方式中，第一频率调节孔201也可以沿其他任一方向设置。
93.在一个实施例中，请参阅图1，第一双模介质10上设有第一连接端111，第一单模介质20上设有第二连接端112。第一连接端111和第二连接端112中的一者为输入端，第一连接
端111和第二连接端112中的另一者为输出端。可选地，第一连接端111可以为开设于第一双模介质10上的孔结构；当然，在其他一些实施方式中，第一连接端111也可以为凸出结构。可选地，第二连接端112可以为开设于第一单模介质20上的孔结构；当然，在其他一些实施方式中，第二连接端112也可以为凸出结构。
94.如此设置，便于信号从第一连接端111和第二连接端112中的一者输入，在经介质体100之后从第一连接端111和第二连接端112中的另一者输出。
95.需要说明的是，在其他一些实施方式中，第一双模介质10上也可以不设置第一连接端111，第一单模介质20上也可以不设置第二连接端112。例如，第一双模介质10还可以连接其他单模或多模介质(在第一双模介质10连接其他单模或多模介质时，第一双模介质10与其他单模或多模介质可以为一体式结构或分体而相连接的结构)，以利于信号在第一双模介质10与其他单模或多模介质之间进行传导；第一单模介质20也可以连接其他单模或多模介质(在第一单模介质20连接其他单模或多模介质时，第一单模介质20与其他单模或多模介质可以为一体式结构或分体而相连接的结构)，以利于信号在第一单模介质20与其他单模或多模介质之间进行传导。
96.在另一个实施例中，请参阅图2，介质体100还包括第二双模介质40和第二交叉耦合结构50，其中：
97.第二双模介质40即具有两个谐振模式的双模介质结构，第二双模介质40的两谐振模式可以为正交的两个谐振模式，例如为正交的两个简并模，但不限于此。第二双模介质40可以是具有两谐振模式的各种形状的介质结构，例如可以大致呈正方体形状或长方体形状，当然也可以是呈其他形状的结构，在此不作唯一限定。可以理解，第二双模介质40的结构可以与第一双模介质10的结构相同或不相同。
98.第二交叉耦合结构50连接于第二双模介质40和第一单模介质20，用于供第二双模介质40与第一单模介质20进行交叉耦合。其中，第二双模介质40与第一单模介质20进行交叉耦合，也即第二双模介质40的两个谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间两两相互耦合，也即，第二双模介质40的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间进行耦合，第二双模介质40的另一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间进行耦合，第二双模介质40的两谐振模式之间也进行耦合。第二交叉耦合结构50可以是各种可供第二双模介质40与第一单模介质20进行交叉耦合的结构，例如可以包括块状结构、片状结构、板状结构等，也可以在包括块状结构、片状结构或板状结构的同时包括耦合槽、耦合面等，但不限于此。可以理解，第二交叉耦合结构50的结构可以与第一交叉耦合结构30的结构相同或不相同。
99.如此设置，由于第二双模介质40通过第二交叉耦合结构50连接于第一单模介质20，并与第一单模介质20交叉耦合，因此不仅第一双模介质10的两谐振模式与第一单模介质20的谐振模式能够两两相互耦合，且第二双模介质40的两谐振模式与第一单模介质20的谐振模式也能够两两相互耦合，利于采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器产生两个传输零点，可进一步提高介质滤波器的带外抑制性能。而且，通过两个双模介质与单模介质相配合形成的介质体100，可在具有较小体积的情况下具有更好的抑制性能，利于提高采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的性能。
100.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第一双模介质10、第一单模介质20、第一交
叉耦合结构30、第二双模介质40以及第二交叉耦合结构50为一体式结构。
101.如此设置，即可通过一体成型的方式制造介质体100，生产制造难度较低，一致性较好，利于提高采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的稳定性和可靠性。可在不增加制造难度的情况下使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有两个传输零点，可进一步提高介质滤波器的性能。
102.需要说明的是，在其他一些实施方式中，第二交叉耦合结构50与第一单模介质20也可以采用拼接的方式相连接。
