发光显示装置的制作方法

发光显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年6月25日提交的韩国专利申请第10-2021-0083325号的优先权和权益，该申请在此通过引用并入本文以用于所有目的，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
3.本实用新型的实施例总体上涉及发光显示装置，并且更具体地，涉及在不使用偏振器的情况下减小外部光的反射率的发光显示装置。


背景技术：

4.显示装置是具有用于显示图像的屏幕的装置，并且通常包括液晶显示(lcd)装置、有机发光二极管(oled)显示装置等。这样的显示装置用于诸如便携式电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机或各种终端的各种电子装置中。
5.诸如有机发光二极管显示装置的显示装置可以具有其中显示装置可以使用柔性基板而被弯折或折叠的结构。
6.另外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光学传感器的光学元件形成在是显示区域的外周的边框区中，但是随着要显示的屏幕的大小增大的同时显示区域的外围区域的大小逐渐减小，已经开发出允许相机或光学传感器设置在显示区域的背面上的技术。
7.在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本实用新型构思的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

8.根据本实用新型的示例性实施方式构造的装置能够提供在不使用偏振器的情况下减小外部光的反射率的发光显示装置。
9.本实用新型构思的实施例可以通过降低外部光的反射率或减少由反射光引起的颜色扩散(颜色分离)来提高显示质量。
10.本实用新型构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据描述显而易见，或者本实用新型构思的附加特征可以通过本实用新型构思的实践获知。
11.根据实施例的发光显示装置包括：第一像素电路部分，包括包含多晶半导体的第一多晶晶体管和包含氧化物半导体的第一氧化物晶体管；第一发光二极管，包括与第一像素电路部分连接的第一阳极；第二像素电路部分，包括包含多晶半导体的第二多晶晶体管和包含氧化物半导体的第二氧化物晶体管；第二发光二极管，包括与第二像素电路部分连接的第二阳极；封装层，覆盖第一像素电路部分、第二像素电路部分、第一发光二极管和第二发光二极管；光阻挡层，设置在封装层上并且包括在平面上与第一阳极重叠的第一光阻挡层开口以及在平面上与第二阳极重叠的第二光阻挡层开口；第一滤色器，设置在第一光阻挡层开口中；以及第二滤色器，设置在第二光阻挡层开口中，其中，在第一像素电路部分
中，与第一阳极相对应的第一扩展部分设置在第一导电层中并且包括第一导电层的加宽部分，第一导电层是从第一阳极开始向下的第一个导电的层中，并且在第二像素电路部分中，与第二阳极相对应的第二扩展部分设置在第二导电层并且包括第二导电层的加宽部分，第二导电层是从第二阳极开始向下的第二个导电的层。
12.发光显示装置可以进一步包括：黑色像素限定层：包括分别与第一阳极的至少一部分和第二阳极的至少一部分重叠的第一开口和第二开口，并且包括光阻挡材料。
13.第一扩展部分可以在平面上与整个第一开口重叠，并且第二扩展部分可以在平面上与整个第二开口重叠。
14.发光显示装置可以进一步包括：有机层，设置在第一阳极与第一导电层之间以及第二阳极与第一导电层之间。
15.有机层可以包括两个有机层。
16.有机层可以包括用于第一阳极的第三开口和用于第二阳极的第四开口，并且用于第一阳极的第三开口的边缘与第一开口的边缘之间的水平距离可以大于用于第二阳极的第四开口的边缘与第二开口的边缘之间的水平距离。
17.发光显示装置可以进一步包括：第一布线部分，设置在第二导电层中并且在平面上与第一开口重叠；以及第二布线部分，设置在第一导电层中并且在平面上与第二开口重叠。
18.与第一开口重叠的第一布线部分可以由在一个方向上延伸的单个布线部分形成，并且与第二开口重叠的第二布线部分可以由在一个方向上延伸的四个布线部分形成。
19.初始化电压可以被施加到形成第一布线部分的布线部分，并且形成第二布线部分的四个布线部分中的两个可以是数据线并且第二布线部分的其余两个可以被施加有驱动电压。
20.与第一开口重叠的第一布线部分可以包括在第一方向上延伸的布线部分，并且与第二开口重叠的第二布线部分可以包括在与第一方向垂直的方向上延伸的两个布线部分。
21.第一布线部分的布线部分可以被施加有初始化电压，并且第二布线部分的两个布线部分可以是数据线。
22.除了两个布线部分之外，第二布线部分可以进一步包括与第二开口的至少一部分重叠的两个附加布线部分。
23.两个附加布线部分可以是传送被施加到数据线的数据电压的附加信号布线并且与数据线平行。
24.发光显示装置可以进一步包括：第一附加信号布线，设置在第一导电层中、与附加信号布线电连接并且在与附加信号布线垂直的方向上延伸。
25.第一光阻挡层开口和第二光阻挡层开口可以在平面上分别与形成在黑色像素限定层中的第一开口和第二开口重叠，第一光阻挡层开口可以大于第一开口，并且第二光阻挡层开口可以大于第二开口。
26.没有设置导电层或半导体层的第二元件区域可以形成在第一像素电路部分或第二像素电路部分中。
27.附加开口可以分别形成在黑色像素限定层、光阻挡层以及第一滤色器和第二滤色器中的与第二元件区域相对应的位置处。
28.根据另一实施例的发光显示装置包括：第一半导体层，设置在基板上；第一栅导电层，设置在第一半导体层上；第二栅导电层，设置在第一栅导电层上；第二半导体层，设置在第二栅导电层上；第三栅导电层，设置在第二半导体层上；第一数据导电层，设置在第三栅导电层上；第一有机层，覆盖第一数据导电层；第二数据导电层，设置在第一有机层上；第二有机层，设置在第二数据导电层上；阳极，设置在第二有机层上；黑色像素限定层，包括与阳极重叠的开口并且包括光阻挡材料；阴极，设置在黑色像素限定层上；封装层，设置在阴极上；光阻挡层，设置在封装层上；以及滤色器，设置在光阻挡层上，其中，第一数据导电层或第二数据导电层包括包含第一数据导电层或第二数据导电层的加宽部分的扩展部分，扩展部分在平面上与黑色像素限定层的开口重叠并且扩展部分的宽度比黑色像素限定层的开口的宽度宽，并且扩展部分被施加有驱动电压。
29.布线部分可以设置在第一数据导电层和第二数据导电层当中的没有形成扩展部分的导电层中，布线部分可以与黑色像素限定层的开口重叠，并且布线部分可以包括传送数据电压的数据线。
30.发光显示装置可以进一步包括：第三有机层，设置在第二有机层与阳极之间。
31.发光显示装置可以进一步省略偏振器。
32.应当理解，前述一般描述和下面的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本实用新型的进一步解释。
附图说明
33.被包括以提供对本实用新型的进一步理解并且被结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本实用新型的示例性实施例并且与描述一起用于解释本实用新型构思。
34.图1是根据实施例的发光显示装置的使用阶段的示意性透视图。
35.图2是根据实施例的发光显示装置的分解透视图。
36.图3是根据实施例的发光显示装置的框图。
37.图4是根据另一实施例的发光显示装置的示意性透视图。
38.图5是根据实施例的发光显示装置的示意性截面图。
39.图6是根据实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图。
40.图7是根据实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
41.图8是根据实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
42.图9是示出根据实施例的发光显示装置的放大部分的俯视图。
43.图10是根据另一实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
44.图11是在根据实施例的发光显示装置中包括的像素的电路图。
45.图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22、图23和图24示出了依据根据实施例的发光显示装置的下面板层的制造工艺的每一层的结构。
46.图25是根据实施例的发光显示装置的截面图。
47.图26、图27和图28是根据另一实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图。
48.图29是根据另一实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
49.图30是根据另一实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
50.图31、图32、图33、图34、图35、图36、图37、图38、图39、图40、图41、图42和图43示出了依据根据另一实施例的发光显示装置的下面板层的制造工艺的每一层的结构。
51.图44是根据实施例的发光显示装置的截面图。
52.图45示意性地示出了根据实施例的发光显示装置的布线连接结构。
53.图46a、图46b和图46c是模拟根据比较示例和实施例的发光显示装置的阳极平坦度的结果。
54.图47是示出根据实施例和比较示例的发光显示装置中的发光角度的图。
55.图48a、图48b和图48c分别是根据另一实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图。
56.图49是根据其它实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
具体实施方式
57.在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本实用新型的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施例”和“实施方式”可互换的词，其是采用在本文中公开的一个或多个实用新型构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种实施例可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地混淆各种实施例。进一步，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本实用新型构思的情况下，实施例的特定形状、配置和特征可以在另一实施例中使用或实现。
58.除非另外指明，否则所示出的实施例应被理解为提供了可以在实践中实现本实用新型构思的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另外指明，否则在不脱离本实用新型构思的情况下，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独地或统称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
59.附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。因此，除非指明，否则无论存在还是不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，元件的大小和相对大小可以被夸大。当实施例可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
60.当诸如层的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，该元件可以直接在该另一元件上、直接连接到或耦接到该另一元件，或者可以存在居间元件。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，则不存在居间元件。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步，第一方向dr1的轴、第二方向dr2的轴和第三方向dr3的轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如，x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的意义解释。例如，第一方向dr1的轴、第二方向dr2的轴和第三方向dr3的轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如，xyz、
xyy、yz和zz。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和全部组合。
61.尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
62.诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语在本文中可以用于描述性目的，并且从而以描述如附图中所示出的一个元件与另一(些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除附图中描绘的定向之外设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种定向。此外，设备可以以其它方式(例如，旋转90度或以其它定向)而被定向，并且因此，在本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
63.在本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。还应注意，如在本文中使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且因此，被用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
64.在本文中参考是理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，由于例如制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可以预期的。因此，在本文中公开的实施例不应一定被解释为限于特定图示的区的形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中所示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且因此，不一定旨在是限制性的。
65.除非另外限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则这些术语不应以理想化或过于形式的意义进行解释。
66.此外，在整个说明书中，措辞“在平面上”或“在平面图中”指的是从上方观看对象部分，并且措辞“在截面上”指的是从侧面观看通过垂直地切开对象部分而形成的截面。
67.在下文中，参考图1、图2和图3，将示意性地描述发光显示装置1000的结构。
68.图1是根据实施例的发光显示装置的使用阶段的示意性透视图，图2是根据实施例的发光显示装置的分解透视图，并且图3是根据实施例的发光显示装置的框图。
69.作为用于显示运动图像或静止图像的装置，根据实施例的发光显示装置1000可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航辅助设备和超便携移动pc(umpc)等的便携式电子装置以及诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(iot)装置等的各种产品的显示屏。另外，根据实施例的发光显示装置1000可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器和头戴
式显示器(hmd)等的可穿戴装置中。另外，根据实施例的发光显示装置1000替代汽车的仪表面板(基板)和汽车的中央仪表板(center fascia)或设置在仪表盘上的cid(中央信息显示器)以及汽车的侧视镜，并且它可以用作设置在前排座椅的背部上的显示器作为车内镜显示器或者用于汽车后排座椅的娱乐。为了更好地理解和易于描述，图1示出了发光显示装置1000用作智能电话。
70.参考图1、图2和图3，发光显示装置1000可以在与第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的显示平面上显示朝向第三方向dr3的图像。图像被显示的显示平面可以与发光显示装置1000的前表面相对应，并且可以与覆盖窗wu的前表面相对应。图像不仅可以包括静止图像，而且还可以包括运动图像。
71.在本实施例中，每一个构件的前(或顶)和后(或底)基于图像被显示的方向来限定。前表面和后表面可以在第三方向dr3上彼此相反，并且前表面和后表面的法线方向可以与第三方向dr3平行。前表面与后表面之间在第三方向dr3上的分隔距离可以与发光显示面板dp在第三方向dr3上的厚度相对应。
72.根据实施例的发光显示装置1000可以感测从外部施加的用户的输入(参考图1中的手)。用户的输入可以包括诸如用户的身体的一部分、光、热或压力的各种类型的外部输入。在实施例中，用户的输入利用被施加在前表面中的用户的手来示出。然而，本实用新型构思不限于此。用户的输入可以以各种形式提供，并且发光显示装置1000可以根据发光显示装置1000的结构来感测被施加到发光显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。
73.发光显示装置1000可以包括显示区域da以及设置在显示区域da周围的外围区域pa。显示区域da可以主要地被划分成第一显示区域da1和第一元件区域da2(在下文中也被称为部件区域或第二显示区域)。在实施例中，第一显示区域da1可以包括用于显示图像的多个像素px，并且第一元件区域da2包括透光区域lta(参见图25)并且还可以另外包括用于显示图像的像素px。第一元件区域da2可以是与诸如相机或光学传感器的光学元件es至少部分地重叠的区域。在图1中，尽管第一元件区域da2以圆形形状被提供在发光显示装置1000的右上侧，但是本实用新型构思不限于此。第一元件区域da2可以根据光学元件es的数量和形状以各种数量和形状被提供。
74.发光显示装置1000可以通过第一元件区域da2接收光学元件es所需的外部信号，或者可以将从光学元件es输出的信号提供到外部。在实施例中，第一元件区域da2被提供为与透射区域ta重叠，并且因此可以减小用于形成透射区域ta的阻挡区域ba的面积。这里，阻挡区域ba可以包括与透射区域ta相比具有相对低的透光率的边框区域。
75.发光显示装置1000可以包括覆盖窗wu、壳体hm、发光显示面板dp和光学元件es。在实施例中，覆盖窗wu和壳体hm可以被组合以形成发光显示装置1000的外观。
76.覆盖窗wu可以包括绝缘面板。例如，覆盖窗wu可以由玻璃、塑料或者它们的组合制成。
77.覆盖窗wu的前表面可以限定发光显示装置1000的前表面。透射区域ta可以是光学透明区域。例如，透射区域ta可以是具有大约90％或更高的可见光透射率的区。
78.阻挡区域ba可以限定透射区域ta的形状。阻挡区域ba可以通过与透射区域ta相邻来围绕透射区域ta。阻挡区域ba可以是与透射区域ta相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域ba可以包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域ba可以具有预定颜色。阻挡区域ba可以
由与限定透射区域ta的透明基板分离地提供的边框层限定，或者可以由通过插入透明基板或使透明基板着色形成的油墨层限定。
79.发光显示面板dp可以包括驱动器50、用于显示图像的显示面板以及用于感测外部输入的触摸感测器ts。发光显示面板dp可以包括包含显示区域da和外围区域pa的前表面。显示区域da可以是其中像素px根据电信号操作和发射光的区。
80.在实施例中，显示区域da是包含像素px并且因此显示图像的区域，并且同时，可以是触摸感测器ts设置在像素px的在第三方向dr3上的上侧并且利用触摸感测器ts感测外部输入的区域。
81.覆盖窗wu的透射区域ta可以与发光显示面板dp的显示区域da至少部分地重叠。例如，透射区域ta可以与显示区域da的前表面重叠，或者可以与显示区域da的至少一部分重叠。相应地，用户可以通过透射区域ta识别图像或者基于图像提供外部输入。然而，本实用新型构思不限于此。例如，在显示区域da中，显示图像的区和感测外部输入的区可以彼此分离。
82.发光显示面板dp的外围区域pa可以与覆盖窗wu的阻挡区域ba至少部分地重叠。外围区域pa可以是由阻挡区域ba覆盖的区。外围区域pa与显示区域da相邻，并且可以围绕显示区域da。图像不显示在外围区域pa中，并且用于驱动显示区域da的驱动电路或驱动布线可以设置在外围区域pa中。外围区域pa可以包括设置在显示区域da外部的第一外围区域pa1以及包括驱动器50、连接布线和弯折区域的第二外围区域pa2。在图2的实施例中，第一外围区域pa1设置在显示区域da的三侧处，并且第二外围区域pa2设置在显示区域da的剩余侧处。
83.在实施例中，发光显示面板dp可以在显示区域da和外围区域pa面对覆盖窗wu的平坦状态下被组装。然而，本实用新型构思不限于此。发光显示面板dp的外围区域pa的一部分可以被弯折。在这种情况下，外围区域pa的一部分面向发光显示装置1000的后表面，并且因此可以减小从发光显示装置1000的前面可以看到的阻挡区域ba的面积，并且在图2中，第二外围区域pa2被弯折并且因此可以在被定位在显示区域da的后表面上之后被组装。
84.显示区域da可以包括第一显示区域da1和第一元件区域da2。第一元件区域da2包括透光区域lta(参见图25)，并且因此与第一显示区域da1相比可以具有相对高的透光率。另外，与第一显示区域da1相比，第一元件区域da2可以具有相对小的面积。第一元件区域da2可以被限定为发光显示面板dp当中的与其中光学元件es设置在壳体hm内部的区重叠的区。在实施例中，第一元件区域da2以圆形形状被图示，但是本实用新型构思不限于此，并且第一元件区域da2可以具有诸如多边形和椭圆形等具有至少一条曲线的各种形状。
