一种二极管芯片封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及一种二极管芯片封装结构。


背景技术：

2.现有的二极管，其芯片的台面钝化保护采用在sio2玻璃内钝化技术，使pn结台面生长一层玻璃钝化膜来保护pn结免受可动离子的沾污和外界条件对器件性能的影响，以提高产品的电气性能、稳定性、可靠性。但使用二氧化硅或玻璃作为半导体器件钝化层时，存在以下三个问题：(1)绝缘层中靠近硅衬底界面处有固定正电荷，会造成n 型硅的电子积累和p型硅的反型层；(2)不能防止钝化层的电荷积累或na+、k+等碱金属离子沾污，这些电荷能在靠近硅衬底表面的地方感应出相反极性的电荷，并改变其电导率；(3)由于载流子注入到二氧化硅的绝缘体中，能进行贮存和长期停留，使器件表面区的电导率发生改变，从而使pn结反向击穿电压出现蠕变现象。并且在封装时，电极片在管芯上通常使用烧结的方式固定，但烧结后焊膏会溢出，导致产品损坏。


技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种二极管芯片封装结构。
4.本实用新型通过以下技术方案得以实现。
5.本实用新型提供的一种二极管芯片封装结构，包括管座；所述管座上加工有两个安装槽,两个安装槽的底部均安装有底板,底板的底部连接有引线二,引线二伸出管座的下端面外，一个底板上固定有管芯，管芯的顶部侧面为圆弧形槽管芯上固定有一个电极，另一个底板上固定有一个电极，两个电极之间通过引线连接，所述管座的顶端边缘固接有焊片,焊片为框型，焊片的顶端通过盖板封闭，所述管座的顶端还填充有硅橡胶。
6.所述电极和管芯、电极和底板、管芯和底座之间通过焊片焊接固定。本实用新型的有益效果在于：通过在管芯pn接触一次使用sipos
7.层、sio2层、钝化玻璃层形成钝化层，有效保护pn结免受可动离子的沾污和外界条件对器件性能的影响；在封装时弧形的钝化层能够阻挡溢出的焊膏流出管芯的上表面，减少了后续的cvd和pvd工艺。
附图说明
8.图1是本实用新型的封装结构示意图；
9.图2是本实用新型的俯视结构示意图；
10.图3是本实用新型的管芯钝化结构示意图；
11.图中：1-管芯，2-电极，3-焊片，4-盖板，5-引线，6-管座，7
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硅橡胶，8-阴极，9-阳极，10-底板，11-引线二，12-安装槽。
具体实施方式
12.下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
13.一种二极管芯片封装结构，包括管座6；所述管座6上加工有两个安装槽12,两个安装槽12的底部均安装有底板10,底板10的底部连接有引线二11,引线二11伸出管座6的下端面外，一个底板10上固定有管芯 1，管芯1上固定有一个电极2，另一个底板10上固定有一个电极2，两个电极2之间通过引线5连接，所述管座6的顶端边缘固接有焊片3,焊片3为框型，焊片3的顶端通过盖板4封闭，所述管座6的顶端还填充有硅橡胶7。弧形的钝化层能够阻挡溢出的焊膏流出管芯的上表面，减少了后续的cvd和pvd工艺。
14.所述钝化层从内向外依次为sipos层、sio2层、钝化玻璃层。由于钝化层中含有sipos，由于sipos的电中性，能使在外界环境下感生的电荷不堆积在硅表面，而是流入到半绝缘多晶硅，被膜中大量的陷阱所俘获，从而在多晶硅中形成屏蔽外电场的空间电荷区，使硅衬底表面的能带分布不受外电场的影响，薄膜的半绝缘性使膜中可以有电流流过，因而缓解了势垒区表面电场，从而提高了结的击穿电压。sipos膜包含有氧原子，这些氧原子减少了表面态密度，降低了漏电流。因此，sipos膜能够彻底解决硅器件反向特性蠕动、漂移、反向漏电流大等诸多弊端，使得器件在高温环境下具有较高的稳定性和可靠性。
15.所述电极2和管芯1、电极2和底板10、管芯1和底座10之间通过焊片焊接固定。
16.在加工时使用刮图法制作芯片表面的玻璃钝化层，加工工艺流程：在芯片表面涂覆玻璃粉
→
玻璃粉固化
→
匀光刻胶
→
曝光
→
显影
→
喷砂
→
去胶。该工艺方法采用光刻胶保护，光刻加喷砂的方式实现多余玻璃钝化层去除，其原理是喷砂可去裸露在外的玻璃，但不会损坏光刻胶保护下的玻璃，保证多余玻璃钝化层去除后芯片表面玻璃钝化层图形清晰，玻璃边缘陡直，有利于批量生产加工、有利于对芯片表面金属化。


技术特征：
1.一种二极管芯片封装结构，包括管座(6)，其特征在于：所述管座(6)上加工有两个安装槽(12),两个安装槽(12)的底部均安装有底板(10),底板(10)的底部连接有引线二(11),引线二(11)伸出管座(6)的下端面外，一个底板(10)上固定有管芯(1)，管芯(1)的顶部侧面为圆弧形槽，管芯(1)上固定有一个电极(2)，另一个底板(10)上固定有一个电极(2)，两个电极(2)之间通过引线(5)连接，所述管座(6)的顶端边缘固接有焊片(3),焊片(3)为框型，焊片(3)的顶端通过盖板(4)封闭，所述管座(6)的顶端还填充有硅橡胶(7)。2.如权利要求1所述的一种二极管芯片封装结构，其特征在于：所述电极(2)和管芯(1)、电极(2)和底板(10)、管芯(1)和底板(10)之间通过焊片焊接固定。

技术总结
本实用新型提供了一种二极管芯片封装结构，包括管座；所述管座上加工有两个安装槽,两个安装槽的底部均安装有底板,底板的底部连接有引线,引线伸出管座的下端面外，一个底板上固定有管芯，管芯的顶部侧面为圆弧形槽管芯上固定有一个电极，另一个底板上固定有一个电极，两个电极之间通过引线连接，所述管座的顶端边缘固接有焊片,焊片为框型，焊片的顶端通过盖板封闭，所述管座的顶端还填充有硅橡胶。本实用新型通过在管芯PN接触一次使用SIPOS层、SIO2层、钝化玻璃层形成钝化层，有效保护PN结免受可动离子的沾污和外界条件对器件性能的影响；在封装时弧形的钝化层能够阻挡溢出的焊膏流出管芯的上表面，减少了后续的CVD和PVD工艺。工艺。工艺。


技术研发人员：王宏 王博 杨诚 梅青 洪杜桥 丁小宏 莫宏康 付航军 张云超 钟俊
受保护的技术使用者：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2023/3/23