103.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第二交叉耦合结构50包括第二耦合介质51和第二耦合结构52，第二耦合介质51连接于第二双模介质40和第一单模介质20，用于供第二双模介质40与第一单模介质20进行耦合。第二耦合结构52设置于第二双模介质40或第一单模介质20上，用于供第二双模介质40与第一单模介质20进行耦合。可以理解，第二耦合介质51即用于供第二耦合介质51与第一单模介质20进行耦合的介质结构；第二耦合介质51可以是各种形状的介质结构，例如块状结构、条状结构、片状结构等，但不限于此。第二耦合结构52设置于第二双模介质40或第一单模介质20上，用于供第二双模介质40与第一单模介质20进行耦合。第二耦合结构52可以是耦合槽、耦合切角、耦合切边、耦合孔等结构，但不限于此。
104.如此设置，第二双模介质40的其中一谐振模式可通过第二耦合介质51与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，第二双模介质40的另一谐振模式可通过第二耦合结构52与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，从而利于第二双模介质40的两谐振模式分别通过一耦合通道与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合的效果，更利于采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器在通带的一侧产生传输零点。
105.可以理解，第二耦合介质51的结构可以与第一耦合介质31的结构相同或不相同。第二耦合结构52的结构可以与第一耦合结构32的结构相同或不相同。
106.可以理解，在第二交叉耦合结构50与第二双模介质40及第一单模介质20为一体式结构时，第二耦合介质51与第二双模介质40及第一单模介质20也为一体式结构。
107.需要说明的是，第二交叉耦合结构50的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第二交叉耦合结构50也可以不具有第二耦合结构52。例如，第二交叉耦合结构50可以为第二耦合介质51，第二双模介质40的两谐振模式可均通过第二耦合介质51与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，即第二双模介质40的两谐振模式可通过同一耦合通道与第一单模介质20的谐振模式进行耦合。
108.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第二耦合结构52为耦合槽。
109.如此设置，由于第二耦合结构52为耦合槽，可以直接在第二双模介质40或第一单模介质20上开设即可，利于加工制造。而且，通过改变耦合槽所占第二双模介质40或第一单模介质20的体积，可改变第二双模介质40的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间的耦合强度(耦合强度也可以理解为耦合量或耦合大小)。例如，可通过改变耦合槽的长度、宽度和深度中的至少一个而改变第二双模介质40的其中一谐振模式与第一单模介质20的谐振模式之间的耦合强度，更利于第二双模介质40的一谐振模式通过耦合槽与第一单模介质20的谐振模式进行耦合。
110.需要说明的是，第二耦合结构52的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第二耦合结构52还可以为切角结构、切边结构、孔结构等，例如可以在第二双模介质40或第一单模介质20的棱角或边缘处设置切角结构或切边结构。
111.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第二耦合结构52开设于第二双模介质40上靠近于第一单模介质20的一侧；第二耦合结构52位于第二耦合介质51的一侧。可选地，第二耦合结构52可以与第二耦合介质51相邻。
112.如此设置，由于第二耦合结构52开设于第二双模介质40上靠近于第一单模介质20的一侧并位于第二耦合介质51的一侧，因此第二耦合结构52与第二耦合介质51的距离较近，利于第二双模介质40的两谐振模式分别通过第二耦合结构52和第二耦合介质51与第一单模介质20的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合效果。
113.当然，第二耦合结构52的位置设置不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第二耦合结构52与第二耦合介质51也可以具有一定距离，只要能够供第二双模介质40的其中一谐振模式通过第二耦合结构52与第一单模介质20的谐振模式进行耦合即可。