85.第一显示区域da1可以与第一元件区域da2相邻。在实施例中，第一显示区域da1可以围绕整个第一元件区域da2。然而，本实用新型构思不限于此。第一显示区域da1可以部分地围绕第一元件区域da2。参考图3，发光显示面板dp可以包括触摸感测器ts以及包含显示像素的显示区域da。包括产生图像的像素px的情况下，发光显示面板dp可以通过透射区域ta在视觉上由用户从外部识别。另外，触摸感测器ts可以设置在像素px的上部分，并且可以感测从外部施加的外部输入。触摸感测器ts可以感测被提供到覆盖窗wu的外部输入。
86.参考图2，第二外围区域pa2可以包括弯折部分。显示区域da和第一外围区域pa1可以在与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面基本上平行的同时具有平坦状态，并且第
二外围区域pa2的一侧可以从平坦状态延伸，穿过弯折部分并且然后再次处于平坦状态。因此，第二外围区域pa2的至少一部分可以被组装成设置在显示区域da的后侧。第二外围区域pa2的至少一部分在被组装的同时在平面上与显示区域da重叠，并且因此可以减小发光显示装置1000的阻挡区域ba的面积。然而，本实用新型构思不限于此。例如，第二外围区域pa2可以不被弯折。
87.驱动器50可以安装在第二外围区域pa2中，安装在弯折部分上或者设置在弯折部分的两侧中的一侧。驱动器50可以以芯片的形式被提供。
88.驱动器50可以电连接到显示区域da以将电信号传送到显示区域da。例如，驱动器50可以将数据信号提供到设置在显示区域da中的像素px。可替代地，驱动器50可以包括触摸驱动电路，并且可以与设置在显示区域da中的触摸感测器ts电连接。驱动器50可以包括除上述电路之外的各种电路，或者可以被设计成将各种电信号提供到显示区域da。
89.同时，焊盘部分可以设置在发光显示装置1000的第二外围区域pa2的末端处，并且发光显示装置1000可以通过焊盘部分与包括驱动芯片的柔性印刷电路板(fpcb)电连接。这里，设置在fpcb中的驱动芯片可以包括用于驱动发光显示装置1000的各种驱动电路或者用于电源的连接器。根据实施例，可以使用刚性印刷电路板(pcb)代替柔性印刷电路板。
90.光学元件es可以设置在发光显示面板dp之下。光学元件es可以接收通过第一元件区域da2传送的外部输入，或者可以通过第一元件区域da2输出信号。在实施例中，具有相对高的透光率的第一元件区域da2被提供在显示区域da内部并且因此光学元件es可以设置成与显示区域da重叠，并且相应地，可以减小阻挡区域ba的面积(或大小)。
91.参考图3，发光显示装置1000可以包括发光显示面板dp、电源模块pm、第一电子模块em1和第二电子模块em2。发光显示面板dp、电源模块pm、第一电子模块em1和第二电子模块em2可以彼此电连接。在图3中，作为示例示出了发光显示面板dp的配置当中的显示区域da和触摸感测器ts。
92.电源模块pm可以供应发光显示装置1000的整体操作所需的电力。电源模块pm可以包括常规电池模块。
93.第一电子模块em1和第二电子模块em2可以包括用于操作发光显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块em1可以直接安装在电连接到发光显示面板dp的主板上，或者安装在分离的基板上并且通过连接器(未示出)电连接到主板。
94.第一电子模块em1可以包括控制模块cm、无线通信模块tm、图像输入模块iim、音频输入模块aim、存储器mm和外部接口if。模块中的一些不安装在主板上，但是可以通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到主板。
95.控制模块cm可以控制发光显示装置1000的整体操作。控制模块cm可以是微处理器。例如，控制模块cm激活或去激活发光显示面板dp。控制模块cm可以基于从发光显示面板dp接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块iim或音频输入模块aim的其它模块。
96.无线通信模块tm可以使用蓝牙或wi-fi线路将无线信号传送到另一终端/从另一终端接收无线信号。无线通信模块tm可以使用通用通信线路传送/接收语音信号。无线通信模块tm包括调制并传送要传送的信号的传送部分tm1以及解调所接收的信号的接收部分tm2。
97.图像输入模块iim可以处理图像信号，并且将处理后的图像信号转换成可以在发
光显示面板dp上显示的图像数据。音频输入模块aim可以接收在记录模式和语音识别模式等模式下由麦克风输入的外部声音信号，并且将外部声音信号转换成电子语音数据。
98.外部接口if可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口和卡(例如，存储卡、sim/uim卡)插槽等的接口。
99.第二电子模块em2可以包括音频输出模块aom、发光模块lm、光接收模块lrm和相机模块cmm，并且这些模块中的至少一些是光学元件es并且可以设置在如图1和图2中所示的显示区域da的后侧。作为光学元件es，可以包括发光模块lm、光接收模块lrm和相机模块cmm。另外，第二电子模块em2可以直接安装在主板上，安装在分离的基板上并通过连接器(未示出)电连接到发光显示面板dp，或者电连接到第一电子模块em1。
100.音频输出模块aom可以转换从无线通信模块tm接收的音频数据或存储在存储器mm中的音频数据，并且将转换后的音频数据输出到外部。
101.发光模块lm可以产生并输出光。发光模块lm可以输出红外光。例如，发光模块lm可以包括led元件。例如，光接收模块lrm可以感测红外光。光接收模块lrm可以在高于预定水平的红外光被检测到时被激活。光接收模块lrm可以包括cmos传感器。在由发光模块lm产生的红外光被输出之后，被输出的红外光由外部主体(例如，用户的手指或面部)反射，并且被反射的红外光可以入射在光接收模块lrm上。相机模块cmm可以拍摄外部图像。
102.在实施例中，光学元件es可以附加地包括光感测传感器或热感测传感器。光学元件es可以检测通过前表面接收的外部对象，或者将诸如语音的声音信号通过前表面提供到外部。另外，光学元件es可以包括多种配置，并且不限于任何一个实施例。
103.返回参考图2，壳体hm可以与覆盖窗wu组合。覆盖窗wu可以设置在壳体hm的前面。壳体hm可以与覆盖窗wu组合以提供预定容纳空间。
104.发光显示面板dp和光学元件es可以容纳于在壳体hm与覆盖窗wu之间提供的预定容纳空间中。
105.壳体hm可以包含具有相对高的刚度的材料。例如，壳体hm可以包括由玻璃、塑料或金属或者它们的组合制成的多个框架和/或板。壳体hm可以可靠地保护发光显示装置1000的封装在内部空间中的部件免受外部冲击的影响。
106.在下文中，参考图4，将描述根据另一实施例的发光显示装置1000的结构。
107.图4是根据另一实施例的发光显示装置的示意性透视图。
108.在图4的实施例中，发光显示装置1000被示出为具有可以通过折叠轴fax折叠的结构的可折叠发光显示装置。
109.如图4中所示，第一元件区域da2(在下文中也被称为部件区域)可以设置在可折叠发光显示装置的一侧。
110.诸如相机或光学传感器的光学元件设置在图4的第一元件区域da2的后侧，并且透光区域lta设置在第一元件区域da2中。稍后可以参考图25描述透光区域lta的结构。
111.参考图4，在实施例中，发光显示装置1000可以是可折叠发光显示装置。发光显示装置1000可以基于折叠轴fax向外或向内折叠。当基于折叠轴fax向外折叠时，发光显示装置1000的显示表面设置在第三方向dr3上的外部，并且因此图像可以在两个方向上被显示。当基于折叠轴fax向内折叠时，显示表面可能无法在视觉上从外部被识别。
112.发光显示装置1000可以包括壳体、发光显示面板和覆盖窗。
113.在实施例中，发光显示面板可以包括显示区域da和外围区域pa。显示区域da可以是其中显示图像的区域，并且可以是其中外部输入同时被感测的区域。显示区域da可以是其中设置有稍后将描述的多个像素的区域。
114.显示区域da可以包括第一显示区域da1和第一元件区域da2。另外，第一显示区域da1可以被划分成第一显示区域da1-1、第二显示区域da1-2和折叠区域fa。第一显示区域da1-1和第二显示区域da1-2可以参考折叠轴fax(或中心)分别设置在左侧和右侧，并且折叠区域fa可以设置在第一显示区域da1-1与第二显示区域da1-2之间。在这种情况下，当基于折叠轴fax向外折叠时，第一显示区域da1-1和第二显示区域da1-2设置在第三方向dr3上的两侧，并且图像可以在两个方向上被显示。另外，当基于折叠轴fax向内折叠时，第一显示区域da1-1和第二显示区域da1-2可能无法在视觉上从外部被识别。
115.在下文中，将参考图5描述根据实施例的发光显示面板dp的结构。
116.图5是根据实施例的发光显示装置的示意性截面图。
117.根据实施例的发光显示面板dp可以通过在基板110上形成发光二极管来显示图像，并且可以通过包括多个感测电极540和541来检测触摸。发光显示面板dp可以通过包括光阻挡层220以及滤色器230r、230g和230b而在从发光二极管发射的光中具有滤色器230r、230g和230b的特性。
118.另外，根据实施例，偏振器不形成在发光显示面板dp的前表面上并且替代地使用黑色像素限定层380，并且光阻挡层220和滤色器230r、230g和230b形成在上部分上。因此，即使外部光在内部透射，它还可以从阳极anode反射并且不被透射到用户。
119.另外，阳极anode被形成为在根据实施例的发光显示面板dp中是平坦的，并且因此可以防止从外部供应的光在阳极anode处不对称地扩散，从而减少由反射光引起的颜色扩散(颜色分离)并提高显示质量。
120.另外，在图5的发光显示面板dp中，将发光二极管(led)当中的发射层eml分离的黑色像素限定层380由包含光阻挡材料的黑色有机材料形成。覆盖阳极anode的外周的黑色像素限定层380通过包括光阻挡材料来阻挡光并且因此光由阳极anode的通过黑色像素限定层380的开口op暴露的部分反射，并且阳极anode整体被形成为平坦的，或者阳极anode的通过黑色像素限定层380的开口op暴露的部分被形成为平坦的，使得光不从阳极anode不对称地反射。
121.在图5的发光显示面板dp中，具有台阶的间隔件385(也被称为主间隔件)形成在黑色像素限定层380上。间隔件385包括具有高的高度的第一部分385-1以及具有比第一部分385-1的高度低的高度并且形成在第一部分385-1的外周处的第二部分385-2。间隔件385可以增加发光显示面板dp的刮擦强度以降低由于挤压压力引起的缺陷发生率，并且还可以增加与设置在间隔件385的上部分上的功能层fl的粘附性以防止来自外部的水分和空气渗透。另外，高粘附性的优点在于，当发光显示面板dp在折叠或展开时具有柔性特性时，它可以消除层之间的粘附性降低的问题。
122.参考图5，将详细地描述根据实施例的发光显示面板dp。
123.基板110可以包括由于刚性特性而不弯折的诸如玻璃的材料，或者可以弯折的诸如塑料或聚酰亚胺的柔性材料。
124.多个薄膜晶体管形成在基板110上，但是它们未在图5中图示，并且仅示出了覆盖
薄膜晶体管的有机层180。有机层180可以包括两个或更多个有机层，以提高设置在其上的阳极anode的平坦度特性。
125.每一个像素包括发光二极管和形成有电容器以及将发光电流传送到发光二极管的多个晶体管的像素电路部分。在图5中，未图示像素电路部分并且像素电路部分的结构可以根据实施例而变化，并且像素电路部分可以具有根据图11、图12至图24或图31至图43的实施例的结构。在图5中，示出了覆盖像素电路部分的有机层180。
126.包括阳极anode、发射层eml和阴极cathode的发光二极管设置在有机层180上。
127.阳极anode可以由包含透明导电氧化物膜和金属材料的单层或包含它们的多层形成。透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ito)、聚ito、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)，并且金属材料可以包括银(ag)、钼(mo)、铜(cu)、金(au)和铝(al)等。
128.发射层eml可以由有机发光材料形成，并且相邻的发射层eml可以显示不同的颜色。同时，根据实施例，各个发射层eml由于设置在其上方的滤色器230r、230g和230b可以显示相同的颜色。
129.黑色像素限定层380设置在有机层180和阳极anode上，开口op形成在黑色像素限定层380中，开口op与阳极anode的一部分重叠，并且发射层eml设置在阳极anode的被开口op暴露的部分上。发射层eml可以仅设置在黑色像素限定层380的开口op内部，并且通过黑色像素限定层380与相邻的发射层eml区分开。黑色像素限定层380可以由具有黑色的负型有机材料形成。具有黑色的有机材料可以包含光阻挡材料，并且光阻挡材料包括碳黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或膏体、金属颗粒(诸如镍、铝、钼以及它们的合金)和金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)。黑色像素限定层380包括光阻挡材料并且具有黑色，并且可以具有光不被反射并且被吸收/阻挡的特性。由于负型有机材料被使用，因此由掩模覆盖的部分可以被去除。
130.在本文中，黑色像素限定层380可以被形成为负型，间隔件385可以被形成为正型，并且它们可以包括相同类型的材料。
131.间隔件385形成在黑色像素限定层380上。间隔件385包括设置在高且窄的区中的第一部分385-1以及设置在低且宽的区中的第二部分385-2。在图5中，尽管第一部分385-1和第二部分385-2被示出为在间隔件385中通过虚线分离，但是它们可以被形成为一个间隔件385。这里，第一部分385-1可以用于通过加强刮擦强度来确保抗挤压压力的刚性。第二部分385-2可以用作黑色像素限定层380与功能层fl之间的接触辅助件。第一部分385-1和第二部分385-2可以由相同的材料形成，并且可以由正型光敏有机材料形成，例如，光敏聚酰亚胺(pspi)可以被使用。由于其具有正性特性，因此未由掩模覆盖的部分可以被去除。间隔件385是透明的，并且因此光可以被透射和/或反射。
132.黑色像素限定层380的上表面的大部分被间隔件385覆盖并且间隔件385具有其中第二部分385-2的边缘与黑色像素限定层380的边缘间隔开的结构，并且因此黑色像素限定层380的一部分不被间隔件385覆盖。第二部分385-2还覆盖黑色像素限定层380的不放置第一部分385-1的上表面，以提高黑色像素限定层380与功能层fl之间的粘合特性。这里，间隔件385由光敏聚酰亚胺(pspi)形成，并且可以由正型有机材料形成。根据实施例，间隔件385可以仅由具有梯形形状的一个部分形成。
133.功能层fl设置在发射层eml、间隔件385和暴露的黑色像素限定层380上，并且功能
层fl可以形成在发光显示面板dp的整个表面上。功能层fl可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，并且功能层fl可以设置在发射层eml上方和下方。即，空穴注入层、空穴传输层、发射层eml、电子传输层、电子注入层和阴极cathode顺序地设置在阳极anode上，并且因此功能层fl的空穴注入层和空穴传输层设置在发射层eml下方，而功能层fl的电子传输层和电子注入层可以设置在发射层eml上方。
134.阴极cathode可以被形成为透光电极或反射电极。根据实施例，阴极cathode可以是透明或半透明电极，并且可以由具有低功函数的金属薄膜(诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)以及它们的化合物或混合物，或者诸如氟化锂/钙(lif/ca)和氟化锂/铝(lif/al)的具有多层结构的材料)形成。另外，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的透明导电氧化物(tco)可以进一步设置在金属薄膜上。阴极cathode可以遍及发光显示面板dp的整个表面一体地形成。
135.封装层400设置在阴极cathode上。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且在图5中，封装层400具有包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403的三层结构。封装层400可以用于保护由有机材料形成的发射层eml免受可能从外部流入的水分或氧气的影响。根据实施例，封装层400可以包括其中无机层和有机层进一步顺序地堆叠的结构。这里，有机封装层402的厚度可以被形成为3.5μm或更大且4.5μm或更小(例如，4μm)。有机封装层402的厚度可以从8μm或更大减小到该厚度的一半，以提高其上的触摸感测的效果，并且可以减小黑色像素限定层380与光阻挡层220之间的距离以允许用户以广角观看图像。
136.感测绝缘层501、510和511以及多个感测电极540和541设置在封装层400上用于触摸感测。在图5的实施例中，使用两个感测电极540和541以电容型来感测触摸，但是根据实施例，还可以仅使用一个感测电极以自电容方法来感测触摸。多个感测电极540和541可以在其间设置感测绝缘层501、510和511的同时彼此绝缘，并且多个感测电极540和541中的一部分可以通过设置在感测绝缘层501、510和511中的开口电连接。这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、钼(mo)、钛(ti)和钽(ta)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。在本实施例中，下感测绝缘层501设置在下感测电极541下方，中间感测绝缘层510设置在下感测电极541与上感测电极540之间，并且上感测绝缘层511设置在上感测电极540与光阻挡层220之间。上感测绝缘层511还可以设置在滤色器230r、230g和230b下方。
137.相应地，附加绝缘层可以进一步形成在两个感测电极540和541之间、上方和下方。
138.光阻挡层220以及滤色器230r、230g和230b设置在上感测电极540上。
139.光阻挡层220可以设置成在平面上与感测电极540和541重叠。光阻挡层220具有开口opbm，并且光阻挡层220的开口opbm在平面上与黑色像素限定层380的开口op重叠。另外，光阻挡层220的开口opbm可以被形成为比黑色像素限定层380的开口op宽。结果，与黑色像素限定层380的开口op重叠(即，被黑色像素限定层380的开口op暴露)的阳极anode可以具有在平面上不被光阻挡层220覆盖的结构。这是为了防止阳极anode和能够显示图像的发射层eml被光阻挡层220以及感测电极540和541覆盖。光阻挡层220可以具有大约1μm的厚度，并且根据实施例，光阻挡层220可以具有1.1μm的厚度。
140.滤色器230r、230g和230b设置在感测绝缘层501、510和511以及光阻挡层220上。滤
色器230r、230g和230b包括透射红光的红色滤色器230r、透射绿光的绿色滤色器230g以及透射蓝光的蓝色滤色器230b。滤色器230r、230g和230b中的每一个可以设置为在平面上与发光二极管(led)的阳极anode重叠。由于从发射层eml发射的光可以在穿过滤色器时被改变为对应的颜色的同时被发射，因此从发射层eml发射的光中的全部可以具有相同的颜色。然而，在发射层eml中，不同颜色的光被显示，并且显示的颜色可以通过穿过相同颜色的滤色器而被增强。滤色器230r、230g和230b的厚度可以是2μm或更大且3μm或更小，并且根据实施例，滤色器230r、230g和230b的厚度可以具有2.7μm的厚度。
141.光阻挡层220可以设置在滤色器230r、230g和230b中的相邻的滤色器之间。根据实施例，滤色器230r、230g和230b可以用颜色转换层代替，或者可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。
142.覆盖滤色器230r、230g和230b的平坦化层550设置在滤色器230r、230g和230b上。平坦化层550用于平坦化发光显示面板dp的上表面，并且可以是包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料的透明有机绝缘层。
143.根据实施例，低折射层和附加平坦化层可以进一步设置在平坦化层550上，以提高发光显示面板dp的前面可视性和发光效率。光可以在被低折射层以及具有高折射特性的附加平坦化层折射到前面的同时被发射。在这种情况下，低折射层和附加平坦化层可以直接设置在滤色器230r、230g和230b上，并且因此根据实施例，平坦化层550可以被省略。
144.在本实施例中，偏振器不被包括在平坦化层550上。当用户识别入射在其上并且从阳极anode反射的外部光时，偏振器可以用作防止显示劣化。然而，在本实施例中，还包括其中黑色像素限定层380覆盖阳极anode的侧面以降低从阳极anode反射的程度并且形成并包括光阻挡层220来减少光的入射以防止由于反射导致的显示质量的劣化的结构。因此，不需要在发光显示面板dp的前表面上单独地形成偏振器。
145.另外，在本实施例中，被黑色像素限定层380的开口op暴露的阳极anode(其是可以反射外部光的部分)平坦地被形成，使得光不从阳极anode不对称地反射。
146.根据实施例的发光显示面板dp可以主要地被划分成下面板层和上面板层。下面板层是设置有形成像素的发光二极管和像素电路部分的部分，并且可以包括到覆盖下面板层的封装层400。即，下面板层从基板110延伸到封装层400(即，包括基板110、阳极anode、黑色像素限定层380、发射层eml、间隔件385、功能层fl、阴极cathode和封装层400)，并且进一步包括基板110与阳极anode之间的绝缘层、半导体层和导电层。
147.上面板层是设置在封装层400上的部分并且包括感测绝缘层501、510和511以及可以感测触摸的多个感测电极540和541，并且进一步包括光阻挡层220、滤色器230r、230g和230b以及平坦化层550等。
148.在下文中，参考图6，将详细地描述根据本实施例的阳极anode的用于平坦化阳极anode的下结构。
