一种半导体封装结构的制作方法

1.本技术涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。


背景技术：

2.随着对电子器件大容量、小型化、薄型化及高集成化需求的日渐增加，对电子器件的封装密度也提出了更高的要求，以缩小电子器件封装结构的尺寸，进而缩小电子器件封装体在组装时所占的体积。
3.目前，常用的半导体封装结构包括基板以及位于所述基板表面的支撑芯片和多个元器件，还包括堆叠放置的主芯片，其中，所述主芯片被固定于支撑芯片上，以提高封装结构的封装密度，进而缩小封装结构的尺寸。然而，通常情况下，将主芯片固定在支撑芯片上时，会使得所述主芯片存在较大的悬空区域，即主芯片的支撑面存在大部分没有被支撑芯片支撑的区域，从而会在所述主芯片与所述基板引线键合的过程中，导致主芯片发生形变或弯曲，严重时还会导致所述主芯片产生裂纹，损坏所述主芯片，影响所述主芯片的正常工作，进而影响所述半导体封装结构的正常工作。因此，提供一种能够有助于抑制主芯片发生形变、弯曲以及产生裂纹的半导体封装结构，成为了本领域技术人员的研究重点。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构能够有助于抑制主芯片发生形变、弯曲以及产生裂纹，进而有助于提高所述半导体封装结构的可靠性。
5.为解决上述问题，本技术实施例提供了如下技术方案：
6.一种半导体封装结构，包括：
7.基板；
8.多个支撑体，所述多个支撑体位于所述基板表面，并且所述支撑体包括沿背离所述基板表面一侧依次排布的多个金属微凸点；
9.主芯片，所述主芯片与所述基板相连，并且所述主芯片朝向所述基板表面的一侧具有多个预设支撑位，所述多个支撑体分别与所述多个预设支撑位一一对应粘接，以使得所述支撑体对所述主芯片进行支撑；
10.塑封体，所述塑封体位于所述基板表面，并向背离所述基板表面的一侧延伸，覆盖所述基板表面、所述支撑体和所述主芯片。
11.可选的，所述金属微凸点高度的取值范围为20um～50um，所述金属微凸点宽度的取值范围为30um～100um；
12.其中，所述金属微凸点的宽度为所述金属微凸点沿第一方向的径向长度，所述金属微凸点的高度为所述金属微凸点沿第二方向的径向长度，所述第一方向平行于所述基板表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
13.可选的，所述主芯片包括沿背离所述基板表面一侧依次排布的多个子芯片，所述
多个子芯片中除第一子芯片外至少一个子芯片具有悬空区域，所述多个预设支撑位一部分位于所述第一子芯片，另一部分位于所述悬空区域；
14.所述多个支撑体一部分与位于所述第一子芯片上的预设支撑位相粘接，另一部分与位于所述悬空区域的预设支撑位相粘接；
15.其中，所述第一子芯片为所述多个子芯片中距离所述基板表面最近的子芯片，所述悬空区域为除所述第一子芯片外其余子芯片朝向所述基板表面一侧没有被遮挡的区域。
16.可选的，还包括：位于所述基板表面的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘不与所述基板内部线路相连，所述第二焊盘与所述基板的内部线路相连，所述支撑体固定于所述第一焊盘背离所述基板表面的一侧；
17.所述主芯片背离所述基板表面一侧具有第三焊盘，所述第三焊盘与所述主芯片内部线路相连，且所述第三焊盘与所述第二焊盘相连。
18.可选的，还包括：位于所述基板表面的控制芯片和第四焊盘，所述控制芯片背离所述基板表面一侧具有第五焊盘，所述第四焊盘与所述第五焊盘相连；
19.其中，所述第四焊盘与所述基板内部线路相连，所述第五焊盘与所述控制芯片内部线路相连。
20.可选的，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘以及所述第五焊盘的材料相同，均为金、银、铜、铝中的一种。
21.可选的，还包括：
22.位于所述基板背离所述主芯片一侧具有多个锡球，所述多个锡球为所述半导体封装结构的i/o接口。
23.与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
