石英旋转吸附载台的制作方法

1.本实用新型涉及半导体晶圆加工相关技术领域，尤其涉及一种石英旋转吸附载台。


背景技术：

2.半导体晶圆经适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复流程在晶圆上完成数层电路及电子元件形成一个个晶粒，然后晶圆再经过刀轮切开或激光切开，分割成一颗颗单独的晶粒，将单个晶粒固定在芯片基座上，将晶粒上的引接线端与芯片基座底部的插脚相连，然后封装成为集成电路芯片。
3.鉴于晶粒尺寸小，并且加工过程中晶圆不能移动和上下波动，用刀轮切或激光切均需要有载具及载台将产品固定住，通过影像系统和载台旋转的精确定位，然后进行切割，为了保证切割的尺寸精度，对载台的平面度、吸附固定以及旋转精度要求高。
4.目前常用的吸附载台主要有两种，一种是采用金属材料打孔或开槽，真空通过孔或槽对产品进行吸附固定，一种是采用多孔陶瓷盘吸附固定，陶瓷烧结完成后内部形成无数细微的毛细孔，真空通过毛细孔对产品进行吸附固定。
5.采用金属材料制作的吸附载台平面度不稳定，受环境温度影响大，环境温度变化，载台平面度也变化，影响切割尺寸精度，特别是激光切割由于激光聚焦的焦点深度很小，对载台平面度要求比较高。采用多孔陶瓷制作的吸附载台平面度稳定，受环境温度影响小，吸附力均匀，但是由于是微孔吸附，所以吸附力较小，对于有翘曲变形的晶圆无法吸附平整。而且以上两种吸附载台都不透光，不能采取背光的方式对产品打光，无法支持需要背光的影像对位系统。
6.有鉴于上述的缺陷，本设计人积极加以研究创新，以期创设一种石英旋转吸附载台，使其更具有产业上的利用价值。