149.图6是根据实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图。
150.在图6中，发射层eml、功能层fl和阴极cathode被省略，但是在图6中，附加地示出了光阻挡层220以及滤色器230r、230g和230b以清楚地示出与光阻挡层220的关系。
151.在图6中，黑色像素限定层380的开口op设置在阳极anode上，并且开口op与阳极
anode部分地重叠，使得阳极anode的顶表面的一部分暴露。尽管在图6中未图示，但是发射层eml设置在暴露的阳极anode上以及黑色像素限定层380的开口op中。黑色像素限定层380具有黑色，使得光不从阳极anode的被黑色像素限定层380覆盖的部分反射。发射层eml根据将显示的颜色可以包括不同的材料，并且相应地，可以确定黑色像素限定层380的开口op的大小。这里，黑色像素限定层380的开口op的大小与发射层eml的寿命有关，并且当发射层eml的材料被确定时，可以以考虑发射层eml的寿命而设置的大小来形成开口op。
152.同时，在图6中，详细地示出了阳极anode的下结构。
153.第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183形成在阳极anode下方。第一数据导电层sd1设置在第一有机层181与基板110之间，第二数据导电层sd2设置在第一有机层181与第二有机层182之间，并且阳极anode形成在第三有机层183上。可以不在第二有机层182与第三有机层183之间形成单独的导电层，并且根据实施例，附加导电层可以设置在没有像素形成的区(外围区域)中，并且第三有机层183可以被省略。
154.导电层(例如，第一栅导电层和第二栅导电层等)、半导体层(例如，多晶半导体层和氧化物半导体层等)和绝缘层(无机绝缘层和/或有机绝缘层)可以形成在基板110与第一数据导电层sd1之间。可以参考图12至图25或者图31至图44详细地描述第一数据导电层sd1的下结构。
155.扩展部分fl-sd1和fl-sd2形成在作为阳极anode的下部分并且在平面上与阳极anode重叠的第一数据导电层sd1或第二数据导电层sd2中。有机层181、182和183以及扩展部分fl-sd1和fl-sd2设置成通过去除其下方的台阶差来平坦化设置在其上的阳极anode。布线部分sl-sd1和sl-sd2可以设置在其中未形成扩展部分fl-sd1和fl-sd2的区域中的第一数据导电层sd1或第二数据导电层sd2中。
156.现在将参考图6详细地描述用于每一种颜色的每一个像素的结构。
157.蓝色像素是设置在蓝色滤色器230b下方的像素。设置在蓝色像素上的光阻挡层220的开口opbm大于黑色像素限定层380的开口op。扩展部分fl-sd2设置于设置在阳极anode下方的第二数据导电层sd2中，并且布线部分sl-sd1设置于设置在阳极anode下方的第一数据导电层sd1中。设置在第二数据导电层sd2中的扩展部分fl-sd2的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-b的间隔。有机层181、182和183以及扩展部分fl-sd2通过去除设置在有机层181、182和183以及扩展部分fl-sd2之下的台阶差使设置在其上方的阳极anode在平面上重叠的同时变平坦。尽管仅示出了与扩展部分fl-sd2重叠的一个布线部分sl-sd1，但是可以形成两个或更多个布线部分sl-sd1。
158.绿色像素是设置在绿色滤色器230g下方的像素。设置在绿色像素上的光阻挡层220的开口opbm大于黑色像素限定层380的开口op。扩展部分fl-sd1设置于设置在阳极anode下方的第一数据导电层sd1中，并且布线部分sl-sd2设置于设置在阳极anode上方的第二数据导电层sd2中。设置在第一数据导电层sd1中的扩展部分fl-sd1的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-g2的间隔。设置在第二数据导电层sd2中的布线部分sl-sd2被形成为一对，并且一对布线部分sl-sd2的外边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-g1的间隔。有机层181、182和183以及具有设置在阳极anode的边缘外部的边缘的扩展部分fl-sd1和布线部分sl-sd2去除了设置在其下方的台阶差。结果，设置在其上方的阳极anode在平面上重叠的同时变平坦。尽管与扩展部分fl-sd1重叠的布线部分sl-sd2被
示出为一对，但是根据实施例，可以形成仅一个布线部分sl-sd2，或者三个或更多个布线部分sl-sd2可以与阳极anode重叠。
159.同时，红色像素可以具有与蓝色像素的结构相似的结构。即，红色像素是设置在红色滤色器230r下方的像素。设置在红色像素上的光阻挡层220的开口opbm大于黑色像素限定层380的开口op。扩展部分fl-sd2设置于设置在阳极anode下方的第二数据导电层sd2中，并且布线部分sl-sd1设置于设置在阳极anode下方的第一数据导电层sd1中。设置在第二数据导电层sd2中的扩展部分fl-sd2的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-r的间隔。有机层181、182和183以及扩展部分fl-sd2通过去除设置在其下方的台阶差使设置在其上方的阳极anode在平面上重叠的同时变平坦。尽管仅示出了与扩展部分fl-sd2重叠的一个布线部分sl-sd1，但是可以形成两个或更多个布线部分sl-sd1。
160.在下文中，将参考图7和图8描述根据实施例的发光显示面板dp的更详细的平面结构。
161.发光显示面板dp可以主要地被划分成下面板层和上面板层，并且下面板层是设置有形成像素的发光二极管和像素电路部分的部分并且可以包括覆盖下面板层的封装层400。即，下面板层从基板110延伸到封装层400(即，包括基板110、阳极anode、黑色像素限定层380、发射层eml、间隔件385、功能层fl、阴极cathode和封装层400)，并且进一步包括基板110与阳极anode之间的半导体层、导电层和绝缘层。
162.上面板层是设置在封装层400的上的部分并且可以包括感测绝缘层501、510和511以及可以感测触摸的多个感测电极540和541，并且可以进一步包括光阻挡层220、滤色器230r、230g和230b以及平坦化层550。
163.首先，参考图7，将详细地描述下面板层的第一数据导电层sd1和第二数据导电层sd2的平面结构。
164.图7是根据实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
165.在图7中，仅示出了第一数据导电层sd1、第二数据导电层sd2以及形成在根据实施例的黑色像素限定层380中的用于红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b的开口opr、opg和opb。在图7中，第一数据导电层sd1和第二数据导电层sd2用不同的阴影示出。
166.通过在宽度方向上扩展第二数据导电层sd2形成的扩展部分fl-sd2形成在红色和蓝色像素的开口opr和opb下方。即，第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2与红色和蓝色像素的开口opr和opb在平面上彼此重叠。第一数据导电层sd1具有其中一个布线部分穿越第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2以及红色和蓝色像素的开口opr和opb的结构，并且参考图19，第一数据导电层sd1的布线部分可以是第二初始化电压线128的一部分并且可以被施加有第二初始化电压avinit(参见图11)。可以通过有机层181、182和183中的至少一个、第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2以及第一数据导电层sd1的布线部分使与开口opr和opb重叠的阳极变平坦。
167.同时，通过在很大程度上扩展第一数据导电层sd1形成的扩展部分fl-sd1存在于开口opg下方。即，第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1与开口opg在平面上彼此重叠。在图7中，设置在第二数据导电层sd2上的总共四个布线部分具有与第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1以及开口opg重叠的结构，并且参考图21，第二数据导电层sd2的布线部分可以是传送数据电压data(参见图11)的数据线171的一部分以及传送驱动电压elvdd(参见图
11)的驱动电压线172的一部分。由于设置在与开口opg相对应的阳极下方的第二数据导电层sd2不具有平坦的扩展结构，因此还可能存在阳极的平坦度将降低的可能性。然而，有机层181、182和183被设置并且因此平坦度特性通过有机层181、182和183被提高，并且四个布线部分设置在第二数据导电层sd2中，使得在阳极中不产生台阶。考虑一个布线部分的实际线宽、形成在黑色像素限定层380中的开口opg的大小以及通过有机层181、182和183变平坦的程度，如图7中所示，四个布线部分形成在第二数据导电层sd2中，以与开口opg重叠，使得阳极可以具有其基本上平坦的特性。因此，通过有机层181、182和183中的至少一个、第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1以及第二数据导电层sd2的布线部分，与绿色像素的开口opg重叠的阳极可以被形成为是平坦的。
168.在上文中，参考图7，详细地描述了下面板层当中的第一数据导电层sd1、第二数据导电层sd2与形成在黑色像素限定层380中的开口opr、opg和opb之间的平面关系。在下文中，将参考图8详细地描述上面板层的平面结构。
169.图8是根据实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
170.参考图8，光阻挡层220包括开口opbm，并且如图5和图6中所示，开口opbm可以在平面上与黑色像素限定层380的开口op重叠的同时被形成为比黑色像素限定层380的开口op宽。另外，在图8中，为了清楚地示出上面板层与下面板层之间的关系，附加地示出了设置在下面板层中的黑色像素限定层380的开口op以及间隔件385的第一部分385-1。
171.滤色器230r、230g和230b设置在光阻挡层220上。滤色器230r、230g和230b中的一种滤色器可以在具有开口的同时整体地设置，并且其它两种滤色器可以填充开口。参考图8的实施例，红色滤色器230r在具有开口opcrg和opcrb的同时整体地设置，并且绿色滤色器230g和蓝色滤色器230b分别填充开口opcrg和开口opcrb。在图8中，通过利用不同的阴影示出每一种滤色器，可以容易地区分每一种滤色器。
172.红色滤色器230r与光阻挡层220重叠，红色滤色器230r填充在光阻挡层220的开口opbm当中的用于红色像素的开口opbm中，使得用于红色像素的开口opbm和红色滤色器230r在平面上重叠。即，在图8的实施例中，除设置在光阻挡层220的开口opbm中的主要部分之外，红色滤色器230r进一步包括与光阻挡层220重叠的重叠部分230r-1。红色滤色器230r在与用于绿色像素的开口opbm和用于蓝色像素的开口opbm相对应的位置中分别具有开口opcrg和开口opcrb。红色滤色器230r的开口opcrg和开口opcrb比光阻挡层220的开口opbm宽。
173.绿色滤色器230g仅设置在与光阻挡层220的用于绿色像素的开口opbm以及红色滤色器230r的用于绿色像素的开口opcrg重叠的位置中。绿色滤色器230g可以在平面上与用于绿色像素的开口opbm以及用于绿色像素的开口opcrg重叠的同时形成得较宽。
174.蓝色滤色器230b仅设置在与光阻挡层220的用于蓝色像素的开口opbm以及红色滤色器230r的用于蓝色像素的开口opcrb重叠的位置中。蓝色滤色器230b在平面上与用于蓝色像素的开口opbm以及用于蓝色像素的开口opcrb重叠，并且可以形成得比用于蓝色像素的开口opbm以及用于蓝色像素的开口opcrb宽。
175.参考图8，还示出了间隔件385的第一部分385-1的位置，并且间隔件385的第一部分385-1可以形成于在平面上与光阻挡层220以及红色滤色器230r的重叠部分230r-1重叠的位置处。然而，黑色像素限定层380参考第三方向dr3设置在间隔件385的第一部分385-1
上，但是可以参考第三方向dr3设置成低于光阻挡层220或红色滤色器230r的重叠部分230r-1。
176.图8中所示的上面板层的结构可以是设置在正常像素上方的结构。
177.根据实施例，发光显示面板dp在如图9中所示的形成具有透光区域的第二元件区域ops的部分中可以具有上面板层的诸如图10中所示的结构的结构。
178.在下文中，将参考图9和图10描述包括第二元件区域ops(在下文中也被称为光学传感器区域)和上面板层的发光显示面板dp的结构。
179.图9是示出根据实施例的发光显示装置的放大部分的俯视图。
180.在图9中，示出了根据实施例的发光显示面板dp的一部分，并且示例性地示出了用于移动电话的显示面板。
181.发光显示面板dp具有设置在前侧的显示区域da，并且显示区域da主要地被划分成第一显示区域da1(在下文中也被称为主显示区域)和第一元件区域da2。在图9的实施例中，第二元件区域ops设置在与第一元件区域da2相邻的位置处的第一显示区域da1中。在图9的实施例中，第二元件区域ops设置在第一元件区域da2的左侧处。参考图9，显示区域da进一步包括设置在第一元件区域da2附近的第二元件区域ops。在图9中，用于第一元件区域da2的对应光学元件可以是相机，并且用于第二元件区域ops的对应光学元件可以是光学传感器。第二元件区域ops可以仅由透光部分制成，并且可以不显示图像。在实施例中，第二元件区域ops以及与第二元件区域ops相邻设置的像素可以一起被称为第三显示区域。第二元件区域ops的位置和数量可以针对每一个实施例而变化。
182.在第一显示区域da1中，形成多个发光二极管以及产生发光电流并将发光电流传送到多个发光二极管中的每一个的多个像素电路部分。这里，一个发光二极管和一个像素电路部分被称为像素。在第一显示区域da1中，一个像素电路部分和一个发光二极管在一对一的基础上形成。第一显示区域da1在下文中也被称为正常显示区域。在图9中，未示出切割线下方的发光显示面板dp的结构，并且第一显示区域da1可以设置在切割线下方。除了第二元件区域ops位于第一显示区域da1中的区之外，上面板层的结构可以与图8中所示的结构相同。
183.第二元件区域ops仅由透明层形成以允许光穿过并且第二元件区域ops中未设置导电层或半导体层，并且开口(在下文中被称为附加开口)设置在黑色像素限定层380、光阻挡层220和滤色器230r、230g和230b中的与第二元件区域ops相对应的位置处以不阻挡光。将参考图10描述第一显示区域da1的第二元件区域ops中的上面板层的结构。
184.第一元件区域da2是设置在光学元件的前表面上的显示区域，并且具有其中形成有多个像素并且透光区域lta附加地形成在相邻的像素之间的结构。第一元件区域da2可以通过添加多个像素而被形成为具有一个单元结构，并且透光区域lta可以设置在相邻的单元结构之间。将参考图25描述透光区域lta的截面结构。
185.尽管在图9中未图示，但是外围区域pa可以进一步设置在显示区域da的外侧。另外，在图9中，示出了用于移动电话的显示面板，但是本实施例可以适用于其中光学元件设置在显示面板的后侧的任何显示装置，并且柔性显示装置可以被使用。在柔性显示装置当中的可折叠显示装置的情况下，第一元件区域da2和第二元件区域ops的位置可以不同于图9中所示的位置。
186.在下文中，参考图10，将描述第一显示区域da1中的第二元件区域ops中的上面板层的结构。
187.图10是根据另一实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
188.在图10中，为了清楚地示出上面板层与下面板层之间的关系，附加地示出了设置在下面板层中的黑色像素限定层380的开口op和间隔件385的第一部分385-1。
189.与图8相比，在图10中，附加开口op-1形成在与第二元件区域ops相对应的黑色像素限定层380中，附加开口opbm-1形成在光阻挡层220中，并且附加开口opc-1还形成在红色滤色器230r中。形成在红色滤色器230r中的附加开口opc-1从用于绿色像素的开口opcrg和用于蓝色像素的开口opcrb延伸。即，在红色滤色器230r中，用于绿色像素的开口opcrg、用于蓝色像素的开口opcrb和附加开口opc-1被形成为单个开口。然而，根据实施例，红色滤色器230r的每一个开口可以单独地形成。
190.由于光阻挡层220的附加开口opbm-1和红色滤色器230r的附加开口opc-1，阻挡光的结构不形成在上面板层的第二元件区域ops中。另外，如图24中所示，导电层或半导体层不形成在下面板层中的第二元件区域ops中。结果，尽管光传感器(包括红外传感器等)设置在发光显示面板dp的后表面上，但是可以利用光来感测发光显示面板dp的前表面。
191.参考图10，示出了间隔件385的第一部分385-1的位置，并且间隔件385的第一部分385-1形成于在平面上与光阻挡层220以及红色滤色器230r的重叠部分230r-1重叠的位置处并且可以不与第二元件区域ops重叠。然而，黑色像素限定层380参考第三方向dr3设置在间隔件385的第一部分381-5上方，但是可以参考第三方向dr3设置成低于光阻挡层220或红色滤色器230r的重叠部分230r-1。
192.在下文中，将参考图11至图25详细地描述设置在发光显示面板dp的下面板层中的像素的结构。下面的像素结构可以是第一显示区域da1和/或第一元件区域da2(包括第二元件区域ops)的像素结构。
193.首先，将参考图11描述像素的电路结构。
194.图11是在根据实施例的发光显示装置中包括的像素的电路图。
195.图11中所示的电路结构是形成在第一显示区域da1和第一元件区域da2中的像素电路部分和发光二极管的电路结构。
196.根据实施例的像素包括连接到多条布线127、128、151、152、153、155、171、172和741的存储电容器cst、升压电容器c
boost
、发光二极管led以及多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7。这里，晶体管和电容器(不包括发光二极管led)形成像素电路部分。根据实施例，升压电容器c
boost
可以被省略。
197.每一个像素与多条布线127、128、151、152、153、155、171、172和741连接。多条布线127、128、151、152、153、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。与第七晶体管t7连接的第一扫描线151还与第二晶体管t2连接，但是根据实施例，第七晶体管t7可以通过单独的旁路控制线连接。
198.第一扫描线151连接到扫描驱动器(未示出)并将第一扫描信号gw传送到第二晶体管t2和第七晶体管t7。第二扫描线152可以以与第一扫描线151的信号的时序相同的时序被施加有与被施加到第一扫描线151的电压的极性相反的极性的电压。例如，当负电压被施加
到第一扫描线151时，则正电压可以被施加到第二扫描线152。第二扫描线152将第二扫描信号gc传送到第三晶体管t3。初始化控制线153将初始化控制信号gi传送到第四晶体管t4。发光控制线155将发光控制信号em传送到第五晶体管t5和第六晶体管t6。
199.数据线171是传送在数据驱动器中产生的数据电压data的布线，并且被传送到发光二极管led的发光电流的强度根据数据电压data而改变，使得发光二极管led的亮度改变。驱动电压线172施加驱动电压elvdd。第一初始化电压线127传送第一初始化电压vinit，并且第二初始化电压线128传送第二初始化电压avinit。公共电压线741将公共电压elvss施加到发光二极管led的阴极。在本实施例中，被施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压各自可以是恒定电压。
200.驱动晶体管t1(也被称为第一晶体管)是p型晶体管，并且包括作为半导体层的硅半导体。驱动晶体管t1是根据驱动晶体管t1的栅电极的电压(即，存储在存储电容器cst中的电压)的大小来控制被输出到发光二极管led的阳极的发光电流的强度的晶体管。由于发光二极管led的亮度根据被输出到发光二极管led的阳极的发光电流的强度来调整，因此发光二极管led的亮度可以根据被施加到像素的数据电压data来调整。为此，驱动晶体管t1的第一电极设置成能够接收驱动电压elvdd，并且因此经由第五晶体管t5与驱动电压线172连接。另外，驱动晶体管t1的第一电极还与第二晶体管t2的第二电极连接，并且因此接收数据电压data。驱动晶体管t1的第二电极将发光电流输出到发光二极管led，并且经由第六晶体管t6(也被称为输出控制晶体管)与发光二极管led的阳极连接。另外，驱动晶体管t1的第二电极还与第三晶体管t3连接，并且因此将被施加到驱动晶体管t1的第一电极的数据电压data传送到第三晶体管t3。驱动晶体管t1的栅电极与存储电容器cst的一个电极(在下文中被称为第二存储电极)连接。因此，驱动晶体管t1的栅电极的电压根据存储在存储电容器cst中的电压而改变，并且相应地，从驱动晶体管t1输出的发光电流改变。存储电容器cst用于针对一帧而将驱动晶体管t1的栅电极的电压保持恒定。驱动晶体管t1的栅电极还与第三晶体管t3连接，使得被施加到驱动晶体管t1的第一电极的数据电压data可以经由第三晶体管t3被传送到驱动晶体管t1的栅电极。驱动晶体管t1的栅电极还可以与第四晶体管t4连接，并且可以通过接收第一初始化电压vinit被初始化。
201.第二晶体管t2是p型晶体管，并且包括作为半导体层的硅半导体。第二晶体管t2是将数据电压data接收到像素中的晶体管。第二晶体管t2的栅电极与第一扫描线151以及升压电容器c
boost
的一个电极(在下文中被称为下升压电极)连接。第二晶体管t2的第一电极与数据线171连接。第二晶体管t2的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。当第二晶体管t2由通过第一扫描线151传送的第一扫描信号gw的负电压导通时，通过数据线171传送的数据电压data被传送到驱动晶体管t1的第一电极，并且然后被传送到驱动晶体管t1的栅电极并被存储在存储电容器cst中。