24.本技术所提供的技术方案包括：基板、多个支撑体、主芯片以及塑封体；其中，所述多个支撑体位于所述基板表面，并且所述支撑体包括沿背离所述基板表面一侧依次排布的多个金属微凸点；所述主芯片与所述基板内部线路相连，以保证所述半导体封装结构的正常工作，并且所述主芯片朝向所述基板表面的一侧具有多个预设支撑位，所述多个支撑体与所述多个预设支撑位一一对应粘接，以使得所述支撑体对所述主芯片进行支撑。需要说明的是，所述主芯片朝向所述基板表面一侧的所述多个预设支撑位是根据所述主芯片的结构，通过力学分析得到的，所述多个支撑体与所述多个预设支撑位一一对应粘接，使得所述多个支撑体能够对所述主芯片起到良好的支撑作用，并避免所述主芯片存在大部分的悬空区域，进而能够有助于抑制所述主芯片发生变形、弯曲甚至产生裂纹，有助于提高所述半导体封装结构的可靠性。并且，所述支撑体包括沿背离所述基板表面一侧依次排布的多个金属微凸点，由于金属微凸点的高度和宽度是可以控制的，从而使得所述支撑体的高度和宽度可以根据主芯片的结构以及实际需求进行控制，有助于保证所述支撑体对所述主芯片的支撑。与此同时，所述金属微凸点的宽度相对于现有半导体封装结构中的支撑芯片宽度较小，使得所述支撑体相对所述支撑芯片可以做到较大的高宽比，有助于提高所述半导体封装结构的封装密度。
25.所述半导体封装结构包括塑封体，所述塑封体覆盖所述基板表面、所述支撑体以及所述主芯片，以提高所述半导体封装结构的机械强度，并避免外部环境中的水汽进入到所述半导体封装结构的内部，同时所述支撑体还能够在塑封过程中对所述主芯片进行支
撑，避免所述主芯片在塑封过程中发生弯曲、形变甚至产生裂纹，有助于提高所述半导体封装结构的可靠性。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1为一种现有半导体封装结构的结构示意图；
28.图2为专利cn100424871c提出的一种半导体封装结构的结构示意图
29.图3为本技术实施例提供的一种半导体封装结构的结构示意图；
30.图4为金属微凸点制作流程的示意图；
31.图5为对晶圆进行分割制得芯片后的俯视图；
32.图6为本技术实施例提供的另一种半导体封装结构的结构示意图；
33.图8为微凸体尺寸示意图；
34.图9为本技术实施例提供的再一种半导体封装结构的结构示意图；
35.图10为本技术实施例提供的又一种半导体封装结构的结构示意图；
36.图12为本技术实施例提供的还一种半导体封装结构的结构示意图；
37.图7和图11为本技术实施例提供的一种半导体封装结构制作过程中的结构图。
具体实施方式
38.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
39.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
40.其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
41.正如背景技术部分所述，提供一种能够有助于抑制主芯片发生形变、弯曲以及产生裂纹的半导体封装结构，成为了本领域技术人员的研究重点。
42.目前，为了缩小半导体封装结构的尺寸，进而减小其在组装时所占据的空间，常用的技术方案是将堆叠放置的主芯片悬置于同一半导体封装结构中。如图1所示，现有的半导体封装结构包括基板60以及位于所述基板表面的多个元器件和支撑芯片61，还包括堆叠放置的主芯片62，所述主芯片62与所述基板60相连，并且所述主芯片62被固定于支撑芯片61背离所述基板60 表面的一侧，即所述主芯片62被固定于远离所述基板10表面的位置，使得所述半导体封装结构能够纵向延伸，从而有助于提高所述半导体封装结构的封装密度。
43.通常情况下，为了使得所述支撑芯片不占据所述基板表面用于设置元器件的空间，以保证半导体封装结构的封装密度，所述支撑芯片的尺寸相对于所述主芯片的尺寸较小，并且一个主芯片与一个支撑芯片相对应，导致将所述主芯片固定在所述支撑芯片上时，会使得所述主芯片被所述支撑芯片支撑的一侧表面存在较大的悬空区域，即所述主芯片被所述支撑芯片支撑的一侧表面存在大部分没有被所述支撑芯片支撑的区域。