114.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第二双模介质40上设有第二耦合部401，用于供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合。可以理解，第二耦合部401可以是各种可供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合的结构，例如可以是耦合槽、耦合切角、耦合切边、耦合孔等，但不限于此。可以理解，第二耦合部401的数量可以是一个或多个，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
115.如此设置，由于第二双模介质40上设有供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合的第二耦合部401，不仅利于第二双模介质40的两谐振模式之间进行耦合，而且通过改变第二耦合部401在第二双模介质40上的位置，即可改变第二双模介质40的两谐振模式的电场方向，以利于改变第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性(即第二双模介质40的两个谐振模式之间为正耦合或负耦合，耦合极性为正即为正耦合，耦合极性为负即为负耦合)，进而利于改变传输零点的位置，便于控制传输零点的位置。
116.可选地，第二耦合部401可以设置于第二双模介质40的侧边(侧边即第二双模介质40的一侧边缘)，更利于第二双模介质40的两谐振模式进行耦合。
117.可选地，请参阅图2，第二耦合部401可以为设置于第二双模介质40的棱角或边缘处的耦合槽，不仅便于加工制造，而且通过改变耦合槽所占第二双模介质40的体积即可改变第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合强度。例如，可通过改变耦合槽的长度、宽度和深度中的至少一个而改变第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合强度(耦合强度也可以理解为耦合量或耦合大小)，即可改变第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合系数。
118.在一个实施例中，请参阅图2，第二双模介质40上开设有第三孔402和第四孔403，第三孔402和第四孔403不位于第二双模介质40的同一侧(例如可以分别位于第二双模介质40的相邻两侧或相对两侧)，第三孔402用于调节第二双模介质40的其中一谐振模式的谐振频率，第四孔403用于调节第二双模介质40的另一谐振模式的谐振频率。可以理解，第三孔402的数量可以是一个或多个，第四孔403的数量也可以是一个或多个，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
119.如此设置，通过第三孔402和第四孔403，能够分别调节第二双模介质40的两谐振模式的谐振频率。
120.可选地，请参阅图2，第三孔402和第四孔403可以为圆孔；当然，第三孔402和第四孔403还可以是多边形孔，但不限于此，也可以是其他形状规则或不规则的孔。
121.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第二双模介质40具有相邻的第三外表面和第四外表面，第三孔402开设于第三外表面上，第四孔403开设于第四外表面上。可选地，第三孔402和第四孔403均可以为盲孔。
122.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第一双模介质10上设有第一耦合部101，用于供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合。第二双模介质40上设有第二耦合部401，用于供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合。其中，第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性与第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性相反；例如，第一双模介质10的两谐振模式之间可以为正耦合，第二双模介质40的两谐振模式之间可以为负耦合；或者，第一双模介质10的两谐振模式之间可以为负耦合，第二双模介质40的两谐振模式之间可以为正耦合。可选地，请参阅图2，第一耦合部101与第二耦合部401可以分别位于介质体100的不同侧，以使第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性与第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性相反。