202.第三晶体管t3是n型晶体管，并且包括作为半导体层的氧化物半导体。第三晶体管t3电连接驱动晶体管t1的第二电极和驱动晶体管t1的栅电极。结果，数据电压data在由驱动晶体管t1的阈值电压补偿之后通过第三晶体管t3被存储在存储电容器cst中。第三晶体管t3的栅电极与第二扫描线152连接，并且第三晶体管t3的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接。第三晶体管t3的第二电极与存储电容器cst的第二存储电极、驱动晶体管t1的栅电极以及升压电容器c
boost
的另一电极(在下文中被称为上升压电极)连接。第三晶体管t3
由通过第二扫描线152传送的第二扫描信号gc的正电压导通并且因此连接驱动晶体管t1的栅电极和第二电极，并且将被施加到驱动晶体管t1的栅电极的电压传送到存储电容器cst的第二存储电极并将该电压存储在存储电容器cst中。在这种情况下，存储在存储电容器cst中的电压是当驱动晶体管t1被截止时驱动晶体管t1的栅电极的电压，并且在驱动晶体管t1的阈值电压的值被补偿的状态下被存储。
203.第四晶体管t4是n型晶体管，并且包括作为半导体层的氧化物半导体。第四晶体管t4用于初始化驱动晶体管t1的栅电极和存储电容器cst的第二存储电极。第四晶体管t4的栅电极与初始化控制线153连接，并且第四晶体管t4的第一电极与第一初始化电压线127连接。第四晶体管t4的第二电极连接到第三晶体管t3的第二电极、存储电容器cst的第二存储电极、驱动晶体管t1的栅电极以及升压电容器c
boost
的上升压电极。第四晶体管t4由通过初始化控制线153传送的初始化控制线gi的正电压导通，并且将第一初始化电压vinit传送到驱动晶体管t1的栅电极、存储电容器cst的第二存储电极以及升压电容器c
boost
的上升压电极用于初始化。
204.第五晶体管t5和第六晶体管t6是p型晶体管，并且各自包括作为半导体层的硅半导体。
205.第五晶体管t5用于将驱动电压elvdd传送到驱动晶体管t1。第五晶体管t5的栅电极与发光控制线155连接，第五晶体管t5的第一电极与驱动电压线172连接，并且第五晶体管t5的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。
206.第六晶体管t6用于将从驱动晶体管t1输出的发光电流传送到发光二极管led。第六晶体管t6的栅电极与发光控制线155连接，第六晶体管t6的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接，并且第六晶体管t6的第二电极与发光二极管led的阳极连接。
207.第七晶体管t7是p型晶体管或n型晶体管，并且包括作为半导体层的硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管t7用于初始化发光二极管led的阳极。第七晶体管t7的栅电极与第一扫描线151连接，第七晶体管t7的第一电极与发光二极管led的阳极连接，并且第七晶体管t7的第二电极与第二初始化电压线128连接。当第七晶体管t7由第一扫描线151的负电压导通时，第二初始化电压avinit被施加到发光二极管led的阳极，并且因此发光二极管led的阳极被初始化。第七晶体管t7的栅电极可以与传送另一信号gb的单独的旁路控制线连接，并且因此可以由单独的布线(而不是第一扫描线151)控制。另外，根据实施例，施加有第二初始化电压avinit的第二初始化电压线128和施加有第一初始化电压vinit的第一初始化电压线127可以彼此等同。
208.已经描述了一个像素包括七个晶体管(晶体管t1至t7)和两个电容器(存储电容器cst和升压电容器c
boost
)，但是这不是限制性的，并且根据实施例升压电容器c
boost
可以被省略。另外，第三晶体管t3和第四晶体管t4被形成为n型晶体管，但是该两个晶体管中的仅一个可以被形成为n型晶体管，或者另一个晶体管可以被形成为n型晶体管。
209.在上文中，参考图11描述了形成在显示区域da中的像素的电路结构。
210.在下文中，参考图12至图25，将描述形成在显示区域da中的像素的详细平面结构以及透光区域lta的层叠结构。
211.首先，参考图12至图24，将描述根据制造工艺的每一层的平面结构。在本文中所示的像素结构可以是第一显示区域da1和/或第一元件区域da2(包括第二元件区域ops)的像
素结构。
212.图12至图24示出了依据根据实施例的发光显示装置的下面板层的制造工艺的每一层的结构。
213.参考图12，金属层bml设置在基板110上。
214.基板110可以包括诸如玻璃等的具有刚性特性并且因此不可弯折的材料，或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以被弯折的柔性材料。在柔性基板的情况下，如图25中所示，基板110可以具有聚酰亚胺的两层结构以及由其上的无机绝缘材料形成的阻挡层。
215.金属层bml包括多个扩展部分bml1以及将多个扩展部分bml1彼此连接的连接部分bml2。金属层bml的扩展部分bml1可以形成于在平面上与稍后将描述的第一半导体层当中的驱动晶体管t1的沟道区域1132重叠的位置处。金属层bml也被称为下屏蔽层并且可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以附加地包括非晶硅并且可以由单层或多层形成。
216.参考图25，缓冲层111设置在基板110和金属层bml上，同时覆盖基板110和金属层bml。缓冲层111用于防止杂质元素渗透到第一半导体层130，并且可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
217.如图13中所示，由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130设置在缓冲层111上。第一半导体层130包括驱动晶体管t1的沟道区域1132、第一区域1131和第二区域1133。另外，第一半导体层130不仅包括驱动晶体管t1的沟道区域1132，而且还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7的沟道区域，并且包括通过等离子体处理或掺杂工艺在每一个沟道区域的两侧提供的具有导电层特性的区，以用作第一电极和第二电极。
218.驱动晶体管t1的沟道区域1132可以在平面上具有弯曲形状。然而，驱动晶体管t1的沟道区域1132的形状不限于此，并且可以进行各种改变。例如，驱动晶体管t1的沟道区域1132可以被弯折成不同的形状，或者可以具有条形状。驱动晶体管t1的第一区域1131和第二区域1133可以设置在驱动晶体管t1的沟道区域1132的两侧。设置在第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管t1的第一电极和第二电极。
219.在第一半导体层130中，第二晶体管t2的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管t5的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管t6的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。第七晶体管t7的沟道区域、第一区域和第二区域设置于在第一半导体层130的部分1136处被弯折的同时进一步延伸的部分1137中。
220.参考图25，第一栅绝缘层141可以设置在包括驱动晶体管t1的沟道区域1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅绝缘层141可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
221.参考图14，包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层可以设置在第一栅绝缘层141上。第一栅导电层不仅包括驱动晶体管t1的栅电极1151，而且还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的每一个的栅电极。驱动晶体管t1的栅电极1151可以与驱动晶体管t1的沟道区域1132重叠。驱动晶体管t1的沟道区域1132由驱动
晶体管t1的栅电极1151覆盖。
222.第一栅导电层可以进一步包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可以基本上在水平方向(在下文中也被称为第一方向dr1)上延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅电极连接。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅电极一体地形成。第一扫描线151还连接到下一像素中的第七晶体管t7的栅电极。
223.发光控制线155可以与第五晶体管t5的栅电极和第六晶体管t6的栅电极连接，并且发光控制线155与第五晶体管t5和第六晶体管t6的栅电极可以一体地形成。
224.第一栅导电层可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
225.在形成包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层130的暴露部分导电。即，由第一栅导电层覆盖的第一半导体层130不变得导电，并且第一半导体层130的未由第一栅导电层覆盖的部分可以具有与导电层的特性相同的特性。因此，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以是p型或n型晶体管。
226.参考图25，第二栅绝缘层142可以设置在第一栅绝缘层141以及包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层上。第二栅绝缘层142可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
227.参考图15，包括存储电容器cst的第一存储电极1153、第三晶体管t3的下屏蔽层3155和第四晶体管t4的下屏蔽层4155的第二栅导电层形成在第二栅绝缘层142上。下屏蔽层3155和4155设置在第三晶体管t3和第四晶体管t4的沟道区域的下部分中，以用于屏蔽从下侧提供到沟道区域的光或电磁干扰。
228.第一存储电极1153与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠以形成存储电容器cst。开口1152形成在存储电容器cst的第一存储电极1153中。存储电容器cst的第一存储电极1153的开口1152可以与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向dr1)上延伸，并且连接到相邻的第一存储电极1153。
229.第三晶体管t3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管t3的栅电极3151(参见图17)重叠。第四晶体管t4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管t4的沟道区域4137(参见图17)和栅电极4151(参见图17)重叠。
230.第二栅导电层可以进一步包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可以基本上在水平方向(第一方向dr1)上延伸。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155连接。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155一体地形成。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155连接。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155一体地形成。
231.第二栅导电层可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
232.参考图25，第一层间绝缘层161可以设置在包括存储电容器cst的第一存储电极1153、第三晶体管t3的下屏蔽层3155和第四晶体管t4的下屏蔽层4155的第二栅导电层上。第一层间绝缘层161可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无
机绝缘层，并且根据实施例，无机绝缘材料可以被形成为厚的。
233.参考图16，包括第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层可以设置在第一层间绝缘层161上。另外，氧化物半导体层可以包括升压电容器c
boost
的上升压电极3138t。
234.第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138可以彼此连接，并且因此可以彼此一体地形成。第一区域3136和第二区域3138设置在第三晶体管t3的沟道区域3137的相反侧，并且第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138设置在第四晶体管t4的沟道区域4137的相反侧。第三晶体管t3的第二区域3138连接到第四晶体管t4的第二区域4138。第三晶体管t3的沟道区域3137与下屏蔽层3155重叠，并且第四晶体管t4的沟道区域4137与下屏蔽层4155重叠。
235.升压电容器c
boost
的上升压电极3138t设置在第三晶体管t3的第二区域3138与第四晶体管t4的第二区域4138之间。升压电容器c
boost
的上升压电极3138t与第一扫描线151的一部分(也被称为升压电容器c
boost
的下升压电极)重叠，使得形成升压电容器c
boost
。
236.参考图25，第三栅绝缘层143可以设置在包括第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器c
boost
的上升压电极3138t的氧化物半导体层上。
237.第三栅绝缘层143可以设置在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161中的全部之上。因此，第三栅绝缘层143可以覆盖第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138的顶表面和侧表面，第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138的顶表面和侧表面以及升压电容器c
boost
的上升压电极3138t的顶表面和侧表面。然而，本实用新型构思不限于此，并且第三栅绝缘层143可以不设置在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161中的全部之上。例如，第三栅绝缘层143可以与第三晶体管t3的沟道区域3137重叠，并且可以不与第三晶体管t3的第一区域3136和第二区域3138重叠。另外，第三栅绝缘层143可以与第四晶体管t4的沟道区域4137重叠，并且可以不与第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138重叠。
238.第三栅绝缘层143可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
239.参考图17，包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅导电层可以设置在第三栅绝缘层143上。
240.第三晶体管t3的栅电极3151可以与第三晶体管t3的沟道区域3137重叠。第三晶体管t3的栅电极3151可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155重叠。
241.第四晶体管t4的栅电极4151可以与第四晶体管t4的沟道区域4137重叠。第四晶体管t4的栅电极4151可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155重叠。
242.第三栅导电层可以进一步包括上第二扫描线152b和上初始化控制线153b。
243.上第二扫描线152b和上初始化控制线153b可以基本上在水平方向(第一方向dr1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅电极3151连接。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅
电极3151一体地形成。上初始化控制线153b和下初始化控制线153a形成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅电极4151连接。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅电极4151一体地形成。
244.另外，第三栅导电层可以进一步包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可以基本上在水平方向(第一方向dr1)上延伸，并且被施加有第二初始化电压avinit。
245.第三栅导电层gat3可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
246.在形成包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺，使得氧化物半导体层的由第三栅导电层覆盖的部分被形成为沟道区域，并且氧化物半导体层的未由第三栅导电层覆盖的部分变得导电。第三晶体管t3的沟道区域3137可以设置在栅电极3151下方以与栅电极3151重叠。第三晶体管t3的第一区域3136和第二区域3138可以不与栅电极3151重叠。第四晶体管t4的沟道区域4137可以设置在栅电极4151下方，以便与栅电极4151重叠。第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138可以不与栅电极4151重叠。上升压电极3138t可以不与第三栅导电层重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可以具有n型晶体管的特性。
247.参考图25，第二层间绝缘层162可以设置在包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅导电层上。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘材料，并且根据实施例，第二层间绝缘层162可以包括有机材料。
248.参考图18，第二层间绝缘层162可以包括两种类型的开口op1和op2。可以使用不同的掩模来形成两种类型的开口op1和op2。
249.开口op1形成在第二层间绝缘层162、第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中的至少一个中，并且可以暴露第一半导体层130、第一栅导电层或第二栅导电层。
250.开口op2形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅绝缘层143中，并且可以暴露氧化物半导体层或第三栅导电层。
251.开口op1中的一个与驱动晶体管t1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且还可以形成在第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅绝缘层142中。在这种情况下，开口op1中的一个可以与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可以设置在第一存储电极1153的开口1152内部。
252.开口op2中的一个可以与升压电容器c
boost
至少部分地重叠，并且可以进一步形成在第三栅绝缘层143中。
253.开口op1中的另一个与驱动晶体管t1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且开口op1可以形成在第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中。
254.开口op2中的另一个与第三晶体管t3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可以形成在第三栅绝缘层143中。
255.参考图19和图20，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层
可以设置在第二层间绝缘层162上。可能难以容易地识别图20中的第一数据导电层，并且因此图19作为俯视图仅示出了第一数据导电层以及开口op1和op2并且图20是示出第一数据导电层以及第一数据导电层下方的所有层的俯视图。
256.第一连接电极1175可以与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过开口op1以及第一存储电极1153的开口1152与驱动晶体管t1的栅电极1151连接。第一连接电极1175可以与升压电容器c
boost
重叠。第一连接电极1175可以通过开口op2与升压电容器c
boost
的上升压电极3138t连接。相应地，驱动晶体管t1的栅电极1151和升压电容器c
boost
的上升压电极3138t可以通过第一连接电极1175连接。在这种情况下，驱动晶体管t1的栅电极1151还可以通过第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二区域3138和第四晶体管t4的第二区域4138连接。