44.需要说明的是，所述主芯片上具有与所述主芯片内部电路连接的芯片焊盘，所述基板上具有与所述基板内部电路相连的基板焊盘，所述芯片焊盘与所述基板焊盘通过引线键合(wire bonding，简称wb)工艺相连，以使得所述主芯片与所述基板相连。其中，所述芯片焊盘与所述基板焊盘通过引线键合相连的过程包括：在所述芯片焊盘表面和所述基板焊盘表面分别形成焊点，再通过焊线，将所述芯片焊盘表面和所述基板焊盘表面的焊点相连。然而，在所述芯片焊盘与所述基板焊盘通过引线键合工艺相连的过程中，会使得所述主芯片承受较大的应力，从而在所述主芯片被所述支撑芯片支撑的一侧表面存在较大的悬空区域时，会造成所述主芯片的形变或弯曲，进而导致所述主芯片表面的焊盘同与其对应的焊点出现连接不良的情况。由于所述主芯片焊盘与焊点相接的表面为平面，从而当所述主芯片发生形变或弯曲时，会发生所述主芯片表面的焊盘同与其对应的焊点出现连接不良的情况，影响所述半导体封装结构的工作。
45.并且，在所述主芯片与所述基板相连的过程中，有时会通过多次引线键合工艺使得所述主芯片与所述基板相连，这样就会导致所述主芯片反复发生弯曲与形变，从而会导致所述主芯片焊盘表面的焊点同与其连接的焊线发生连接疲劳，容易发生损坏，影响半导体封装结构的使用寿命和可靠性。与此同时，随着半导体技术的发展，芯片的厚度在逐渐降低，最薄的芯片厚度已经达到了25um。由于芯片所能承受的压力与芯片的厚度成正比，从而当主芯片的厚度较小时，芯片所能承受的压力也在逐渐降低，使得在所述主芯片与所述基板通过引线键合工艺相连的过程中，造成所述主芯片发生弯曲和形变的可能性也在逐渐增加，严重影响着半导体封装结构的可靠性。
46.为了解决上述问题，如图2所示，专利cn100424871c提出在基板表面设置主芯片和支撑芯片之后，进行引线键合之前，在主芯片的悬空区域增加一层由非导体微球体组成的粘接层，来解决主芯片悬空区域受力弯曲形变的问题，但是该专利解决问题的过程中增加了新材料、新制程，进而增加了半导体封装结构的成本和工艺复杂性，还存在微球体尺寸难以统一的问题，影响对所述主芯片悬空区域的支撑效果，同时该粘接层为非金属材料，导热性较差，会影响半导体封装结构的工作性能。
47.另外，已知半导体封装结构形成的过程中还包括塑封过程，该塑封过程会对所述主芯片产生较大的应力，使得所述主芯片发生弯曲或形变，影响所述半导体封装结构的可靠性。并且若在塑封之前，所述主芯片便由于引线键合工艺过程产生的应力发生了形变或弯曲，则在塑封过程中，会造成所述主芯片发生进一步的形变或弯曲，甚至会造成所述主芯片发生裂纹，损坏所述主芯片，影响所述主芯片的正常工作，进而影响半导体封装结构的正常工作。
48.基于上述研究的基础上，本技术实施例提供了一种半导体封装结构，如图3所示，该半导体封装结构包括：
49.基板10；需要说明的是，所述基板为半导体封装领域承载芯片的薄型化电路板，但
本技术对此并不做限定，具体视情况而定；
50.多个支撑体20，所述多个支撑体20位于所述基板10表面，并且所述多个支撑体20包括沿背离所述基板10表面一侧依次排布的多个金属微凸点21；
51.主芯片30，所述主芯片30与所述基板10相连，并且所述主芯片30朝向所述基板10表面的一侧具有多个预设支撑位，所述多个支撑体20分别与所述多个预设支撑位一一对应粘接，以使得所述支撑体对所述主芯片30进行支撑；需要说明的是，所述主芯片与所述支撑体相粘接的一侧具有由粘结剂形成的粘接层，以使得所述支撑体与所述主芯片相粘接；并且所述多个预设支撑位是对所述主芯片进行力学分许，得到的所述主芯片需要支撑的位置，在所述主芯片上并没有实体部分的体现；
52.塑封体40，所述塑封体位于所述基板10表面，并向背离所述基板10表面的一侧延伸，覆盖所述基板10表面、所述支撑体20以及所述主芯片30。
53.需要说明的是，如图4所示，所述金属微凸点的形成过程包括：1、劈刀烧球并向下运动，2、劈刀继续向下运动，在所述基板表面形成金属微凸点主体，3、劈刀向上运动到达“分离高度”(separation height)，4、劈刀向斜下方运动完成切线，5、劈刀向上运动完成切线，形成金属微凸点，在所述基板表面形成多个金属微凸点时，重复上述流程即可形成多个金属微凸点，并且形成金属微凸点所利用的工艺方法为半导体领域常用的工艺方法，在此对该工艺方法的细节不再进行过多的描述。还需要说明的是，如图5所示，形成主芯片的过程包括：提供一晶圆100，对所述晶圆100进行研磨，研磨到指定厚度，再将所述晶圆100分割成多个晶粒形成主芯片30。