123.如此设置，由于第一双模介质10上设有供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合的第一耦合部101，第二双模介质40上设有供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合的第二耦合部401，且第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性与第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性相反，可使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的通带两侧分别产生一个传输零点，可有效提高介质滤波器的带外抑制性能。
124.可选地，在一个实施例中，请参阅图2，第一双模介质10上设有第一连接端111，第二双模介质40上设有第二连接端112。第一连接端111和第二连接端112中的一者为输入端，另一者为输出端。第一连接端111的结构可以为上述实施例中的第一连接端111的结构，第二连接端112可以为上述实施例中的第二连接端112的结构，本实施例中只是第二连接端112的设置位置不同，在此不赘述。
125.在另一个实施例中，请参阅图3和图4，介质体100包括第二单模介质60、耦合介质70、第二双模介质40以及第二交叉耦合结构50。耦合介质70连接于第一单模介质20和第二单模介质60，用于供第一单模介质20与第二单模介质60进行耦合。耦合介质70即可供第一单模介质20与第二单模介质60进行耦合的介质结构，可以是各种形状的结构，例如可以是块状结构、板状结构、片状结构，但不限于此。第二单模介质60即具有一个谐振模式的单模介质结构，第二单模介质60的结构可以与第一单模介质20的结构相同或不相同。第二交叉耦合结构50连接于第二双模介质40和第二单模介质60，用于供第二双模介质40与第二单模介质60进行交叉耦合，即第二双模介质40的两个谐振模式与第二单模介质60的谐振模式之间两两相互耦合；也即，第二双模介质40的其中一谐振模式与第二单模介质60的谐振模式之间进行耦合，第二双模介质40的另一谐振模式与第二单模介质60的谐振模式之间进行耦合，第二双模介质40的两谐振模式之间也进行耦合。
126.可以理解，第二双模介质40和第二交叉耦合结构50的结构可以分别与上述实施例中的第二双模介质40和第二交叉耦合结构50的结构相同，本实施例中仅在于将第二交叉耦合结构50连接于第二单模介质60和第二双模介质40，不同于上述实施例中的将第二交叉耦合结构50连接于第一单模介质20和第二双模介质40，也即仅在第二双模介质40与第一单模
介质20之间设置了第二单模介质60。
127.如此设置，由于第二双模介质40通过第二交叉耦合结构50连接于第二单模介质60并与第二单模介质60进行交叉耦合，且第二单模介质60与第一单模介质20之间通过耦合介质70进行耦合，因此第一双模介质10的两谐振模式与第一单模介质20的谐振模式能够两两相互耦合的同时，第二双模介质40的两谐振模式与第二单模介质60的谐振模式也能够两两相互耦合，利于采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器产生两个传输零点，可进一步提高介质滤波器的带外抑制性能。而且，通过两个双模介质与两个单模介质相配合形成的介质体100，可在具有较小体积的情况下具有更好的抑制性能，且可进一步推远谐波，使二次谐波距离通带较远，利于进一步提高采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的性能。
128.可选地，在一个实施例中，请参阅图3和图4，第一单模介质20、第二单模介质60以及耦合介质70为一体式结构。第二单模介质60、第二双模介质40以及第二交叉耦合结构50为一体式结构。也即，第一双模介质10、第一单模介质20、第一交叉耦合结构30、第二双模介质40、第二单模介质60、第二交叉耦合结构50以及耦合介质70为一体式结构。
129.如此设置，即可通过一体成型的方式制造介质体100，生产制造难度较低，一致性较好，利于提高采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的稳定性和可靠性。可在不增加制造难度的情况下使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有两个传输零点，可进一步提高介质滤波器的性能。