257.第二连接电极3175可以与驱动晶体管t1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过开口op1与驱动晶体管t1的第二区域1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管t3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过开口op2与第三晶体管t3的第一区域3136连接。因此，驱动晶体管t1的第二区域1133和第三晶体管t3的第一区域3136可以通过第二连接电极3175连接。
258.第一数据导电层可以进一步包括上第二初始化电压线128b。上第二初始化电压线128b包括在垂直方向(第二方向dr2)上延伸的布线部分128b-1、从布线部分128b-1朝向水平方向(第一方向dr1)的相反侧突出的第一延伸部分128b-2以及在垂直方向(第二方向dr2)上从第一延伸部分128b-2再次被弯折的同时设置的第二延伸部分128b-3。上第二初始化电压线128b通过第一延伸部分128b-2和第二延伸部分128b-3相交的部分中的开口op2与设置在第三栅导电层中的下第二初始化电压线128a电连接。结果，第二初始化电压avinit通过设置在第三栅导电层中的下第二初始化电压线128a在水平方向(第一方向dr1)上被传送，并且通过设置在第一数据导电层中的上第二初始化电压线128b在垂直方向(第二方向dr2)上被传送。
259.第二延伸部分128b-3通过第二延伸部分128b-3的末端处的开口op1与第一半导体层130的部分1137电连接。
260.第一数据导电层可以进一步包括连接部分127cm和171cm、阳极连接部分acm1和扩展部分fl-sd1。
261.连接部分127cm通过开口op1与第二栅导电层的第一初始化电压线127连接，并且通过开口op2与第四晶体管t4的设置在第二半导体层(氧化物半导体层)中的第一区域4136连接，使得流过第一初始化电压线127的第一初始化电压vinit被传送到氧化物半导体层的第四晶体管t4。
262.连接部分171cm通过开口op1与第一半导体层130的部分1134(即，第二晶体管t2)电连接。
263.阳极连接部分acm1通过开口op1与第一半导体层130的部分1136(即，第六晶体管t6)电连接。
264.扩展部分fl-sd1被形成为宽的，以便使设置在其上的阳极变平坦。另外，扩展部分fl-sd1通过开口op1与第一半导体层130的部分1135(即，第五晶体管t5)连接，并且还通过开口op1与第一存储电极1153电连接。
265.第一数据导电层可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以由单层或多层形成。
266.参考图25，第一有机层181可以设置在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层sd1上。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘层，并且有机材料可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的一种或多种材料。
267.参考图21、图22和图25，开口op3设置在第一有机层181中。包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接部分acm2的第二数据导电层sd2可以设置在第一有机层181上。第二有机层182和第三有机层183设置在第二数据导电层sd2上，并且开口op4形成在第二有机层182和第三有机层183中。阳极连接部分acm2通过开口op4与阳极电连接。可能难以容易地识别图22中的第二数据导电层sd2，并且因此图21作为俯视图仅示出了第二数据导电层sd2以及开口op3和op4并且图22是示出第二数据导电层sd2以及第二数据导电层sd2下方的所有层的俯视图。
268.参考图21和图22，开口op3分别与设置在第一数据导电层sd1中的连接部分171cm、阳极连接部分acm1和扩展部分fl-sd1重叠，并且因此暴露它们。
269.第二数据导电层sd2可以包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接部分acm2。
270.数据线171和驱动电压线172可以基本上在垂直方向(第二方向dr2)上延伸。数据线171通过开口op3与第一数据导电层sd1的连接部分171cm连接，并且因此与第二晶体管t2连接。驱动电压线172通过第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1与第五晶体管t5和第一存储电极1153电连接。阳极连接部分acm2通过开口op3与阳极连接部分acm1电连接，并且与第六晶体管t6电连接。
271.参考图21，驱动电压线172进一步包括扩展部分fl-sd2和突出的布线部分172-e，并且不形成在形成有阳极连接部分acm2的部分中。
272.扩展部分fl-sd2被形成为宽的以使设置在其上方的阳极变平坦。
273.同时，驱动电压线172的两个突出的布线部分172-e形成在两条数据线171的相反侧，以使设置在驱动电压线172上的阳极变平坦，并且因此总共四个布线部分171和172-e设置在阳极下方。
274.通过阳极下方的结构(数据线171、布线部分172-e、第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1和布线部分128b-1、第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2)以及有机层181、182和183，阳极具有平坦的特性。
275.在本实施例中，扩展部分fl-sd1和扩展部分fl-sd2与驱动电压线172电连接，使得驱动电压elvdd被传送。
276.第二数据导电层sd2可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
277.参考图25，第二有机层182和第三有机层183设置在第二数据导电层sd2上。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘层，并且可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，第三有机层183可以被省略。
278.开口op4形成在第二有机层182和第三有机层183中，并且阳极anode和阳极连接部
分acm2通过开口op4电连接。
279.参考图23，阳极anode形成在第三有机层183上。阳极anode可以进一步包括延伸部分anode-e，以通过开口op4接收来自像素电路部分的电流。
280.参考图23和图25，黑色像素限定层380设置在阳极anode上，并且黑色像素限定层380的用于红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b的开口op被形成为与阳极anode重叠。
281.在图24中示出了上述结构被整体地层叠的结构。在本实施例中，如参考图21和图22简要地描述的，阳极anode的至少通过黑色像素限定层380的开口op暴露的部分可以通过设置在阳极anode下方的第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1和第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2变平坦。更具体地，通过数据线171、布线部分172-e、有机层181、182和183、第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1以及第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2，阳极anode具有平坦的特性。
282.另外，参考图24，可以确定在发光显示面板dp具有如图9中所示的第二元件区域ops的情况下，设置在下面板层上的每一个导电层或半导体层具有光可以透过的结构，因为在第二元件区域ops中没有形成图案。在第二元件区域ops中，仅导电层或半导体层不被提供，并且诸如无机层和有机层的所有绝缘层可以被堆叠。然而，根据实施例，下面板层的所有无机和有机层中的一些可以被省略。
283.如图10中所示，当附加开口opbm-1和opc-1形成在上面板层的与第二元件区域ops相对应的位置处的光阻挡层220或红色滤色器230r中时，后侧的光传感器可以感测发光显示面板dp的前侧。
284.同时，在正常像素中，如图24中所示，第二元件区域ops可以设置在下面板层中，但是设置在上方的上面板层防止在如图24中所示的光阻挡层220或红色滤色器230r中形成附加开口，使得第二元件区域ops可以不被形成。
285.基于这样的平面结构，将参考图25描述发光显示装置的整个截面结构。
286.图25是根据实施例的发光显示装置的截面图。
287.在图25中，除了显示区域da的层叠结构之外，还示出了第一元件区域da2的透光区域lta的层叠结构。
288.首先，参考图25，将描述显示区域da的像素的详细层叠结构。这里，显示区域da的像素的层叠结构可以是设置在主显示区域da1(也被称为第一显示区域)和部件区域da2(也被称为第一元件区域)中的像素的层叠结构。
289.基板110可以包括诸如玻璃等的具有刚性特性并且因此不可弯折的材料，或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以被弯折的柔性材料。图25示出了柔性基板，并且基板110可以具有聚酰亚胺的两层结构以及由其上的无机绝缘材料形成的阻挡层。
290.金属层bml设置在基板110上，并且金属层bml设置在与第一半导体层act1的沟道区域重叠的区域中。金属层bml也被称为下屏蔽层，并且可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属并且可以由单层或多层形成。缓冲层111可以设置在金属层bml上以覆盖金属层bml，并且缓冲层111用于防止杂质元素渗透到第一半导体层130并且可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
291.第一半导体层act1设置在缓冲层111上。第一半导体层act1包括沟道区域以及设置在沟道区域的相反侧的第一区域和第二区域。
292.第一栅绝缘层141可以设置成覆盖第一半导体层act1或仅与第一半导体层act1的沟道区域重叠。第一栅绝缘层141可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
293.第一栅导电层gat1设置在第一栅绝缘层141上，并且第一栅导电层gat1包括包含硅半导体的晶体管ltps tft的栅电极。第一栅导电层gat1可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。第一半导体层act1的在平面上与晶体管ltps tft的栅电极重叠的区域可以是沟道区域。另外，晶体管ltps tft的栅电极可以用作存储电容器cst的一个电极。
294.第一栅导电层gat1由第二栅绝缘层142覆盖，并且第二栅绝缘层142可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
295.第二栅导电层gat2设置在第二栅绝缘层142上，并且第二栅导电层gat2可以包括通过与晶体管ltps tft的栅电极重叠来形成存储电容器cst的第一存储电极和设置在氧化物半导体层act2下方的用于氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml。第二栅导电层gat2可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
296.第二栅导电层gat2由第一层间绝缘层161覆盖，并且第一层间绝缘层161可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
297.氧化物半导体层act2设置在第一层间绝缘层161上，并且氧化物半导体层act2包括沟道区域以及设置在沟道区域的相反侧的第一区域和第二区域。
298.氧化物半导体层act2由第三栅绝缘层143覆盖，并且第三栅绝缘层143可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
299.第三栅绝缘层143和第一层间绝缘层161可以包括与用于第二栅导电层gat2的氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml的一部分重叠的开口。
300.第三栅导电层gat3设置在第三栅绝缘层143上，并且第三栅导电层gat3包括与氧化物晶体管oxide tft的栅电极和氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml连接的连接部分。第三栅导电层gat3可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
301.第三栅导电层gat3由第二层间绝缘层162覆盖，并且第二层间绝缘层162可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层，并且根据实施例可以包括有机材料。
302.第二层间绝缘层162和设置在第二层间绝缘层162下方的绝缘层可以包括与第一半导体层act1和氧化物半导体层act2重叠的开口。
303.第一数据导电层sd1设置在第二层间绝缘层162上，并且第一数据导电层sd1包括连接部分，以将电压或电流提供到第一半导体层act1和氧化物半导体层act2或者将电压或电流传送到其它元件。第一数据导电层sd1可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
304.第一数据导电层sd1由第一有机层181覆盖。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘层，并且有机材料可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。
305.第一有机层181可以包括与第一数据导电层sd1重叠的开口，并且第二数据导电层
sd2设置在第一有机层181上。第二数据导电层sd2可以通过开口与第一数据导电层sd1连接。第二数据导电层sd2可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
306.第二数据导电层sd2由第二有机层182和第三有机层183覆盖。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘层，并且可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，第三有机层183可以被省略。然而，由于第三有机层183，阳极anode可以具有更平坦的特性。
307.阳极anode可以设置在第三有机层183上，并且具有通过形成在第三有机层183中的开口与第二数据导电层sd2连接的结构。阳极anode可以由包括透明导电氧化物膜和金属材料的单层或多层形成。透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ito)、聚ito、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)，并且金属材料可以包括银(ag)、钼(mo)、铜(cu)、金(au)和铝(al)等。
308.包括与阳极anode的至少一部分重叠的开口并且覆盖阳极anode的另一部分的黑色像素限定层380设置在阳极anode上。除了有机绝缘材料之外，黑色像素限定层380可以进一步包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或膏体、金属颗粒(诸如镍、铝、钼以及它们的合金)和金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)等。黑色像素限定层380可以由具有负型黑色的有机材料形成。由于负型有机材料被使用，因此它可以具有由掩模覆盖的部分被去除的特性。
309.黑色像素限定层380具有开口op，并且发射层eml设置在开口op内部。发射层eml可以由有机发光材料形成，并且相邻的发射层eml可以显示不同的颜色。同时，根据实施例，每一个发射层eml由于设置在其上方的滤色器230可以显示相同的颜色。
310.间隔件385形成在黑色像素限定层380上。间隔件385可以被形成为具有台阶的结构，并且间隔件385包括设置在高且窄的区域中的第一部分385-1以及设置在低且宽的区域中的第二部分385-2。第一部分385-1和第二部分385-2可以一体地形成。间隔件385可以由光敏聚酰亚胺(pspi)形成。
311.功能层fl设置在发射层eml、间隔件385和暴露的黑色像素限定层380上，并且功能层fl可以形成在发光显示面板dp的整个表面上。功能层fl可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，并且功能层fl可以设置在发射层eml上方和下方。即，空穴注入层、空穴传输层、发射层eml、电子传输层、电子注入层和阴极cathode顺序地设置在阳极anode上，并且因此功能层fl的空穴注入层和空穴传输层设置在发射层eml下方，而功能层fl的电子传输层和电子注入层可以设置在发射层eml上方。根据实施例，功能层fl还可以设置在透光区域lta中。
312.阴极cathode可以被形成为透光电极或反射电极。根据实施例，阴极cathode可以是透明或半透明电极，并且可以由具有低功函数的金属薄膜(诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)以及它们的化合物或混合物，或者诸如氟化锂/钙(lif/ca)和氟化锂/铝(lif/al)的具有多层结构的材料)形成。另外，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的透明导电氧化物(tco)可以进一步设置在金属薄膜上。阴极cathode可以遍及发光显示面板dp的除了透光区域lta之外的整个表面一体地形成。
313.封装层400设置在阴极cathode上。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且可以具有包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403的三层结构。封装层400可以用于保护由有机材料形成的发射层eml免受可能从外部流入的水分或氧气的影响。根据实施例，封装层400可以包括其中无机层和有机层进一步顺序地堆叠的结构。这里，有机封装层402的厚度可以被形成为3.5μm或更大且4.5μm或更小(例如，4μm)。有机封装层402的厚度可以从8μm或更大减小到该厚度的一半，以提高其上的触摸感测的效果，并且可以减小黑色像素限定层380与光阻挡层220之间的距离以允许用户以广角观看图像。
314.感测绝缘层501、510和511以及多个感测电极540和541设置在封装层400上用于触摸感测。这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、钼(mo)、钛(ti)和钽(ta)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。多个感测电极540和541可以在中间感测绝缘层510设置在它们之间的同时彼此绝缘，并且下感测电极541设置在下感测绝缘层501上，上感测电极540设置在中间感测绝缘层510上并且上感测电极540由上感测绝缘层511覆盖。多个感测电极540和541可以通过设置在中间感测绝缘层510中的开口电连接。在图25的实施例中，两个感测电极540和541用于以电容型来感测触摸，但是根据实施例，还可以仅使用一个感测电极以自电容方法来感测触摸。
315.光阻挡层220和滤色器230设置在上感测电极540上(即，上感测绝缘层511上)。
316.光阻挡层220可以设置成在平面上与感测电极540和541重叠，并且设置成在平面上不与阳极anode重叠。这是为了防止阳极anode和可以显示图像的发射层eml被光阻挡层220以及感测电极540和541阻挡。
317.滤色器230设置在感测绝缘层501、510和511以及光阻挡层220上。滤色器230包括透射红光的红色滤色器、透射绿光的绿色滤色器和透射蓝光的蓝色滤色器。每一个滤色器230可以设置成在平面上与发光二极管led的阳极anode重叠。由于从发射层eml发射的光可以在穿过滤色器230时被改变为对应的颜色的同时被发射，因此从发射层eml发射的光中的全部可以具有相同的颜色。然而，在发射层eml中，不同颜色的光被显示，并且所显示的颜色可以通过穿过相同颜色的滤色器230而被增强。
318.光阻挡层220可以设置在相邻的滤色器230之间。根据实施例，滤色器230可以用颜色转换层代替，或者可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。
319.根据实施例，滤色器230可以具有其中三种颜色当中的一种颜色的滤色器在仅形成与其它两种颜色的滤色器相对应的开口的同时作为整体被形成并且其它两种颜色的滤色器形成在对应的开口中的结构。根据实施例，如图10中所示，可以包括附加开口。
320.覆盖滤色器230的平坦化层550设置在滤色器230上。平坦化层550用于平坦化发光显示装置的上表面，并且可以是包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料的透明有机绝缘层。
321.根据实施例，低折射层和附加平坦化层可以进一步设置在平坦化层550上，以提高发光显示装置的前面可视性和发光效率。光可以在被低折射层以及具有高折射特性的附加平坦化层折射到前面的同时被发射。在这种情况下，低折射层和附加平坦化层可以直接设置在滤色器230上，并且因此根据实施例，平坦化层550可以被省略。
322.在本实施例中，偏振器不被包括在平坦化层550上。当用户识别入射在其上并且从
阳极anode反射的外部光时，偏振器可以用于防止显示劣化。然而，在本实施例中，还包括其中黑色像素限定层380覆盖阳极anode的侧面以降低从阳极anode反射的程度并且形成光阻挡层220来减小光的入射以防止由于反射导致的显示质量的劣化的结构。因此，不需要在发光显示面板dp的前表面上单独地形成偏振器。
323.在下文中，将参考图25描述透光区域lta的层叠结构。