技术实现要素：

7.为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种石英旋转吸附载台。
8.为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
9.石英旋转吸附载台，从上往下依次包括刻槽石英载盘、石英安装板、载台底座、旋转电机和旋转轴垫板，旋转电机安装在旋转轴垫板上的中间位置，旋转电机顶部的驱动端与上方的载台底座驱动连接设置，载台底座上安装有石英安装板，石英安装板的顶部内侧安装有刻槽石英载盘，载台底座上沿着圆周方向均匀的安装有若干个吸盘支架，吸盘支架上安装有吸盘。
10.作为本实用新型的进一步改进，刻槽石英载盘通过密封胶固定在石英安装板上，且刻槽石英载盘和石英安装板之间的接触面上设置有斜坡。
11.作为本实用新型的进一步改进，刻槽石英载盘下方的载台底座内设置有照明光
源。
12.作为本实用新型的进一步改进，载台底座的底部沿着圆周方向设置有若干个旋转轴感应片，旋转轴垫板上设置有与旋转轴感应片配合的限位传感器，限位传感器通过传感器垫高块安装在旋转轴垫板上。
13.作为本实用新型的进一步改进，传感器垫高块外侧的旋转轴垫板上还设置有机械限位块。
14.作为本实用新型的进一步改进，载台底座下方外侧的旋转电机上还设置有排管挡板，排管挡板内设置有排管，排管挡板内还设置有对排管限位处理的限位销。
15.作为本实用新型的进一步改进，刻槽石英载盘的表面开设有若干个刻蚀的沟槽。
16.作为本实用新型的进一步改进，吸盘支架的数量为四个，且相邻的吸盘支架之间相互垂直设置。
17.借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：
18.本实用新型为晶圆切割设备对加工的产品进行吸附固定的载台，解决吸附平面度问题，对产品吸附牢固而且吸附力均匀，同时提供照明光源，背光配合影像提高定位精度，旋转轴搭配光栅尺系统，大大提升了定位精度。
19.上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
21.图1是本实用新型一种石英旋转吸附载台的结构示意图；
22.图2是图1的俯视图；
23.图3是图1的正视图；
24.图4是图2关于a-a的剖视图；
25.图5是图4中a处的局部放大示意图。
26.其中，图中各附图标记的含义如下。
27.1 刻槽石英载盘
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2 石英安装板
28.3 吸盘支架
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4 吸盘
29.5 载台底座
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6 照明光源
30.7 旋转电机
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8 旋转轴垫板
31.9 机械限位块
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10 限位传感器
32.11 传感器垫高块
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12 旋转轴感应片
33.13 排管挡板
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14 排管
34.15 限位销
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16 斜坡
具体实施方式
35.下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
36.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
37.实施例
38.如图1～图5所示，
39.一种石英旋转吸附载台，从上往下依次包括刻槽石英载盘1、石英安装板2、载台底座5、旋转电机7和旋转轴垫板8，旋转电机7安装在旋转轴垫板8上的中间位置，旋转电机7顶部的驱动端与上方的载台底座5驱动连接设置，载台底座5上安装有石英安装板2，石英安装板2的顶部内侧安装有刻槽石英载盘1，载台底座5上沿着圆周方向均匀的安装有若干个吸盘支架3，吸盘支架3上安装有吸盘4。
40.优选的，刻槽石英载盘1通过密封胶固定在石英安装板2上，且刻槽石英载盘1和石英安装板2之间的接触面上设置有斜坡16。
41.优选的，刻槽石英载盘1下方的载台底座5内设置有照明光源6。
42.优选的，载台底座5的底部沿着圆周方向设置有若干个旋转轴感应片12，旋转轴垫板8上设置有与旋转轴感应片12配合的限位传感器10，限位传感器10通过传感器垫高块11安装在旋转轴垫板8上。
43.优选的，传感器垫高块11外侧的旋转轴垫板8上还设置有机械限位块9。
44.优选的，载台底座5下方外侧的旋转电机7上还设置有排管挡板13，排管挡板13内设置有排管14，排管挡板13内还设置有对排管14限位处理的限位销15。
45.优选的，刻槽石英载盘1的表面开设有若干个刻蚀的沟槽。
46.优选的，吸盘支架3的数量为四个，且相邻的吸盘支架3之间相互垂直设置。
47.本实用新型的工作原理及工作过程：带钢环的晶圆产品放在刻槽石英载盘1上，此时钢环就会落在吸盘4上，通过吸盘支架3内部的气路对钢环进行吸附，并且吸盘4是柔性的，在钢环重力的作用下钢环会下降，使膜紧紧的贴住刻槽石英载盘1，刻槽石英载盘1表面有许多刻蚀的沟槽此时与膜形成真空腔，并且通过石英安装板2表面的平面度为基础，均匀平整的将产品吸附住，石英安装板2与刻槽石英载盘1的接触面是有坡度的，方便安装，后面通过密封剂进行密封保证真空度，刻槽石英载盘1的尺寸略大于产品，此时在照明光源6的作用下，配合影像系统就可以做到准确定位，旋转电机7配有光栅系统即(旋转轴感应片12和限位传感器10)，可以做到更高的定位精度，提升加工精度。
48.本实用新型的刻槽石英载采用目前成熟的研磨抛光技术加工，8寸尺寸的平面度能做到2微米以内，装配后的综合平面度能控制在3微米以内，吸附均匀而且吸附力大，对于有翘曲变形的晶圆能吸附平整，使其平整地贴合于载台上表面，很好地控制激光加工焦点
深度的一致性，提高激光加工晶圆的良率。
49.本实用新型采用石英玻璃等透明材料制作吸附载台，在载台上表面刻蚀细微的小槽，真空通过吸附槽对产品进行吸附固定。石英材质受环境温度等影响小，表面通过研磨抛光能保证产品吸附的平面度，而且石英玻璃具有良好的透光性，可以在石英玻璃底下增加照明光源，解决影像对位系统需要在产品背面打光的问题。
50.本实用新型吸附载台平面度高，受环境温度影响小，载台吸附力大，并且旋转精度高，满足晶圆切割设备的要求，大量应用于晶圆激光切割加工设备，亦可用于晶圆刀轮切割加工设备。
51.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指咧所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
52.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接：可以是机械连接，也可以是电连接：可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通.对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
53.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。