130.当然，在其他一些实施方式中，也可以仅第一单模介质20、第二单模介质60以及耦合介质70为一体式结构，而第二交叉耦合结构50与第二单模介质60之间可以采用拼接的方式相连接，或第二交叉耦合结构50与第二双模介质40之间采用拼接的方式相连接。
131.在其他一些实施方式中，也可以仅第二单模介质60、第二双模介质40以及第二交叉耦合结构50为一体式结构，而耦合介质70与第一单模介质20之间可以采用拼接的方式相连接，或耦合介质70与第二单模介质60之间采用拼接的方式相连接。
132.在其他一些实施方式中，也可以第二交叉耦合结构50与第二单模介质60之间采用拼接的方式相连接，或第二交叉耦合结构50与第二双模介质40之间采用拼接的方式相连接；同时，耦合介质70与第一单模介质20之间采用拼接的方式相连接，或耦合介质70与第二单模介质60之间采用拼接的方式相连接。
133.可选地，在一个实施例中，请参阅图3和图4，第二交叉耦合结构50包括第二耦合介质51和第二耦合结构52，第二耦合介质51连接于第二双模介质40和第二单模介质60，用于供第二双模介质40与第二单模介质60进行耦合；第二耦合结构52设置于第二双模介质40或第二单模介质60上，用于供第二双模介质40与第二单模介质60进行耦合。可以理解，本实施例中第二耦合介质51和第二耦合结构52的结构与上述实施例中的第二耦合介质51和第二耦合结构52结构相同，在此不再赘述。
134.如此设置，第二双模介质40的其中一谐振模式可通过第二耦合介质51与第二单模介质60的谐振模式进行耦合，第二双模介质40的另一谐振模式可通过第二耦合结构52与第二单模介质60的谐振模式进行耦合，从而利于第二双模介质40的两谐振模式分别通过一耦合通道与第二单模介质60的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合的效果，更利于采用本申
请实施例提供的介质体100的介质滤波器在通带的一侧产生传输零点。
135.可选地，在一个实施例中，请参阅图3，第二耦合结构52可以为耦合槽。
136.如此设置，由于第二耦合结构52为耦合槽，可以直接在第二双模介质40或第二单模介质60上开设即可，利于加工制造。而且，通过改变耦合槽所占第二双模介质40或第二单模介质60的体积，可改变第二双模介质40的其中一谐振模式与第二单模介质60的谐振模式之间的耦合强度(耦合强度也可以理解为耦合量或耦合大小)。例如，可通过改变耦合槽的长度、宽度和深度中的至少一个而改变第二双模介质40的其中一谐振模式与第二单模介质60的谐振模式之间的耦合强度，更利于第二双模介质40的一谐振模式通过耦合槽与第二单模介质60的谐振模式进行耦合。
137.可选地，在一个实施例中，请参阅图3，第二耦合结构52可以开设于第二双模介质40上靠近于第二单模介质60的一侧；第二耦合结构52可以位于第二耦合介质51的一侧。
138.如此设置，由于第二耦合结构52开设于第二双模介质40上靠近于第二单模介质60的一侧并位于第二耦合介质51的一侧，因此第二耦合结构52与第二耦合介质51的距离较近，利于第二双模介质40的两谐振模式分别通过第二耦合结构52和第二耦合介质51与第二单模介质60的谐振模式进行耦合，可提高交叉耦合效果。
139.可选地，在一个实施例中，请参阅图3，第二双模介质40上设有第二耦合部401，用于供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合。可以理解，第二耦合部401的结构可以与上述实施例中的第二耦合部401的结构相同，在此不赘述。
140.可选地，在一个实施例中，请参阅图3，第二双模介质40上开设有第三孔402和第四孔403，第三孔402和第四孔403不位于第二双模介质40的同一侧(例如可以分别位于第二双模介质40的相邻两侧或相对两侧)，第三孔402用于调节第二双模介质40的其中一谐振模式的谐振频率，第四孔403用于调节第二双模介质40的另一谐振模式的谐振频率。可以理解，第三孔402的数量可以是一个或多个，第四孔403的数量也可以是一个或多个，可根据实际需要进行设置，在此不作唯一限定。
141.可选地，在一个实施例中，请参阅图3和图4，第二单模介质60上开设有第二频率调节孔601，以便于调节第二单模介质60的谐振模式的谐振频率。可选地，第二频率调节孔601可以开设于第二单模介质60的任意一个表面上，只要能够调节第二单模介质60的谐振模式的谐振频率的位置均可。
142.可选地，请参阅图3，第二频率调节孔601可以为盲孔。可选地，请参阅图3，第二频率调节孔601可以为圆孔；当然，第二频率调节孔601还可以是多边形孔，但不限于此，也可以是其他形状规则或不规则的孔。
143.可选地，在一个实施例中，第二频率调节孔601的深度可以大于或等于第二单模介质60的深度的四分之一；其中，第二单模介质60的深度方向与第二频率调节孔601的深度方向相同。