324.透光区域lta去除了半导体、金属、光阻挡层220、滤色器230和黑色像素限定层380使得可以在无阻挡的情况下透射光，并且仅利用透明材料来层叠。透明材料包括无机绝缘层或有机绝缘层，并且可以附加地包括功能层fl。其中无机绝缘层或有机绝缘层层叠在透光区域lta上的结构可以变化，并且根据图25的实施例的透光区域lta的层叠结构如下。
325.缓冲层111设置在包括聚酰亚胺和阻挡层的柔性基板110上，并且第一有机层181形成在缓冲层111上。功能层fl和封装层400设置在第一有机层181上。即，功能层fl、第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403顺序地层叠在第一有机层181上。根据实施例，第一有机层181与封装层400之间的功能层fl可以被省略。除了感测电极540、光阻挡层220和滤色器230之外，封装层400上的层叠结构可以与堆叠在部件区域da2(也被称为第一元件区域)的像素上的层的层叠结构相同。即，感测绝缘层501、510和511以及平坦化层550可以设置在透光区域lta中的封装层400上。根据实施例，附加平坦化层可以进一步设置在透光区域lta的平坦化层550上，以提高发光显示面板dp的前面可视性和发光效率。
326.堆叠在显示区域da的像素中的第一有机层181之下的层(第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、第一层间绝缘层161、第三栅绝缘层143和第二层间绝缘层162)被去除。然而，根据实施例，上述绝缘层中的至少一个可以不被去除。
327.另外，根据实施例，第二有机层182和/或第三有机层183可以进一步被包括在透光区域lta中。
328.另外，设置在功能层fl上的阴极cathode也被去除，并且附加地，光阻挡层220、滤色器230和黑色像素限定层380也被去除。功能层fl可以从透光区域lta中省略，但是也可以保留在透光区域lta中。
329.在上文中，参考图25描述了显示区域da和透光区域lta的层叠结构。
330.在下文中，参考图26至图28，将描述根据另一实施例的第一数据导电层sd1、第二数据导电层sd2和阳极anode的层叠关系。
331.图26至图28是根据另一实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图。
332.首先，不像在图6中，在图26中，示出了其中第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2设置在绿色像素中并且第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1设置在红色像素和蓝色像素中的实施例。
333.在下文中将描述根据图26的实施例的用于每一种颜色的像素结构。
334.首先，在蓝色像素中，布线部分sl-sd2设置于设置在蓝色像素中的阳极anode下方的第二数据导电层sd2中，并且扩展部分fl-sd1设置在第一数据导电层sd1中。设置在第一数据导电层sd1中的扩展部分fl-sd1的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-b的间隔。仅示出了设置在第二数据导电层sd2中的单个布线部分sl-sd2，但是根据实施例，布线部分sl-sd2可以被形成为一对或两对并且可以以各种其它数量来形成。设置在有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2下方的、具有设置在阳极anode的边缘
更外侧的边缘的台阶通过有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2被去除。结果，设置在有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2上的阳极anode在平面上重叠的同时变平坦。
335.同时，在绿色像素中，扩展部分fl-sd2设置于设置在绿色像素中的阳极anode下方的第二数据导电层sd2中，并且布线部分sl-sd1设置于设置在第二数据导电层sd2下方的第一数据导电层sd1中。设置在第二数据导电层sd2中的扩展部分fl-sd2的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-g1的间隔。布线部分sl-sd1的外边缘也可以设置成比阳极anode的边缘更外侧gap-g2的间隔。有机层181、182和183、扩展部分fl-sd2以及布线部分sl-sd1去除了形成在其下方的台阶，使得形成在上方的阳极anode在平面上重叠的同时可以变平坦。尽管与扩展部分fl-sd2重叠的布线部分sl-sd1被示出为一对，但是可以形成一个或三个或者更多个布线部分sl-sd1。
336.同时，在红色像素中，布线部分sl-sd2设置于设置在红色像素中的阳极anode下方的第二数据导电层sd2中，并且扩展部分fl-sd1设置在第一数据导电层sd1中。设置在第一数据导电层sd1中的扩展部分fl-sd1的边缘被形成为在平面上比阳极anode的边缘宽gap-r的间隔。仅示出了设置在第二数据导电层sd2中的单个布线部分sl-sd2，但是根据实施例，布线部分sl-sd2可以被形成为一对或两对并且可以以各种其它数量来形成。设置在有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2下方的、具有设置成比阳极anode的边缘更外侧的边缘的台阶通过有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2被去除。结果，设置在有机层181、182和183、扩展部分fl-sd1以及布线部分sl-sd2上的阳极anode在平面上重叠的同时变平坦。
337.同时，在图27的(a)、(b)和(c)以及图28的(a)、(b)和(c)中，不像图6中所示，作为图6的实施例的示例性的变化，示出了其中扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上与黑色像素限定层380的开口op不完全地重叠的实施例。黑色像素限定层380的开口op与扩展部分fl-sd1和fl-sd2之间在平面上的重叠率可以是95％或更大且100％或更小。在图27和图28的实施例中，与图6的实施例不同，扩展部分fl-sd1和fl-sd2的边缘设置成比阳极anode的边缘更内侧。
338.在图27和图28的实施例中，红色像素的扩展部分fl-sd2的边缘设置成在平面上比阳极anode的边缘更内侧gap-r的间隔，并且蓝色像素的扩展部分fl-sd2的边缘设置成在平面上比阳极anode的边缘更内侧gap-b的间隔。绿色像素的扩展部分fl-sd1的边缘设置成在平面上比阳极anode的边缘更内侧gap-g2的间隔，并且绿色像素的布线部分sl-sd2的边缘设置成在平面上比阳极anode的边缘更内侧gap-g1的间隔。
339.当扩展部分fl-sd1和fl-sd2与黑色像素限定层380的开口op在平面上以95％或更高的重叠率重叠时，布线部分sl-sd1和sl-sd2以及至少两个或更多个有机层可以设置成形成平坦的顶部。
340.如所描述的，尽管扩展部分fl-sd1和fl-sd2或布线部分sl-sd1和sl-sd2设置成比阳极anode或黑色像素限定层380更内侧，但是与黑色像素限定层380的开口op相对应的阳极anode可以基本上变平坦，并且因此与图6相比，显示质量没有显著差异。
341.扩展部分fl-sd2在蓝色像素和红色像素中设置在第二数据导电层sd2中，扩展部分fl-sd1在绿色像素中设置在第一数据导电层sd1中，布线部分sl-sd2在绿色像素中形成
在第二数据导电层sd2中，并且布线部分sl-sd1在蓝色像素和红色像素中形成在第一数据导电层sd1中。另外，布线部分sl-sd1和sd-sd2中的每一个被提供为一对。
342.在图27和图28中，黑色像素限定层380的开口op与光阻挡层220的开口opbm之间的间隙附加地进行比较。
343.在图27和图28中，在蓝色像素中，黑色像素限定层380的开口op与光阻挡层220的开口opbm之间的gap-bmb的间隔相等。然而，在红色像素和绿色像素中示出了两个开口op和opbm之间的距离不同的情况。
344.在图27中，红色像素中的两个开口op和opbm之间的gap-bmr的间隔小于图28的实施例中所示的间隔。然而，在图27的实施例中，绿色像素的两个开口op和opbm之间的gap-bmg的间隔大于图28的实施例中所示的间隔。随着开口op和opbm之间的间隔增加，从设置在阳极anode上方的发射层eml发射的光以大角度被提供，这具有扩大用户可以观看图像的角度的优点。然而，当开口op和opbm之间的间隔太宽时，黑色像素限定层380的顶表面在视觉上可能被识别，并且因此具有在特定范围内的间隙可能是合适的。
345.在下文中，参考图29，将详细地描述其中扩展部分fl-sd1和fl-sd2或布线部分sl-sd1和sl-sd2设置成比图27或图28的实施例中所示的阳极anode更内侧的实施例的详细平面结构。
346.图29是根据另一实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
347.在图29中，仅示出了根据另一实施例的第一数据导电层、第二数据导电层以及形成在黑色像素限定层380中的用于红色像素、绿色像素和蓝色像素的开口opr、opg和opb。在图29中，第一数据导电层和第二数据导电层用不同的阴影示出。
348.在很大程度上形成的扩展部分fl-sd2形成在开口opr和opb下方的第二数据导电层中。即，第二数据导电层的扩展部分fl-sd2与开口opr和opb在平面上彼此重叠。在第一数据导电层中，单个布线部分水平地穿越第二数据导电层的扩展部分fl-sd2以及开口opr和opb。参考图38，第一数据导电层的布线部分可以是第二初始化电压线128的一部分。有机层181、182和183中的至少一个、第二数据导电层的扩展部分fl-sd2以及第一数据导电层的布线部分可以使与开口opr和opb重叠的阳极anode变平坦。在图29中，示出了其中第二数据导电层的扩展部分fl-sd2与红色像素和蓝色像素中的开口opr和opb的整个区重叠的结构。
349.相反，在绿色像素中，开口opg的一部分在平面上不与第一数据导电层的扩展部分fl-sd1重叠。
350.即，在很大程度上形成的扩展部分fl-sd1形成在开口opg下方的第一数据导电层中。即，开口opg与第一数据导电层的扩展部分fl-sd1在平面上彼此重叠，但一些区域在平面上不重叠。在图29中，设置在第二数据导电层中的总共两个布线部分与开口opg和第一数据导电层的扩展部分fl-sd1重叠，并且参考图40，第二数据导电层的布线部分可以是数据线171的一部分。另外，参考图29，设置在第二数据导电层中的布线部分可以进一步包括两个附加布线部分。即，开口opg的末端的至少一部分与附加布线部分重叠，或者开口opg的末端和附加布线部分可以在平面上彼此接触，并且因此阳极anode的末端处的非平坦部分可以被去除。参考图40，设置在第二数据导电层中的附加布线部分可以是附加信号布线brs。附加信号布线brs可以是用于传送被施加到数据线171的数据电压的布线，并且可以与数据线171平行。
351.在图29的实施例中，开口opg被形成为小于其它开口opr和opb。考虑到一条布线的实际线宽、形成在黑色像素限定层380中的开口opg的大小以及有机层181、182和183的平坦度，即使开口opg仅与设置在数据导电层中的两个布线部分重叠并且与两个附加布线部分部分地重叠，设置在开口opg中的阳极anode也可以作为整体被形成为平坦的。
352.参考图29，开口opg和第一数据导电层的扩展部分fl-sd1不与整个区重叠并且重叠超过95％。因此，第一数据导电层的扩展部分fl-sd1的边缘设置成比阳极anode或黑色像素限定层380的边缘更内侧，并且因此第一数据导电层的扩展部分fl-sd1的边缘在平面上与阳极anode重叠。由于与开口opg相对应的阳极anode在设置在其下方的第二数据导电层中不具有平坦的扩展部分结构，因此存在阳极anode的平坦度可能降低的可能性。另外，开口opg的一部分不与扩展部分fl-sd1重叠。然而，由于设置在第二数据导电层中的布线部分(包括附加布线部分)的结构，因此阳极anode可以作为整体被形成为平坦的。
353.因此，即使在绿色像素中，与开口opg重叠的阳极anode也通过有机层181、182和183中的至少一个、第一数据导电层的扩展部分fl-sd1以及第二数据导电层的布线部分变平坦。
354.在上文中，参考图29，详细地描述了下面板层当中的第一数据导电层、第二数据导电层与形成在黑色像素限定层380中的开口opr、opg和opb之间的平面关系。在下文中，将参考图30详细地描述上面板层的平面结构。
355.图30是根据另一实施例的发光显示装置的上面板层的一部分的俯视图。
356.不像图8中所示，图30的上面板层具有其中用于红色像素、绿色像素和蓝色像素的滤色器230r、230g和230b仅形成在每一个光阻挡层220的每一个开口opbm中的结构。光阻挡层220被完全地形成(不包括开口opbm)，并且除了一些光阻挡层220与滤色器230r、230g和230b重叠的一些区域之外，滤色器230r、230g和230b不设置在光阻挡层220上。即，在光阻挡层220的开口opbm当中，红色滤色器230r填充在红色像素的开口opbm中，绿色滤色器230g填充在绿色像素的开口opbm中，并且蓝色滤色器230b填充在蓝色像素的开口opbm中。然而，根据实施例，可以使用图8中所示的上面板层的结构。
357.在下文中，将参考图31至图44详细地描述根据与图29相对应的实施例的详细像素结构。
358.首先，将参考图31至图43描述平面结构。
359.图31至图43示出了依据根据另一实施例的发光显示装置的下面板层的制造工艺的每一层的结构。
360.参考图31，金属层bml设置在基板110上。
361.基板110可以包括诸如玻璃的由于刚性特性而不弯折的材料，或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以被弯折的柔性材料。在柔性基板的情况下，如图44中所示，基板110可以具有聚酰亚胺的两层结构以及由其上的无机绝缘材料形成的阻挡层。
362.金属层bml包括多个扩展部分bml1以及将多个扩展部分bml1彼此连接的连接部分bml2。金属层bml的扩展部分bml1可以形成于在平面上与稍后将描述的第一半导体层当中的驱动晶体管t1的沟道区域1132重叠的位置处。金属层bml也被称为下屏蔽层并且可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以附加地包括非晶硅并且可以由单层或多层形成。
363.参考图44，缓冲层111设置在基板110和金属层bml上，同时覆盖基板110和金属层bml。缓冲层111用于防止杂质元素渗透到第一半导体层130，并且可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
364.如图32中所示，由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130设置在缓冲层111上。第一半导体层130包括驱动晶体管t1的沟道区域1132、第一区域1131和第二区域1133。另外，第一半导体层130不仅包括驱动晶体管t1的沟道区域1132，而且还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7的沟道区域，并且包括通过等离子体处理或掺杂工艺在每一个沟道区域的两侧提供的具有导电层特性的区，以用作第一电极和第二电极。
365.驱动晶体管t1的沟道区域1132可以在平面上具有弯曲形状。然而，驱动晶体管t1的沟道区域1132的形状不限于此，并且可以进行各种改变。例如，驱动晶体管t1的沟道区域1132可以被弯折成不同的形状，或者可以具有条形状。驱动晶体管t1的第一区域1131和第二区域1133可以设置在驱动晶体管t1的沟道区域1132的两侧。设置在第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管t1的第一电极和第二电极。
366.在第一半导体层130中，第二晶体管t2的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管t5的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管t6的沟道区域、第一区域和第二区域设置在从驱动晶体管t1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。第七晶体管t7的沟道区域、第一区域和第二区域设置于在第一半导体层130的部分1136处被弯折的同时进一步延伸的部分1137中。
367.参考图44，第一栅绝缘层141可以设置在包括驱动晶体管t1的沟道区域1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅绝缘层141可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
368.参考图33，包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层可以设置在第一栅绝缘层141上。第一栅导电层不仅包括驱动晶体管t1的栅电极1151，而且还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的每一个的栅电极。驱动晶体管t1的栅电极1151可以与驱动晶体管t1的沟道区域1132重叠。驱动晶体管t1的沟道区域1132由驱动晶体管t1的栅电极1151覆盖。
369.第一栅导电层可以进一步包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可以基本上在水平方向(在下文中也被称为第一方向dr1)上延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅电极连接。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅电极一体地形成。第一扫描线151还连接到下一像素中的第七晶体管t7的栅电极。
370.发光控制线155可以与第五晶体管t5的栅电极和第六晶体管t6的栅电极连接，并且发光控制线155与第五晶体管t5和第六晶体管t6的栅电极可以一体地形成。
371.第一栅导电层可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
372.在形成包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层130的暴露部分导电。即，由第一栅导电层覆盖的第一半导体层130不变得导电，并且第一半导体层130的未由第一栅导电层覆盖的部分可以具有与导电
层的特性相同的特性。因此，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以是p型或n型晶体管。
373.参考图44，第二栅绝缘层142可以设置在第一栅绝缘层141以及包括驱动晶体管t1的栅电极1151的第一栅导电层上。第二栅绝缘层142可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
374.参考图34，示出了在第二栅绝缘层142上的包括存储电容器cst的第一存储电极1153、第三晶体管t3的下屏蔽层3155和第四晶体管t4的下屏蔽层4155的第二栅导电层。下屏蔽层3155和4155设置在第三晶体管t3和第四晶体管t4的沟道区域的下部分中，以用于屏蔽从下侧提供到沟道区域的光或电磁干扰。
375.第一存储电极1153与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠以形成存储电容器cst。开口1152形成在存储电容器cst的第一存储电极1153中。存储电容器cst的第一存储电极1153的开口1152可以与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向dr1)上延伸，并且连接到相邻的第一存储电极1153。
376.第三晶体管t3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管t3的栅电极3151(参见图36)重叠。第四晶体管t4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管t4的沟道区域4137(参见图35)和栅电极4151(参见图36)重叠。
377.第二栅导电层可以进一步包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可以基本上在水平方向(第一方向dr1)上延伸。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155连接。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155一体地形成。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155连接。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155一体地形成。
378.第二栅导电层可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
379.参考图44，第一层间绝缘层161可以设置在包括存储电容器cst的第一存储电极1153、第三晶体管t3的下屏蔽层3155和第四晶体管t4的下屏蔽层4155的第二栅导电层上。第一层间绝缘层161可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层，并且根据实施例，无机绝缘材料可以被形成为厚的。
380.参考图35，包括第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层可以设置在第一层间绝缘层161上。另外，氧化物半导体层可以包括升压电容器c
boost
的上升压电极3138t。另外，氧化物半导体层可以进一步包括在水平方向(第一方向dr1)上延伸的延伸部分127-1，并且延伸部分127-1可以与第一初始化电压线127电连接。
