太阳能电池成膜用托盘的制作方法

1.本实用新型涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及太阳能电池成膜用托盘。


背景技术：

2.薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称hit或hjt或shj太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，其结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。
3.异质结太阳能电池制造过程中将会用到诸如等离子增强化学气相沉积(pecvd)设备、物理气相沉积(pvd)设备等真空镀膜设备。硅片会由托盘承载着进入真空镀膜设备中进行真空镀膜，如图1至图3 所示，现有技术中的太阳能电池成膜用托盘1的凹槽单元10包括位于其边缘的硅片承载区102以及所述凹槽单元10中部的槽底设置有穿过托盘盘体100的若干通气孔104。现有技术中硅片承载区102为平面，因提产能需要对托盘进行快速传输，平面的硅片承载区102无法在水平方向上产生一个横向分力来抑制启停加减速对硅片带来的惯性力，从而在频繁的启停加减速下会在硅片与托盘接触的边缘上产生卡槽印。
4.因此，如何提供一种太阳能电池成膜用托盘既能通过施加横向力来减轻硅片边缘的印迹，已成为业内亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.针对现有技术的上述问题，本实用新型提出了一种太阳能电池成膜用托盘，包括多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘用于支撑硅片的硅片承载区，所述硅片承载区为夹角小于15 度的斜面结构或弧面结构。
6.在一实施例中，所述硅片承载区呈方框状，所述凹槽单元中部的槽底为正方形。
7.在一实施例中，所述硅片承载区的宽度为5mm-10mm。
8.在一实施例中，所述凹槽单元为单阶承载结构或多阶承载结构，每阶承载结构包括一个硅片承载区。
9.在一实施例中，所述凹槽单元适于容纳125mm
×
125mm、156mm
×ꢀ
156mm、166mm x166mm、182mm
×
182mm、188mm
×
188mm或210mm
×
210mm 的单晶硅片。
10.在一实施例中，所述托盘的宽度范围为150cm-200cm，长度范围为 150cm-200cm，厚度范围为0.3cm-1cm。
11.在一实施例中，所述凹槽单元中部的槽底设置有穿过托盘盘体的若干通气孔。
12.在一实施例中，所述硅片承载区为夹角为4至5度的斜面结构。
13.与现有技术中硅片承载区为平面易导致硅片边缘产生印迹相比，本实用新型的太阳能电池成膜用托盘包括多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘用于支撑硅片的硅片承载区，所述硅片承载区为夹角小于15度的斜面结构或弧面结构。本实用新型可通过斜面结构或弧面结构，在水平方向上产生一个横向分力来抑制启停加减速对
硅片带来的惯性力，从而减轻硅片边缘的印迹。
附图说明
14.在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本实用新型的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
15.图1为太阳能电池成膜用托盘的俯视示意图。
16.图2为现有技术的太阳能电池成膜用托盘1的凹槽单元10的剖面结构示意图。
17.图3为图2中的凹槽单元10承载硅片3的示意图。
18.图4为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第一实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。
19.图5为图4中的凹槽单元20承载硅片3的示意图。
20.图6为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第二实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。
21.图7为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第三实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。
具体实施方案
22.以下结合附图和具体实施例对本实用新型作详细描述，以便更清楚理解本实用新型的目的、特点和优点。应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本实用新型的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。
23.以下将结合附图所示的具体实施例对本实用新型进行详细描述。值得说明的是，下文所记载的实施例并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
24.参见图4，其为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第一实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。图5为图4中的凹槽单元20承载硅片3的示意图。本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2的第一实施例包括多个用于承载硅片的凹槽单元20，所述凹槽单元20包括位于其边缘用于支撑硅片的硅片承载区202，所述硅片承载区202可为夹角小于15度的斜面结构或弧面结构。在图4所示的实施例中，所述硅片承载区202可为夹角小于15度的斜面结构。更具体的，所述硅片承载区 202可为夹角为4至5度的斜面结构。图5中放置在所述硅片承载区 202上的硅片会因斜面结构而获得一个横向分力。
25.所述硅片承载区202呈方框状，所述凹槽单元20中部的槽底为正方形。所述凹槽单元20中部的槽底设置有穿过托盘盘体200的若干通气孔204。所述硅片承载区202的宽度为5mm-10mm。所述凹槽单元20 适于容纳125mm
×
125mm、156mm
×
156mm、166mm x166mm、182mm
×
182mm、 188mm
×
188mm或210mm
×
210mm的单晶硅片。所述托盘2的宽度范围为 150cm-200cm，长度范围为150cm-200cm，厚度范围为0.3cm-1cm。
26.图6为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第二实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。与图4中的太阳能电池成膜用托盘2第一实施例的凹槽单元20相比，第二实施例
的凹槽单元20的所述硅片承载区202’为弧面结构，具体为夹角小于15度的弧面结构。
27.所述凹槽单元20可为单阶承载结构或多阶承载结构，每阶承载结构包括一个硅片承载区202或202’。图7为本实用新型的太阳能电池成膜用托盘2第三实施例的凹槽单元20的剖面结构示意图。与图4中的太阳能电池成膜用托盘2第一实施例的凹槽单元20仅具有单阶承载结构相比，第三实施例的凹槽单元20的所述硅片承载区202”为两阶承载结构，每阶承载结构的硅片承载区202a以及202b为夹角小于15 度的斜面结构。
28.本实用新型的太阳能电池成膜用托盘包括多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘用于支撑硅片的硅片承载区，所述硅片承载区为夹角小于15度的斜面结构或弧面结构。本实用新型可通过斜面结构或弧面结构，在水平方向上产生一个横向分力来抑制启停加减速对硅片带来的惯性力，从而减轻硅片边缘的印迹。
29.应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
30.上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本实用新型的，熟悉本领域的人员可在不脱离本实用新型的发明思想的情况下，对上述实施例做出种种修改或变化，因而本实用新型的保护范围并不被上述实施例所限，而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。