144.如此设置，由于第二频率调节孔601的深度大于或等于第二单模介质60的深度的四分之一，可以有效的推远谐波，使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的二次谐波距离通带较远，利于提高介质滤波器的性能。
145.需要说明的是，第二频率调节孔601的深度不限于此，还可以是能够调节第二单模介质60的谐振模式的谐振频率的其他深度。
146.可选地，请参阅图3，第二频率调节孔601可以横向设置，例如第二频率调节孔601的轴线方向可以垂直于第二单模介质60的高度方向，更利于调节第二单模介质60的谐振模式的谐振频率。
147.当然，在其他一些实施方式中，第二频率调节孔601也可以纵向设置，例如第二频率调节孔601的轴线方向可以平行于第二单模介质60的高度方向。在其他一些实施方式中，第二频率调节孔601也可以沿其他任一方向设置。
148.可选地，在一个实施例中，请参阅图3和图4，第一双模介质10上设有第一耦合部101，用于供第一双模介质10的两谐振模式进行耦合。第二双模介质40上设有第二耦合部401，用于供第二双模介质40的两谐振模式进行耦合。其中，第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性与第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性相反。可选地，第一耦合部101与第二耦合部401可以分别位于介质体100的不同侧，以使第一双模介质10的两谐振模式之间的耦合极性与第二双模介质40的两谐振模式之间的耦合极性相反。
149.如此设置，可使采用本技术实施例提供的介质体100的介质滤波器的通带两侧分别产生一个传输零点，可有效提高介质滤波器的带外抑制性能。
150.可选地，在一个实施例中，请参阅图3，第一双模介质10上设有第一连接端111，第二双模介质40上设有第二连接端112；第一连接端111和第二连接端112中的一者为输入端，另一者为输出端。第一连接端111的结构可以为上述实施例中的第一连接端111的结构，第二连接端112可以为上述实施例中的第二连接端112的结构，本实施例中只是第二连接端112的设置位置不同，在此不赘述。
151.上述实施例中，分别介绍了第一双模介质10与第一单模介质20交叉耦合的情况，第一双模介质10和第二双模介质40同时与第一单模介质20交叉耦合的情况，第一双模介质10和第二双模介质40分别与第一单模介质20和第二单模介质60交叉耦合的情况，但不局限于上述的组合情况。需要说明的是，第一双模介质10与第二双模介质40之间除设置一个或两个单模介质的情况之外，也可以设置三个或三个以上的单模介质，当然也可以设置一个或一个以上的多模介质。
152.请参阅图3和图5，本技术实施例还提供一种介质滤波器1000，介质滤波器1000包括金属层200和上述任一实施例的介质体100，金属层200包覆于介质体100的外表面，以对介质体100进行防护，可避免内部信号泄漏，以及避免外部干扰。可以理解，可以采用现有的各种在介质体外表面设置金属层的方式形成金属层200，或采用对现有的在介质体外表面设置金属层的方式进行改进之后的方式形成金属层200。可选地，金属层200可以采用各种金属材料，可以是单体金属材料，例如金属层200可以是银层；也可以复合金属材料，例如金属层200可以是铜/镍复合层、铜/铝复合层等；在此对金属层200的材质不做唯一限定。
153.由于本技术实施例提供的介质滤波器1000采用了上述的介质体100，因而其同样具有上述任一实施例的介质体100的技术方案所带来的技术效果，可在不增加制造难度的情况下使介质滤波器1000同时实现具有较小尺寸、二次谐波距离通带较远及具有传输零点，可有效提高介质滤波器1000的性能。
154.示例性地，请参阅图6，通过对图5中所示的介质滤波器1000进行仿真，获得介质滤波器1000的幅频特性曲线图(也即s参数特性仿真图)，从图6中可以看出，在介质滤波器1000的通带的左侧(或低端)和右侧(或高端)均产生了传输零点，且二次谐波距离通带较
远，因此介质滤波器1000具有较好的带外抑制性能。
155.可以理解，上述描述中主要在于说明本技术实施例提供的介质滤波器1000的创新之处，本技术实施例提供的介质滤波器1000除了包括上述元件之外，也可以具有其他元件，其他元件可以采用现有介质滤波器的元件，这对于本领域普通技术人员而言是熟知的，在此不赘述。
156.另外，附图中所示介质体100和金属层200等元件的形状，仅在于示例性地说明，并非限定为附图中的形状。
157.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。