381.第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138可以彼此连接，并且因此可以彼此一体地形成。第一区域3136和第二区域3138设置在第三晶体管t3的沟道区域3137的相反侧，并且第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138设置在第四晶体管t4的沟道区域4137的相反侧。第三晶体管t3的第二区域3138连接到第四晶体管t4的第二区域4138。第三晶体管t3的沟道区域3137与下屏蔽层3155重叠，并且第四晶体管t4的沟道区域4137与下屏蔽层4155
重叠。
382.升压电容器c
boost
的上升压电极3138t设置在第三晶体管t3的第二区域3138与第四晶体管t4的第二区域4138之间。升压电容器c
boost
的上升压电极3138t与第一扫描线151的一部分(也被称为升压电容器c
boost
的下升压电极)重叠，使得形成升压电容器c
boost
。
383.在水平方向(第一方向dr1)上延伸的延伸部分127-1形成在第四晶体管t4的第一区域4136下方，并且与相邻的像素的第四晶体管t4的第一区域4136电连接。
384.参考图44，第三栅绝缘层143可以设置在包括第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138、升压电容器c
boost
的上升压电极3138t以及延伸部分127-1的氧化物半导体层上。
385.第三栅绝缘层143可以设置在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161中的全部之上。因此，第三栅绝缘层143可以覆盖第三晶体管t3的沟道区域3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管t4的沟道区域4137、第一区域4136和第二区域4138、升压电容器c
boost
的上升压电极3138t以及延伸部分127-1的顶表面和侧表面。然而，本实用新型构思不限于此，并且第三栅绝缘层143可以不设置在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161中的全部之上。例如，第三栅绝缘层143可以与第三晶体管t3的沟道区域3137重叠，并且可以不与第三晶体管t3的第一区域3136和第二区域3138重叠。另外，第三栅绝缘层143与第四晶体管t4的沟道区域4137重叠，并且可以不与第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138重叠。
386.第三栅绝缘层143可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
387.参考图36，包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅导电层可以设置在第三栅绝缘层143上。
388.第三晶体管t3的栅电极3151可以与第三晶体管t3的沟道区域3137重叠。第三晶体管t3的栅电极3151可以与第三晶体管t3的下屏蔽层3155重叠。
389.第四晶体管t4的栅电极4151可以与第四晶体管t4的沟道区域4137重叠。第四晶体管t4的栅电极4151可以与第四晶体管t4的下屏蔽层4155重叠。
390.第三栅导电层可以进一步包括上第二扫描线152b和上初始化控制线153b。
391.上第二扫描线152b和上初始化控制线153b可以基本上在水平方向(第一方向dr1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅电极3151连接。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅电极3151一体地形成。上初始化控制线153b和下初始化控制线153a形成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅电极4151连接。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅电极4151一体地形成。
392.另外，第三栅导电层可以进一步包括连接部分1175a。连接部分1175a通过形成在第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅绝缘层142中的开口op0与驱动晶体管t1的栅电极1151电连接。在这种情况下，开口op0可以在与设置在第一存储电极1153中的开口1152重叠的部分中与驱动晶体管t1的栅电极1151连接。
393.第三栅导电层gat3可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
394.在形成包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅
导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺，使得氧化物半导体层的由第三栅导电层覆盖的部分被形成为沟道区域，并且氧化物半导体层的未由第三栅导电层覆盖的部分变得导电。第三晶体管t3的沟道区域3137可以设置在栅电极3151下方以与栅电极3151重叠。第三晶体管t3的第一区域3136和第二区域3138可以不与栅电极3151重叠。第四晶体管t4的沟道区域4137可以设置在栅电极4151下方，以便与栅电极4151重叠。第四晶体管t4的第一区域4136和第二区域4138可以不与栅电极4151重叠。上升压电极3138t和延伸部分127-1可以不与第三栅导电层重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可以具有n型晶体管的特性。
395.参考图44，第二层间绝缘层162可以设置在包括第三晶体管t3的栅电极3151和第四晶体管t4的栅电极4151的第三栅导电层上。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘材料，并且根据实施例，第二层间绝缘层162可以包括有机材料。
396.参考图37，第二层间绝缘层162可以包括两种类型的开口op1和op2。可以使用不同的掩模来形成两种类型的开口op1和op2。
397.开口op1形成在第二层间绝缘层162、第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中的至少一个中，并且可以暴露第一半导体层130、第一栅导电层或第二栅导电层。
398.开口op2形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅绝缘层143中，并且可以暴露氧化物半导体层或第三栅导电层。
399.开口op1中的一个与驱动晶体管t1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且还可以形成在第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅绝缘层142中。在这种情况下，开口op1中的一个可以与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可以设置在第一存储电极1153的开口1152内部。
400.开口op2中的一个可以与升压电容器c
boost
至少部分地重叠，并且可以进一步形成在第三栅绝缘层143中。
401.开口op1中的另一个与驱动晶体管t1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且开口op1可以形成在第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中。
402.开口op2中的另一个与第三晶体管t3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可以形成在第三栅绝缘层143中。
403.参考图38和图39，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层可以设置在第二层间绝缘层162上。可能难以容易地识别图39中的第一数据导电层，并且因此图38作为俯视图仅示出了第一数据导电层以及开口op1和op2，并且图39是示出第一数据导电层以及第一数据导电层下方的所有层的俯视图。
404.第一连接电极1175可以与驱动晶体管t1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过开口op1以及第一存储电极1153的开口1152与驱动晶体管t1的栅电极1151连接。第一连接电极1175可以与升压电容器c
boost
重叠。第一连接电极1175可以通过开口op2与升压电容器c
boost
的上升压电极3138t连接。相应地，驱动晶体管t1的栅电极1151和升压电容器c
boost
的上升压电极3138t可以通过第一连接电极1175连接。在这种情况下，驱动晶体管t1的栅电极1151还可以通过第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二区域3138和第四晶体管
t4的第二区域4138连接。
405.第二连接电极3175可以与驱动晶体管t1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过开口op1与驱动晶体管t1的第二区域1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管t3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过开口op2与第三晶体管t3的第一区域3136连接。因此，驱动晶体管t1的第二区域1133和第三晶体管t3的第一区域3136可以通过第二连接电极3175连接。
406.第一数据导电层可以进一步包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128在水平方向(第一方向dr1)上延伸。第二初始化电压线128通过开口op1与第一半导体层130的部分1137电连接。
407.第一数据导电层可以进一步包括连接部分127cm和171cm、阳极连接部分acm1、扩展部分fl-sd1和第一附加信号布线brs-1。
408.连接部分127cm通过开口op1与第二栅导电层的第一初始化电压线127连接，并且通过开口op2与第四晶体管t4的设置在第二半导体层(氧化物半导体层)中的第一区域4136连接，使得流过第一初始化电压线127的第一初始化电压vinit被传送到氧化物半导体层的第四晶体管t4。
409.连接部分171cm通过开口op1与第一半导体层130的部分1134(即，第二晶体管t2)电连接。
410.阳极连接部分acm1通过开口op1与第一半导体层130的部分1136(即，第六晶体管t6)电连接。
411.扩展部分fl-sd1被形成为宽的，以便使设置在其上的阳极变平坦。另外，扩展部分fl-sd1通过开口op1与第一半导体层130的部分1135(即，第五晶体管t5)连接，并且还通过开口op1与第一存储电极1153电连接。另外，扩展部分fl-sd1具有在水平方向(第一方向dr1)上延伸的延伸部分172-1，并且因此左右相邻的扩展部分fl-sd1彼此连接。
412.第一附加信号布线brs-1具有在水平方向(第一方向dr1)上延伸的结构。在第一附加信号布线brs-1中存在延伸的部分，并且如果需要，该部分被形成为电连接到附加信号布线brs。
413.第一数据导电层可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
414.参考图44，第一有机层181可以设置在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层sd1上。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘层，并且有机材料可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。
415.参考图40、图41和图44，开口op3形成在第一有机层181中。包括数据线171、驱动电压线172、阳极连接部分acm2和附加信号布线brs的第二数据导电层sd2可以设置在第一有机层181上。第二有机层182和第三有机层183设置在第二数据导电层sd2上，并且开口op4形成在第二有机层182和第三有机层183中。阳极连接部分acm2通过开口op4与阳极anode电连接。可能难以容易地识别图41中的第二数据导电层sd2，并且因此图40作为俯视图仅示出了第二数据导电层sd2以及开口op3和op4并且图41是示出第二数据导电层sd2以及第二数据导电层sd2下方的所有层的俯视图。
416.参考图40和图41，开口op3分别与设置在第一数据导电层中的连接部分171cm、阳极连接部分acm1和扩展部分fl-sd1重叠，并且因此暴露它们。
417.第二数据导电层可以包括数据线171、驱动电压线172、阳极连接部分acm2和附加信号布线brs。
418.数据线171和驱动电压线172可以基本上在垂直方向(第二方向dr2)上延伸。数据线171通过开口op3与第一数据导电层的连接部分171cm连接，并且因此与第二晶体管t2连接。驱动电压线172通过开口op3与连接第一数据导电层的扩展部分fl-sd1的延伸部分172-1电连接，并且通过扩展部分fl-sd1还与相邻的扩展部分fl-sd1连接。另外，驱动电压线172通过扩展部分fl-sd1与第五晶体管t5和第一存储电极1153电连接。阳极连接部分acm2通过开口op3与阳极连接部分acm1电连接，并且与第六晶体管t6电连接。
419.附加信号布线brs在垂直方向(第二方向dr2)上延伸，并且包括延伸的部分。附加信号布线brs的延伸的部分与第一附加信号布线brs-1的延伸的部分在平面上彼此重叠，并且被形成为在必要时彼此电连接。将参考图45详细地描述附加信号布线brs的作用。
420.参考图40，驱动电压线172进一步包括扩展部分fl-sd2。扩展部分fl-sd2被形成为宽的，以便使设置在扩展部分fl-sd2上的阳极变平坦。
421.由于如上所述的阳极之下的结构(有机层181、182和183、第一数据导电层的扩展部分fl-sd1和第二初始化电压线128以及第二数据导电层的扩展部分fl-sd2、数据线171和附加信号布线brs)，阳极具有平坦的特性。
422.在本实施例中，扩展部分fl-sd1和扩展部分fl-sd2与驱动电压线172电连接，并且因此驱动电压elvdd被传送。
423.第二数据导电层可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
424.参考图44，第二有机层182和第三有机层183设置在第二数据导电层sd2上。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘层，并且可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，第三有机层183可以被省略。
425.开口op4形成在第二有机层182和第三有机层183中，并且阳极anode和阳极连接部分acm2通过开口op4电连接。
426.参考图42，阳极anode形成在第三有机层183上。阳极anode可以进一步包括延伸部分anode-e，以通过开口op4接收来自像素电路部分的电流。另外，在图42的实施例中，附加扩展部分anode-c进一步形成在阳极anode中。附加扩展部分anode-c可以是通过延伸阳极anode以覆盖像素电路部分的一部分的部分。因此，附加扩展部分anode-c可以起到捕获对应节点的电压波动的作用。
427.参考图42和图44，黑色像素限定层380设置在阳极anode上，并且黑色像素限定层380的开口op被形成为与阳极anode重叠。
428.在图43中示出了其中上述结构作为整体被堆叠的结构。在本实施例中，如参考图29简要地描述的，阳极anode的至少通过黑色像素限定层380的开口op暴露的部分可以通过设置在阳极anode下方的第一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1和第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2变平坦。更具体地，通过数据线171、布线部分172-e、有机层181、182和183、第
一数据导电层sd1的扩展部分fl-sd1以及第二数据导电层sd2的扩展部分fl-sd2，阳极anode具有平坦的特性。另外，黑色像素限定层380的开口op的至少一部分可以不与扩展部分fl-sd1和fl-sd2重叠，但是由于布线部分(例如，附加信号布线brs)的结构，阳极anode甚至在其边缘部分处可以变平坦。
429.基于这样的平面结构，将参考图44描述发光显示装置的整个截面结构。
430.图44是根据实施例的发光显示装置的截面图。
431.在图44中，示出了显示区域da的层叠结构。
432.首先，参考图44，将描述显示区域da的像素的详细层叠结构。这里，显示区域da的像素的层叠结构可以是设置在主显示区域da1(也被称为第一显示区域)和部件区域da2(也被称为第一元件区域)中的像素的层叠结构。
433.基板110可以包括诸如玻璃等的具有刚性特性并且因此不可弯折的材料，或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以被弯折的柔性材料。图44示出了柔性基板，并且基板110可以具有聚酰亚胺的两层结构以及由其上的无机绝缘材料形成的阻挡层。
434.金属层bml设置在基板110上，并且金属层bml设置在与第一半导体层act1的沟道区域重叠的区域中。金属层bml也被称为下屏蔽层，并且可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属并且可以由单层或多层形成。缓冲层111可以设置在金属层bml上以覆盖金属层bml，并且缓冲层111用于防止杂质元素渗透到第一半导体层130并且可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
435.第一半导体层act1设置在缓冲层111上。第一半导体层act1包括沟道区域以及设置在沟道区域的相反侧的第一区域和第二区域。
436.第一栅绝缘层141可以设置成覆盖第一半导体层act1或仅与第一半导体层act1的沟道区域重叠。第一栅绝缘层141可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
437.第一栅导电层gat1设置在第一栅绝缘层141上，并且第一栅导电层gat1包括包含硅半导体的晶体管ltps tft的栅电极。第一栅导电层gat1可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。第一半导体层act1的在平面上与晶体管ltps tft的栅电极重叠的区域可以是沟道区域。另外，晶体管ltps tft的栅电极可以用作存储电容器cst的一个电极。
438.第一栅导电层gat1由第二栅绝缘层142覆盖，并且第二栅绝缘层142可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
439.第二栅导电层gat2设置在第二栅绝缘层142上，并且第二栅导电层gat2可以包括通过与晶体管ltps tft的栅电极重叠来形成存储电容器cst的第一存储电极和设置在氧化物半导体层act2下方的用于氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml。第二栅导电层gat2可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
440.第二栅导电层gat2由第一层间绝缘层161覆盖，并且第一层间绝缘层161可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
441.氧化物半导体层act2设置在第一层间绝缘层161上，并且氧化物半导体层act2包括沟道区域以及设置在沟道区域的相反侧的第一区域和第二区域。
442.氧化物半导体层act2由第三栅绝缘层143覆盖，并且第三栅绝缘层143可以包括包
含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)等的无机绝缘层。
443.第三栅绝缘层143和第一层间绝缘层161可以包括与用于第二栅导电层gat2的氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml的一部分重叠的开口。
444.第三栅导电层gat3设置在第三栅绝缘层143上，并且第三栅导电层gat3包括与氧化物晶体管oxide tft的栅电极和氧化物晶体管oxide tft的下屏蔽层bml连接的连接部分。第三栅导电层gat3可以包括诸如铜(cu)、钼(mo)、铝(al)和钛(ti)等的金属，并且可以由单层或多层形成。
445.第三栅导电层gat3由第二层间绝缘层162覆盖，并且第二层间绝缘层162可以包括包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sion
x
)等的无机绝缘层，并且根据实施例可以包括有机材料。
446.第二层间绝缘层162和设置在第二层间绝缘层162下方的绝缘层可以包括与第一半导体层act1和氧化物半导体层act2重叠的开口。
447.第一数据导电层sd1设置在第二层间绝缘层162上，并且第一数据导电层sd1包括连接部分，以将电压或电流提供到第一半导体层act1和氧化物半导体层act2或者将电压或电流传送到其它元件。第一数据导电层sd1可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
448.第一数据导电层sd1由第一有机层181覆盖。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘层，并且有机材料可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。