54.具体的，在本技术实施例中，所述半导体封装结构具有多个支撑体，所述主芯片朝向所述基板表面一侧具有多个预设支撑位，所述多个预设支撑位在所述主芯片上的位置是根据所述主芯片的形态，通过力学分析得到的，所述多个支撑位分别与所述多个预设支撑位一一对应粘接，使得所述支撑体能够对所述主芯片各个需要支撑的位置进行支撑，进而使得所述支撑体能够实现对所述主芯片的良好支撑，并且所述多个支撑位分别与所述多个预设支撑位一一对应粘接，能够避免所述主芯片存在大部分的悬空区域，从而有助于抑制所述主芯片出现弯曲、形变甚至产生裂纹，使得所述半导体封装结构具有较高的可靠性。同时，所述支撑体能够对所述主芯片各个需要支撑的位置进行支撑，使得即使在所述主芯片的厚度较薄的情况下，所述支撑体同样能够对所述主芯片进行良好的支撑，从而有助于改善芯片厚度逐渐变薄对半导体封装结构可靠性的影响。需要说明的是，根据物体的形态，对物体各部分进行力学分析为常用的技术手段，在此不再进行过多的描述。
55.并且，所述半导体封装结构中的支撑体包括沿背离所述基板表面一侧依次排布的多个微凸体，所述微凸体的形成过程包括烧球-压球-切线，与引线键合的工艺过程的差别仅在于压球工艺之后，进行切线，将金属焊线切除，以形成微凸体，使得所述金属微凸点可以通过引线键合工艺方法形成。已知引线键合工艺的工艺参数是可以控制的，以控制产品的高度和宽度，从而使得所述微凸体的高度和宽度可以通过工艺参数进行控制，使得所述支撑体的高度以及宽度可以根据所述主芯片的形态、尺寸以及实际应用环境进行控制，保证所述支撑体对所述主芯片的良好支撑。需要说明的是，为了减小进行切线后遗留的线尾对多个金属微凸点堆叠的影响，本技术实施例采用了光滑微凸点(smooth bump)技术，有助于减小切线后遗留的线尾，并使得遗留的线尾光滑均匀，有助于设将多个金属微凸点进行
堆叠形成支撑体。
56.另外，已知现有的半导体封装结构包括支撑芯片，主芯片位于支撑芯片上，被所述支撑芯片支撑，由于支撑芯片的宽度难以做到很小，难以达到较大的高宽比，为了保证现有半导体封装结构的封装密度，一个主芯片与一个支撑芯片相对应。而本技术实施例所提供的半导体封装结构中的主芯片被支撑体所支撑，所述支撑体包括多个微凸点，所述微凸点为金属微凸点，所述微凸体的宽度可以做小，使得所述支撑体能够做到较大的高宽比，进而使得所述支撑体能够对所述主芯片进行支撑的同时，还能够尽可能的减小支撑体在所述基板表面占据的空间，保证所述半导体封装结构的封装密度。
57.与此同时，所述半导体封装结构包括塑封体，所述塑封体覆盖所述基板表面、所述支撑体以及所述主芯片，以提高所述半导体封装结构的机械强度，并避免外部环境中的水汽进入到所述半导体封装结构的内部。已知半导体封装结构塑封过程中会对所述主芯片产生较大的应力，使得所述主芯片发生弯曲或形变，甚至产生裂纹，所述半导体封装结构中的所述支撑体能够实现对所述主芯片的良好支撑，从而能够避免所述主芯片在塑封过程中发生弯曲、形变甚至产生裂纹，使得所述半导体封装结构具有较高的可靠性。
58.需要说明的是，在本技术的一个实施例中，所述主芯片可以完全通过所述多个支撑体进行支撑，以尽可能的减小对所述主芯片进行支撑所占用的半导体封装结构的空间，以增大所述半导体封装结构的可用空间，尽可能的提高所述半导体封装结构的封装密度；在本技术的另一个实施例中，如图6所示，所述半导体封装结构也可以包括支撑芯片18，所述支撑芯片18与所述支撑体20共同对所述主芯片30进行支撑，具体视情况而定。还需要说明的是，本技术实施例对所述多个支撑体的具体数目并不做限定，具体视情况而定。当所述半导体封装结构包括支撑芯片时，如图7所示，对所述主芯片进行支撑之前，提供一支撑芯片18，将所述支撑芯片18置于所述基板10表面，以使得所述支撑芯片能够对所述主芯片进行支撑。