449.第一有机层181可以包括与第一数据导电层sd1重叠的开口，并且第二数据导电层sd2设置在第一有机层181上。第二数据导电层sd2可以通过开口与第一数据导电层sd1连接。第二数据导电层sd2可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)和钛(ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。
450.第二数据导电层sd2由第二有机层182和第三有机层183覆盖。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘层，并且可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。根据实施例，第三有机层183可以被省略。然而，由于第三有机层183，阳极anode可以具有更平坦的特性。
451.阳极anode可以设置在第三有机层183上，并且具有通过形成在第三有机层183中的开口与第二数据导电层sd2连接的结构。阳极anode可以由包括透明导电氧化物膜和金属材料的单层或多层形成。透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ito)、聚ito、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)，并且金属材料可以包括银(ag)、钼(mo)、铜(cu)、金(au)和铝(al)等。
452.包括与阳极anode的至少一部分重叠并且覆盖阳极anode的另一部分的开口的黑色像素限定层380设置在阳极anode上。除了有机绝缘材料之外，黑色像素限定层380可以进一步包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或膏体、金属颗粒(诸如镍、铝、钼以及它们的合金)和金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)等。黑色像素限定层380可以由具有负型黑色的有机材料形成。由于负型有机材料被使用，因此它可以具有由掩模覆盖的部分被去除的特性。
453.黑色像素限定层380具有开口op，并且发射层eml设置在开口op内部。发射层eml可
以由有机发光材料形成，并且相邻的发射层eml可以显示不同的颜色。同时，根据实施例，每一个发射层eml由于设置在其上方的滤色器230可以显示相同的颜色。
454.间隔件385形成在黑色像素限定层380上。间隔件385可以被形成为具有台阶的结构，并且间隔件385包括设置在高且窄的区域中的第一部分385-1以及设置在低且宽的区域中的第二部分385-2。间隔件385可以由光敏聚酰亚胺(pspi)形成。
455.功能层fl设置在发射层eml、间隔件385和暴露的黑色像素限定层380上，并且功能层fl可以形成在发光显示面板dp的整个表面上。功能层fl可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，并且功能层fl可以设置在发射层eml上方和下方。即，空穴注入层、空穴传输层、发射层eml、电子传输层、电子注入层和阴极cathode顺序地设置在阳极anode上，并且因此功能层fl的空穴注入层和空穴传输层设置在发射层eml下方，而功能层fl的电子传输层和电子注入层可以设置在发射层eml上方。根据实施例，功能层fl还可以设置在透光区域lta中。
456.阴极cathode可以被形成为透光电极或反射电极。根据实施例，阴极cathode可以是透明或半透明电极，并且可以由具有低功函数的金属薄膜(诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)以及它们的化合物或混合物，或者诸如氟化锂/钙(lif/ca)和氟化锂/铝(lif/al)的具有多层结构的材料)形成。另外，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的透明导电氧化物(tco)可以进一步设置在金属薄膜上。阴极cathode可以遍及发光显示面板dp的除了透光区域lta之外的整个表面一体地形成。
457.封装层400设置在阴极cathode上。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且可以具有包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403的三层结构。封装层400可以用于保护由有机材料形成的发射层eml免受可能从外部流入的水分或氧气的影响。根据实施例，封装层400可以包括其中无机层和有机层进一步顺序地堆叠的结构。这里，有机封装层402的厚度可以被形成为3.5μm或更大且4.5μm或更小(例如，4μm)。有机封装层402的厚度可以从8μm或更大减小到该厚度的一半，以提高其上的触摸感测的效果，并且可以减小黑色像素限定层380与光阻挡层220之间的距离以允许用户以广角观看图像。
458.感测绝缘层501、510和511以及多个感测电极540和541设置在封装层400上用于触摸感测。
459.这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、钼(mo)、钛(ti)和钽(ta)等的金属或者它们的金属合金，并且可以被形成为单层或多层。多个感测电极540和541可以在中间感测绝缘层510设置在它们之间的同时彼此绝缘，并且下感测电极541设置在下感测绝缘层501上，上感测电极540设置在中间感测绝缘层510上并且上感测电极540由上感测绝缘层511覆盖。多个感测电极540和541可以通过设置在中间感测绝缘层510中的开口电连接。在图44的实施例中，使用两个感测电极540和541以电容型来感测触摸，但是根据实施例，还可以仅使用一个感测电极以自电容方法来感测触摸。
460.光阻挡层220和滤色器230设置在上感测电极540上(即，上感测绝缘层511上)。
461.光阻挡层220可以设置成在平面上与感测电极540和541重叠，并且设置成在平面上不与阳极anode重叠。这是为了防止阳极anode和可以显示图像的发射层eml被光阻挡层
220以及感测电极540和541阻挡。
462.滤色器230设置在感测绝缘层501、510和511以及光阻挡层220上。滤色器230包括透射红光的红色滤色器、透射绿光的绿色滤色器和透射蓝光的蓝色滤色器。每一个滤色器230可以设置成在平面上与发光二极管led的阳极anode重叠。由于从发射层eml发射的光可以在穿过滤色器230时被改变为对应的颜色的同时被发射，因此从发射层eml发射的光中的全部可以具有相同的颜色。然而，在发射层eml中，不同颜色的光被显示，并且所显示的颜色可以通过穿过相同颜色的滤色器230而被增强。
463.光阻挡层220可以设置在相邻的滤色器230之间。根据实施例，滤色器230可以用颜色转换层代替，或者可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。
464.根据实施例，滤色器230可以具有其中三种颜色当中的一种颜色的滤色器在仅形成与其它两种颜色的滤色器相对应的开口的同时作为整体被形成并且其它两种颜色的滤色器形成在对应的开口中的结构。根据实施例，如图10中所示，可以包括附加开口。
465.覆盖滤色器230的平坦化层550设置在滤色器230上。平坦化层550用于平坦化发光显示面板dp的上表面，并且可以是包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料的透明有机绝缘层。
466.根据实施例，低折射层和附加平坦化层可以进一步设置在平坦化层550上，以提高发光显示装置的前面可视性和发光效率。光可以在被低折射层以及具有高折射特性的附加平坦化层折射到前面的同时被发射。在这种情况下，低折射层和附加平坦化层可以直接设置在滤色器230上，并且因此根据实施例，平坦化层550可以被省略。
467.在本实施例中，偏振器不被包括在平坦化层550上。当用户识别入射在其上并且从阳极anode反射的外部光时，偏振器可以用于防止显示劣化。然而，在本实施例中，还包括其中黑色像素限定层380覆盖阳极anode的侧面以降低从阳极anode反射的程度并且还形成光阻挡层220来减小光的入射以防止由于反射导致的显示质量的劣化的结构。因此，不需要在发光显示面板dp的前表面上单独地形成偏振器。
468.在上文中，已经参考图25描述了透光区域lta的层叠结构。
469.在下文中，将参考图45描述参考图31至图43说明的附加信号布线brs和第一附加信号布线brs-1的作用。
470.图45示意性地示出了根据实施例的发光显示装置的布线连接结构。
471.在图45中，示出了当驱动器ic和数据线171在发光显示面板dp的外围区域处连接时用于通过显示区域da连接以便减小外围区域中的死区d/s的宽度的数据线连接结构。在这种情况下，设置在第二数据导电层sd2中的附加信号布线brs和设置在第一数据导电层sd1中的第一附加信号布线brs-1被使用。
472.附加信号布线brs可以是与数据线171平行并且传送被施加到数据线171的数据电压的布线。第一附加信号布线brs-1可以与附加信号布线brs电连接，并且可以在与附加信号布线brs垂直的方向上延伸。
473.基于图45的实施例，将描述从驱动器ic到数据线171的一般布线连接结构。
474.驱动器ic的输出端子与设置在第一栅导电层gat1中的布线d1-1连接，并且然后通过触点与设置在第二数据导电层sd2中的布线d2-1电连接。布线d2-1穿过弯折部分，通过触点与设置在第一栅导电层gat1中的布线d3-1连接，并且然后通过触点与设置在第二数据导
电层sd2中的数据线171连接。
475.然而，设置在显示区域da外部的数据线171以不同的方式连接，并且将详细地描述如下。
476.驱动器ic的输出端子与设置在第二栅导电层gat2中的布线d1-2连接，并且然后通过触点与设置在第二数据导电层sd2中的布线d2-2电连接。布线d2-2穿过弯折部分，通过触点与设置在第二栅导电层gat2中的布线d3-2连接，并且然后通过触点与设置在第二数据导电层sd2中的附加信号布线brs连接。附加信号布线brs在与设置在第一数据导电层sd1中的第一附加信号布线brs-1连接的同时在水平方向上延伸，并且在通过触点与附加信号布线brs连接的同时在与水平方向垂直的方向上延伸。之后，附加信号布线brs从显示区域da外部通过触点与设置在第二数据导电层sd2中的数据线171连接。
477.对于数据线171的这样的连接结构，设置在第二数据导电层sd2中的附加信号布线brs和设置在第一数据导电层sd1中的第一附加信号布线brs-1被使用。这样的结构具有减小外围区域的宽度的优点。
478.在下文中，将参考图46a、图46b和图46c以及图47描述根据本实施例的阳极的平坦度的提高。
479.首先，将描述图46a、图46b和图46c。
480.图46a、图46b和图46c是模拟根据比较示例和实施例的发光显示装置的阳极平坦度的结果。
481.图46a和图46b分别是根据比较示例1和比较示例2的阳极的平坦度的模拟的结果，并且图46c是根据本实施例的阳极的平坦度的模拟结果。
482.在与图46a相对应的比较示例1中，示出了在没有扩展部分形成于设置在阳极下方的第二数据导电层中并且仅一个有机层形成在阳极与第二数据导电层之间的情况下的阳极平坦度。
483.同时，与比较示例1不同，在与图46b相对应的比较示例2中，示出了在两个有机层形成在阳极与第二数据导电层之间但是没有扩展部分形成于设置在阳极下方的第二数据导电层中的情况下的阳极平坦度。
484.如图46a和图46b中所示，比较示例1和2示出了阳极具有差的平坦度。
485.在图46c的实施例中执行的模拟示出了在两个有机层形成在阳极与第二数据导电层之间并且扩展部分完全地形成于设置在阳极下方的第二数据导电层中的情况下的阳极平坦度。
486.参考图46a、图46b和图46c，示出实施例的图46c中所示的平坦度被显著地提高。
487.同时，参考图47，现在将描述通过从阳极反射的光的角度间接地描述的平坦度。
488.图47是示出根据实施例和比较示例的发光显示装置中的发光角度的图。
489.在图47中，x轴和y轴分别表示角度，并且是参考彼此垂直的方向测量的角度。如图46a、图46b和图46c中所示，在图47中示出了从根据比较示例1和2以及本实施例的阳极反射的光的角度的模拟结果。
490.即，当阳极是平坦的时，入射光被反射，并且因此发射光的角度没有差异，但是当阳极表面是弯曲的时，入射光以基于入射光的角度的不同角度被发射。在图47中，模拟了发射光的角度如何基于入射光的角度而不同。
491.在图47中，通过图的中心确定，在比较示例1和2中以比实施例的角度大的角度发射光的情况增多。据此，可以确定与实施例相比，在比较示例1和比较示例2中具有较小的平坦度。
492.如在图46a、图46b和图46c以及图47中可以确定的，当两个有机层形成在阳极与阳极下方的第二数据导电层之间并且扩展部分形成在第二数据导电层中时，平坦度被提高。与比较示例不同的两个特征(两个有机层和扩展部分)中的更重要的特征是通过与阳极重叠来形成扩展部分。
493.根据实施例，存在其中黑色像素限定层380的整个开口op与扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上重叠的实施例(参考图6)以及其中黑色像素限定层380的开口op的一部分与扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上重叠的实施例(参考图27)。当黑色像素限定层380的开口op的一部分与扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上重叠时，至少95％的开口op与扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上重叠。当黑色像素限定层380的开口op的一部分与扩展部分fl-sd1和fl-sd2在平面上重叠时，布线部分sl-sd1和sl-sd2用于使与黑色像素限定层380的开口op重叠的阳极变平坦，并且考虑布线的宽度和间距以及黑色像素限定层380的开口op的大小等，四条布线形成在阳极之下，或者两条布线位于下部分中并且其余两条布线可以与黑色像素限定层380的开口op部分地重叠。
494.在下文中，参考图48a、图48b和图48c以及图49，将描述其中设置在下面板层的有机层181、182和183中的开口(参考前面附图的op4)与黑色像素限定层380的开口op之间的边界之间的距离根据发射光的颜色而不同的实施例。
495.图48a、图48b和图48c分别是根据另一实施例的发光显示装置的一部分的放大截面图，并且图49是根据其它实施例的发光显示装置的下面板层的一部分的俯视图。
496.参考图48a、图48b和图48c，发射层eml、功能层fl和阴极cathode被省略，但是在图48a、图48b和图48c中，附加地示出了光阻挡层220以及滤色器230r、230g和230b以清楚地示出与光阻挡层220的关系。
497.在图48a、图48b和图48c中，与图6中不同，附加地示出了设置在第二数据导电层中的阳极连接部分acm2，并且还示出了形成在第二有机层182和第三有机层183中的开口op4。因此，示意性地示出了其中阳极连接部分acm2和阳极anode连接的结构。
498.在图48a、图48b和图48c中，从黑色像素限定层380的边界(或黑色像素限定层380的开口op的边界)到形成在第二有机层182和第三有机层183中的开口op4的相邻边界的水平距离(在下文中也被称为间隙或具有接触部分的间隙)分别被示出为gap-cr、gap-cg和gap-cb。这里，水平距离是黑色像素限定层380的暴露阳极anode的开口op的边缘与阳极anode连接到下导电层(阳极连接部分acm2)的开口op4的相邻边缘之间的距离。
499.在图48a和图48c中，红色发光二极管和蓝色发光二极管中的开口op4的边界与黑色像素限定层380的开口op的相邻边界之间的gap-cr和gap-cb的间隔被示出为相对长。相反，在图48b中，绿色发光二极管中的开口op4的边界与黑色像素限定层380的开口op的相邻边界之间的gap-cg的间隔被示出为相对短。与红色发光二极管相对应的开口op可以被形成为小于另一种颜色的发光二极管的开口op，并且还可以靠近形成在第二有机层182和第三有机层183中的开口op4。
500.在俯视图上示出了图48a、图48b和图48c中所示的gap-cr、gap-cg和gap-cb的间
隔，并且在图49中示出了黑色像素限定层380的开口opr、opg和opb与开口op4的末端之间在第一方向dr1或第二方向dr2上的间隔。
501.红色发光二极管(红色阳极)中具有接触部分的gap-cr的间隔可以是20μm或更大且30μm或更小，并且可以是25μm。蓝色发光二极管(蓝色阳极)中具有接触部分的gap-cb的间隔可以是20μm或更大且30μm或更小，并且可以是24μm。蓝色发光二极管(蓝色阳极)中具有接触部分的gap-cb的间隔可以小于红色发光二极管(红色阳极)中具有接触部分的gap-cr的间隔，并且这可能是因为黑色像素限定层380的开口op当中的用于蓝色阳极的开口opb的大小大于用于红色阳极的开口opr的大小。
502.绿色发光二极管(绿色阳极)中具有接触部分的gap-cg的间隔可以是10μm或更大且20μm或更小，并且可以是14μm。在绿色发光二极管(绿色阳极)中，具有接触部分的gap-cg的间隔可以是5μm或更大且15μm或更小(其小于其它颜色的具有接触部分的gap-cr和gap-cb的间隔)。
503.因此，根据本实用新型构思的各种实施例，可以通过使用用于将发射层彼此分离的像素限定层的黑色像素限定层代替偏振器来降低外部光被反射的比率。通过在将发射层彼此分离的黑色像素限定层的顶部上形成具有台阶的间隔件，可以增加刮擦强度并降低由于发光显示装置上的压力(诸如由手指)引起的暗点的发生率。
504.附加地，通过提高反射外部光的阳极的平坦度使得反射光不会不对称地扩散，从而减少由反射光引起的颜色扩散(颜色分离)，可以提高显示质量。
505.反射调整层可以设置在光阻挡层220上。反射调整层可以选择性地吸收发光显示装置内部反射的光或发光显示装置外部入射的光当中的部分波段的波长的光。反射调整层可以填充开口op。
506.例如，反射调整层吸收490nm至505nm的第一波长区和585nm至600nm的第二波长区的光，并且因此第一波长区和第二波长区中的透光率可以是40％或更低。反射调整层可以吸收从发光二极管发射的红光、绿光或蓝光的发射波长范围之外的波长的光。如所描述的，反射调整层吸收不属于从发光二极管发射的红光、绿光或蓝光的发射波长范围的波长的光，从而防止或最小化发光显示装置的亮度降低，并且同时防止或最小化发光效率的劣化并提高发光显示装置的可视性。
507.在实施例中，反射调整层可以被提供为包括染料、颜料或者它们的组合的有机材料层。反射调整层可以包含四氮杂卟啉(tap)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、恶嗪类化合物、方酸菁类化合物、三芳基甲烷化合物、聚甲炔化合物、蒽醌化合物、酞菁化合物、偶氮化合物、二萘嵌苯化合物、氧杂蒽类化合物、联胺类化合物、亚甲基二吡咯类化合物、花青类化合物或者它们的组合。
508.在实施例中，反射调整层可以具有大约64％至72％的透光率。反射调整层的透光率可以根据在反射调整层中包括的颜料和/或染料的含量来调整。
509.根据实施例，反射调整层可以不设置在部件区域da2中。另外，包括反射调整层的实施例可以进一步包括设置在阴极cathode与封装层400之间的封盖层和低反射层。
510.封盖层可以用于通过相长干涉原理来提高发光二极管的发光效率。封盖层可以包括例如针对具有589nm的波长的光具有1.6或更高的折射率的材料。
511.封盖层可以是包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或者包括
有机材料和无机材料的复合封盖层。例如，封盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、包含胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或者它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和包含胺基的化合物可选地可以用包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或者它们的任何组合的取代基代替。
512.低反射层可以设置在封盖层上。低反射层可以与基板110的前表面重叠。
513.低反射层可以包括具有低反射率的无机材料，并且在实施例中，低反射层可以包括金属或金属氧化物。当低反射层包含金属时，它可以包括例如镱(yb)、铋(bi)、钴(co)、钼(mo)、钛(ti)、锆(zr)、铝(al)、铬(cr)、铌(nb)、铂(pt)、钨(w)、铟(in)、锡(sn)、铁(fe)、镍(ni)、钽(ta)或锰(mn)，并且它可以包括锌(zn)、锗(ge)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、铜(cu)、钙(ca)或者它们的组合。另外，当低反射层包含金属氧化物时，它可以包括例如sio2、tio2、zro2、ta2o5、hfo2、al2o3、zno、y2o3、beo、mgo、pbo2、wo3、sin
x
、lif、caf2、mgf2、cds或者它们的组合。
514.在实施例中，在低反射层中包括的无机材料的吸收系数(k)可以是4.0或更小且0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。另外，在低反射层中包括的无机材料可以具有1.0或更大的折射率(n)(n≥1.0)。
515.低反射层在入射到发光显示装置中的光与从设置在低反射层之下的金属反射的光之间诱发相消干涉，从而减少外部光的反射。相应地，通过减少发光显示装置的外部光通过低反射层的反射，可以提高发光显示装置的显示质量和可视性。
516.根据实施例，可以不形成封盖层，并且然后低反射层可以直接接触阴极cathode。
517.封装层设置在低反射层上，其它结构可以与图25和图44的结构相同。
518.尽管在本文中已经描述了特定实施例和实施方式，但是其它实施例和修改根据该描述将显而易见。相应地，本实用新型构思不限于这样的实施例，而是受限于对本领域普通技术人员将显而易见的所附权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更广范围。