59.可选的，在本技术的一个实施例中，如图8所示，所述金属微凸点的高度h的取值范围为20um～50um，所述金属微凸点宽度d的取值范围为 30um～100um，其中，所述金属微凸点的宽度为所述金属微凸点沿第一方向的径向长度，所述金属微凸点的高度为所述金属微凸点沿第二方向的径向长度，所述第一方向平行于所述基板表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。但本技术实施例对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述金属微凸点的高度的取值范围以及所述金属微凸点的宽度的取值范围还可以为其他值，具体视情况而定。需要说明的是，在本技术的一个实施例中，所述金属微凸点的高度和宽度可以根据所要支撑的芯片与基板表面的距离进行调整，其中，不同支撑体中的所述多个金属微凸点的宽度和高度可以一致，也可以不一致，并且同一个支撑体中的金属微凸点的宽度和高度可以一致，也可以不一致，本技术实施例对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述多个金属微凸点的宽度和高度也可以不一致，具体视情况而定。
60.需要说明的是，为了提高半导体封装结构的封装密度，通常将堆叠的主芯片置于封装结构中。因此，在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图9所示，所述主芯片30包括沿背离所述基板10表面一侧依次排布的多个子芯片32，所述多个子芯片32中除第一子芯片33外至少一个子芯片32具有悬空区域34，所述多个预设支撑位一部分位于所述第一子芯片33 上，另一部分位于所述悬空区域34中；所述多个支撑体20一部分与位于所述
第一子芯片33上的预设支撑位相粘接，另一部分与位于所述悬空区域34 中的预设支撑位相粘接，以对当所述主芯片包括多个子芯片时，对所述主芯片进行支撑，抑制所述主芯片发生弯曲、变形，甚至产生形变。其中，所述第一子芯片为所述多个子芯片中距离所述基板表面最近的子芯片，所述悬空区域为除所述第一子芯片外其余子芯片朝向所述基板表面一侧没有被遮挡的区域，即所述悬空区域为除所述第一子芯片外的子芯片朝向所述基板表面一侧直接与所述基板表面相对的区域。还需要说明的是，所述多个预设支撑位位于所述第一子芯片上的数目以及在所述第一子芯片上的位置分布通过力学分析得到，并且所述多个预设支撑位位于所述悬空区域的数目以及在所述悬空区域的位置同样通过力学分析得到。同时，当所述主芯片包括多个子芯片，所述多个子芯片朝向所述基板表面的一侧具有粘接层，以使得所述多个子芯片通过粘接层相互固定粘接，并且所述多个子芯片的内部线路通过引线键合工艺依次相连，以使得所述多个子芯片依次相连。
61.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，为了将所述支撑体固定于所述基板表面，并使得所述主芯片与所述基板相连，继续如图9所示，所述半导体封装结构还包括：位于所述基板10表面的第一焊盘11和第二焊盘12，其中，所述第一焊盘11不与所述基板10内部线路相连，所述第二焊盘12与所述基板10内部线路相连，所述支撑体20固定于所述第一焊盘11 背离所述基板10表面的一侧，以将所述支撑体20固定于所述基板10表面，使得所述支撑体20对所述主芯片30进行支撑；所述主芯片30背离所述基板 10表面一侧具有第三焊盘13，所述第三焊盘13与所述主芯片30内部线路相连，且所述第三焊盘13与所述第二焊盘12通过引线键合相连，已知所述第二焊盘12与所述基板10内部线路相连，从而使得所述主芯片能够与所述基板相连，保证所述半导体封装结构的正常工作。
62.并且，根据实验发现当金属微凸点的个数不大于5个时，所述金属微凸点能够形成稳定的支撑体，并且所述第一焊盘也能够对所述支撑体进行稳定支撑，已知所述金属微凸点高度的取值范围为20um～50um，所述金属微凸点宽度的取值范围为30um～100um，从而使得所述支撑体的高度可达到250um，而一般的支撑芯片的厚度在100um左右，即所述支撑体的高度大于支撑芯片的厚度，使得所述半导体封装结构的纵向延伸高度更高，使得所述半导体封装结构的封装空间更大，有助于提高所述半导体封装结构的封装密度。
63.另外，所述主芯片表面具有第三焊盘，所述基板表面具有第二焊盘，所述第三焊盘与所述第二焊盘通过引线键合相连，以使得所述主芯片与所述基板通过引线键合相连，由前述已知，所述金属微凸点可以通过引线键合工艺方法形成，从而使得所述金属微凸点可以利用制作半导体封装结构本身的工艺过程形成，不需要额外增加其他的工艺方法，从而不会增加所述半导体封装结构的工艺步骤，也不会产生由于工艺步骤增加带来的成本增加的问题。同时，即使所述半导体封装结构的制作工艺不包括引线键合工艺，由于引线键合工艺是半导体制作工艺中经常用到的工艺方法，仅需利用现有的引线键合工艺制作金属微凸点即可，并不会增加制作工艺的难度。需要说明的是，所述金属微凸点的形成与所述主芯片与所述基板之间的连接可以在同一工艺步骤中完成，也可以在不同的工艺步骤中完成，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
64.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图10所示，所述半导体封装结构还包括：位于所述基板10表面的控制芯片50和第四焊盘14，所述控制芯片50背离所述基板10表面一侧具有第五焊盘15，所述第四焊盘 14与所述第五焊盘15相连，其中，所述第
四焊盘14与所述基板10内部线路相连，所述第五焊盘15与所述控制芯片50内部线路相连，以使得所述控制芯片50与所述基板相连，以通过所述控制芯片50控制所述半导体封装结构的工作。需要说明的是，所述控制芯片通过由粘接剂组成的粘接层固定在所述基板表面。还需要说明的是，当所述半导体封装结构包括控制芯片时，如图11所示，制作所述半导体封装结构包括：提供一控制芯片50，将所述控制芯片50设置于所述基板10表面，所述控制芯片50背离所述基板10表面一侧具有第五焊盘15，将所述第五焊盘15与所述第四焊盘14通过引线键合相连，其中，所述第五焊盘15与所述控制芯片50内部线路相连。
65.可选的，在本技术的一个实施例中，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘以及所述第五焊盘的材料相同，均为金、银、铜、铝中的一种。但本技术实施例对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘以及所述第五焊盘的材料还可以为其他材料，具体视情况而定。
66.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图12所示，所述基板10背离所述主芯片30的一侧具有多个锡球16，所述多个锡球16为所述半导体封装结构的i/o接口，使得所述半导体封装结构能够与外部线路相连，进行相应的工作。
67.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，继续如图12所示，所述基板10表面还具有多个被动元件17，例如电感、电阻、电感等，以使得所述半导体封装结构能够实现相应的功能。需要说明的是，所述多个被动元件通过由粘接剂组成的粘接层固定在所述基板表面。
68.综上所述，本技术实施例提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板、多个支撑体、主芯片以及塑封体；其中，所述多个支撑体与所述主芯片上的所述多个预设支撑位一一对应粘接，需要说明的是，所述主芯片朝向所述基板表面一侧的所述多个预设支撑位是根据所述主芯片的结构，通过力学分析得到的，使得所述多个支撑体能够对所述主芯片起到良好的支撑作用，并避免所述主芯片存在大部分的悬空区域，进而能够有助于抑制所述主芯片发生变形、弯曲甚至产生裂纹，有助于提高所述半导体封装结构的可靠性。并且，所述多个金属微凸点的高度和宽度是可以控制的，使得所述支撑体的高度和宽度可以根据主芯片的结构以及实际需求进行控制，有助于保证所述支撑体对所述主芯片的支撑。与此同时，所述金属微凸点的宽度相对于现有半导体封装结构中的支撑芯片宽度较小，使得所述支撑体相对所述支撑芯片可以做到较大的高宽比，有助于提高所述半导体封装结构的封装密度。
69.另外，所述支撑体还能够在塑封过程中对所述主芯片进行支撑，避免所述主芯片在塑封过程中发生弯曲、形变甚至产生裂纹，有助于提高所述半导体封装结构的可靠性。
70.本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
71.对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。